KR100450262B1 - 고감도 초소형 캔틸레버 센서 및 제조 방법 - Google Patents

고감도 초소형 캔틸레버 센서 및 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기능성 박막을 이용한 고감도 초소형 캔틸레버 센서 제조 방법에 관한 것으로, 압전막을 구동막으로 형성한 후, 구동 전계의 인가로 인해 구동막으로부터 발생하는 전기적인 신호를 측정하도록 하여 시스템의 크기를 대폭 줄이고, 켄틸레버에 구동층과 센싱층을 형성하여 구동과 센싱이 동시에 이루어지도록 함으로써 빠른 응답 속도를 제공한다.
또한, 본 발명의 센서를 용도에 맞게 적당한 감지막을 적용하여, 고감도 습도 센서, Force 센서, 고감도 가스 센서, 그리고 수피코 그램부터 수 마이크로 그램의 생체물질을 감지하는 바이오 센서로도 응용이 가능하다. 아울러 캔틸레버 상부와 하부에 형성된 압전 박,후막을 이용한 바이모르프 형태의 액츄에이터로서 모노모르프 때 보다 변위 및 변위력이 커 우수한 액츄에이터로 활용이 가능하다.

Description

고감도 초소형 캔틸레버 센서 및 제조 방법{HIGH SENSITIVE CANTILEVER SENSOR AND METHOD FOR FABRICATION THEREOF}
본 발명은 기능성 박막을 이용한 센서에 관한 것으로, 시스템의 크기를 대폭 줄이고, 고감도의 센서를 구현하기 위한 고감도 초소형 캔틸레버 센서 및 제조 방법에 관한 것이다.
최근 전기와 기계부품을 초소형으로 일체화시키는 마이크로 전자 기계 시스템(MEMS) 공정을 기반으로한 소형화된 센서들은 빠른 응답과 높은 감도, 그리고 대량생산에 적당하기 때문에 관심의 대상이 되고 있다.
MEMS 구조는 증착과 식각등의 과정을 반복하는 반도체 미세 공정 기술을 적용하여 저렴한 비용으로 초소형 제품의 대량생산을 가능하게 하고, 구동력은 전하간에 서로 당기는 힘인 정전기력(Electrostatic Force), 자성력, 열팽창차이에 의한 구동력 등을 이용해 작동되고 초소형으로서 전력소비량도 크게 낮출 수 있어, 나노 및 시스템온칩(SOC)기술의 등장과 함께 중요성이 날로 부각되고 있다.
최근에는 물리적인 현상이나 또는 화학적 반응의 감지를 위하여 이들 MEMS 공정에 의하여 제조된 캔틸레버를 기초로 하는 센서들의 개발에 많은 연구들이 활발하게 진행되고있다.
종래 대부분의 캔틸레버 센서들은 캔틸레버가 열이나 혹은 질량(mass)의 변화 등에 의한 정적인 휨(static deflection)이나 혹은 공진 주파수 변화의 감지를 레이저와 같은 광원을 이용하여 측정이 이루어지고 있다. 그러나, 레이저와 같은광원을 이용한 종래의 센서는 광원이 구성되어야 함으로 센서의 크기를 줄이는데 한계가 있다.
도 1에 광원을 이용한 종래의 캔틸레버 센서에 관하여 나타낸 것이다.
캔틸레버 센서의 구동부(11)에서 감지물질(12)의 열이나 혹은 질량등의 변화에 의한 정적인 휨이나 혹은 공진 주파수의 변화를 감지하게 되면 레이저와 같은 광원(13)을 이용하여 구동부에서 감지한 센싱 신호를 포커싱하여 위치인식 다이오드(sensing position diode)(14)로 집광 시킴으로써 모든 센싱이 이루어진다.
종래의 센서는 구동부에서 발생하는 신호를 광 신호 변환시키기 위한 레이저와 같은 광원(13)이나 광을 집광 시키기 위한 위치인식 다이오드(14)와 같은 디텍터(detector)가 구성되어 있어야 함으로 센싱 시스템의 크기를 줄이는데 어려움이 있다.
본 발명은 캔틸레버를 이용한 센싱 시스템의 크기를 대폭 줄이기 위하여 광 신호 대신에 전기적인 신호를 감지하도록 센서를 구성하였다.
캔틸레버 센서의 구동부와 센싱부에 PZT계열이나 ZnO와 같은 압전성이 높은 물질을 이용하여 압전막을 형성한 다음, 상기의 압전막에 구동 전계을 인가하여 압전막으로부터 발생하는 공진 주파수를 측정함으로써 광 신호 대신 센싱 신호를 측정하도록 하였다.
또한, 캔틸레버 센서의 제조 공정에 있어서 균일한 멤브레인을 형성하는 공정을 통하여, 균일한 센싱이 이루어지도록 하고, 구동막이 형성된 면의 반대면에 센싱이 가능한 방법 예를 들면 압저항막 또는 또 다른 압전막을 이용한 바이모르프형태의 압전막을 형성하여 센싱이 가능하도록 하여 센싱 특성을 향상시켰다. 이러한 바이모르프 형태의 구조는 종래의 한쪽 면에만 압전막이 있는 모노모르프 형태보다 큰 힘을 낼 수 있어 다양한 액츄에이터나 혹은 센서에 활용 가능하다.
본 발명의 목적은 캔틸레버 센서가 광 신호 대신 전기적 신호를 감지하도록 하여 시스템의 크기를 대폭 줄이는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 캔틸레버 센서 제조시 일정한 두께의 캔틸레버를 제조하는 공정을 통해 균일한 두께의 멤브레인을 형성하여 균일한 센싱 특성을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 캔틸레버 센서의 캔틸레버에 구동막과 센싱막을 같이 형성하여 구동과 센싱이 동시에 이루어지도록 함으로써, 센싱의 응답속도를 향상시키는데 있다.
기타 본 발명의 목적 및 특징은 이하의 발명의 구성 및 특허청구범위에서 상세히 기술될 것이다.
도 1은 종래 캔틸레버 센서의 전체적인 구성의 개략도를 나타낸 도면.
도 2는 SOI 기판에 형성된 압전셀을 나타낸 도면.
도 3은 캐비티가 형성된 하부 기판을 나타낸 도면.
도 4는 압전셀이 형성된 SOI기판과 캐비티가 형성된 기판을 붙여놓은 것을 나타낸 도면.
도 5는 식각 정지막이 있는 부분까지 실리콘을 제거하여 원하는 두께의 멤브레인을 형성한 것을 나타낸 도면.
도 6은 도 5의 맴브레인 위에 센싱을 담당하는 압전셀을 형성한 것을 나타낸 도면.
도 7은 캔틸레버 상부에 프로브를 입힌 후 생체 물질을 부착한 모습을 나타낸 도면.
도 8은 압저항 방식으로 구동하는 캔틸레버 센서 구조의 단면도를 나타낸 도면.
도 9는 압저항 방식으로 구동하는 캔틸레버 센서 구조의 위에서 본 평면도를 나타낸 도면.
도 10은 캐패시티브 방식으로 구동하는 캔틸레버 센서의 구조를 나타낸 도면..
도 11는 n+ 실리콘층을 식각 정지막으로 이용하여 형성한 압전셀을 포함하는 상부기판을 나타낸 도면.
도 12는 압전셀이 형성된 n+ 실리콘층이 식각 정지막로 형성된 상부 기판과 캐비티가 형성된 하부 기판을 붙여 놓은 것을 나타낸 도면.
도 13은 도 12의 맴브레인 위에 센싱을 담당하기 위한 압전셀이 형성된 것을 나타낸 도면.
도 14은 도 12의 소자 위에 생체 프로브를 입힌 것을 나타낸 도면.
*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***
11:캔틸레버 13:광원
14:디텍터 21:SOI 기판
22:식각 정지막 24:열산화막
26:압전막 34:캐비티
71:골드막 72:생체프로브
81:스트레인 센서
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 고감도 초소형 캔틸레버 센서는 캔틸레버의 상부 및 하부면에 각각 형성되며, 그 상하부면에 형성된 전극으로 이루어지는 상,하부 압전셀을 포함하는 상부기판과. 상기 상부기판과 합착되며, 상기 압전셀과 대응하는 영역에 일정한 깊이의 캐비티가 형성된 하부기판으로 구성된다.이하, 첨부한 도면을 통해 본 발명의 여러 가지 실시 형태와 그 제조 방법에 대해 상세히 설명한다.
도 2 ∼ 도 7은 본 발명에 의한 캔틸레버 센서의 제조공정을 나타낸 공정 단면도로써, 도 2는 캔틸레버 센서의 상부기판을 나타낸 것이고, 도 3은 캔틸레버 센서의 하부기판을 나타낸 것이며, 도 4 ∼ 도 7은 상부기판 및 하부기판을 합착한 이후에 이루어지는 캔틸레버 센서의 공정을 나타낸 것이다.먼저, 도 2를 통해 상부기판(20)의 제조공정을 설명하며, 내부에 절연층(insulator;22)을 포함하는 SOI(silicon on insulator) 기판(21a)을 준비한 다음, 그 상부면과 하부면에 열산화막(24)을 형성한다. 열산화막(24)은 이후에 형성되는 전극물질과의 접착성을 향상시키기 위한 것이다. 이어서, 상기 열산화막(24) 위에 열 증착(thermal evaporation)이나 E-빔 증착 방법, 혹은 CVD 방법과 같은 일반적인 증착방법을 이용하여 하부 전극(25)을 증착 시킨다. 이 후, 하부전극(25) 위에 PZT 계열이나 ZnO와 같이 압전 특성이 우수한 물질로 이루어진 구동막(26)을 형성한다. 이때, 구동막(26)의 두께는 캔틸레버의 두께에 따라 박막부터 후박까지 다양하게 적용될 수 있다.
구동막을 박막으로 적용할 경우에는 스퍼터링이(sputtering)나 혹은 통상적인 CVD를 통해 구동막을 증착 할 수 있으며, 구동막을 후막으로 적용할 경우에는 스크린 프린팅(screen printing)이나 혹은 통상적인 CVD방법을 사용한다.
이후에, 상기의 방법으로 형성된 구동막(26) 위에 하부전극을 형성하는 방법과 동일한 방법을 이용하여 상부 전극(27)을 형성한다. 구동막(26)의 상·하부에 형성되는 상부 전극(27)이나 하부 전극(25)은 백금이나 혹은 전도성 산화물로 널리 알려진 RuO2, SrRuO3와 같은 산화물 전극을 사용한다.아울러, 상기 구동막(26)과 그 상하부면에 형성된 하부전극 및 상부전극(25,27)으로 구성된 압전셀을 보호하고, 이들이 타 용액들과의 접촉하는 것을 피하기 위해 실리콘 산화막(SiO2)이나 혹은 실리콘 질화막(SiNX)이나 혹은 실리콘 탄화막(SiC) 같은 보호막을 별도로 형성할 수도 있다.
다음으로, 도 3을 통해, 하부기판(30)의 제조공정을 설명하면, 먼저, 마이크로 머시닝이 가능한 실리콘 기판(100)(32)을 준비한 다음, 그 상하부에 식각 용액으로부터 기판(32)을 보호할 수 있는 실리콘 질화막(31,33)과 같은 보호막을 형성한다. 이어서, 상기의 실리콘 기판(32)의 상부에 형성된 상부 실리콘 질화막(33)의 중간부분을 일부분 제거하여 실리콘 기판(32)을 노출시킨 다음, 상기 노출된 기판(32)을 소정깊이만큼 제거함으로써, 일정한 두께의 케비티(34)를 형성한다. 이때, 실리콘 기판 대신 유리 기판을 사용할 수도 있다.
상기한 바와 같이, 캔틸레버 센서의 상부기판(20) 및 하부기판(30)이 완성되면, 도 4에 도시된 바와 같이, 상부기판(20)을 하부기판(30)과 합착시킨다. 이때, 상부기판(20)에 형성된 압전셀(29a)이 하부기판(30)의 캐비티(34)와 대응하도록 위치시킨 다음, 상기 두 기판(20,30)을 합착한다.합착방법은 SDB(silicon direct bondig)방법이나 에너딕(anodic)방법 혹은 에폭시(epoxy)를 이용할 수 있다.
이 후, 상부기판(20)의 합착면과 반대면에 노출된 열산화막(24)을 제거하고, 계속해서 실리콘(100)(21)층을 제거함으로써, 도 5에 도시된 바와 같이, 절연층(22)을 노출시킨다. 이때, 절연층(22)은 식각 정지막(22)으로써, 실리콘산화막 또는 저응력 실리콘 질화막을 적용할 수도 있다.
아울러, 상부 기판(20)의 실리콘(100)(21)층을 식각 할때에는 KOH나 혹은 TMAH와 같은 식각 용액 내에서 실리콘을 제거하는 전기 화학 식각 방법이나 딥 트렌치 반응성 이온 식각 방법과 같은 건식 식각 방법을 사용한다.
이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 절연층(22) 위에 하부전극(61)과, 압전막(62) 및 상부 전극(63)을 순차적으로 형성함으로써, 또 다른 압전셀(29b)을 형성한다. 이때 상기 압전막(62)은 캔틸레버 하부에 형성된 압전막(26)과 동일하게 박막과 후막이 모두 가능하며, 캔틸레버의 두께에 따라 열 충격에 의해서 부러지는 것을 방지하기 위하여 RTA(rapid thermal annealing)나 혹은 기존이 전기로를 이용한 열처리가 이루어진다.
또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 상부 압전셀(29b) 상부에 생체 프로브가 잘 붙게 하기 위해서 골드(Au)막(71)을 입히고, 생체 프로브(72)를 형성하게 되면 수피코 그램부터 수 마이크로 그램의 생체물질을 감지하는 고감도 초소형 바이오 센서를 얻을 수 있다.
상기와 같은 방법으로 제작된 캔틸레버 센서는 우선 무게 변화를 감지할 수 있는 곳에 적용이 가능하며, 캔틸레버에 감지하려는 물질이나, 혹은 방법에 따라 적합한 감지막을 증착하여 여러 가지 다른 기능을 가진 센서로도 응용이 가능하다. 상기 캔틸레버 위에 습기를 흡수하는 감지막을 적용할 경우 습도 센서로, 머큐리를 흡착할수 있는 감지막을 증착할 경우 머큐리감지 센서로, 그리고 각종 가스를 흡착 할 수 있는 감지막을 이용할 경우 고감도 가스센서로 응용이 가능하다. 아울러 도 7에 도시한 바와 같이 표면에 특정한 생체물질과 특이적으로 반응하는 감지물질을 이용하여 수피코 그램부터 수 마이크로 그램의 생체물질을 감지하는 바이오칩으로도 응용이 가능하다. 또한 캔틸레버 상,하부에 바이모르프 형태로 만들어진 압전박,후막 셀을 적당한 크기로 폴링하여 동시에 구동을 하면 모노포르프 형태의 액츄에이터 보다 변위 및 변형력이 커 광 스위치나 혹은 다양한 액츄에이터에 응용가능하다.
구동과 센싱은 캔틸레버의 하부에 형성되어있는 압전셀(29a)의 공진 주파수에 해당하는 전계를 인가해서 구동을 시키면 센싱을 담당하는 캔틸레버의 상부에 형성된 압전셀(29b)이 공진 주파수에 해당하는 전하를 방출하게 되고 상기의 방출된 전하를 감지하게 된다. 이 때 감지막 위에 감지하려는 물질이 붙게 되면 미세한 질량의 변화에 의해서 구동 압전셀의 공진 주파수가 변하게 되고 감지셀이 이 공진 주파수의 차이로 인해 방출되는 전하의 차이에 해당하는 신호를 감지함으로써 센싱이 이루어진다. 센싱과 구동은 상기 캔틸레버의 어느쪽을 이용하여도 무방하다.
센싱 방식은 앞서 실시 예의 압전 방식 외에 도 8내지 도 9에 도시한 바와 같이 캔틸레버 상부면에 압저항막(81)을 이용한 스트레인 센서를 형성하여 압전막을 이용한 구동과 동시에 압저항막(81)으로부터 센싱하는 압저항 방식도 가능하다.
도 9는 압저항막을 이용한 캔틸레버 센서의 단면도이고, 도 9는 위에서 본 압저항막을 이용한 캔틸레버의 위에서 본 평면도이다.
구동 방식은 앞서 실시 예의 압전방식 이외에 도 10에 도시한 바와 같이 캔틸레버의 아래쪽에 위치한 면에 구동에 필요한 전극(101)을 형성하고 하부기판(30)에 형성된 캐비티 바닥에 형성한 다른 전극(102) 사이에 특정한 주파수를 가지고 진동하도록 전극(101,102)사이에 구동 전계를 인가하여 캔틸레버가 캐비티(34)를 사이에 두고 구동하면서 캔틸레버 상부에 위치한 압전막이나 혹은 압저항막을 이용하여 감지하는 캐패시티브 방식도 가능하다.
한편, 상부기판에서 SOI기판의 식각정지막으로 사용되는 절연층을 산화 실리콘층 대신 n 도핑이 많이 이루어진 n+ 실리콘층을 이용할 수도 있다.
이하, 도면을 참조하여 n+ 실리콘층을 식각 정지막으로 이용한 실시예에 관하여 상세히 설명한다.
도 11에 도시한 바와 같이, p형 실리콘 기판(112)에 n+ 도핑된 실리콘층(111)이 원하는 멤브레인 두께만큼 입혀진 반도체 기판(112a)을 준비한 다음, 상기 반도체 기판(81a)의 상하부면에 전극과의 접착력을 향상시키기 위해서 열 산화막(24)이나 혹은 저 응력 질화막을 형성한다. 이어서, 이전 실시예(도 2참조)와 동일한 공정과정을 통하여 상·하부 전극(25, 27)과 압전막(26)을 포함하는 압전셀(29a)을 형성함으로써, 캔틸레버 센서의 상부 기판(20)을 제작한다.
이어서, 도 12에 도시된 바와 같이, 캐비티(34)가 형성된 하부기판(30)을 준비한 다음, 이를 상부기판(20)과 합착시킨다. 이후, 상부 기판(20) 상부에 형성된 열산화막(24)을 제거한 후, TMAH나 KOH 등의 식각용액을 이용한 전기화학 식각 방법이나 딥 트렌치 반응선 이온 식각과 같은 건식 식각 방법을 통해 p형 실리콘(112)막을 제거함으로써, 도 13과 같이 n+ 도핑된 실리콘층(111)이 노출시킨다.이어서, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 n+ 실리콘층(111) 위에 열산화막(24)을 형성하고 하부 전극(61)과, 상기 하부 전극(61) 위에 압전막(62)과, 상기 압전막(62) 위에 상부전극(63)을 형성하여 캔틸레버의 하부면에 형성된 압전셀(29a)과 동일한 형태의 압전셀(29b)을 형성한다. 이때에도, 하부 기판(20)에 대하여 실리콘 기판 대신 유리 기판을 사용할 수도 있다.
한편, 도 14에 도시된 바와 같이, 상부 압전셀(29b) 위에 생체 물질이 달라붙기 쉽도록 하기 위해 골드(Au)막(71)을 입힌 후, 생체 프로브(72)를 형성하게 되면 이전 실시예(도 7참조)와 같이, 생체물질을 감지할 수 있는 고감도 초소형 바이오 센서가 된다.
구동과 센싱 역시 앞서의 도 6에 도시된 실시 예와 동일하게 적용된다.
센싱은 압전 방식과 압저항 방식이 모두 가능하며, 구동은 압전 방식과 캐패시티브 구동 방식을 선택하여 적용할수 있다.
앞서 실시 예와 마찬가지로 캔틸레버의 상부면과 하부면에 구동막과 센싱막이 동시에 형성되어, 빠른 센싱의 응답속도를 얻을 수 있다.
본 발명은 고감도 초소형 캔틸레버 센서 및 제조 방법에 관한 것으로, 전기적인 신호의 감지를 통하여 시스템의 크기를 대폭 줄여 대량 생산에 용이하게 하고 구동과 센싱이 동시에 이루어지도록 하여 빠른 센싱의 응답속도를 제공한다.
또한, 응용하고자 하는 감지막의 적용에 따라 감도 습도 센서, 머큐리 감지 센서, 고감도 가스 센서, 그리고 수피코 그램부터 수 마이크로 그램의 생체물질을 감지하는 바이오 센서로도 응용이 가능하다.
또한, 바이모르프 형태의 압전셀을 이용하여 종래의 모노포르프 형태의 박막이나 후막 액츄에이터에 비하여 변위 및 구동력이 커 이들 특성을 응용한 소자 즉, 광 스위치 같은 다양한 소자에 응용 가능하다.

Claims (25)

  1. 균일한 깊이의 홈이 형성된 하부기판;
    압전막과 상기 압전막의 상, 하부면에 형성된 전극으로 구성된 두개의 압전셀이 형성되되, 하나는 기판의 상부에 형성되고, 다른 하나는 기판의 하부에 형성어, 상기 압전셀이 하부기판의 홈과 대응하는 영역에 위치하도록 합착된 상부기판; 및
    상부기판의 상부에 형성된 압전셀 상부에 형성된 감지막을 포함하여 구성된 고감도 초소형 캔틸레버 센서.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 두 개의 압전셀 중 하나는 구동부이고, 다른 하나는 센싱부인 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 압전막은 PZT 계열이나 혹은 ZnO와 같은 압전물질로 형성된 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 식각정지막이 개재된 반도체기판 상에 제1압전셀을 형성하여, 상부기판을 준비하는 단계;
    균일한 깊이의 캐비티가 형성된 하부기판을 준비하는 단계;
    상기 제1압전셀과 캐비티가 서로 대응하도록 위치시킨 후, 상부기판과 하부기판을 합착하는 단계; 및
    상기 제1압전셀의 반대면에 제2압전셀을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 상부 기판의 식각 정지막으로 실리콘 산화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 상부 기판의 식각 정지막으로 n형 도핑이 많이 이루어진 n+ 실리콘층을 사용하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 상부 기판의 식각 정지막으로 저응력 실리콘 질화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 캐비티가 형성된 하부 기판은 실리콘기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법.
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 캐비티가 형성된 하부 기판은 유리 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법.
  20. 제 14 항에 있어서,
    상부 기판 및 하부 기판을 합착한 이후에, 상기 상부 기판의 식각정지막이 노출되도록 반도체층을 제거하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 제2압전셀은 식각정지막 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    제2압전셀을 형성하는 단계는,
    식각정지막 상부에 하부전극을 형성하는 단계;
    사기 하부전극 상부에 압전막을 형성하는 단계; 및
    상기 압전막 상부에 상부전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 압전막은 PZT계열 이나 혹은 ZnO와 같은 압전물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법.
  24. SOI(silicon on insulator)기판으로 이루어진 제1기판을 준비하는 단계;
    상기 제1기판 상에 제1하부전극을 형성하는 단계;
    상기 제1하부전극 상에 제1압전막을 형성하는 단계;
    상기 제2압전막 상에 제1상부전극을 형성함으로써, 제1상부전극과 제1압전막 및 제1상부전극으로 구성된 제1압전셀을 형성하는 단계;
    균일한 깊이의 홈이 형성된 제2기판을 준비하는 단계;
    상기 제1압전셀과 홈이 서로 대향하도록 제1 및 제2기판을 합착하는 단계;
    상기 제1기판의 실리콘층을 제거하여 절연층을 노출시키는 단계;
    상기 절연층 상부에 제2하부전극을 형성하는 단계;
    상기 제2하부전극 상에 제2압전막을 형성하는 단계; 및
    상기 제2압전막 상에 제2상부전극을 형성함으로써, 제2상부전극과 제2압전막 및 제2상부전극으로 구성된 제2압전셀을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 초소형 고감도 캔틸레버 센서의 제조 방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 제2압전셀 상부에 Au막을 형성하는 단계; 및
    상기 Au막 위에 생체 프로브를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 초소형 고감도 캔틸레버 센서의 제조 방법.
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