KR101062631B1 - 정전용량 가속도 센서 - Google Patents

정전용량 가속도 센서 Download PDF

Info

Publication number
KR101062631B1
KR101062631B1 KR1020057016200A KR20057016200A KR101062631B1 KR 101062631 B1 KR101062631 B1 KR 101062631B1 KR 1020057016200 A KR1020057016200 A KR 1020057016200A KR 20057016200 A KR20057016200 A KR 20057016200A KR 101062631 B1 KR101062631 B1 KR 101062631B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulator
diamond
acceleration sensor
electrodes
dlc coating
Prior art date
Application number
KR1020057016200A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050107478A (ko
Inventor
하이키 퀴스마
유하 라덴페레
리스토 무티카이넨
Original Assignee
브이티아이 테크놀러지즈 오와이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 브이티아이 테크놀러지즈 오와이 filed Critical 브이티아이 테크놀러지즈 오와이
Publication of KR20050107478A publication Critical patent/KR20050107478A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101062631B1 publication Critical patent/KR101062631B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/12—Circuits for multi-testers, i.e. multimeters, e.g. for measuring voltage, current, or impedance at will
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
    • B81B3/0013—Structures dimensioned for mechanical prevention of stiction, e.g. spring with increased stiffness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00912—Treatments or methods for avoiding stiction of flexible or moving parts of MEMS
    • B81C1/0096—For avoiding stiction when the device is in use, i.e. after manufacture has been completed
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/11—Treatments for avoiding stiction of elastic or moving parts of MEMS
    • B81C2201/112—Depositing an anti-stiction or passivation coating, e.g. on the elastic or moving parts

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

본 발명은 가속도의 측정을 위해 사용되는 측정 장치에 관한 것이며, 특히 정전용량 가속도 센서에 관한 것이다. 본 발명에 따른 정전용량 가속도 센서는 가동 전극(4)과 고정 전극(5)으로 구성된 한 쌍의 전극들을 포함하며, 한 쌍의 전극들과 관련하여 특별한 코팅을 가진 절연체 돌출부를 포함한다. 본 발명은 과부하 상태에 의해 초래되는 마모를 종래 구조들보다 더 잘 견디는 개량되고 더 내구성이 있는 센서 구조를 제공한다.
Figure R1020057016200
정전용량 가속도 센서, 가동 전극, 고정 전극, 절연체 돌출부, 다이아몬드상 DLC 코팅

Description

정전용량 가속도 센서{Capacitive acceleration sensor}
본 발명은 가속도의 측정을 위해 사용되는 측정 장치에 관한 것으로, 특히 정전용량 가속도 센서에 관한 것이다. 본 발명은 과부하 상태에 의해 초래되는 마모에 더 잘 견디는 개량되고 더 내구성이 있는 센서 구조를 제공한다.
정전용량 가속도 센서에 기초한 측정은 간단한 원리를 가지며, 가속도 측정을 위한 신뢰할 수 있는 방법을 제공하는 것으로 입증되었다. 정전용량 측정은 센서에서 한 쌍의 전극의 두 표면들 사이의 갭에서의 변화에 근거한다. 표면들 사이의 정전용량, 또는 전하를 저장하기 위한 용량은 표면의 면적과 이 표면들 사이의 거리에 따라 결정된다. 정전용량 측정은 다소 낮은 가속도의 측정 범위에서 사용될 수 있다.
종래 기술은 종래 기술에 따른 가속도 센서의 한 쌍의 전극들 구조의 측면도로 도시한 첨부된 도 1의 예를 참조하여 설명된다.
도 1은 종래 기술에 따른 가속도 센서의 한 쌍의 전극들 구조의 측면도를 도시한다. 종래 기술에 따른 가속도 센서의 한 쌍의 전극들은 가속도에 따라 이동하는 가동 전극(1)과, 고정 전극(2)을 포함한다. 가동 전극(1)은 가속도 센서의 부품(1)으로 가속도에 반응하며, 스프링들에 의해 지지되고, 가속도으로 인해 고정 전극(2)에 대해 이동한다. 가동 전극(1)과 고정 전극(2)은 전기적으로 측정될 수 있는 양(quantity) 즉, 정전용량으로 가속도를 변환하는 한 쌍의 전극을 구성한다. 일반적으로, 가동 전극(1)의 대향 측면에서, 종래 기술의 가속도 센서는 또한 명료화를 위해 도면에 도시하지 않은 한 쌍의 제 2 전극들을 포함한다.
가속도 측정시에, 센서의 한 쌍의 전극들의 가동 전극(1)과 고정 전극(2) 사이의 정전용량 즉, 전하를 저장하기 위한 용량은 표면의 면적과 이 표면들 사이의 거리에 따라 결정된다. 이동을 통한 가속도가 측정되는 물체에 적용되기 때문에, 고정 전극(2)은 측정되는 물체의 이동에 따른다. 가동 전극(1)은 관성력으로 인해 그 위치에 남아 있으려는 경향이 있으며, 따라서 고정 전극(2)에 대해 이동한다. 가동 전극(1)과 고정 전극(2) 사이의 거리가 변하고, 그에 따른 측정가능한 정전용량도 또한 변한다.
종래 기술의 가속도 센서의 한 쌍의 전극들은 또한 절연체 돌출부(3)를 포함한다. 한 쌍의 전극들은 또한 다수의 절연체 돌출부들(3)을 가질 수 있다. 절연체 돌출부는 스프링들에 의해 지지되는 가동 전극(1)의 이동을 제한하며, 과부하 상태인 경우 전극들(1, 2) 사이의 접촉을 방지하고, 따라서 미터(meter)(계기) 회로의 누전(shorting)을 또한 방지한다. 절연체 돌출부의 사용은 예를 들면, 미국 특허 공보 제5,367,429호에 개시되어 있다. 마이크로 기계 가공된 구조 또는 기판 전체를 코팅하기 위한 코팅 재료들의 사용은 예를 들면, 미국 특허 공보 제6,404,028호와 미국 특허 공보 제 5,644,455호에 전체적으로 개시되어 있다.
일반적으로 유전체(dielectric) 돌출부들은 절연체 돌출부들(3)로 사용된다. 민감한 가속도 센서들에서, 상기 구조의 복원 스프링력들은 표면력(surface forces)이 고정 전극(2)에 대해 가동 전극(1)의 일시적 또는 영구적 점착(sticking)을 유발할 수 있도록 약하고, 따라서 센서의 작용을 방해한다.
특히, 표면 마이크로 기계 가속도 센서에서 점착을 방지하기 위한 노력은 다양한 거칠기(roughening) 또는 코팅 처리에 의해 이루어진다. 예를 들면, 지질막들(lipid films) 중의 막 또는 플루오르 중합체(Fluoropolymers)를 감소시키는 표면력이 상기 구조들에 적용되었다.
본 발명과 관련된 센서 구조들에서, 제조 공정 중에 절연체 돌출부들의 기계적 마모가 부가로 발생될 수 있다. 따라서, 마모된(scuffed) 산화물 돌출부들은 변형되고, 이들은 동일하게 마모된 실리콘 표면에 기계적으로 더 록(lock)할 수 있다.
본 발명의 목적은 전극들 사이의 점착을 방지하고, 과부하 상태에 의해 초래되는 마모를 더 잘 견디는 개량된 센서 구조를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 가속도에 반응하는 가동 전극과, 적어도 하나의 고정 전극, 및 적어도 하나의 절연체 돌출부를 구비하는 적어도 한 쌍의 전극들을 포함하는 정전용량 가속도 센서가 제공되고, 이 절연체 돌출부가 다이아몬드상(diamond-like) DLC 코팅으로 피복된다.
적합하게는, 절연체 돌출부는 2층 복합 구조를 가지고, 그 중에서 베이스층은 쉽게 적용되는 재료로 구성되며, 상기 베이스층은 다음에 다이아몬드상 DLC 코팅의 상부층(top layer)으로 피복된다.
적합하게는, 상부층 다이아몬드상 DLC 코팅은 또한 절연체 돌출부의 측면상로 연장한다. 더 바람직하게는, 상부층 다이아몬드상 DLC 코팅은 또한 절연체 돌출부의 측면을 지나 고정 전극의 영역 위로 연장한다.
더 적합하게는, 베이스층은 본질적으로 상부층보다 더 두껍다. 적합하게 베이스층은 산화물(oxide)로 구성된다.
적합하게는, 가속도 센서의 한 쌍의 전극들은 다수의 절연체 돌출부들을 포함한다. 절연체 돌출부들은 가동 전극의 양 측면에 적합하게 배치된다. 적합하게는, 절연체 돌출부들은 고정 전극에 배치된다. 대안적으로 절연체 돌출부들은 가동 전극에 배치될 수 있다.
적합하게는, 절연체 돌출부를 위한 다이아몬드상 DLC 코팅은 이온 빔 증착(ion beam deposition)에 의해 성장된다. 대안적으로, 절연체 돌출부를 위한 다이아몬드상 DLC 코팅은 플라즈마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapour deposition)에 의해 성장된다. 대안적으로, 절연체 돌출부를 위한 다이아몬드상 DLC 코팅은 아크 방전 증착(arc discharge deposition)에 의해 성장된다.
적합하게는, 절연체 돌출부를 위한 다이아몬드상 DLC 코팅 막(film)의 품질은 sp3/sp2 본드(결합)(bond)의 비율을 증가함으로써 개량되었다. 적합하게는, 절연체 돌출부를 위한 다이아몬드상 DLC 코팅 막의 품질은 상기 다이아몬드상 DLC 코팅 막의 수소 함량을 감소함으로써 개량되었다.
본 발명과 그 적합한 실시예들은 첨부된 도면을 참조하여 하기에서 상세히 설명된다.
도 1은 종래 기술에 따른 가속도 센서의 한 쌍의 전극들 구조의 측면도.
도 2는 본 발명에 따른 가속도 센서의 한 쌍의 전극들 구조의 측면도.
도 1은 위에서 기술되었다. 본 발명과 그 실시를 위한 적합한 방법들은 도 2를 참조하여 하기에서 설명된다.
본 발명에 따른 가속도 센서에서, 한 쌍의 전극들의 절연체 돌출부는 다이아몬드상 DLC 코팅(DLC, Diamond Like Carbon)으로 피복된다. 본 발명에 따른 해결 방안에 의해, 점착력(sticking forces)은 낮아질 수 있으며, 전극들의 마모(wear)는 감소될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 가속도 센서의 한 쌍의 전극들의 구조의 측면도를 도시한다. 본 발명에 따른 가속도 센서의 한 쌍의 전극들은 가동 전극(4)과 고정 전극(5)을 포함한다. 일반적으로, 본 발명에 따른 가속도 센서는 또한 가동 전극(4)의 대향 측면에서, 명료화를 위해 도면에 도시하지 않은, 한 쌍의 제 2 전극들을 포함한다.
본 발명에 따른 가속도 센서의 한 쌍의 전극들은 절연체 돌출부(6)를 부가로 포함한다. 절연체 돌출부(6)는 다이아몬드상 DLC 코팅(DLC, Diamond Like Carbon)으로 피복된다.
본 발명에 따른 절연체 돌출부(6)는 2층 복합 구조이며, 베이스층은 더 두껍고 산화물(oxide)과 같이 쉽게 증착가능한 재료로 구성되며, 상기 베이스층은 다음에 다이아몬드상 DLC 코팅의 더 얇은 상부층에 피복된다. 상부층의 다이아몬드상 DLC 코팅은 또한 절연체 돌출부(6)의 측면들 상으로 연장할 수 있거나, 또는 절연체 돌출부(6)의 에지들을 넘어서 고정 전극(5)의 영역 위로 연장할 수 있다. 본 발명에 따른 가속도 센서의 한 쌍의 전극들은 다수의 절연체 돌출부(6)를 포함할 수 있다. 절연체 돌출부들은 가동 전극(4)의 양 측면에 위치될 수 있다. 통상적으로 절연체 돌출부(6)는 고정 전극(5)에 배치되나, 대안적으로 절연체 돌출부는 가동 전극(4)에 배치될 수 있다.
본 발명에 따르면, 가속도 센서의 한 쌍의 전극들의 절연체 돌출부(6)를 위한 다이아몬드상 DLC 코팅은 다양한 방법들에 의해 증착될 수 있다. DLC 코팅은 이온 빔 증착(Ion Beam Deposition)에 의해, 또는 대안적으로 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition, PECVD)에 의해, 및 다른 대안적으로는 아크 방전 증착(arc discharge deposition)에 의해 성장될 수 있다.
본 발명에 따른 절연체 돌출부(6)상의 다이아몬드상 DLC 코팅 막(film)의 품질은 sp3/sp2 본드(결합)(bond)의 비율을 증가함으로써 개량될 수 있거나, 또는 대안적으로 다이아몬드상 DLC 코팅 막의 수소 함량을 감소함으로써 개량될 수 있다.
본 발명에 따른 가속도 센서의 한 쌍의 전극들의 절연체 돌출부(6)의 다이아몬드상 DLC 코팅은 마모에 대한 내성이 있으며, 이는 전극들이 함께 점착하는 원인이 되는 표면력(surface forces)을 낮게 제공한다.
본 발명에 따른 2층 복합 구조의 표면력은 노출된(bare) 산화물 돌출부들의 경우에서보다 낮다. 따라서, 가동 전극(4)과 고정 전극(5) 사이의 점착은 예를 들어 과부하 상태 중에는 피할 수 있다.
절연체 돌출부들의 마모는 2층 복합 구조의 낮은 마찰 계수와 마모에 대한 개량된 저항성으로 인해 본 발명에 따른 해결 방안에 의해 피할 수 있다.
본 발명에 따른 해결 방안에 의해, 절연체 돌출부의 기계적 마모는 제조 공정 중에는 방지된다. 전극들 사이에서 기계적 로킹(locking)을 방지함으로써, 본 발명에 따른 마찰력 감소, 마모 저항성 코팅은 가속도 센서의 한 쌍의 전극들의 성질을 개량시킨다.

Claims (15)

  1. 가속도에 반응하는 가동 전극(4)과, 적어도 하나의 고정 전극(5), 및 적어도 하나의 절연체 돌출부를 구비하는 적어도 한 쌍의 전극들을 포함하는 정전용량 가속도 센서에 있어서,
    상기 절연체 돌출부는 상기 전극들(4, 5) 중 어느 하나에 배치되고, 다이아몬드상 DLC 코팅으로 피복되고, 산화물(oxide)로 구성된 베이스층을 갖는 2층 복합 구조를 가지며, 상기 베이스층은 상기 다이아몬드상 DLC 코팅의 상부층으로 피복되는 것을 특징으로 하는 정전용량 가속도 센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부층의 상기 다이아몬드상 DLC 코팅은 또한 상기 절연체 돌출부(6)의 측면들 상으로 연장하는 것을 특징으로 하는 정전용량 가속도 센서.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 상부층의 상기 다이아몬드상 DLC 코팅은 또한 상기 절연체 돌출부(6)의 에지들을 넘어서 상기 고정 전극(5)의 영역 위로 연장하는 것을 특징으로 하는 정전용량 가속도 센서.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스층은 상기 상부층보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 정전용량 가속도 센서.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가속도 센서의 상기 한 쌍의 전극들은 다수의 절연체 돌출부들(6)을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전용량 가속도 센서.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 절연체 돌출부들은 상기 가동 전극(4)의 양 측면에 배치되는 것을 특징으로 하는 정전용량 가속도 센서.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 절연체 돌출부들(6)은 상기 고정 전극(5)에 배치되는 것을 특징으로 하는 정전용량 가속도 센서.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 절연체 돌출부들(6)은 상기 가동 전극(4)에 배치되는 것을 특징으로 하는 정전용량 가속도 센서.
  9. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연체 돌출부(6)의 상기 다이아몬드상 DLC 코팅은 이온 빔 증착(ion beam deposition)에 의해 성장되는 것을 특징으로 하는 정전용량 가속도 센서.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연체 돌출부(6)의 상기 다이아몬드상 DLC 코팅은 플라즈마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapour deposition)에 의해 성장되는 것을 특징으로 하는 정전용량 가속도 센서.
  11. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연체 돌출부(6)의 상기 다이아몬드상 DLC 코팅은 아크 방전 증착(arc discharge deposition)에 의해 성장되는 것을 특징으로 하는 정전용량 가속도 센서.
  12. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연체 돌출부(6)의 상기 다이아몬드상 DLC 코팅 막(film)의 품질은 sp3/sp2 본드(결합)(bond)의 비율을 증가함으로써 개량되는 것을 특징으로 하는 정전용량 가속도 센서.
  13. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연체 돌출부(6)의 상기 다이아몬드상 DLC 코팅 막의 품질은 상기 다이아몬드상 DLC 코팅 막의 수소 함량을 감소함으로써 개량되는 것을 특징으로 하는 정전용량 가속도 센서.
  14. 삭제
  15. 삭제
KR1020057016200A 2003-03-05 2004-02-11 정전용량 가속도 센서 KR101062631B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20030338A FI119527B (fi) 2003-03-05 2003-03-05 Kapasitiivinen kiihtyvyysanturi
FI20030338 2003-03-05
PCT/FI2004/000062 WO2004079373A1 (en) 2003-03-05 2004-02-11 Capacitive acceleration sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050107478A KR20050107478A (ko) 2005-11-11
KR101062631B1 true KR101062631B1 (ko) 2011-09-07

Family

ID=8565768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057016200A KR101062631B1 (ko) 2003-03-05 2004-02-11 정전용량 가속도 센서

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6938485B2 (ko)
EP (1) EP1599736B1 (ko)
JP (3) JP2006519387A (ko)
KR (1) KR101062631B1 (ko)
CH (1) CH697268B1 (ko)
DE (1) DE112004000353T5 (ko)
FI (1) FI119527B (ko)
NO (1) NO346493B1 (ko)
WO (1) WO2004079373A1 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011112392A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 加速度センサ
JP2011112390A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 加速度センサ
WO2011064642A2 (ja) * 2009-11-24 2011-06-03 パナソニック電工株式会社 加速度センサ
JP5789737B2 (ja) * 2009-11-24 2015-10-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 加速度センサ
JP5716149B2 (ja) * 2009-11-24 2015-05-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 加速度センサ
JP2011112389A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 加速度センサ
JP2012008022A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 加速度センサ
US9065358B2 (en) 2011-07-11 2015-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS structure and method of forming same
US9085456B2 (en) 2012-01-16 2015-07-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Support structure for TSV in MEMS structure
JP6155832B2 (ja) * 2013-05-16 2017-07-05 セイコーエプソン株式会社 センサー素子、電子機器、および移動体
JP6661941B2 (ja) * 2015-09-29 2020-03-11 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、センサーデバイス、電子機器および移動体
US10384929B2 (en) * 2016-03-22 2019-08-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Impact element for a sensor device and a manufacturing method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5644455A (en) * 1993-12-30 1997-07-01 Seagate Technology, Inc. Amorphous diamond-like carbon gaps in magnetoresistive heads
US6404028B1 (en) * 1997-04-21 2002-06-11 Ford Global Technologies, Inc. Adhesion resistant micromachined structure and coating

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03296662A (ja) * 1990-04-16 1991-12-27 Ricoh Co Ltd 微小機械素子
JP2816235B2 (ja) * 1990-05-30 1998-10-27 株式会社日立製作所 半導体加速度センサとそれを用いたエアバックシステムおよびサスペンション制御システム
JP2804196B2 (ja) * 1991-10-18 1998-09-24 株式会社日立製作所 マイクロセンサ及びそれを用いた制御システム
JPH05273231A (ja) * 1992-03-27 1993-10-22 Toyoda Mach Works Ltd 容量型加速度センサ
JPH06213924A (ja) 1993-01-13 1994-08-05 Hitachi Ltd トランスジューサ、これを利用したマイクロセンサ、車両制御システム
JPH0744037A (ja) * 1993-08-03 1995-02-14 Canon Inc 加熱定着装置の再生方法
DE59607318D1 (de) * 1995-01-24 2001-08-23 Infineon Technologies Ag Mikromechanisches bauelement
JPH11260014A (ja) * 1998-03-10 1999-09-24 Fujitsu Ltd グライド・ハイト評価ヘッド
JP4465051B2 (ja) * 1998-05-01 2010-05-19 テルモ株式会社 生体留置用ステント
US6105428A (en) * 1998-12-10 2000-08-22 Motorola, Inc. Sensor and method of use
JP3593276B2 (ja) * 1998-12-24 2004-11-24 シャープ株式会社 情報記録装置
JP4676589B2 (ja) * 2000-03-24 2011-04-27 東ソー・クォーツ株式会社 真空ピンセット
JP3756373B2 (ja) * 2000-03-27 2006-03-15 株式会社日本自動車部品総合研究所 絶縁性基体用保護膜、薄膜積層体および薄膜センサ
JP3840058B2 (ja) * 2000-04-07 2006-11-01 キヤノン株式会社 マイクロレンズ、固体撮像装置及びそれらの製造方法
DE10051315A1 (de) * 2000-10-17 2002-04-18 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Hersellungsverfahren

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5644455A (en) * 1993-12-30 1997-07-01 Seagate Technology, Inc. Amorphous diamond-like carbon gaps in magnetoresistive heads
US6404028B1 (en) * 1997-04-21 2002-06-11 Ford Global Technologies, Inc. Adhesion resistant micromachined structure and coating

Also Published As

Publication number Publication date
FI119527B (fi) 2008-12-15
NO20054579L (no) 2005-10-05
KR20050107478A (ko) 2005-11-11
DE112004000353T5 (de) 2006-01-26
JP5748792B2 (ja) 2015-07-15
NO346493B1 (no) 2022-09-05
JP2013152230A (ja) 2013-08-08
US20040226374A1 (en) 2004-11-18
EP1599736B1 (en) 2018-04-04
EP1599736A1 (en) 2005-11-30
WO2004079373A1 (en) 2004-09-16
US6938485B2 (en) 2005-09-06
CH697268B1 (de) 2008-07-31
JP2011022149A (ja) 2011-02-03
FI20030338A0 (fi) 2003-03-05
JP2006519387A (ja) 2006-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5748792B2 (ja) 容量型加速度センサー
US5610335A (en) Microelectromechanical lateral accelerometer
US6445053B1 (en) Micro-machined absolute pressure sensor
US4581676A (en) Electrical contact coating for silicon pressure transducers
US5446616A (en) Electrode structure and method for anodically-bonded capacitive sensors
US20080163687A1 (en) MEMS Sensor Suite on a Chip
JP2005534020A (ja) 電気機械変換器のための防湿技術
CN110482485A (zh) 用于有源电路封装的微型机电系统(mems)装置防静摩擦的装置和方法
US7478562B2 (en) High temperature LC pressure transducer and methods for making the same
US5920391A (en) Tunable Fabry-Perot filter for determining gas concentration
UA46173C2 (uk) Напівпровідниковий конструктивний елемент
CN1253370A (zh) 微型机械式加速度开关
US20070052322A1 (en) Micromachined polymer beam structure method and resulting device for spring applications
JPH06324072A (ja) トンネル効果式加速度センサ
US5760675A (en) Piezoresistive device and fabrication method thereof
EP0024945B1 (en) Variable capacitance pressure transducer
JP2004170145A (ja) 容量式力学量センサ
US20030139040A1 (en) Nonstick layer for a micromechanical component
TWI628764B (zh) 用於微機電系統感測器的表面電荷緩和層
TW200925607A (en) Acceleration sensor
JP2004325361A (ja) 静電容量型圧力センサ及びその製造方法
JP4685434B2 (ja) 半導体ウェハの誘電層の誘電率を測定するための方法及びシステム
JP2012008022A (ja) 加速度センサ
TWI617505B (zh) Micromechanical device
CN113358252A (zh) 一种应用悬臂梁与固支梁结构的多层薄膜残余应力和杨氏模量测试结构及其测试方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140821

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150730

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160805

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170814

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190813

Year of fee payment: 9