NO335953B1 - Refleksjonsplate og fremgangsmåte ved dens fremstilling, og fremviseranordning med flytende krystaller og fremgangsmåte ved dens fremstilling - Google Patents

Abstract

En refleksjonsplate (11) frembringes slik at den får en bølget overflate og ujevn fordeling av retningen rettvinklet på overflaten ved en spesifikk asimutvinkel. Den bølgende overflate frembringes ved hjelp av linjeformede, fremspringende mønstre (18) og et isolasjonsfilmlag (19). De fremspringende mønstre (18) krysser hverandre for å danne konkave partier som hvert har fasongen av en lukket figur. De fremspringende mønstre (18) dannes ved å påføres mønstre som gir dem nærmest ensartet tykkelse.

Description

Foreliggende oppfinnelse gjelder en refleksjonsplate som gir god kontrast, og en fremgangsmåte ved fremstilling av denne, samt en fremviseranordning med flytende krystaller og en fremgangsmåte ved fremstilling av denne.

Det er kjent en fremviseranordning med flytende krystaller, eller kort sagt en LCD-anordning, av refleksjonstype som reflekterer innfallende lys som kommer fra utsiden og som har en innebygget refleksjonsplate for å utnytte lyset som lyskilde for fremvisningen. En LCD-anordning av refleksjonstype behøver ikke bakgrunnslys som lyskilde. Derfor kan en LCD-anordning av refleksjonstype ha lavere effektforbruk og være tynnere enn en LCD-anordning av transmisjonstype, og brukes derfor i mobiltelefoner, osv.

En LCD-anordning av refleksjonstype omfatter flytende krystaller forseglet i en celle med flytende krystaller, svitsjeelementer for å drive det flytende krystall og en refleksjonsplate anordnet på innsiden eller utsiden av den flytende krystallcelle. En LCD-anordning av refleksjonstype er en LCD-anordning av en type med aktiv matrise som f.eks. anvender tynnfilmtransistorer som svitsjeelementer.

En LCD-anordning som omfatter en refleksjonsplate, på hvis overflate det er dannet en refleksjonselektrode som har ujevne mønstre i den hensikt å øke lyset som skal spres mot en retning rettvinklet på refleksjonsplaten (mot betrakteren) og derved forbedre kontrasten, er utviklet som en LCD-anordning av refleksjonstype. En sådan LCD-anordning er beskrevet i JP-patent nr. 2 825 713 og andre publikasjoner.

I denne LCD-anordning er et bølgende mønster dannet ved at det under et refleksjonslag er anordnet en mengde fremspringende sylinderpartier fremstilt fra harpiks. Dette lys-reflekterende lag er via en organisk isolasjonsfilm dannet på refleksjonsplaten som det fremspringende mønster er utformet på. Som vist i planskissen vist i fig. 21 på de vedføyde tegninger er mengden av fremspringende mønster, som hvert har et sirkulært tverrsnitt, anordnet på overflaten av refleksjonsplaten uavhengig av hverandre. De fremspringende mønstre som har sirkulært tverrsnitt, har en meget lysspredende karakteristikk og reflekterer innfallende lys nærmest ensartet mot hele asimutvinkelen.

Som vist i fig. 22 er polarvinkelen en vinkel cp1 målt fra en linje rettvinklet på refleksjonsplaten, mens asimutvinkelen er en vinkel cp2 målt i et plan parallelt med refleksjonslaget. Generelt observeres refleksjonsegenskapene (asimutvinkel, polarvinkel, intensitet) for en refleksjonsplate ved å undersøke det reflekterte lys fra et innfallende lys som kommer fra et retning med en polarvinkel på -30 grader.

En refleksjonsplate som gir det reflekterte lys høy styrke mot en retning med en polarvinkel på 0 grader (mot den rettvinklede retning) er nødvendig ut fra det synspunkt å forbedre kontrasten for en LCD-anordning når den brukes. En refleksjonsplate som har fremspringende mønstre, slik som det vist i fig. 21, reflekterer imidlertid lys nærmest ensartet mot hele asimutvinkelen. Følgelig viser sammenhengen mellom polarvinkelen og styrken av det reflekterte lys en tilstand som ligner normalfordelingen, slik som vist ved kurven i fig. 23. Det har derfor eksistert en grense med hensyn til hvor mye styrken av det reflekterte lys kan forbedres mot retningen av en polarvinkel på 0 grader ved å bruke sådanne fremspringende mønstre som har et sirkulært tverrsnitt.

Ikke bare en LCD-anordning av refleksjonstype, men også en såkalt semi-transparent LCD-anordning, slik som den beskrevet i JP patent nr. 2 955 277, har det samme problem. Denne LCD-anordning har billedelementelektroder som har et transparent område og et reflektivt område samt en refleksjonsplate, og har derved både en overførende funksjon og en reflektiv funksjon. Ved å ha en refleksjonsplate kan denne type LCD-anordning ikke unngå det samme problem.

I betraktning av omstendighetene ovenfor er det et formål for foreliggende oppfinnelse å fremskaffe en refleksjonsplate som gir god kontrast, en fremgangsmåte ved fremstilling av denne, samt en LCD-anordning og en fremgangsmåte ved fremstilling av denne.

Et annet formål for foreliggende oppfinnelse er å fremskaffe en refleksjonsplate som kan reflektere lys effektivt mot en linje rettvinklet på refleksjonsplaten, en fremgangsmåte ved fremstilling av denne, samt en LCD-anordning og en fremgangsmåte ved fremstilling av denne.

Hovedtrekkene ved oppfinnelsen fremgår av de selvstendige patentkrav. Ytterligere trekk ved oppfinnelsen er angitt i de uselvstendige krav.

For å oppnå formålene ovenfor har en refleksjonsplate i henhold til et første aspekt av foreliggende oppfinnelse konkave og fremspringende partier på en av sine overflater, idet: - fordelingen av rettvinklede retninger på overflaten er ujevn med hensyn til en spesifikk asimutvinkel, og

- styrken av det reflekterte lys er avhengig av asimutvinkelen.

Fordelingen av styrken av det reflekterte lys i forhold til polarvinkel ved den spesifikke asimutvinkel kan oppvise en eller flere lokale maksimumsverdier som er forskjellig fra en normal refleksjonskomponent.

Lukkede figurer kan dannes av de fremspringende partier av de konkave og fremspringende partier.

De konkave partier av de konkave og fremspringende partier kan være omsluttet av de lukkede figurer.

De lukkede figurer kan være mangekanter.

Mangekanten kan være tilnærmet trekantet eller tilnærmet trapesformet.

Mangekanten kan være tilnærmet trekantet og ha et utflatingsforhold som er lik eller større enn 0,5 og lik eller mindre enn 0,8.

I hver av de lukkede figurer kan dens lengde i en første retning hvor styrken av det reflekterte lys blir størst, være mindre enn dens lengde i en andre retning som er rettvinklet på den første retning.

Linjefasonger dannet av de lukkede figurers fremspringende partier kan ha nærmest ensartet bredde.

Linjefasonger dannet av de lukkede figurers fremspringende partier kan ha nærmest ensartet tykkelse.

En LCD-anordning i henhold til et andre aspekt av foreliggende oppfinnelse har refleksjonsplaten beskrevet ovenfor.

Når innfallende lys i dette tilfelle bestråler en fremviseroverflate for LCD-anordningen fra en polarvinkelretning på -30 grader kan styrken av det reflekterte lys nå et lokalt maksimum i et polarvinkelområde på 0 -10 grader.

Når innfallende lys bestråler fremviseroverflaten for LCD-anordningen fra en polarvinkelretning på -30 grader, kan styrken av det reflekterte lys ha en positiv helning i forhold til polarvinkelen i et polarvinkelområde på 10-20 grader, idet helningen kan bli mindre ettersom polarvinkelen blir større i et polarvinkelområde på 10 - A grader (10 < A < 20), og helningen kan bli større ettersom polarvinkelen blir større i et polarvinkelområde på A - 20 grader.

En fremgangsmåte ved fremstilling av en refleksjonsplate i henhold til et tredje aspekt av oppfinnelsen omfatter at: - en organisk harpiks legges på et substrat og den organiske harpiks mønstres med en linjeformet maske, for derved å danne en mengde linjeformede fremspringende mønstre, slik at de fremspringende mønstre krysser hverandre for å danne konkave

partier som hvert har fasongen av en lukket figur, og

- en mellomlagsfilm belegges for å dekke de linjeformede fremspringende mønstre.

Den linjeformede maske kan omfatte maskelinjer hvis bredde ved og omkring maskelinjenes krysningspartier er smalere enn den for partier forskjellig fra de kryssende partier.

En fremgangsmåte ved fremstilling av en refleksjonsplate i henhold til et fjerde aspekt av foreliggende oppfinnelse omfatter at det dannes et kontakthullparti og samtidig konkave og fremspringende partier som har en mengde linjeformede fremspringende partier som krysser hverandre og konkave partier omsluttet av de fremspringende partier ved å legge en organisk harpiks på et substrat, og hvor den organiske harpiks eksponeres og fremkalles ved endrende lyseksponering.

Mønstringen av kontakthullpartiet og de konkave og fremspringende partier kan innebære at den organiske harpiks avdekkes ved å bruke forskjellige masker med forskjellig lyseksponering for de to ulike partier.

Lyseksponeringen av den organiske harpiks for mønstring av de konkave og fremspringende partier kan være 10-50 % av lyseksponeringen av den organiske harpiks for å mønstre kontakthullpartiet.

Mønstringen av kontakthullpartiet og de konkave og fremspringende partier kan innebære at den organiske harpiks eksponeres ved å bruke en halvtonemaske som har forskjellig lystransmittans for henholdsvis kontakthullpartiet og de konkave og fremspringende partier. En maske for å danne de linjeformede fremspringende partier kan omfatte maskelinjer hvis bredde ved og omkring maskelinjenes krysningspartier er smalene enn den for partier forskjellig fra krysningspartiene.

En fremgangsmåte ved fremstilling av en LCD-anordning i henhold til et femte aspekt av foreliggende oppfinnelse omfatter at det dannes en refleksjonsplate i henhold til frem-stillingsfremgangsmåten beskrevet ovenfor.

Disse formål og andre formål og fordeler ved foreliggende oppfinnelse vil komme klarere frem ved lesning av den etterfølgende detaljerte beskrivelse gitt med henvisning til de ved-føyde tegninger, på hvilke: fig. 1 er en skisse som viser et snitt gjennom en LCD-anordning av refleksjonstype i

henhold til en utførelse av foreliggende oppfinnelse,

fig.2A og 2B er skisser som illustrerer lys som skal reflekteres,

fig. 3A - 3F er skisser som viser trinn under fremstillingen av det nedre substrat vist i

fig. 1,

fig. 4 er en skisse som viser et maskemønster,

fig. 5A - 5C er forklarende skisser for en krysning i et maskemønster,

fig. 6A er en uttrukket skisse av en grunnfigur, mens fig. 6B - 6D viser snitt gjennom fig.

6A når den skjæres langs linjen A-A,

fig. 7A og 7B er diagrammer som viser sammenhengen mellom styrken av det reflekterte lys og henholdsvis asimutvinkelen og polarvinkelen for en refleksjonsplate i

henhold til denne utførelse,

fig. 8 viser et fremspringende mønster som har en grunnfigur i form av en likekantet

trekant,

fig. 9 er et diagram som viser sammenhengen mellom linjebredde og sidetykkelse,

fig. 10 er et diagram som viser sammenhengen mellom polarvinkel og reflektivitet ved en

asimutvinkel på 180 grader,

fig. 11A og 11B er diagrammer som viser sammenhengen mellom polarvinkel og

reflektivitet i et tilfelle hvor linjebredden varieres,

fig. 12A - 12C er diagrammer som viser sammenhengen mellom polarvinkel og reflektivitet

i et tilfelle hvor sidelengden varieres,

fig. 13Aog 13B er diagrammer som viser sammenhengen mellom polarvinkel og

reflektivitet i et tilfelle hvor utflatingsforholdet varieres,

fig. 14 viser et fremspringende mønster som har en grunnfigur i form av en likebenet

trekant,

fig. 15Aog 15B er diagrammer som viser sammenhengen mellom polarvinkel og

reflektivitet i et tilfelle hvor vilkårligheten varieres,

fig. 16Aog 16B er diagrammer som viser sammenhengen mellom polarvinkel og

reflektivitet i et tilfelle hvor det brukes forskjellige maskemønstre,

fig. 17 er et diagram som viser sammenhengen mellom asimutvinkel og reflektivitet i et

tilfelle hvor tykkelsen av det organiske isolasjonslag varieres,

fig. 18A - 18C er skisser som viser trinn under fremstillingen av det nedre substrat i

henhold til en andre utførelse av oppfinnelsen,

fig. 19 er et diagram som viser sammenhengen mellom asimutvinkel og reflektivitet i et tilfelle hvor lyseksponeringen varieres,

fig. 20 viser en LCD-anordning av semi-transparent type i henhold til den annen utførelse

av oppfinnelsen,

fig. 21 er en planskisse som viser konvensjonelle fremspringende mønstre,

fig. 22 er en skisse som tjener til å forklare betydningen av polarvinkel og asimutvinkel, og fig. 23 er et diagram som viser sammenhengen mellom polarvinkel og styrken av reflektert

lys i et tilfelle hvor de fremspringende mønstre vist i fig. 21 benyttes.

Utførelser av foreliggende oppfinnelse vil nå bli forklart med henvisning til de vedføyde tegninger. Den utførelse som skal beskrives nedenfor er en utførelse av foreliggende oppfinnelse og er ikke ment å begrense omfanget av foreliggende oppfinnelse.

Den første utførelse

En LCD-anordning av refleksjonstype i henhold til denne utførelse er en LCD-anordning av en type med aktiv matrise og som har et svitsjeelement, slik som en tynnfilmtransistor (TFT) i hvert billedelement.

Fig. 1 viser et snitt gjennom en billedelementenhet i en LCD-anordning av refleksjonstype i henhold til denne utførelse. Som vist i fig. 1 omfatter LCD-anordningen 10 av refleksjonstype et nedre substrat 11, et motstående substrat 12 som befinner seg motsatt det nedre substrat 11 og et lag 13 med flytende krystall som er inneklemt mellom det nedre substrat 11 og det motstående substrat 12.

Det nedre substrat 11 inneholder et isolasjonssubstrat 14, en isolerende beskyttelsesfilm 15, en TFT 16, et første isolasjonslag 17, fremspringende mønstre 18, et andre isolasjonslag 19 og en refleksjonselektrode 20.

Den isolerende beskyttelsesfilm 15 som er fremstilt fra et uorganisk eller organisk isolasjonsmateriale er avsatt på isolasjonssubstratet 14. TFT'en 16 som tjener som svitsjeelement er utformet på den isolerende beskyttelsesfilm 15.

TFT'en 16 har en portelektrode 16a utformet på isolasjonssubstratet 14, et halvlederlag 16b som er lagt like over portelektroden 16a via den isolerende beskyttelsesfilm 15 og en drenelektrode 16c og kildeelektrode 16d som er forbundet med henholdsvis etdrenområde og et kildeområde i et ikke vist halvlederlag.

Transistorer forskjellig fra en TFT, f.eks. en diode, slik som av typen MIM, kan brukes som svitsjeelement.

Det første isolasjonslag 17 er fremstilt fra et uorganisk eller organisk isolasjonsmateriale og tilformet for å få forutbestemte mønstre på den isolerende beskyttelsesfilm 15 som TFTen 16 er dannet på.

De fremspringende mønstre 18 er fremstilt fra et harpiksmaterial og er dannet på det første isolasjonslag 17 og kildeelektroden 16d. De fremspringende mønstre 18 er utformet med en mengde linjeformede mønstre, slik det vil bli beskrevet senere.

Det andre isolasjonslag 19 er dannet for å dekke de fremspringende mønstre 18. Det andre isolasjonslag 19 er fremstilt fra et harpiksmaterial. Et kontakthull 21 ved bunnen av hvilket kildeelektroden 16d er avdekket, er dannet i det andre isolasjonslag 19. Overflaten av det andre isolasjonslag 19 er bølgende (ujevn) på grunn av de fremspringende mønstre 18 under det.

Refleksjonselektroden 20 er fremstilt fra et ledende material, slik som aluminium, og er dannet på det andre isolasjonslag 19 som har kontakthullet 21. Refleksjonselektroden 20 er forbundet med kildelektroden 16d for TFTen 16 gjennom kontakthullet 21, for således å virke som billedelementelektrode og lysrefleksjonslag. Overflaten av refleksjonselektroden 20 er også bølget på grunn av de fremspringende mønstre 18 og det andre isolasjonslag 19.

I et tilkoblingsområde omkring omkretsen av det nedre substrat 11 er det dannet en porttilkobling 22 på isolasjonssubstratet 14, mens en drentilkobling 23 er dannet på den isolerende beskyttelsesfilm 15 som dekker porttilkoblingen 22.

Det overfor-liggende substrat 12 inneholder et fargefilter 25 og en transparent elektrode 24 som er sekvensielt avsatt på en overflate av et transparent isolasjonssubstrat 26. En polariserende plate 27 er dannet på den annen overflate av isolasjonssubstratet 26.

Laget 13 med flytende krystall er dannet ved å bruke en TN-metode (Twisted Nematic), en STN-metode (Super Twisted Nematic), en polariserende platemetode, en GH-metode (Guest Host), en PDLC-metode (Polymer Dispersed Liquid Crystal), en kolesterisk metode eller lignende. Laget 13 med flytende krystaller er anordnet med en forutbestemt orientering.

Virkemåten av LCD-anordningen 10 av refleksjonstype og som har den ovenfor beskrevne oppbygning vil nå bli forklart.

I hvit modus går innfallende lys Li som kommer inn fra utsiden av det motstående substrat 12 gjennom den polariserende plate 27 og gjennom isolasjonssubstratet 26, fargefilteret 25, den transparente elektrode 24 og det flytende krystall-lag 13 for til sist å nå overflaten av refleksjonselektroden 20.

Overflaten av refleksjonselektroden 20 er bølget på grunn av de fremspringende mønstre 18 og derfor reflekteres det innfallende lys Li i samsvar med en direktivitet som påvirkes av bølgene. Det reflekterte lys Lr går tilbake til utsiden som fremviserlys, som går tilbake gjennom det flytende krystall-lag 13, den transparente elektrode 24, fargefilteret 25, isolasjonssubstratet 26 og den polariserende plate 27.

I sort modus derimot, skjønt det innfallende lys Li som kommer fra utsiden av det motstående substrat 12 reflekteres på refleksjonselektroden 20 slik som i hvit modus, forhindres det reflekterte lys fra å bli sendt ut eksternt av den polariserende plate 27. På denne måte blir LCD-anordningen 10 av refleksjonstype svitsjet PÅ og AV.

Fordelingen av refleksjonsretning og refleksjonslysstyrke for det reflekterte lys Lr avhenger av fordelingen skråvinkelen og normallinjeretningen for de bølgende overflatemønstre dannet på overflaten av refleksjonselektroden 20. Fig. 2A er en skisse som eksempelvis viser det innfallende lys Li og det reflekterte lys Lr som skal oppfattes av en betrakter. Vinklene som dannes av henholdsvis det innfallende lys Li fra lyskilden og lyset Lr reflektert på det motstående substrat 12 i forhold til normallinjeretningen på det motstående substrat 12, er definert som henholdsvis innfallsvinkel Ti og refleksjonsvinkel Tr. Siden det innfallende lys reflekteres på den bølgende overflate av refleksjonselektroden 20 får innfalls-vinkelen Ti og refleksjonsvinkelen Tr forskjellig verdi.

Fig. 2B er en skisse som eksempelvis viser refleksjonen av et innfallende lys Li' som kommer til et punkt A som befinner seg på den bølgende overflate av refleksjonselektroden 20. Når det innfallende lys Li" kommer til punktet A reflekteres lyset på kontaktplanet for punktet A på refleksjonseletroden 20. Således reflekteres det reflekterte lys Lr" i en retning som bestemmes av normallinjeretningen i punktet A som symmetriakse som har sammen vinkel som den for det innfallende lys Li" i forhold til symmetriaksen. Det antas her at den vinkel som dannes av kontaktplanet for refleksjonselektroden 20 i punktet A og det nedre substrat 11 defineres som helningsvinkel6i punktet A. Fordelingen av refleksjonsretning og refleksjonslysstyrke av det reflekterte lys Lr avhenger av fordelingen av helnings-vinkelen e og normallinjeretningen for de konvekse og konkave mønstre på refleksjonselektroden 20.

En fremgangsmåte ved fremstilling av den ovenfor beskrevne LCD-anordning 10 av refleksjonstype vil nå bli forklart. Fig. 3A - 3F er forklarende skisser som viser produk-sjonstrinnene for den LCD-anordning 10 av refleksjonstype som er vist i fig. 1, eller særlig det nedre substrat 11.

TFTen 16 som tjener som svitsjeelement dannes først på isolasjonssubstratet 14. Særlig dannes portelektroden 16a på isolasjonssubstratet 14 og deretter dannes den isolerende beskyttelsesfilm 15 for å dekke over isolasjonssubstratet 14 og portelektroden 16a. Deretter dannes halvlederlaget 16b som har et drenområde og kildeområde (ikke vist) på den isolerende beskyttelsesfilm 15 ved hjelp av etsing, implantering av urenheter, osv. (fig.3A). Deretter dannes drenelektroden 16c og kildeelektroden 16d som skal forbindes med henholdsvis drenområdet og kildeområdet på den isolerende beskyttelsesfilm 15. Videre legges et første isolasjonslag 17 på TFT'en 16 (fig. 3B).

Etter at organisk harpiks er belagt på det første isolasjonslag 17 blir så harpiksen mønstret ved å utnytte en forutbestemt fotolitografisk teknikk og etseteknikk. Ved denne mønstring dannes de fremspringende mønstre 18, slik som vist i fig. 3C. Etter mønstringen anvendes en bake- eller steke-prosess på de fremspringende mønstre 18. Fasongen av de fremspringende mønstre 18 avrundes under bakeprosessen, slik som vist i fig. 3D.

De fremspringende mønstre 18 gis form av en linje. Inntilliggende fremspringende mønstre 18 danner et konkavt parti som har fasongen av en grunnfigur, særlig en lukket figur, slik som en trekant. Dannelsen av de linjeformede fremspringende mønstre 18 utføres ved å bruke et maskemønster, slik som vist i fig. 4. En refleksjonsplate som har sådanne linjeformede fremspringende mønstre 18 er beskrevet i JP-patentsøknad nr. 2001-55229 inn-levert av søkeren i foreliggende patentsøknad.

Ved å tilforme linjeformede fremspringende mønstre 18 for å danne et konkavt parti som har fasongen av en grunnfigur vil refleksjonselektroden 20 som skal tilformes i et senere trinn, få konkave og fremspringende partier med forutbestemt fasong på sin overflate. Som et resultat vil det bli fremskaffet et nedre substrat 11 som oppnår en refleksjonslysstyrke som avhenger av asimutvinkelen og som muliggjør en meget retningsbestemt lysrefleksjon som øker det lys som skal reflekteres mot en bestemt retning.

I maskemønsteret vist i fig. 4 kan mønsteret ved en krysning (vist i fig. 5A) av noen linjeformede, fremspringdannende partier erstattes med modifiserte maskemønstre vist i fig. 5B og 5C. Ved å bruke sådanne modifiserte maskemønstre blir det mulig å redusere forskjellen i filmtykkelse mellom grunnfigurens høydepunkt og side.

Når de fremspringende mønstre er dannet ved å bruke maskemønsteret vist i fig. 5A vil grunnfigurens (trekantens) spisser bli utvidet og avrundet, slik som vist i fig. 6A på grunn av feil ved eksponeringens oppløsning og en dekklakks (resist) oppløsning. Som vist i tverrsnittsskissen i fig. 6B langs linjen A-A i fig. 6A, vil dessuten mønstrenes høyde (filmtykkelse) ikke bli jevn, slik at toppunktpartiet blir høyere enn sidepartiet.

Når det andre isolasjonslag 19 avsettes på det fremspringende mønster 18 i det tilfelle høyden av toppunktpartiene og sidepartiene ikke er ensartet, og dersom områdene omkring toppunktpartiene er konstruert for å få en passende helningsvinkel, kan det andre isolasjonslag 19 flates ut i områdene nær sidepartiene (se fig. 6C). Dersom imidlertid områdene nær sidepartiene er konstruert for å få passende helningsvinkler kan på den annen side toppunktpartiene rage frem fra det andre isolasjonslag 19 (se fig. 6D). Dersom det er en forskjell i høyden av de fremspringende mønstre 18 kan derfor effektiv lysrefleksjon ikke oppnås og det kan oppstå ujevnheter med hensyn til lysrefleksjonen.

I maskemønsteret vist i fig. 5B har de fremspringdannende partier ved deres krysning smalere linjebredde. I f.eks. maskemønsteret vist i fig. 5A er linjebredden av de fremspringdannende partier innstilt til omtrent 4 \ im langs hele linjen, mens i maskemønsteret vist i fig. 5B er linjebredden innstilt til omtrent 2 \ im ved og nær krysningene. I maske-mønsteret vist i fig. 5C er linje fjernet ved og nær krysningene. Ved å gjøre linjebredden av de fremspringende mønstre 18 smalere ved toppunktpartiene eller ved å fjerne linjene ved toppunktpartiene, blir det mulig å redusere eller eliminere ujevnheten med hensyn til høyde (filmtykkelse) mellom toppunktene og sidene av grunnfiguren. Følgelig kan det oppnås effektiv lysrefleksjon.

Det henvises nå igjen til fig. 3D. På suksessiv måte legges en mellomlagsfilm fremstilt fra organisk harpiks over de fremspringende mønstre 18, slik at overflaten blir svakt bølget. Kontakthullet 21 blir så åpnet ved å utnytte en fotolitografisk teknikk. Deretter anvendes det baking på mellomlagsfilmen for å danne det andre isolasjonslag 19 (se fig. 3E).

En tynn aluminiumsfilm (Al) dannes så på det andre isolasjonslag 19 som omfatter kontakthullet 21. Etter dette blir refleksjonselektroden 20 som en reflekterende billedelementelektrode, dannet ved mønstring (se fig. 3F).

Avstandsholdere (ikke vist) plasseres mellom det således tilformede nedre substrat 11 og det motstående substrat 12 dannet ved avsetning av fargefilmen 25, osv. på isolasjonssubstratet 26. Rommet (cellen) som dannes av avstandsholderne fylles med harpiks og forsegles. Deretter heftes en polariserende plate 27 på overflaten av det motstående substrat 12 for å fullføre LCD-anordningen 10 av refleksjonstype vist i fig. 1.

I LCD-anordningen 10 av refleksjonstype som har den ovenfor beskrevne oppbygning inneholdende linjeformede fremspringende mønstre 18 avhenger, slik som beskrevet ovenfor, refleksjonslysstyrken av asimutvinkelen og således kan det lys som skal reflekteres mot en bestemt retning økes.

Fig. 7 viser resultatet fra en undersøkelse for å utprøve asimutvinkelen og refleksjonslysstyrken når lys bestråler det nedre substrat 11 (refleksjonsplaten) som har den ovenfor nevnte struktur, fra en polarvinkelretning på -30 grader. Her er polarvinkelen vinkelen cp1 vist i fig. 22 målt fra en linje rettvinklet på refleksjonsplaten (normallinjeretningen), mens asimutvinkelen er vinkelen cp2 målt i et plan parallelt med refleksjonslaget.

Når en vanlig brukssituasjon for en LCD-anordning betraktes, kan det sees at når innfallende lys Li faller inn på fremviseroverflaten fra en polarvinkelretning på -30 grader (med en asimutvinkel på 0 grader), oppfatter en betrakter best lys Lr reflektert fra en retning med en polarvinkel på 0 - 20 grader (med en asimutvinkel på 180 grader), fortrinnsvis fra en polarvinkelretning på 0 -10 eller 10-20 grader (med en asimutvinkel på 180 grader). Følgelig kan god kontrast oppnås med en LCD-anordning som har en refleksjonsplate som reflekterer lys Lr i den ovenfor nevnte retning, mer enn i andre retninger når det innfallende lys Li faller inn fra den ovenfor beskrevne retning.

Fig. 7A og 7B viser henholdsvis sammenhengen mellom polarvinkel og styrken av det reflekterte lys og sammenhengen mellom asimutvinkel og styrken av det reflekterte lys, som oppnås når lys bestråler et nedre substrat 11 (refleksjonsplate) som har den ovenfor beskrevne struktur fra en polarvinkelretning på -30 grader. Som vist i fig. 22 er polarvinkelen en vinkel cp1 målt fra en linje rettvinklet på refleksjonsplaten, mens asimutvinkelen er en vinkel cp2 målt i et plan parallelt med refleksjonsplanet.

Lukkede figurmønstre bestående av likesidede trekantede grunnfigurer dannes på det nedre substrat 11, slik som vist i fig. 8.

Som vist i fig. 7 har refleksjonslysstyrken en topp nær en polarvinkel på 0 -10 grader som er forskjellig fra den normale refleksjonsretning (ved en polarvinkel på 30 grader). Som vist i fig. 7B endrer refleksjonslysstyrken seg regelmessig som reaksjon på en endring i asimutvinkelen. Særlig oppviser refleksjonslysstyrken topper ved polarvinkler på 0, 60 og 120 grader. Ettersom polarvinkelen blir større, f.eks. endrer seg fra 10 - 20 grader, blir toppen mindre.

Grunnen til at refleksjonslysstyrken blir kraftigere mot en retning som har en spesifikk vinkel, er at det er en uregelmessighet i fordelingen av normallinjeretningene på den bølgende overflate av det nedre substrat 11.

Det kan sees at refleksjonskarateristikken nær en polarvinkel på 0 -10 grader i hovedsak forårsakes av trekantenes sidepartier, mens refleksjonskarakteristikken for en komponent nær den normale refleksjon lik eller større enn 20 grader, skyldes det plane parti nær midten av trekantene. Følgelig kan det sees at det er effektivt å øke antallet sider som er ortogonale i forhold til måleretningen i den hensikt å forbedre reflektiviteten nær en polarvinkel på 0 - 30 grader når asimutvinkelen er på 180 grader (dvs. når asimutvinkelen vender mot fronten).

Eksempel 1

Fig. 9 viser sammenhengen mellom linjebredde i grunnfiguren (trekanten) og tykkelsen av toppunkt- og sidepartiene når grunnfiguren er dannet ved å påføre en harpiksfilm som har en tykkelse på 2,35 um og filmen mønstres ved å bruke maskemønstrene vist i fig. 5A og 5B, for så å bake filmen.

Når det umodifiserte maskemønster vist i fig. 5A benyttes, blir tykkelsen av topp-partiet 1,90 um, slik som vist i fig. 9. Når det på den annen side brukes et maskemønster slik som vist i fig. 5B, hvor linjebredden ved krysningene er gjort smalere, blir tykkelsen av topp-partiet 1,60 \ im. Ut fra dette resultat viser det seg at når det modifiserte maskemønster benyttes kan høydeforskjellen mellom toppunktet og sidene reduseres.

Videre er det klart at jo større linjebredden blir, desto tykkere blir sidepartiet. Derfor kan det fortrinnsvis sies at jo større linjebredden av sidepartiet er, desto mindre blir tykkelses-forskjellen mellom sidepartiet og toppunktpartiet. Særlig er det tydelig at linjebredden fortrinnsvis bør innstilles til omtrent 5 um, slik at tykkelsen av sidepartiet kan være omtrent 1,3 \ xm.

Eksempel 2

Fra en polarvinkelretning på -30 grader sendes et lys mot det nedre substrat 11 hvor fremspringende mønstre 18 er utformet for å utgjøre trekantede konkave partier, i den hensikt å måle sammenhengen mellom polarvinkel og refleksjonslysstyrke ved en asimutvinkel på 180 grader, hvilket er motsatt lyskilden.

For denne måling benyttes et spektrofotometer av typen IMUC (LCD7000) fremstilt av Otsuka Electronics Co., Ltd. Under denne måling bringes videre det innfallende lys til å bestråle en spiss i trekanten som er grunnfiguren. Dessuten plasseres spektrofotometeret horisontalt i forhold til en side i trekanten. Måleresultatet ved en asimutvinkel på 180 grader er vist i fig. 10.

Det fremgår av resultatet vist i fig. 10 at styrken av det reflekterte lys (reflektiviteten) når lokale største verdier nær en polarvinkel på 30 grader og en polarvinkel på 5 grader. Det forhold at forandringen i refleksjonslysstyrken oppviser flere lokale maksimumsverdier avhengig av polarvinkelen, bekrefter det forhold at det nedre substrat 11 har den direktivitet som er vist i fig. 7A og 7B med hensyn til asimutvinkel.

Styrken av det reflekterte lys ved en polarvinkel på 0 grader er kraftigere enn styrken av det reflekterte lys ved en asimutvinkel på 90 grader (fremgår ikke av dataene). Grunnen til dette synes å være at i tilfellet av en asimutvinkel på 180 grader opptrer det lokale maksimum av styrken av det reflekterte lys nær en polarvinkel på 5 grader på grunn av den asimutvinkelavhengige lysrefleksjon vist i fig. 7A og 7B. Styrken av det reflekterte lys ved en polarvinkel på 0 grader kan forsterkes dersom det lokale maksimum av styrken av det reflekterte lys opptrer nær 0-10 grader.

Eksempel 3

For å gjøre refleksjonslysstyrken ved en asimutvinkel på 180 grader og en polarvinkel på 0 grader så stor som mulig, skal parametere som gjelder de fremspringende mønstre 18 betraktes.

Eksempel 3-1

Fig. 11A og 11 B viser resultatet av å måle sammenhengen mellom polarvinkel og refleksjonslysstyrke ved en asimutvinkel på 180 grader når linjebredden i grunnfiguren er innstilt til henholdsvis 3 \ im i fig. 11A og til 4 \ im i fig. 11B. Målebetingelsene er de samme som i eksempel 2. Filmtykkelsen av de fremspringende mønstre 18 ved grunnfigurens sider er 1,3 um etter å ha blitt bakt. Filmtykkelsen av det andre isolasjonslag 19 er 1,5 um, mens lengden av grunnfigurens sider er 24 \ im i gjennomsnitt.

Styrken av det reflekterte lys har flere lokale største verdier i hver av kurvene vist i fig. 11A og 11B. Av fig. 11A kan det sees at refleksjonslysstyrken når et lokalt maksimum nær en polarvinkel på 15 grader når linjebredden er 3 \ im. Av fig. 11B kan det på den annen side sees at refleksjonslysstyrken når et lokalt maksimum nær en polarvinkel på 0 grader i tillegg til en polarvinkel på 15 grader når linjebredden er 4 Siden styrken av det reflekterte lys når et lokalt maksimum nær en polarvinkel på 0 grader er det funnet at refleksjonslysstyrken ved en polarvinkel på 0 grader er kraftigere når linjebredden er 4 \ im.

Eksempel 3-2

Fig. 12A - 12C viser resultatet fra måling av sammenhengen mellom polarvinkel og refleksjonslysstyrke når lengden av en side i trekanten (grunnfiguren) er henholdsvis 24 \ im i fig. 12A, 20 um i fig. 12B og 16 um i fig. 12C. Målebetingelsene er de samme som i eksempel 2. Filmtykkelsen av de fremspringende mønstre 18 ved grunnfigurens sider er 1,3 um etter at de er blitt bakt. Filmtykkelsen av det andre isolasjonslag 19 er 1,5 \ im, mens grunnfigurens linjebredde er 5 \ im.

Styrken av det reflekterte lys har flere lokale største verdier i hver av kurvene vist i fig. 12A - 12C. Ved å sammenligne fig. 12 A - 12C fremgår det at jo lengre siden er, desto nærmere 0 grader blir den polarvinkel hvor refleksjonslysstyrkens lokale maksimum opptrer. Det vil si at det er funnet ut at jo større sidelengden er, desto kraftigere blir refleksjonslysstyrken ved en polarvinkel på 0 grader.

Eksempel 3-3

Fig. 13A og 13 B viser resultatet av måling av sammenhengen mellom polarvinkel og

refleksjonslysstyrke når det utflatende forhold for en trekant er henholdsvis 1,0 i fig. 13A og 1,8 i fig. 13B. Her er det definert at forholdet mellom grunnlinjen og høyden av en likebenet trekant representerer et utflatingsforhold på 1,0 (som anskueliggjort i fig. 8) og at forholdet mellom grunnlinjen og høyden av en likesidet trekant som har en høyde som er 0,8 ganger så høy som den i en likesidet trekant, representerer et utflatende forhold på 0,8 (som anskueliggjort i fig. 14). Målebetingelsene er de samme som i eksempel 2. Filmtykkelsen av de fremspringende mønstre 18 ved trekantens sider er 1,3 \ im etter baking. Filmtykkelsen av det andre isolasjonslag 19 er 1,5 um, mens lengden av sidene i trekanten er 24 \ im i gjennomsnitt og linjebredden er 5 \ im.

Styrken av det reflekterte lys har flere lokale største verdier i hver av kurvene vist i fig. 13A og 13B. Ved å sammenligne fig. 13A og 13B fremgår det at refleksjonslysstyrken ved en polar vinkel på 0 grader blir kraftigere når det dannes en trekant som har et utflatingsforhold på 0,8 enn når det dannes en trekant som har et utflatingsforhold på 1,0. Som forklart ovenfor anses grunnen til dette resultat å være at det finnes flere linjeformede fremspringende mønstre 18 som er ordnet horisontalt i forhold til spektrofotometeret innenfor et bestemt område når utflatingsforholdet er 0,8 enn når utflatingsforholdet er 1,0.

Dersom det utflatende forhold er mindre enn 0,5 kan imidlertid det reflekterte lys forårsake interferens og derved kan refleksjonsplatens karateristikk bli forringet. Det er derfor funnet at det utflatende forhold fortrinnsvis bør være 0,5 - 0,8.

Eksempel 3-4

Fig. 15A og 15B viser resultatet av måling av sammenhengen mellom polarvinkel og refleksjonslysstyrke når vilkårligheten ved arrangementet av grunnfigurene er henholdsvis 0,5 i fig. 15A og 0,75 i fig. 15B. Her antas det at når alle grunnfigurer ordnes parallelt i forhold til hverandre, defineres denne tilstand til å ha en vilkårlighet på 0,0, mens når alle grunnfigurene ordnes fullstendig tilfeldig, defineres tilstanden til å ha en vilkårlighet på 1,0. Målebetingelsene er de samme som i eksempel 2. Filmtykkelsen av de fremspringende mønstre 18 ved grunnfigurens sider er 1,3 \ im etter baking. Filmtykkelsen av det andre isolasjonslag 19 er 1,5 um, mens lengden av sidene i grunnfiguren er 24 \ im i gjennomsnitt og linjebredden er 5 um.

Styrken av det reflekterte lys har flere lokale største verdier i hver av kurvene vist i fig. 15A og 15B. Ved å sammenligne fig. 15A og 15B fremgår det at refleksjonslysstyrken ved en polarvinkel på 0 grader er kraftigere når vilkårligheten er 0,5 enn når vilkårligheten er 0,75. Grunnen til dette resultat anses å være at antallet linjeformede fremspringende mønstre 18 som er ordnet horisontalt i forhold til spektrofotometeret, er mindre når vilkårligheten er stor. Dersom vilkårligheten reduseres for mye kan imidlertid det reflekterte lys forårsake interferens og således kan refleksjonsplatens karakteristikk forringes.

Eksempel 3-5

Fig. 16A og 16B viser resultatet av måling av forholdet mellom polarvinkel og refleksjonslysstyrke når henholdsvis det modifiserte maskemønster vist i fig. 5B anvendes på toppunktene i grunnfiguren i fig. 16A og det umodifiserte maskemønster vist i fig. 5A anvendes på toppene i grunnfiguren i fig. 16B. Målebetingelsene er de samme som i eksempel 2. Filmtykkelsen av de fremspringende mønstre 18 ved grunnfigurens sider er 1,3 um etter baking. Filmtykkelsen av det andre isolasjonslag 19 er 1,5 \ im, mens lengden av sidene i grunnfiguren er 24 \ im i gjennomsnitt og linjebredden er 5 um.

Styrken av det reflekterte lys har flere lokale største verdier i hver av kurvene vist i fig. 16A og 16B. Ved å sammenligne fig. 16A og 16B fremgår det at refleksjonslysstyrken ved en polarvinkel på 0 grader er kraftigere når det modifiserte maskemønster vist i fig. 5B brukes, enn når det umodifiserte maskemønster benyttes. Ved å gjøre linjebredden ved toppunktene i grunnfiguren smalere, minskes forskjellen i høyde mellom toppunkt- og sidepartiene i de fremspringende mønstre 18. Det anses således at fasongen av toppunktene forhindres fra å være sirkulære, slik som vist i fig. 21, når de betraktes i et plan og refleksjonslysstyrkens direktivitet (anisotropi) forbedres mot asimutvinkelretningen.

Eksempel 3-6

Sammenhengen mellom polarvinkel og refleksjonslysstyrke vil bli betraktet ved å endre tykkelsen av det andre isolasjonslag 19. Målebetingelsene er de samme som i eksempel 2.

Fig. 17 viser resultatet når beleggtykkelsen av det andre isolasjonslag 19 er henholdsvis 1,5 um, 2,0 \ im eller 3,0 um, forutsatt at grunnfiguren er en trekant, at utflatingsforholdet er 0,8, linjebredden er 0,4 lengden av en side er 28 um, tykkelsen av de fremspringende mønstre 18 er 2,0 um og vilkårligheten er 0,75.

Av fig. 17 kan det sees at ettersom det andre isolasjonslag 19 blir tykkere, forskyver toppen som opptrer nær en asimutvinkel på 0 grader seg nær 20 grader for endelig å forsvinne. Dette kan anses å skyldes at trekantenes sider utflates av det andre isolasjonslag 19.

Når tykkelsen av det andre isolasjonslag 19 er 1,5 um når refleksjonslysstyrken et lokalt maksimum nær en polarvinkel på 0 -10 grader. Når fremviseranordningen brukes i dette vinkelområde kan følgelig høy reflektivitet oppnås dersom refleksjonsplaten er konstruert på denne måte.

Det kan også sees at når tykkelsen av det andre isolasjonslag 19 er 2,0 \ im har en endring i refleksjonslysstyrken en positiv helning i polarvinkelområdet fra 10 til 20 grader. I et polarvinkelområde fra 10 til A grader (10 < A < 20) blir dessuten helningen av endringen i refleksjonslysstyrke mindre ettersom polarvinkelen blir større. I polarvinkelområdet fra A til 20 grader blir videre helningen av endringen i refleksjonslysstyrke større ettersom polarvinkelen blir større. Når fremviseranordningen brukes i dette polarvinkelområde kan følgelig høy reflektivitet oppnås dersom refleksjonsplaten er konstruert på denne måte.

Den samme betraktning vil bli gjort (uten å vises ut fra data) ved bruk av tre materialer som har ulike smelteegenskaper når de bakes eller stekes, som material for det andre isolasjonslag 19. Ut fra måleresultatet oppnår et material som har en dårlig smelte-karakteristikk og derfor dårlig tilbøyelighet til å endre sin fasong, den kraftigste refleksjonslysstyrke ved en polarvinkel på 0 grader.

Som beskrevet i eksemplene ovenfor endres styrken av det reflekterte lys av de fremspringende mønstre 18 som danner grunnfiguren i samsvar med asimutvinkelen. Det er derfor slått fast at en endring i styrken av det reflekterte lys i forhold til polarvinkelen får en mengde lokale største verdier og at styrken av det reflekterte lys ved en polarvinkel på 0 grader kan styrkes dersom en av disse lokale største verdier opptrer nær en polarvinkel på 0-10 grader. Således kan det nedre substrat 11 (refleksjonsplaten) øke mengden av lys som skal reflekteres mot en polarvinkelretning på 0 grader, dvs. mot betrakteren, og derved forbedre kontrasten.

Ved å endre linjebredden, lengden av en side og filmtykkelsen av de fremspringende mønstre 18 samt tykkelsen av det andre isolasjonslag 19 er det særlig mulig å danne de fremspringende og konkave partier slik at anisotropien av refleksjonsplaten og refleksjonslysstyrken gjøres så stor som mulig mot normallinjeretningen på refleksjonsplaten. Ved å gjøre linjebredden av de linjeformede fremspringende mønstre 18 smalere ved krysningene er det dessuten mulig å gjøre tykkelsen av de fremspringende mønstre 18 nærmest ensartet. Derved kan forskjellen i høyde mellom toppunktene og sidene av grunnfiguren reduseres.

Med en reduksjon i høydeforskjellen kan forringelsen av lysrefleksjonens effektivitet som skyldes projeksjonen av de fremspringende mønstre 18 fra det andre isolasjonslag 19 forhindres. Siden tykkelsen av det andre isolasjonslag 19 til en viss grad kan innstilles fritt, er det videre mulig å velge tykkelsen av det andre isolasjonslag 19 slik at lysrefleksjons-styrken mot normallinjeretningen (dvs. en polarvinkelretning på 0 grader) kan styrkes.

Den andre utførelse

Fig. 18C viser oppbygningen av en refleksjonsplate (det nedre substrat 11) i henhold til en andre utførelsesform. Det nedre substrat 11 i henhold til denne andre utførelse danner den bølgende overflate på refleksjonselektroden 20 ved hjelp av bølgene dannet på en mellomliggende isolasjonsfilm 30, til forskjell fra den første utførelsesform.

Den mellomliggende isolasjonsfilm 30 fremstilles fra en fotofølsom harpiks og dens konkave og fremspringende mønstre dannes samtidig som kontakthullet 21 formes ved å endre lyseksponeringen med ultrafiolette stråler (UV), slik det vil bli beskrevet nedenfor.

En fremgangsmåte ved fremstilling av det nedre substrat 11 i henhold til den andre utførelse vil nå bli beskrevet med henvisning til fig. 18A - 18C. Denne produksjonsmetode er beskrevet i ikke gransket JP-søknad KOKAI-publikasjonsnr. 2000-250025.

Som vist i fig. 18A blir først et organisk harpikslag 31 fremstilt fra f.eks. en positiv fotofølsom harpiks dannet ved å påføres det første isolasjonslag 17 og lignende, i den tilstand som er vist i fig. 3B.

Deretter blir det organiske harpikslag 31 eksponert og fremkalt for å danne kontakthullet 21 og samtidig dannes de konkave og fremspringende mønstre på overflaten av det organiske harpikslag 31, slik som vist i fig. 18B. Det vil si at det område hvor kontakthullet 21 dannes og det område hvor de konkave og fremspringende mønstre dannes, avdekkes ved å bruke forskjellige masker og ulik lyseksponering. Fortrinnsvis er lyseksponeringen (UV1) for områdene med konkave og fremspringende mønstre lik 10 - 50 % av lyseksponeringen (UV2) for området med et kontakthull.

Den kjemiske oppløsningshastighet for en positiv fotofølsom harpiks avhenger i stor grad av det fotofølsomme middels dekomponeringsforhold. Ved å utnytte denne egenskap ved å endre dekomponeringsforholdene for områdene med konkave og fremspringende mønstre og området med kontakthull, er det mulig å generere en forskjell med hensyn til kjemisk oppløsningshastighet for harpiks i de to områder. Følgelig er det mulig å danne et dypt kontakthull 21 og grunne mønstre avhengig av fremkallingen av det organiske harpikslag 31 over et tidsrom som er tilstrekkelig til å oppløse (eller bryte ned) laget, for således å danne kontakthullet 21.

Mønstringen av det organiske harpikslag 31 kan utføres ved å bruke den samme maske dersom masken er en såkalt halvtonemaske, dvs. at masken har ulik evne til å slippe igjennom lys i området med kontakthullet 21 og områdene med de konkave og fremspringende mønstre.

Etter at det organiske harpikslag 31 er mønstret, bakes det for å danne den mellomliggende isolasjonsfilm 30. En metallfilm fremsilt av aluminium eller lignende dannes så for å bli mønstret. Således blir det frembragt en refleksjonselektrode 20. Som et resultat er det nedre substrat 11 vist i fig. 18C, fullført.

Fig. 19 viser de resultater som oppnås når filmtykkelsen av det organiske harpikslag 31 holdes uendret, mens lyseksponeringen av områdene med konkave og fremspringende mønstre innstilles til henholdsvis 25, 20 og 15 % av lyseksponeringen av området med kontakthullet. Målebetingelsene er de samme som i eksempel 3-6 ovenfor.

Ettersom lyseksponeringen reduseres, vil, slik som vist i fig. 19, toppen av refleksjonslysstyrken nær en vinkel på 0 grader forskyve seg nær en vinkel på 20 grader for til sist å forsvinne. Dette kan skyldes at sidene i trekantene utflates av den mellomliggende isolasjonsfilm 30.

Når lyseksponeringen er 25 % av den for kontakthullområdet når styrken av det reflekterte lys en lokal største verdi nær en polarvinkel på 0 -10 grader. Dersom fremviseranordningen benyttes i dette polarvinkelområde kan følgelig høy reflektivitet oppnås når det nedre substrat er konstruert som beskrevet ovenfor.

Når lyseksponeringen er 20 % av den for kontakthullområdet har endringen i refleksjons-lysintensiteten en positiv helning i polarvinkelområdet fra 10 til 20 grader. I polarvinkelområdet fra 10 til A grader (10 < A < 20) blir dessuten helningen for endringen i refleksjonslysstyrke mindre ettersom polarvinkelen blir større. I polarvinkelområdet fra A til 20 grader blir videre helningen av endringen i refleksjonslysstyrke større ettersom polarvinkelen blir større. Dersom fremviseranordningen benyttes i dette polarvinkelområde kan følgelig høy reflektivitet oppnås når det nedre substrat er konstruert som beskrevet ovenfor.

Som forklart gir en refleksjonsplate som har de konkave og fremspringende mønstre i henhold til den første og andre utførelse en refleksjonslysstyrke som er avhengig av asimutvinkelen. Endringen i refleksjonslysstyrken i forhold til polarvinkelen viser dessuten en mengde lokale største verdier. Høy refleksjonslysstyrke ved en polarvinkel på 0 grader er realisert når det lokale maksimum opptrer nær en polarvinkel på 0 -10 grader.

Forskjellige utførelsesformer og endringer kan gjøres uten å forlate oppfinnelsens brede ide og omfang. De ovenfor beskrevne utførelsesformer er ment å anskueliggjøre foreliggende oppfinnelse og ikke begrense dens omfang. Foreliggende oppfinnelses omfang fremgår av de vedføyde krav heller enn av utførelsesformene. Forskjellige modifikasjoner som gjøres innenfor betydningen av en ekvivalent av kravene som angir oppfinnelsen og innenfor selve kravene, skal betraktes å ligge innenfor omfanget av oppfinnelsen.

I de ovenfor beskrevne utførelsesformer er det forklart eksempler hvor foreliggende oppfinnelse er anvendt på en LCD-anordning av refleksjonstype. Foreliggende oppfinnelse kan imidlertid også anvendes på LCD-anordninger av såkalt semi-transparent type, slik som beskrevet i JP-patent nr. 2 955 277. Som et eksempel kan foreliggende oppfinnelse anvendes på den LCD-anordning som er vist i fig. 20 og som omfatter en transparent elektrode med et transparent område og et refleksjonsområde samt en refleksjonsplate, og som således virker som en transparent LCD-anordning og en LCD-anordning av refleksjonstype.

Claims (4)

1. Refleksjonsplate som har konkave og fremspringende partier på en av sine overflater,karakterisert vedat: de fremspringende partier er linjeformede og krysser hverandre for å danne de konkave partier som hvert har fasongen av en lukket figur, og en bredde ved og omkring krysnings-parti til de fremspringende partier er smalere enn dem for partier forskjellig fra det kryssende parti.

2. Fremgangsmåte ved fremstilling av en refleksjonsplate som har konkave og fremspringende partier på en overflate derav, karakterisert vedat den omfatter følgende trinn: å danne fremspringende partier som er linjeformede og krysser hverandre for å danne de konkave partier som hvert har fasongen av en lukket figur, og hvis bredde ved og omkring krysningspartier til de fremspringende partier er smalere enn dem for partier forskjellig fra de kryssende partier.

3. Fremgangsmåte ved fremstilling av en refleksjonsplate som angitt krav 2, som omfatter at en organisk harpiks legges på substratet, og den organiske harpiks mønstres med en linjeformet maske, for derved å danne en mengde linjeformede fremspringende mønstre (18), slik at de fremspringende mønstre (18) krysser hverandre for å danne konkave partier som hvert har fasongen av en lukket figur, og en mellomlagsfilm (19) belegges for å dekke de linjeformede fremspringende mønstre (18), hvor den linjeformede maske omfatter maskelinjer hvis bredde ved og omkring maskelinjenes krysningspartier er smalere enn dem for partier forskjellig fra de kryssende partier.

4. Fremgangsmåte ved fremstilling av en refleksjonsplate som angitt krav 2, som omfatter at det dannes et kontakthullparti (21) og samtidig de konkave og fremspringende partier, ved å legge en organisk harpiks på et substrat, og hvor den organiske harpiks eksponeres og fremkalles ved endrende lyseksponering, hvor en maske for å danne de linjeformede fremspringende partier (18) omfatter maskelinjer hvis bredde ved og omkring maskelinjenes krysningspartier er smalere enn dem for partier forskjellig fra krysningspartiene.