JP3308969B2 - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，反射型液晶表示装
置に関するものである。
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】テレビやコンピュータ用モニタ等のよう
な表示器に採用されている陰極線管（ＣＲＴ）は，重
量，装置空間，消費電力などが大きいため，設置時およ
び移動時に様々な制約を受ける。このＣＲＴの代わり
に，液晶表示器，プラズマディスプレイパネル（ＰＤ
Ｐ），エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示器のよう
なフラットパネル表示器が開発され，既に広い分野で使
用され始めている。
な表示器に採用されている陰極線管（ＣＲＴ）は，重
量，装置空間，消費電力などが大きいため，設置時およ
び移動時に様々な制約を受ける。このＣＲＴの代わり
に，液晶表示器，プラズマディスプレイパネル（ＰＤ
Ｐ），エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示器のよう
なフラットパネル表示器が開発され，既に広い分野で使
用され始めている。
【０００３】この中でも液晶表示器は，その他の表示器
に比べて，低消費電力および低電圧駆動という優れた特
徴を備えている。また，フルカラー表示が可能であり，
高精細化によって，ＣＲＴに近い表示品質が得らる。さ
らに，製造が容易であることから，現在，多様な電子装
置に適用されている。
に比べて，低消費電力および低電圧駆動という優れた特
徴を備えている。また，フルカラー表示が可能であり，
高精細化によって，ＣＲＴに近い表示品質が得らる。さ
らに，製造が容易であることから，現在，多様な電子装
置に適用されている。
【０００４】液晶表示器には外部光源（バックライト装
置）を利用する透過型液晶表示器と外部光源の代わりに
自然光を利用する反射型液晶表示器がある。反射型液晶
表示器は，低消費電力のみならず，バックライト装置が
不要であるため，より一層の薄型化，軽量化が可能であ
り，さらに太陽光の下などの屋外での使用も可能であ
る。このように反射型液晶表示器は，携帯型情報機器に
最適の条件を備えている。
置）を利用する透過型液晶表示器と外部光源の代わりに
自然光を利用する反射型液晶表示器がある。反射型液晶
表示器は，低消費電力のみならず，バックライト装置が
不要であるため，より一層の薄型化，軽量化が可能であ
り，さらに太陽光の下などの屋外での使用も可能であ
る。このように反射型液晶表示器は，携帯型情報機器に
最適の条件を備えている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の
反射型液晶表示器は，透過型液晶表示器に比べて表示画
面が暗く，高精細表示およびカラー表示に関しても十分
に対応できていないため，携帯型情報機器の中でも数字
等簡単なパターン表示に特化したものにのみ使われてい
た。
反射型液晶表示器は，透過型液晶表示器に比べて表示画
面が暗く，高精細表示およびカラー表示に関しても十分
に対応できていないため，携帯型情報機器の中でも数字
等簡単なパターン表示に特化したものにのみ使われてい
た。
【０００６】文書ビューア（ｄｏｃｕｍｅｎｔ ｖｉｅ
ｗｅｒ），インターネットビューア（ｉｎｔｅｒｎｅｔ
ｖｉｅｗｅｒ）等の機能を有する携帯型情報機器に反
射型液晶表示器を使用するためには反射輝度の向上のみ
ならず，高精細化，カラー化が要求される。
ｗｅｒ），インターネットビューア（ｉｎｔｅｒｎｅｔ
ｖｉｅｗｅｒ）等の機能を有する携帯型情報機器に反
射型液晶表示器を使用するためには反射輝度の向上のみ
ならず，高精細化，カラー化が要求される。
【０００７】主に文字を示すために用いられる単色（ｍ
ｏｎｏｃｈｒｏ）液晶表示器の画質を向上させるために
は，反射輝度向上と高精細化が必要である。そして，こ
れらを実現させるためには，薄膜トランジスタ等スイッ
チング素子が形成されたアクティブマトリックス基板が
必要となる。ところが，単色液晶表示機器は，表示可能
な情報が制限されることから機器全体の価格設定を低く
抑える必要があり，高価な薄膜トランジスタを採用する
ことは困難である。また，将来的に携帯情報機器は，単
色表示からカラー表示へ移り変わると予想されており，
これに合わせて，反射型液晶表示器の開発もカラー化の
方向に進んでいる。ところが，パネル技術と市場の両面
で大きい展開があるにもかかわらず反射型カラー液晶表
示器の実用化が遅れている。その原因は，輝度，コント
ラスト，および応答速度の点で性能が不足していること
にある。
ｏｎｏｃｈｒｏ）液晶表示器の画質を向上させるために
は，反射輝度向上と高精細化が必要である。そして，こ
れらを実現させるためには，薄膜トランジスタ等スイッ
チング素子が形成されたアクティブマトリックス基板が
必要となる。ところが，単色液晶表示機器は，表示可能
な情報が制限されることから機器全体の価格設定を低く
抑える必要があり，高価な薄膜トランジスタを採用する
ことは困難である。また，将来的に携帯情報機器は，単
色表示からカラー表示へ移り変わると予想されており，
これに合わせて，反射型液晶表示器の開発もカラー化の
方向に進んでいる。ところが，パネル技術と市場の両面
で大きい展開があるにもかかわらず反射型カラー液晶表
示器の実用化が遅れている。その原因は，輝度，コント
ラスト，および応答速度の点で性能が不足していること
にある。
【０００８】反射輝度の向上については，反射電極の反
射率を高める技術，および，超高開口率技術を組合わせ
ることによって実現されつつある。反射率を高める技術
は，既にゲストホスト液晶に用いられている。反射機能
を備えた電極に対して，微細な凹凸を形成し反射率を最
大とする技術は，例えば，米国特許番号５，４０８，３
４５に開示されている。
射率を高める技術，および，超高開口率技術を組合わせ
ることによって実現されつつある。反射率を高める技術
は，既にゲストホスト液晶に用いられている。反射機能
を備えた電極に対して，微細な凹凸を形成し反射率を最
大とする技術は，例えば，米国特許番号５，４０８，３
４５に開示されている。
【０００９】ただし，このような構造の採用することに
よって反射率が向上されたにもかかわらず，未だ十分な
反射率は得られておらず，反射型液晶表示器に対する反
射率の向上は，継続的に要求されている。
よって反射率が向上されたにもかかわらず，未だ十分な
反射率は得られておらず，反射型液晶表示器に対する反
射率の向上は，継続的に要求されている。
【００１０】本発明は，上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり，その目的は，高い反射率を有する反
射電極を備えた反射型液晶表示器を提供することにあ
る。
されたものであり，その目的は，高い反射率を有する反
射電極を備えた反射型液晶表示器を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明によれば，複数の凸絶縁部を備えた感光性絶
縁膜と，前記感光性絶縁膜の表面に形成され，複数の凸
反射部を入射光に対する面に備えた反射電極と，を含む
反射型液晶表示装置が提供される。そして，前記複数の
凸反射部は，少なくとも，第１高さを有する複数の第１
高さ凸反射部と，第２高さを有する複数の第２高さ凸反
射部とに分類され，前記複数の凸反射部は，少なくと
も，第１直径を有する複数の第１直径凸反射部と，第２
直径を有する複数の第２直径凸反射部とに分類されるこ
とを特徴としている。また，前記陥没反射部は，約１〜
３μｍの直径を有することが好ましい。かかる構成によ
れば，反射電極の反射率が向上することになる。
に，本発明によれば，複数の凸絶縁部を備えた感光性絶
縁膜と，前記感光性絶縁膜の表面に形成され，複数の凸
反射部を入射光に対する面に備えた反射電極と，を含む
反射型液晶表示装置が提供される。そして，前記複数の
凸反射部は，少なくとも，第１高さを有する複数の第１
高さ凸反射部と，第２高さを有する複数の第２高さ凸反
射部とに分類され，前記複数の凸反射部は，少なくと
も，第１直径を有する複数の第１直径凸反射部と，第２
直径を有する複数の第２直径凸反射部とに分類されるこ
とを特徴としている。また，前記陥没反射部は，約１〜
３μｍの直径を有することが好ましい。かかる構成によ
れば，反射電極の反射率が向上することになる。
【００１２】本発明によれば，反射電極は，複数の凸絶
縁部を備えた絶縁膜の表面に形成される。そして，各凸
絶縁部は，１または２以上の陥没絶縁部を有している。
したがって，反射電極を絶縁膜上に形成するだけで，複
数の凸反射部が自己形成されることになる。
縁部を備えた絶縁膜の表面に形成される。そして，各凸
絶縁部は，１または２以上の陥没絶縁部を有している。
したがって，反射電極を絶縁膜上に形成するだけで，複
数の凸反射部が自己形成されることになる。
【００１３】絶縁膜は，感光性を有することが好まし
い。かかる構成によれば，別途，感光膜を塗布する必要
がなくなり，製造工程の簡略化が実現する。
い。かかる構成によれば，別途，感光膜を塗布する必要
がなくなり，製造工程の簡略化が実現する。
【００１４】本発明にかかる反射型液晶表示装置は，複
数の凸反射部を備えている。そして，各凸反射部は，少
なくとも，第１高さを有する複数の第１高さ凸反射部
と，第２高さを有する複数の第２高さ凸反射部とに分類
され，各凸反射部は，少なくとも，第１直径を有する複
数の第１直径凸反射部と，第２直径を有する複数の第２
直径凸反射部とに分類される。かかる構成によれば，反
射電極の反射率をより一層向上させることが可能とな
る。
数の凸反射部を備えている。そして，各凸反射部は，少
なくとも，第１高さを有する複数の第１高さ凸反射部
と，第２高さを有する複数の第２高さ凸反射部とに分類
され，各凸反射部は，少なくとも，第１直径を有する複
数の第１直径凸反射部と，第２直径を有する複数の第２
直径凸反射部とに分類される。かかる構成によれば，反
射電極の反射率をより一層向上させることが可能とな
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら，
本発明にかかる反射型液晶表示装置の好適な実施の形態
について詳細に説明する。なお，以下の説明および添付
された図面において，略同一の機能および構成を有する
構成要素については，同一符号を付することによって重
複説明を省略する。
本発明にかかる反射型液晶表示装置の好適な実施の形態
について詳細に説明する。なお，以下の説明および添付
された図面において，略同一の機能および構成を有する
構成要素については，同一符号を付することによって重
複説明を省略する。
【００１６】（第１の実施の形態）本発明の第１の実施
の形態にかかる反射型液晶表示装置およびその製造方法
について，図１〜図５を用いて説明する。ここで，図１
〜図５は，かかる製造方法の各工程を順に示す断面図で
ある。
の形態にかかる反射型液晶表示装置およびその製造方法
について，図１〜図５を用いて説明する。ここで，図１
〜図５は，かかる製造方法の各工程を順に示す断面図で
ある。
【００１７】図１に示すように，透光性を有する絶縁基
板（例えば，ガラス基板）または遮光性を有する絶縁基
板１０２上に厚さ約３，０００Åの金属層がスパッタリ
ング法で蒸着されている。この金属層は，例えば，アル
ミニウム（Ａｌ），アルミニウム合金，クロム（Ｃ
ｒ），モリブデン（Ｍｏ），またはタンタル（Ｔａ）か
ら選択された材料から形成される。そして，金属層は，
フォトエッチング法によってパターニングされ，ゲート
バスライン（図示せず。）と，このゲートバスラインに
接続されたゲート電極１０５が形成される。
板（例えば，ガラス基板）または遮光性を有する絶縁基
板１０２上に厚さ約３，０００Åの金属層がスパッタリ
ング法で蒸着されている。この金属層は，例えば，アル
ミニウム（Ａｌ），アルミニウム合金，クロム（Ｃ
ｒ），モリブデン（Ｍｏ），またはタンタル（Ｔａ）か
ら選択された材料から形成される。そして，金属層は，
フォトエッチング法によってパターニングされ，ゲート
バスライン（図示せず。）と，このゲートバスラインに
接続されたゲート電極１０５が形成される。
【００１８】ゲート電極１０５を含む絶縁基板１０２に
は，厚さ約４，０００Åのシリコン窒化膜（ＳｉｘＮ
ｙ：ｘ，ｙは，原子の数を示す。），または，シリコン
酸化膜（ＳｉＯ２）から成るゲート絶縁膜１０６がプラ
ズマ化学気相蒸着法で形成される。
は，厚さ約４，０００Åのシリコン窒化膜（ＳｉｘＮ
ｙ：ｘ，ｙは，原子の数を示す。），または，シリコン
酸化膜（ＳｉＯ２）から成るゲート絶縁膜１０６がプラ
ズマ化学気相蒸着法で形成される。
【００１９】厚さ約１，０００Åの非晶質シリコン（ａ
−Ｓｉ）層とｎ型不純物が高濃度でドーピングされた厚
さ約４００Åの非晶質シリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層が連
続的に形成される。ｎ型不純物が高濃度でドーピングさ
れた非晶質シリコン層とその下方に形成された非晶質シ
リコン層をパターニングし，チャンネル層として機能す
る半導体層１０８とコンタクト層１１０ａ，１１０ｂを
形成する。
−Ｓｉ）層とｎ型不純物が高濃度でドーピングされた厚
さ約４００Åの非晶質シリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層が連
続的に形成される。ｎ型不純物が高濃度でドーピングさ
れた非晶質シリコン層とその下方に形成された非晶質シ
リコン層をパターニングし，チャンネル層として機能す
る半導体層１０８とコンタクト層１１０ａ，１１０ｂを
形成する。
【００２０】さらに，絶縁基板１０２の全面に厚さ約
２，０００Åの金属層をスパッタリング法で蒸着する。
この金属層は，例えば，クロム（Ｃｒ），クロム−タン
タル（Ｗ），またはモリブデン（Ｍｏ）から選択された
材料から形成される。そして，金属層は，フォトエッチ
ング法によってパターニングされ，ソースバスライン
（図示せず。）と，このソースバスラインに接続された
ソース電極１１３ａ，ドレーン電極１１３ｂが形成され
る。
２，０００Åの金属層をスパッタリング法で蒸着する。
この金属層は，例えば，クロム（Ｃｒ），クロム−タン
タル（Ｗ），またはモリブデン（Ｍｏ）から選択された
材料から形成される。そして，金属層は，フォトエッチ
ング法によってパターニングされ，ソースバスライン
（図示せず。）と，このソースバスラインに接続された
ソース電極１１３ａ，ドレーン電極１１３ｂが形成され
る。
【００２１】以上の工程によって，薄膜トランジスタ
（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下，
「ＴＦＴ」という。）１２０を備えたＴＦＴ基板１６０
が形成される。
（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下，
「ＴＦＴ」という。）１２０を備えたＴＦＴ基板１６０
が形成される。
【００２２】図２に示すように，ＴＦＴ基板１６０の全
面に膜厚約２〜４μｍの感光性有機絶縁膜１２２が形成
される。なお，本実施の形態では，感光性有機絶縁膜１
２２は，露光された部分が現像によって除去されるポジ
ティブタイプである場合に即して説明する。
面に膜厚約２〜４μｍの感光性有機絶縁膜１２２が形成
される。なお，本実施の形態では，感光性有機絶縁膜１
２２は，露光された部分が現像によって除去されるポジ
ティブタイプである場合に即して説明する。
【００２３】入射光を透過する第１透光部１５２ａと入
射光を遮断する第１遮光部１５２ｂを備えた第１マスク
１５２を，ＴＦＴ基板１６０のドレーン電極１１３ｂと
第１透光部１５２ａが対向するように配置する。そし
て，ドレーン電極１１３ｂの上方に形成された感光性有
機絶縁膜１２２が底部まで十分に露光される時間（例え
ば，約６，０００ｍｓｅｃ）１次露光を行う。
射光を遮断する第１遮光部１５２ｂを備えた第１マスク
１５２を，ＴＦＴ基板１６０のドレーン電極１１３ｂと
第１透光部１５２ａが対向するように配置する。そし
て，ドレーン電極１１３ｂの上方に形成された感光性有
機絶縁膜１２２が底部まで十分に露光される時間（例え
ば，約６，０００ｍｓｅｃ）１次露光を行う。
【００２４】図３に示すように，第２マスク１５４は，
複数の第２透光部１５４ａと第２遮光部１５４ｂを備え
ている。第２マスク１５４は，第２透光部１５４ａと画
素領域が対向するように配置され，１次露光時間の約１
／３（約２，０００ｍｓｅｃ）の間に２次露光が行われ
る。２次露光された２次露光部１２２ｂの露光深さは，
１次露光された１次露光部１２２ａに比べて浅くなって
いる。
複数の第２透光部１５４ａと第２遮光部１５４ｂを備え
ている。第２マスク１５４は，第２透光部１５４ａと画
素領域が対向するように配置され，１次露光時間の約１
／３（約２，０００ｍｓｅｃ）の間に２次露光が行われ
る。２次露光された２次露光部１２２ｂの露光深さは，
１次露光された１次露光部１２２ａに比べて浅くなって
いる。
【００２５】第２マスク１５４の平面図を図６に示す。
図３に示した第２マスク１５４の第２遮光部１５４ｂ
は，第１直径を有する円形状の第１遮光領域５１ａと，
第２直径を有する円形状の第２遮光領域５１ｂを含む。
また，第１透光領域５１ｃは，図３に示した第２透光部
１５４ａに対応する。そして，第２直径は，第１直径以
下とされている。
図３に示した第２マスク１５４の第２遮光部１５４ｂ
は，第１直径を有する円形状の第１遮光領域５１ａと，
第２直径を有する円形状の第２遮光領域５１ｂを含む。
また，第１透光領域５１ｃは，図３に示した第２透光部
１５４ａに対応する。そして，第２直径は，第１直径以
下とされている。
【００２６】１次露光部１２２ａおよび２次露光部１２
２ｂを現像し除去する。そして，画素領域内には，突起
（以下，「バンプ（ｂｕｍｐ）」という。）１２２ｃが
形成される。バンプ１２２ｃは，第２マスク１５４の第
１遮光領域５１ａおよび第２遮光領域５１ｂの形状に対
応して形成されるため円柱形状を有する。また，複数の
バンプ１２２ｃは，第１遮光領域５１ａの第１直径と第
２遮光領域５１ｂの第２直径との違いから，直径の異な
る２種類の円柱とされる。
２ｂを現像し除去する。そして，画素領域内には，突起
（以下，「バンプ（ｂｕｍｐ）」という。）１２２ｃが
形成される。バンプ１２２ｃは，第２マスク１５４の第
１遮光領域５１ａおよび第２遮光領域５１ｂの形状に対
応して形成されるため円柱形状を有する。また，複数の
バンプ１２２ｃは，第１遮光領域５１ａの第１直径と第
２遮光領域５１ｂの第２直径との違いから，直径の異な
る２種類の円柱とされる。
【００２７】感光性有機絶縁膜１２２が形成された絶縁
基板１０２に対して，約１２０〜２５０℃の温度範囲で
熱処理を施す。この熱処理によって，複数のバンプ１２
２ｃは，侵食され，画素領域の感光性有機絶縁膜１２２
は，凸部１２２ｃ’と凹部１２２ｂ’が交番する凹凸構
造を有するようになる。凸部１２２ｃ’は，半球形状を
有するため，感光性有機絶縁膜１２２は，平らな面であ
る場合に比べて入射光を高密度で集束反射するマイクロ
レンズとして機能することになる。また，複数の凸部１
２２ｃ’は，直径が異なる２種類が存在し，各凸部１２
２ｃ’は，感光性有機絶縁膜１２２上に不規則に分布し
ている。なお，１次露光部１２２ａは，コンタクトホー
ル１２４とされる。
基板１０２に対して，約１２０〜２５０℃の温度範囲で
熱処理を施す。この熱処理によって，複数のバンプ１２
２ｃは，侵食され，画素領域の感光性有機絶縁膜１２２
は，凸部１２２ｃ’と凹部１２２ｂ’が交番する凹凸構
造を有するようになる。凸部１２２ｃ’は，半球形状を
有するため，感光性有機絶縁膜１２２は，平らな面であ
る場合に比べて入射光を高密度で集束反射するマイクロ
レンズとして機能することになる。また，複数の凸部１
２２ｃ’は，直径が異なる２種類が存在し，各凸部１２
２ｃ’は，感光性有機絶縁膜１２２上に不規則に分布し
ている。なお，１次露光部１２２ａは，コンタクトホー
ル１２４とされる。
【００２８】図５に示すように，高い反射率と低い抵抗
率を有する金属（例えば，アルミニウム）から成る金属
層をコンタクトホール１２４を含む感光性有機絶縁膜１
２２に蒸着する。そして，パターニングを行い，ドレー
ン電極１１３ｂと電気的に接続された反射電極１２６を
画素領域に形成する。
率を有する金属（例えば，アルミニウム）から成る金属
層をコンタクトホール１２４を含む感光性有機絶縁膜１
２２に蒸着する。そして，パターニングを行い，ドレー
ン電極１１３ｂと電気的に接続された反射電極１２６を
画素領域に形成する。
【００２９】さらに，反射電極１２６を含む感光性有機
絶縁膜１２２の全面には，液晶分子を選択された角でプ
レチルト（ｐｒｅｔｉｌｔ）させるための配向膜１２８
が塗布される。
絶縁膜１２２の全面には，液晶分子を選択された角でプ
レチルト（ｐｒｅｔｉｌｔ）させるための配向膜１２８
が塗布される。
【００３０】以上説明したように，第１の実施の形態に
かかる反射型液晶表示装置は，感光性を有する感光性有
機絶縁膜１２２を備えており，その製造工程において，
感光性有機絶縁膜１２２に対して凹凸構造が形成され，
かかる感光性有機絶縁膜１２２の上に金属層が積層され
るため，画素領域内に凹凸構造を有する反射電極１２６
が形成されることになる。したがって，第１の実施の形
態にかかる反射型液晶表示装置およびその製造方法によ
れば，凹凸構造を有する反射電極１２６を形成するため
に感光性有機絶縁膜１２２の上に感光膜を塗布する必要
がなく，複数回の感光層形成が必要であった従来の反射
型液晶表示装置およびその方法に対して少ない工程での
製造が可能となる。
かかる反射型液晶表示装置は，感光性を有する感光性有
機絶縁膜１２２を備えており，その製造工程において，
感光性有機絶縁膜１２２に対して凹凸構造が形成され，
かかる感光性有機絶縁膜１２２の上に金属層が積層され
るため，画素領域内に凹凸構造を有する反射電極１２６
が形成されることになる。したがって，第１の実施の形
態にかかる反射型液晶表示装置およびその製造方法によ
れば，凹凸構造を有する反射電極１２６を形成するため
に感光性有機絶縁膜１２２の上に感光膜を塗布する必要
がなく，複数回の感光層形成が必要であった従来の反射
型液晶表示装置およびその方法に対して少ない工程での
製造が可能となる。
【００３１】また，複数の凸部１２２ｃ’は，直径が異
なる２種類が存在し，各凸部１２２ｃ’は，不規則に分
布しており，反射電極１２６において高い反射率が得ら
れる。
なる２種類が存在し，各凸部１２２ｃ’は，不規則に分
布しており，反射電極１２６において高い反射率が得ら
れる。
【００３２】なお，第１の実施の形態では，画素領域内
にのみ凹凸構造を形成する場合に即して説明したが，か
かる凹凸構造をソースバスラインおよびゲートバスライ
ンが形成される領域まで拡大させることも可能である。
にのみ凹凸構造を形成する場合に即して説明したが，か
かる凹凸構造をソースバスラインおよびゲートバスライ
ンが形成される領域まで拡大させることも可能である。
【００３３】（第２の実施の形態）第２の実施の形態に
かかる反射型液晶表示器の断面および平面をそれぞれ図
７，図８に示す。
かかる反射型液晶表示器の断面および平面をそれぞれ図
７，図８に示す。
【００３４】図７に示すように，液晶層１４０を挟んで
ＴＦＴ基板１６０とカラーフィルタ基板１７０が対向す
るように配置されている。カラーフィルタ基板１７０
は，第１絶縁基板１３２，カラーフィルタ部１３４，透
明電極１３６，および配向膜１３８等から構成されてい
る。なお，カラーフィルタ部１３４は，カラーフィルタ
層１３４ａおよびブラックマトリックス層１３４ｂを含
む構成である。ＴＦＴ基板１６０は，第２絶縁基板１０
２，ＴＦＴ１２０，感光性有機絶縁膜１２２，反射電極
１２６，および配向膜１２８等から構成されている。そ
して，液晶層１４０は，配向膜１２８と配向膜１３８と
の間に位置する。
ＴＦＴ基板１６０とカラーフィルタ基板１７０が対向す
るように配置されている。カラーフィルタ基板１７０
は，第１絶縁基板１３２，カラーフィルタ部１３４，透
明電極１３６，および配向膜１３８等から構成されてい
る。なお，カラーフィルタ部１３４は，カラーフィルタ
層１３４ａおよびブラックマトリックス層１３４ｂを含
む構成である。ＴＦＴ基板１６０は，第２絶縁基板１０
２，ＴＦＴ１２０，感光性有機絶縁膜１２２，反射電極
１２６，および配向膜１２８等から構成されている。そ
して，液晶層１４０は，配向膜１２８と配向膜１３８と
の間に位置する。
【００３５】透明な第１絶縁基板１３２の液晶層１４０
側の面における画素領域には，カラー表示のためのカラ
ーフィルタ層１３４ａが形成されており，第２絶縁基板
１０２に形成されたＴＦＴ１２０に対向する領域には，
ブラックマトリックス層１３４ｂが形成されている。ブ
ラックマトリックス層１３４ｂは，オフ状態のＴＦＴ１
２０を誤動作させないように，また，ＴＦＴ１２０を劣
化させないように外部からの光の入射を防止するととも
にカラーフィルタ層１３４ａ間の光の漏洩を防止する役
割を果たすものである。
側の面における画素領域には，カラー表示のためのカラ
ーフィルタ層１３４ａが形成されており，第２絶縁基板
１０２に形成されたＴＦＴ１２０に対向する領域には，
ブラックマトリックス層１３４ｂが形成されている。ブ
ラックマトリックス層１３４ｂは，オフ状態のＴＦＴ１
２０を誤動作させないように，また，ＴＦＴ１２０を劣
化させないように外部からの光の入射を防止するととも
にカラーフィルタ層１３４ａ間の光の漏洩を防止する役
割を果たすものである。
【００３６】カラーフィルタ層１３４ａおよびブラック
マトリックス層１３４ｂの液晶層１４０側の面には，透
明電極１３６が形成されており，透明電極１３６の液晶
層１４０側の面には，配向膜１３８が形成されている。
また，第１絶縁基板１３２の液晶層１４０の反対側の面
には，入射光を偏光させるための偏光板（図示せず。）
が備えられる。さらに，この偏光板と第１絶縁基板１３
２との間には，偏光した入射光の位相を変化させるため
の位相差板（図示せず。）が備えられる。
マトリックス層１３４ｂの液晶層１４０側の面には，透
明電極１３６が形成されており，透明電極１３６の液晶
層１４０側の面には，配向膜１３８が形成されている。
また，第１絶縁基板１３２の液晶層１４０の反対側の面
には，入射光を偏光させるための偏光板（図示せず。）
が備えられる。さらに，この偏光板と第１絶縁基板１３
２との間には，偏光した入射光の位相を変化させるため
の位相差板（図示せず。）が備えられる。
【００３７】図７，図８に示すように，透光性を有する
第２絶縁基板（例えば，ガラス基板）１０２上に，ゲー
ト電極１０５が配置されている。ゲート電極１０５は，
行方向に平行かつ相互に所定の間隔で配列されたゲート
バスライン１０４から列方向（垂直）に分岐されたもの
であって，ゲートバスライン１０４と一体を成すもので
ある。そして，ゲート電極１０５は，例えば，クロムと
アルミニウム−ネオジム（Ｎｄ）の二層で形成されてい
る。
第２絶縁基板（例えば，ガラス基板）１０２上に，ゲー
ト電極１０５が配置されている。ゲート電極１０５は，
行方向に平行かつ相互に所定の間隔で配列されたゲート
バスライン１０４から列方向（垂直）に分岐されたもの
であって，ゲートバスライン１０４と一体を成すもので
ある。そして，ゲート電極１０５は，例えば，クロムと
アルミニウム−ネオジム（Ｎｄ）の二層で形成されてい
る。
【００３８】ゲート電極１０５を含む第２絶縁基板１０
２の全面には，ゲート絶縁膜１０６が形成されている。
このゲート絶縁膜１０６は，シリコン酸化膜（Ｓｉ
Ｏ２）またはシリコン窒化膜（ＳｉｘＮｙ：ｘ，ｙは，
原子の数を示す。）で形成される。ゲート絶縁膜１０６
の上方にはチャンネル層として機能する半導体層１０８
が形成されている。半導体層１０８の両端には，ｎ型不
純物が高濃度でドーピングされた非晶質半導体（ｎ＋ａ
−Ｓｉ）層をパターニングして形成されたコンタクト層
１１０ａ，１１０ｂが配置されている。
２の全面には，ゲート絶縁膜１０６が形成されている。
このゲート絶縁膜１０６は，シリコン酸化膜（Ｓｉ
Ｏ２）またはシリコン窒化膜（ＳｉｘＮｙ：ｘ，ｙは，
原子の数を示す。）で形成される。ゲート絶縁膜１０６
の上方にはチャンネル層として機能する半導体層１０８
が形成されている。半導体層１０８の両端には，ｎ型不
純物が高濃度でドーピングされた非晶質半導体（ｎ＋ａ
−Ｓｉ）層をパターニングして形成されたコンタクト層
１１０ａ，１１０ｂが配置されている。
【００３９】コンタクト層１１０ａ，１１０ｂは，ソー
ス電極１１３ａおよびドレーン電極１１３ｂと電気的に
接続されている。ソース電極１１３ａは，図７，図８に
示すように，ゲート絶縁膜１０６を挟み，ゲートバスラ
イン１０４と直交するソースバスライン１１３から分岐
されたものであって，ソースバスライン１１３と一体を
成すものである。
ス電極１１３ａおよびドレーン電極１１３ｂと電気的に
接続されている。ソース電極１１３ａは，図７，図８に
示すように，ゲート絶縁膜１０６を挟み，ゲートバスラ
イン１０４と直交するソースバスライン１１３から分岐
されたものであって，ソースバスライン１１３と一体を
成すものである。
【００４０】ゲート電極１０５，ゲート絶縁膜１０６，
半導体層１０８，コンタクト層１１０ａ，１１０ｂ，ソ
ース電極１１３ａ，およびドレーン電極１１３ｂは，Ｔ
ＦＴ１２０を構成する。ＴＦＴ１２０，ソースバスライ
ン１１３，ゲートバスライン１０４を含む第２絶縁基板
１０２の全面には，感光性有機絶縁膜１２２が塗布され
ている。
半導体層１０８，コンタクト層１１０ａ，１１０ｂ，ソ
ース電極１１３ａ，およびドレーン電極１１３ｂは，Ｔ
ＦＴ１２０を構成する。ＴＦＴ１２０，ソースバスライ
ン１１３，ゲートバスライン１０４を含む第２絶縁基板
１０２の全面には，感光性有機絶縁膜１２２が塗布され
ている。
【００４１】図７の部位Ｐを拡大し図９に示す。感光性
有機絶縁膜１２２は，図９に示すように，表面に半球形
の凸部１２３ａと凹部１２３ｂを備えている。そして，
凸部１２３ａには，頂上から所定深さまで陥没した陥没
部１２３ｃが形成されている。
有機絶縁膜１２２は，図９に示すように，表面に半球形
の凸部１２３ａと凹部１２３ｂを備えている。そして，
凸部１２３ａには，頂上から所定深さまで陥没した陥没
部１２３ｃが形成されている。
【００４２】感光性有機絶縁膜１２２には，図７に示す
ように，ドレーン電極１１３ｂの一部を露出するコンタ
クトホール１２４が形成されている。また，コンタクト
ホール１２４を含む感光性有機絶縁膜１２２上には反射
電極１２６が形成されている。反射電極１２６は，感光
性有機絶縁膜１２２と同様に，半球形の凸部１２６ａと
凹部１２６ｂが交番する凹凸構造を有している。そし
て，凸部１２６ａには，頂上から所定深さまで陥没した
陥没部１２６ｃが形成されている。
ように，ドレーン電極１１３ｂの一部を露出するコンタ
クトホール１２４が形成されている。また，コンタクト
ホール１２４を含む感光性有機絶縁膜１２２上には反射
電極１２６が形成されている。反射電極１２６は，感光
性有機絶縁膜１２２と同様に，半球形の凸部１２６ａと
凹部１２６ｂが交番する凹凸構造を有している。そし
て，凸部１２６ａには，頂上から所定深さまで陥没した
陥没部１２６ｃが形成されている。
【００４３】図８に示すように，凸部１２６ａおよび陥
没部１２６ｃは，第１直径を有する第１凸部１２７とし
て反射電極１２６上に不規則に分布している。また，反
射電極１２６上には，第１凸部１２７と相似の形状で，
第１直径以下の第２直径を有する第２凸部１２９も不規
則に分布している。第１凸部１２７および第２凸部１２
９は，共に平面図上では円形状とされている。ここで，
第１直径は，例えば８〜１２μｍとし，第２直径は，例
えば４〜６μｍとする。第１凸部１２７の陥没部１２６
ｃおよび第２凸部１２９の陥没部の直径は，例えば１〜
３μｍとする。そして，各陥没部の直径を相互に異なる
値で設計することも可能である。
没部１２６ｃは，第１直径を有する第１凸部１２７とし
て反射電極１２６上に不規則に分布している。また，反
射電極１２６上には，第１凸部１２７と相似の形状で，
第１直径以下の第２直径を有する第２凸部１２９も不規
則に分布している。第１凸部１２７および第２凸部１２
９は，共に平面図上では円形状とされている。ここで，
第１直径は，例えば８〜１２μｍとし，第２直径は，例
えば４〜６μｍとする。第１凸部１２７の陥没部１２６
ｃおよび第２凸部１２９の陥没部の直径は，例えば１〜
３μｍとする。そして，各陥没部の直径を相互に異なる
値で設計することも可能である。
【００４４】第１凸部１２７と第２凸部１２９の高さ
は，反射電極１２６の反射率を高めるために相互に異な
るようにすることが好ましい。また，反射電極１２６の
反射率をより効果的に向上させるため，図１０に示すよ
うに，一つの凸部１４４に複数の陥没部１４６を形成し
てもよい。
は，反射電極１２６の反射率を高めるために相互に異な
るようにすることが好ましい。また，反射電極１２６の
反射率をより効果的に向上させるため，図１０に示すよ
うに，一つの凸部１４４に複数の陥没部１４６を形成し
てもよい。
【００４５】以上のように構成された第２の実施の形態
にかかる反射型液晶表示装置の動作を説明する。
にかかる反射型液晶表示装置の動作を説明する。
【００４６】液晶層１４０に電圧が印加されていない場
合，外部からの入射光は，偏光板を通過することによっ
て直線偏光とされる。この直線偏光は，位相差板を通過
し例えば左円偏光とされ，カラーフィルタ基板１７０に
入射される。そして，左円偏光は，液晶層１４０を通過
し再び直線偏光とされ反射電極１２６に到達する。
合，外部からの入射光は，偏光板を通過することによっ
て直線偏光とされる。この直線偏光は，位相差板を通過
し例えば左円偏光とされ，カラーフィルタ基板１７０に
入射される。そして，左円偏光は，液晶層１４０を通過
し再び直線偏光とされ反射電極１２６に到達する。
【００４７】反射電極１２６で反射した直線偏光は，再
び液晶層１４０を通過し左円偏光とされ，位相差板を通
過し入射時と同じ角度の偏光面を有する直線偏光とされ
偏光板を通過する。これによって，第２の実施の形態に
かかる反射型液晶表示装置は，ホワイト状態を示す。
び液晶層１４０を通過し左円偏光とされ，位相差板を通
過し入射時と同じ角度の偏光面を有する直線偏光とされ
偏光板を通過する。これによって，第２の実施の形態に
かかる反射型液晶表示装置は，ホワイト状態を示す。
【００４８】これに対して，ＴＦＴ１２０によって液晶
層１４０に電圧が印加された場合，液晶層１４０に入射
した左円偏光は，複屈折せずにそのまま液晶層１４０を
通過する。そして，左円偏光は，反射電極１２６によっ
て位相がシフトされ右円偏光に変化する。方向が変化し
た右円偏光は，位相差板を通過し入射光に対して偏光面
の角度が９０度回転した直線偏光とされる。この直線偏
光は，偏光板によって吸収されるため，第２の実施の形
態にかかる反射型液晶表示装置は，ダーク状態を示す。
層１４０に電圧が印加された場合，液晶層１４０に入射
した左円偏光は，複屈折せずにそのまま液晶層１４０を
通過する。そして，左円偏光は，反射電極１２６によっ
て位相がシフトされ右円偏光に変化する。方向が変化し
た右円偏光は，位相差板を通過し入射光に対して偏光面
の角度が９０度回転した直線偏光とされる。この直線偏
光は，偏光板によって吸収されるため，第２の実施の形
態にかかる反射型液晶表示装置は，ダーク状態を示す。
【００４９】次に，図７，図８，図９に示した第２の実
施の形態にかかる反射型液晶表示器の製造方法につい
て，図１１〜図１６を用いて説明する。ここで，図１１
〜図１６は，製造の各工程を順に示す断面図である。
施の形態にかかる反射型液晶表示器の製造方法につい
て，図１１〜図１６を用いて説明する。ここで，図１１
〜図１６は，製造の各工程を順に示す断面図である。
【００５０】図１１に示すように，透光性を有する絶縁
基板（例えば，ガラス基板）または遮光性を有する絶縁
基板１０２上に厚さ約３，０００Åの金属層がスパッタ
リング法で蒸着される。この金属層は，例えば，アルミ
ニウム（Ａｌ），アルミニウム合金，クロム（Ｃｒ），
モリブデン（Ｍｏ），またはタンタル（Ｔａ）から選択
された材料から形成される。そして，金属層は，フォト
エッチング法によってパターニングされ，ゲートバスラ
イン（図示せず。）と，このゲートバスラインに接続さ
れたゲート電極１０５が形成される。
基板（例えば，ガラス基板）または遮光性を有する絶縁
基板１０２上に厚さ約３，０００Åの金属層がスパッタ
リング法で蒸着される。この金属層は，例えば，アルミ
ニウム（Ａｌ），アルミニウム合金，クロム（Ｃｒ），
モリブデン（Ｍｏ），またはタンタル（Ｔａ）から選択
された材料から形成される。そして，金属層は，フォト
エッチング法によってパターニングされ，ゲートバスラ
イン（図示せず。）と，このゲートバスラインに接続さ
れたゲート電極１０５が形成される。
【００５１】ゲート電極１０５を含む絶縁基板１０２に
は，厚さ約４，０００Åのシリコン窒化膜（ＳｉｘＮ
ｙ：ｘ，ｙは，原子の数を示す。），または，シリコン
酸化膜（ＳｉＯ２）から成るゲート絶縁膜１０６がプラ
ズマ化学気相蒸着法で形成される。
は，厚さ約４，０００Åのシリコン窒化膜（ＳｉｘＮ
ｙ：ｘ，ｙは，原子の数を示す。），または，シリコン
酸化膜（ＳｉＯ２）から成るゲート絶縁膜１０６がプラ
ズマ化学気相蒸着法で形成される。
【００５２】厚さ約１，０００Åの非晶質シリコン（ａ
−Ｓｉ）層とｎ型不純物が高濃度でドーピングされた厚
さ約４００Åの非晶質シリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層が連
続的に形成される。ｎ型不純物が高濃度でドーピングさ
れた非晶質シリコン層とその下方に形成された非晶質シ
リコン層をパターニングし，チャンネル層として機能す
る半導体層１０８とコンタクト層１１０ａ，１１０ｂを
形成する。
−Ｓｉ）層とｎ型不純物が高濃度でドーピングされた厚
さ約４００Åの非晶質シリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層が連
続的に形成される。ｎ型不純物が高濃度でドーピングさ
れた非晶質シリコン層とその下方に形成された非晶質シ
リコン層をパターニングし，チャンネル層として機能す
る半導体層１０８とコンタクト層１１０ａ，１１０ｂを
形成する。
【００５３】さらに，絶縁基板１０２の全面に厚さ約
２，０００Åの金属層をスパッタリング法で蒸着する。
この金属層は，例えば，クロム（Ｃｒ），クロム−タン
タル（Ｗ），またはモリブデン（Ｍｏ）から選択された
材料から形成される。そして，金属層は，フォトエッチ
ング法によってパターニングされ，ソースバスライン１
１３（図８参照）と，このソースバスライン１１３に接
続されたソース電極１０３ａ，ドレーン電極１０３ｂが
形成される。
２，０００Åの金属層をスパッタリング法で蒸着する。
この金属層は，例えば，クロム（Ｃｒ），クロム−タン
タル（Ｗ），またはモリブデン（Ｍｏ）から選択された
材料から形成される。そして，金属層は，フォトエッチ
ング法によってパターニングされ，ソースバスライン１
１３（図８参照）と，このソースバスライン１１３に接
続されたソース電極１０３ａ，ドレーン電極１０３ｂが
形成される。
【００５４】以上の工程によって，ＴＦＴ１２０を備え
たＴＦＴ基板１６０が形成される。
たＴＦＴ基板１６０が形成される。
【００５５】図１２に示すように，ＴＦＴ基板１６０の
全面に膜厚約２〜４μｍの感光性有機絶縁膜１２２が形
成される。なお，本実施の形態では，感光性有機絶縁膜
１２２は，露光された部分が現像によって除去されるポ
ジティブタイプである場合に即して説明する。
全面に膜厚約２〜４μｍの感光性有機絶縁膜１２２が形
成される。なお，本実施の形態では，感光性有機絶縁膜
１２２は，露光された部分が現像によって除去されるポ
ジティブタイプである場合に即して説明する。
【００５６】入射光を透過する第１透光部１５２ａと入
射光を遮断する第１遮光部１５２ｂを備えた第１マスク
１５２を，ＴＦＴ基板１６０のドレーン電極１１３ｂと
第１透光部１５２ａが対向するように配置する。そし
て，ドレーン電極１１３ｂの上方に形成された感光性有
機絶縁膜１２２が底部まで十分に露光される時間（例え
ば，約６，０００ｍｓｅｃ）１次露光を行う。
射光を遮断する第１遮光部１５２ｂを備えた第１マスク
１５２を，ＴＦＴ基板１６０のドレーン電極１１３ｂと
第１透光部１５２ａが対向するように配置する。そし
て，ドレーン電極１１３ｂの上方に形成された感光性有
機絶縁膜１２２が底部まで十分に露光される時間（例え
ば，約６，０００ｍｓｅｃ）１次露光を行う。
【００５７】図１３に示すように，第２マスク１５７
は，複数の第２透光部１５７ａ，第３透光部１５７ｂ，
および第２遮光部１５７ｃを備えている。第２マスク１
５７は，第２透光部１５７ａ，第３透光部１５７ｂと画
素領域が対向するように配置され，１次露光時間の約１
／３（約２，０００ｍｓｅｃ）の間に２次露光が行われ
る。第２透光部１５７ａによって２次露光された２次露
光部１２２ｄ，および，第３透光部１５７ｂによって２
次露光された２次露光部１２２ｅの露光深さは，１次露
光された１次露光部１２２ａに比べて浅くなっている。
は，複数の第２透光部１５７ａ，第３透光部１５７ｂ，
および第２遮光部１５７ｃを備えている。第２マスク１
５７は，第２透光部１５７ａ，第３透光部１５７ｂと画
素領域が対向するように配置され，１次露光時間の約１
／３（約２，０００ｍｓｅｃ）の間に２次露光が行われ
る。第２透光部１５７ａによって２次露光された２次露
光部１２２ｄ，および，第３透光部１５７ｂによって２
次露光された２次露光部１２２ｅの露光深さは，１次露
光された１次露光部１２２ａに比べて浅くなっている。
【００５８】第２マスク１５７の平面図を図１６に示
す。図１３に示す第２マスク１５７の第２遮光部１５７
ｃは，第１直径ｄ１を有する円形状の第１遮光領域５１
ａと，第２直径ｄ２を有する円形状の第２遮光領域５１
ｂを含む。図１６に示す第１透光領域５１ｃは，図１３
に示した第３透光部１５７ｂに対応する。また，第１遮
光領域５１ａの内側には，第３直径ｄ３を有する円形状
の第２透光領域５１ｄが形成され，第２遮光領域５１ｂ
の内側には，第３直径ｄ３を有する円形状の第３透光領
域５１ｅが形成されている。これら第２透光領域５１ｄ
および第３透光領域５１ｅは，図１３に示した第２透光
部１５７ａに対応する。
す。図１３に示す第２マスク１５７の第２遮光部１５７
ｃは，第１直径ｄ１を有する円形状の第１遮光領域５１
ａと，第２直径ｄ２を有する円形状の第２遮光領域５１
ｂを含む。図１６に示す第１透光領域５１ｃは，図１３
に示した第３透光部１５７ｂに対応する。また，第１遮
光領域５１ａの内側には，第３直径ｄ３を有する円形状
の第２透光領域５１ｄが形成され，第２遮光領域５１ｂ
の内側には，第３直径ｄ３を有する円形状の第３透光領
域５１ｅが形成されている。これら第２透光領域５１ｄ
および第３透光領域５１ｅは，図１３に示した第２透光
部１５７ａに対応する。
【００５９】第１直径ｄ１は，約８〜１２μｍとされ，
第２直径ｄ２は，約４〜６μｍとされることが好まし
い。また，第１遮光領域５１ａおよび第２遮光領域５１
ｂは，約２μｍの間隔を保ちながら配置されている。そ
して，第３直径ｄ３は，約２〜４μｍとされている。
第２直径ｄ２は，約４〜６μｍとされることが好まし
い。また，第１遮光領域５１ａおよび第２遮光領域５１
ｂは，約２μｍの間隔を保ちながら配置されている。そ
して，第３直径ｄ３は，約２〜４μｍとされている。
【００６０】次に，１次露光部１２２ａおよび２次露光
部１２２ｄ，１２２ｅを現像し除去する。これによって
感光性有機絶縁膜１２２の画素領域内には，バンプが形
成される。バンプは，第２マスク１５７の第１遮光領域
５１ａおよび第２遮光領域５１ｂの形状に対応するよう
に形成されるため，円柱形状を有する。また，複数のバ
ンプは，第１遮光領域５１ａの第１直径ｄ１と第２遮光
領域５１ｂの第２直径ｄ２との違いから，直径の異なる
２種類の円柱とされる。
部１２２ｄ，１２２ｅを現像し除去する。これによって
感光性有機絶縁膜１２２の画素領域内には，バンプが形
成される。バンプは，第２マスク１５７の第１遮光領域
５１ａおよび第２遮光領域５１ｂの形状に対応するよう
に形成されるため，円柱形状を有する。また，複数のバ
ンプは，第１遮光領域５１ａの第１直径ｄ１と第２遮光
領域５１ｂの第２直径ｄ２との違いから，直径の異なる
２種類の円柱とされる。
【００６１】感光性有機絶縁膜１２２が形成された絶縁
基板１０２に対して，約１２０〜２５０℃の温度範囲で
熱処理を施す。この熱処理によって，図１４に示すよう
に，複数のバンプは侵食され，画素領域の感光性有機絶
縁膜１２２は，凹部１２２ｂ’と凸部１２２ｃ’が交番
する凹凸構造を有するようになる。凸部１２２ｃ’は，
半球形状を有するため，感光性有機絶縁膜１２２は，平
らな面である場合に比べて入射光を高密度で集束反射す
るマイクロレンズとして機能することになる。また，複
数の凸部１２２ｃ’は，直径が異なる２種類が存在し，
それぞれが不規則に分布している。なお，１次露光部１
２２ａは，コンタクトホール１２４とされる。
基板１０２に対して，約１２０〜２５０℃の温度範囲で
熱処理を施す。この熱処理によって，図１４に示すよう
に，複数のバンプは侵食され，画素領域の感光性有機絶
縁膜１２２は，凹部１２２ｂ’と凸部１２２ｃ’が交番
する凹凸構造を有するようになる。凸部１２２ｃ’は，
半球形状を有するため，感光性有機絶縁膜１２２は，平
らな面である場合に比べて入射光を高密度で集束反射す
るマイクロレンズとして機能することになる。また，複
数の凸部１２２ｃ’は，直径が異なる２種類が存在し，
それぞれが不規則に分布している。なお，１次露光部１
２２ａは，コンタクトホール１２４とされる。
【００６２】図１５に示すように，高い反射率と低い抵
抗率を有する金属（例えば，アルミニウム）から成る金
属層をコンタクトホール１２４を含む感光性有機絶縁膜
１２２に蒸着する。そして，パターニングを行い，ドレ
ーン電極１１３ｂと電気的に接続された反射電極１２６
を画素領域に形成する。
抗率を有する金属（例えば，アルミニウム）から成る金
属層をコンタクトホール１２４を含む感光性有機絶縁膜
１２２に蒸着する。そして，パターニングを行い，ドレ
ーン電極１１３ｂと電気的に接続された反射電極１２６
を画素領域に形成する。
【００６３】反射電極１２６は，感光性有機絶縁膜１２
２と同様に，半球形の凹部１２６ｂと凸部１２６ａが交
番する凹凸構造を有している。そして，凸部１２６ａに
は，頂上から所定深さまで陥没した陥没部１２６ｃが形
成されている。
２と同様に，半球形の凹部１２６ｂと凸部１２６ａが交
番する凹凸構造を有している。そして，凸部１２６ａに
は，頂上から所定深さまで陥没した陥没部１２６ｃが形
成されている。
【００６４】さらに，反射電極１２６を含む感光性有機
絶縁膜１２２の全面には，液晶分子を選択された角でプ
レチルト（ｐｒｅｔｉｌｔ）させるための配向膜１２８
が塗布される。
絶縁膜１２２の全面には，液晶分子を選択された角でプ
レチルト（ｐｒｅｔｉｌｔ）させるための配向膜１２８
が塗布される。
【００６５】以上説明したように，第２の実施の形態に
かかる反射型液晶表示装置は，反射電極１２６の凸部１
２６ａに陥没部１２６ｃを備えることによって反射率の
向上が図られる。図１７は，入射光の入射角に対する反
射率の特性を示している。これに示すように，第２の実
施の形態にかかる反射型液晶表示装置は，−３０度の入
射光に対して，従来の反射型液晶表示装置と比較して最
も高い反射率を示す＋３０度で約６〜７％の反射率の改
善が図られている。
かかる反射型液晶表示装置は，反射電極１２６の凸部１
２６ａに陥没部１２６ｃを備えることによって反射率の
向上が図られる。図１７は，入射光の入射角に対する反
射率の特性を示している。これに示すように，第２の実
施の形態にかかる反射型液晶表示装置は，−３０度の入
射光に対して，従来の反射型液晶表示装置と比較して最
も高い反射率を示す＋３０度で約６〜７％の反射率の改
善が図られている。
【００６６】図１８に示すように，従来の反射型液晶表
示器の絶縁膜２と配向膜６との間に備えられた反射電極
４は，凸部６ａと凹部６ｂが交番する凹凸構造を有する
が，その凹凸構造が単純であるため，高い反射率が得ら
れなかった。これに対して，第２の実施の形態にかかる
反射型液晶表示装置は，反射電極１２６の特徴的な構
造，すなわち陥没部１２６ｃによって高い反射率が得ら
れる。
示器の絶縁膜２と配向膜６との間に備えられた反射電極
４は，凸部６ａと凹部６ｂが交番する凹凸構造を有する
が，その凹凸構造が単純であるため，高い反射率が得ら
れなかった。これに対して，第２の実施の形態にかかる
反射型液晶表示装置は，反射電極１２６の特徴的な構
造，すなわち陥没部１２６ｃによって高い反射率が得ら
れる。
【００６７】さらに，図１７に示すように，約１０度の
位置でも従来に比べて高い反射率を有するピークが現れ
る。この現象を利用して，例えばピークを０度付近にな
るよう反射電極１２６の凸部１２６ａの形状を最適化す
ればホログラフィック効果により，正面方向の反射率を
高めることが可能となる。
位置でも従来に比べて高い反射率を有するピークが現れ
る。この現象を利用して，例えばピークを０度付近にな
るよう反射電極１２６の凸部１２６ａの形状を最適化す
ればホログラフィック効果により，正面方向の反射率を
高めることが可能となる。
【００６８】また，第２の実施の形態にかかる反射型液
晶表示装置およびその製造方法によれば，第１の実施の
形態にかかる反射型液晶表示装置およびその製造方法と
同様に，凹凸構造を有する反射電極１２６を形成するた
めに感光性有機絶縁膜１２２の上に感光膜を塗布する必
要がなく，従来の凹凸構造の反射型電極を有する反射型
液晶表示装置およびその方法に対して少ない工程での製
造が可能となる。
晶表示装置およびその製造方法によれば，第１の実施の
形態にかかる反射型液晶表示装置およびその製造方法と
同様に，凹凸構造を有する反射電極１２６を形成するた
めに感光性有機絶縁膜１２２の上に感光膜を塗布する必
要がなく，従来の凹凸構造の反射型電極を有する反射型
液晶表示装置およびその方法に対して少ない工程での製
造が可能となる。
【００６９】なお，本実施の形態では，図１６に示すよ
うに，第２マスク１５７における第１遮光領域５１ａの
内側に第２透光領域５１ｄが一つ形成され，第２遮光領
域５１ｂの内側に第３透光領域５１ｅが一つ形成された
場合に即して説明したが，それぞれ，複数の第２透光領
域５１ｄ，第３透光領域５１ｅを形成するようにしても
よい。これによって，図１０に示すように，一つの凸部
１４４に複数の陥没部１４６が形成されることになり，
結果的に反射電極１２６の反射率が向上することにな
る。
うに，第２マスク１５７における第１遮光領域５１ａの
内側に第２透光領域５１ｄが一つ形成され，第２遮光領
域５１ｂの内側に第３透光領域５１ｅが一つ形成された
場合に即して説明したが，それぞれ，複数の第２透光領
域５１ｄ，第３透光領域５１ｅを形成するようにしても
よい。これによって，図１０に示すように，一つの凸部
１４４に複数の陥没部１４６が形成されることになり，
結果的に反射電極１２６の反射率が向上することにな
る。
【００７０】また，本実施の形態では，ポジティブタイ
プの感光性有機絶縁膜１２２を用いた場合に即して説明
したが，露光された部分が現像によって残るネガティブ
タイプの感光性有機絶縁膜を適用することも可能であ
る。この場合，第１マスク１５２と第２マスク１５７の
遮光領域および透光領域は反対のパターンとされる。
プの感光性有機絶縁膜１２２を用いた場合に即して説明
したが，露光された部分が現像によって残るネガティブ
タイプの感光性有機絶縁膜を適用することも可能であ
る。この場合，第１マスク１５２と第２マスク１５７の
遮光領域および透光領域は反対のパターンとされる。
【００７１】以上，添付図面を参照しながら本発明の好
適な実施の形態について説明したが，本発明はかかる実
施の形態に限定されない。当業者であれば，特許請求の
範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変
更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，そ
れらについても当然に本発明の技術的範囲に属するもの
と了解される。
適な実施の形態について説明したが，本発明はかかる実
施の形態に限定されない。当業者であれば，特許請求の
範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変
更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，そ
れらについても当然に本発明の技術的範囲に属するもの
と了解される。
【００７２】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
反射率を向上させることが可能となる。また，反射電極
を形成する際に感光膜マスクが不要となり，製造工程が
単純化する。
反射率を向上させることが可能となる。また，反射電極
を形成する際に感光膜マスクが不要となり，製造工程が
単純化する。
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる反射型液晶
表示装置の製造工程を示す断面図（その１）である。
表示装置の製造工程を示す断面図（その１）である。
【図２】本発明の第１の実施の形態にかかる反射型液晶
表示装置の製造工程を示す断面図（その２）である。
表示装置の製造工程を示す断面図（その２）である。
【図３】本発明の第１の実施の形態にかかる反射型液晶
表示装置の製造工程を示す断面図（その３）である。
表示装置の製造工程を示す断面図（その３）である。
【図４】本発明の第１の実施の形態にかかる反射型液晶
表示装置の製造工程を示す断面図（その４）である。
表示装置の製造工程を示す断面図（その４）である。
【図５】本発明の第１の実施の形態にかかる反射型液晶
表示装置の製造工程を示す断面図（その５）である。
表示装置の製造工程を示す断面図（その５）である。
【図６】図３の第２マスクの平面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態にかかる反射型液晶
表示装置の断面図である。
表示装置の断面図である。
【図８】図７の反射型液晶表示装置の平面図である。
【図９】図７の部位Ｐの拡大図である。
【図１０】図７の反射型液晶表示装置を構成する反射電
極の平面図である。
極の平面図である。
【図１１】図７の反射型液晶表示装置の製造工程を示す
断面図（その１）である。
断面図（その１）である。
【図１２】図７の反射型液晶表示装置の製造工程を示す
断面図（その２）である。
断面図（その２）である。
【図１３】図７の反射型液晶表示装置の製造工程を示す
断面図（その３）である。
断面図（その３）である。
【図１４】図７の反射型液晶表示装置の製造工程を示す
断面図（その４）である。
断面図（その４）である。
【図１５】図７の反射型液晶表示装置の製造工程を示す
断面図（その５）である。
断面図（その５）である。
【図１６】図１３の第２マスクの平面図である。
【図１７】従来の反射型液晶表示装置の反射率と本発明
の実施の形態にかかる反射型液晶表示装置の反射率を示
す特性曲線図である。
の実施の形態にかかる反射型液晶表示装置の反射率を示
す特性曲線図である。
【図１８】従来の反射型液晶表示装置の反射電極，配向
膜，および絶縁膜の形状を示す断面図である。
膜，および絶縁膜の形状を示す断面図である。
５１ａ：第１遮光領域 ５１ｂ：第２遮光領域 ５１ｃ：第１透光領域 ５１ｄ：第２透光領域 ５１ｅ：第３透光領域 １０２：絶縁基板 １０５：ゲート電極 １０６：ゲート絶縁膜 １０８：半導体層 １１０ａ：コンタクト層 １１０ｂ：コンタクト層 １１３ａ：ソース電極 １１３ｂ：ドレーン電極 １２０：ＴＦＴ １２２：感光性有機絶縁膜 １２２ａ：１次露光部 １２２ｂ：２次露光部 １２２ｃ：バンプ １２２ｂ’：凹部 １２２ｃ’：凸部 １２３ａ：凸部 １２３ｂ：凹部 １２４：コンタクトホール １２６：反射電極 １２６ａ：凸部 １２６ｂ：凹部 １２６ｃ：陥没部 １２７：第１凸部 １２８：配向膜 １２９：第２凸部 １３２：第１絶縁基板 １３４ａ：カラーフィルタ層 １３４ｂ：ブラックマトリックス層 １３６：透明電極 １３８：配向膜 １４０：液晶層 １５２：第１マスク １５２ａ：第１透光部 １５２ｂ：第１遮光部 １５４：第２マスク １５４ａ：第２透光部 １５４ｂ：第２遮光部 １５７：第２マスク １５７ａ：第２透光部 １５７ｂ：第３透光部 １５７ｃ：第２遮光部 １６０：ＴＦＴ基板 １７０：カラーフィルタ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−27481（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1335 520 G02B 5/02 G02B 5/08 G02F 1/1343 G09F 9/30 349
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の凸絶縁部を備えた感光性絶縁膜
と， 前記感光性絶縁膜の表面に形成され，複数の凸反射部を
入射光に対する面に備えた反射電極と， を含む反射型液晶表示装置であって，前記感光性絶縁膜は，絶縁基板上に感光性絶縁材を堆積
させ，当該堆積膜の表面において外縁が円形状であり１
または２以上の非選択領域を囲む形状を有する複数の選
択領域を選択し，前記各選択領域または前記各選択領域
以外の領域について前記堆積膜を前記絶縁基板に達しな
い深さまで露光することによって形成されたものであ
り， 前記複数の凸反射部は，少なくとも，第１高さを有する
複数の第１高さ凸反射部と，第２高さを有する複数の第
２高さ凸反射部とに分類され， 前記複数の凸反射部は，少なくとも，第１直径を有する
複数の第１直径凸反射部と，第２直径を有する複数の第
２直径凸反射部とに分類されることを特徴とする，反射
型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記各凸絶縁部は，１または２以上の陥
没絶縁部を有し， 前記各凸反射部は，１または２以上の陥没反射部を有す
ることを特徴とする，請求項１に記載の反射型液晶表示
装置。 - 【請求項３】 前記各陥没反射部は，約１〜３μｍの直
径を有することを特徴とする，請求項２に記載の反射型
液晶表示装置。
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|---|---|---|---|
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| KR1998P47512 | 1998-11-06 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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|---|---|
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Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11281899A Expired - Fee Related JP3149404B2 (ja) | 1998-11-06 | 1999-04-20 | 反射型液晶表示装置の製造方法 |
| JP2000364677A Expired - Fee Related JP3308969B2 (ja) | 1998-11-06 | 2000-11-30 | 反射型液晶表示装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11281899A Expired - Fee Related JP3149404B2 (ja) | 1998-11-06 | 1999-04-20 | 反射型液晶表示装置の製造方法 |
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| JP (2) | JP3149404B2 (ja) |
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| JP3414343B2 (ja) * | 1999-11-26 | 2003-06-09 | 日本電気株式会社 | イメージセンサ及びその製造方法 |
| JP2001194662A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Nec Corp | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| US6563559B2 (en) | 2000-02-02 | 2003-05-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Reflective liquid crystal display having increase luminance for each display pixel |
| KR100641628B1 (ko) * | 2000-08-21 | 2006-11-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 블랙레진을 이용한 반사형 및 반투과형 액정표시장치 |
| JP2002162646A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-06-07 | Sony Corp | 反射型液晶表示装置 |
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| JP2002090730A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-27 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示装置並びに半透過型反射体 |
| JP2002107744A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Koninkl Philips Electronics Nv | 電極形成方法、画素電極形成方法、及び液晶表示装置 |
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| JP3892715B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2007-03-14 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
| KR100783699B1 (ko) * | 2001-01-31 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
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| KR100433594B1 (ko) * | 2001-07-06 | 2004-05-31 | 가부시끼가이샤 도시바 | 액정표시장치 |
| KR100813027B1 (ko) * | 2001-08-18 | 2008-03-14 | 삼성전자주식회사 | 감광성 절연막 및 반사전극의 요철 형성방법 및 이를이용한 요철구조의 반사전극을 갖는 액정표시기의 제조방법 |
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| US7342622B2 (en) * | 2001-10-22 | 2008-03-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display for enhancing reflection and method of manufacturing the same |
| JP4068942B2 (ja) | 2001-12-17 | 2008-03-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
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| CN100367103C (zh) * | 2002-04-16 | 2008-02-06 | 夏普株式会社 | 基片、具有该基片的液晶显示器及其制造方法 |
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| KR20040002155A (ko) * | 2002-06-29 | 2004-01-07 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 수직 배향 모드 액정표시장치 |
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