NL9200722A - Leidgestel. - Google Patents

Description

Titel: Leidgestel

De uitvinding heeft betrekking op een leidgestel, dat gebruikt wordt bij de vervaardiging van halfgeleiderinrichtin-gen.

De figuren 3 en 4 tonen de configuratie van een conventioneel leidgestel.

Fig. 3 toont van een conventioneel leidgestel op grote schaal een enkel gebied, waarin een halfgeleiderinrichting wordt gevormd. Normaliter wordt een aantal halfgeleiderinrichting vormende gebieden in een aaneengehechte toestand op een enkel leidgestel gevormd, als aangegeven in fig. 4. In de figuren 3 en 4 geeft 1 een leidgestel aan, 2 inwendige geleiders, 3 uitwendige geleiders, 4 een stempellichaam waarop een (niet afgeheeld) halfgeleiderelement is gemonteerd, 5 een buitenste gestelgedeelte van het leidgestel 1, 6 hangende geleiders om het stempellichaam 4 met het buitenste gestelgedeelte 5 te verbinden, en 7 verbindingsstaven om een verschuiving van de binnenste geleiders 2 en een stroom van een afdichtkunst-stof naar de buitengeleiders 3, welke in het gietproces niet moeten worden verpakt, te beletten.

Met 8 zijn eerste positioneeropeningen aangegeven, welke worden gébruikt om het leidgestel 1 ten opzichte van de gietvorm, de verbindingsstaaf snij vorm en de vorm voor het vormen van de geleiders (welke vormen niet zijn afgébeeld), die respectievelijk bij het gietproces, het verbindingsstaaf-snijproces en het vormproces voor de buitenste geleiders worden gebruikt te positioneren. De positioneeropeningen 8 worden met constante intervallen in het buitenste gestelgedeelte 5 van het leidgestel 1 gevormd. De eerste positioneeropeningen 8 zijn in het algemeen circulair of elliptisch. Met 9 is een kunststof injectiegedeelte aangegeven, dat overeenkomt met een subkanaal en een poort (welke beide niet zijn afgebeeld), en welke als het stroomkanaal voor de gietkunststof in een gietvorm dienen. In het kunststof injectiegedeelte strekt een plaatgedeelte, waarop de afdichtkunststof stroomt, zich vanuit het buitenste gestelgedeelte 5 naar het midden van het half-geleiderinrichting vormende gebied uit. Een van twee punten voorziene stippellijn 10 geeft een afdichtlijn aan, welke de contour vormt van een gegoten kunststof, waarin het leidgestel l is verpakt.

Een van twee punten voorziene stippellijn A in de figuren 3 en 4 geeft het halfgeleiderinrichting vormende gebied met de binnengeleiders 2, de buitengeleiders 3, het stempel lichaam 4, de hangende geleiders 6 en de verbindingsstaven 7 aan. Het aantal halfgeleiderinrichting vormende gebieden A wordt in serie op een enkel leidgestel 1 gevormd, zoals is aangegeven in fig. 4. Met 11 zijn spleten aangegeven om de vervorming, welke ontstaat door het verschil in warmtecoëfficiënt tussen het leidgestel l en de gevormde kunststof, wanneer de gevormde kunststof vanaf de temperatuur van de vorm tot kamertemperatuur wordt afgekoeld te verlichten en daardoor een kromtrekken van de halfgeleiderinrichting, veroorzaakt door deze vervorming, te beletten. De spleten 11 zijn om elk van de halfgeleiderinrichting vormende gebieden A van het leidgestel 1 behoudens het kunststof injectiegedeelte 9 gevormd alsof zij het halfgeleiderinrichting vormende gebied A omgeven.

Voor het monteren van halfgeleiderinrichtingen onder gebruik van het conventionele leidgestel 1 met de bovenbeschreven configuratie wordt eerst een halfgeleiderelement (een chip) onder gebruik van een kunststof bindmiddel of soldeer met het stempellichaam 4 verbonden. Vervolgens wordt een groot aantal aluminium lichaamselektroden, die op het halfgeleiderelement aanwezig zijn, respectievelijk met de binnengeleiders 2 verbonden onder gebruik van (niet afgebeeld) dunne metaaldraden, die uit goud, koper of aluminium bestaan. Daarna wordt het leidgestel 1 met de daaraan bevestigde halfgeleiderelementen in een (niet weergegeven) vorm geplaatst en wordt in de gesloten vorm een afdichtende kunststof geinjicieerd. Nadat de afdichtende kunststof is gehard, vindt een pantserings-behandeling plaats bij het leidgestel 1 onder gebruik van een soldeerplatering en daarna worden de verbindingsstaven 7 onder gebruik van een verbindingsstaaf snij vorm doorgesneden. Vervolgens worden de buitengeleiders 3 tot een voorafbepaalde vorm gebogen onder gebruik van een geleidervormende vorm terwijl tegelijkertijd de distale uiteinden van de buitengeleiders 3 van het buitenste gestelgedeelte 5 van het leidgestel 1 worden gescheiden, waardoor de vervaardiging van de halfgeleider-inrichtingen wordt voltooid.

Wanneer de totale afmetingen van de halfgeleiderinrich-tingen, welke worden vervaardigd onder gebruik van het leidgestel met de bovenbeschreven configuratie, worden vergroot, hetgeen in de laatste jaren heeft plaatsgevonden, neemt de mate van vervorming, veroorzaakt door het verschil in warmte-uitzettingscoëfficiënt tussen het materiaal van het gestel en de kunststof toe. Derhalve kan deze absorptie niet meer alleen door de spleten 11 worden geabsorbeerd. Hierdoor wordt het kromtrekken en samentrekken van het buitenste gestelgedeelte 5 van het leidgestel l, gescheiden door de spleten 11 en het gehele leidgestel 1 vergroot zelfs wanneer een leidgestel 1 voorzien van de spleten wordt gebruikt voor het vervaardigen van grote halfgeleiderinrichtingen. Voorts variëren de respectieve maten van kromtrekken en samentrekking in het centrale gedeelte en het eindgedeelte van het leidgestel 1. Als gevolg daarvan wordt de positioneringsnauwkeurigheid van de buitengeleiders 3 bij het verbindingsstaafsnijproces verslechterd omdat de eerste positioneeropeningen 8 zich in het buitenste gestelgedeelte 5, gescheiden door de spleten n, bevinden. Dit kan leiden tot een onjuiste doorsnijding van de buitengeleiders 3 tijdens het snijden van de verbindingsstaven 7.

Derhalve beoogt de uitvinding te voorzien in een leidgestel, dat een positionering van de buitengeleiders 3 mogelijk maakt, welke niet op een schadelijke wijze wordt beïnvloed door kromtrekken en samentrekking van het leidgestel l waardoor de positioneeraauwkeurigheid van de buitengeleiders 3 bij het verbindingsstaafsnijproces wordt verbeterd en daardoor het doorsnijden van de buitengeleiders 3 wordt belet en de betrouwbaarheid van de halfgeleiderinrichting wordt verbeterd.

Om dit doel te bereiken wordt voorzien in een leidgestel, gébruikt voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen, dat voorzien is van ten minste één halfgeleiderinrichting vormend gebied met een stempellichaam waarop een halfgeleiderelement wordt gemonteerd, binnengeleiders, die om het stempellichaam zijn opgesteld, buitengeleiders, hangende geleiders voor het ondersteunen van het stempellichaam, verbindingssta-ven om de buitengeleiders en de hangende geleiders in een bepaalde volgorde om het stempellichaam lateraal te verbinden, een buitenste gestelgedeelte, dat zich langs een buitenomtrek van het ten minste ene halfgeleiderinrichting vormende gebied uitstrekt teneinde het halfgeleiderinrichting vormende gebied van buitenaf te ondersteunen en aan te sluiten, waarbij het buitenste gestelgedeelte integraal met het halfgeleiderinrichting vormende gebied wordt gevormd, een kunststof injectiege-deelte, dat zich in een van vier hoeken van het halfgeleiderinrichting vormende gebied bevindt en een vlak bezit, dat zich vanuit het buitenste gestelgedeelte naar het midden van het halfgeleiderinrichting vormende gebied uitstrekt teneinde het mogelijk te maken, dat daarover een afdichtende kunststof wordt geinjicieerd, eerste positioneerorganen om het leidgestel te positioneren, welke eerste positioneerorganen zijn voorzien van een aantal openingen, die in het buitenste gestelgedeelte zijn gevormd, en tweede positioneerorganen, welke zich in de nabijheid van de verbindingsstaven en de buitengeleiders bevinden om de verbindingsstaven ten opzichte van de buitengeleiders te positioneren wanneer de verbindingsstaven worden doorgesneden.

Bij het leidgestel volgens de uitvinding kunnen de buitengeleiders met een grote mate van nauwkeurigheid worden gepositioneerd door middel van de tweede positioneerorganen, die in de nabijheid van de buitengeleiders tijdens het verbindings staaf snij proces aanwezig zijn. De tweede positioneerorganen omvatten positioneeropeningen, die in de drie hoeken van het halfgeleiderinrichting vormende gebied in de nabijheid van de verbindingsstaven en de buitengeleiders zijn aangebracht behoudens wat betreft de hoek, waarin het kunststof injectie-gedeelte is gevormd.

De uitvinding zal onderstaand nader worden toegelicht onder verwijzing naar de tekening. Daarbij toont: fig. 1 een vergroot bovenaanzicht van een enkel half-geleiderinrichting vormend gebied van een leidgestel overeenkomstig een uitvoeringsvorm volgens de uitvinding; fig. 2 een bovenaanzicht van het gehele leidgestel volgens fig. 1; fig. 3 een vergroot bovenaanzicht van een enkel half-geleiderinrichting vormend gebied van een conventioneel leidgestel; en fig. 4 een bovenaanzicht van het gehele leidgestel volgens fig. 3.

Thans zal een uitvoeringsvorm volgens de uitvinding onder verwijzing naar de figuren 1 en 2 worden beschreven.

Figuren 1 en 2 tonen respectievelijk een uitvoeringsvorm van een leidgestel 100 volgens de uitvinding. Fig. l toont een enkel halfgeleiderinrichting vormend gebied van de uitvoeringsvorm volgens de uitvinding op vergrote schaal. Normaliter wordt het aantal halfgeleiderinrichting vormende gebieden in aaneengesloten toestand op het enkele leidgestel gevormd, zoals is aangegeven in fig. 2. In de figuren 1 en 2 zijn dezelfde verwijzingen gebruikt voor het aangeven van delen en componenten, welke hetzelfde zijn als die, weergegeven in de figuren 3 en 4, waarbij een gedetailleerde beschrijving van deze onderdelen is weggelaten.

In figuren 1 en 2 zijn met 21 tweede positioneeropeningen voor het positioneren van het leidgestel 100, meer in het bijzonder het halfgeleiderinrichting vormende gebied A ten opzichte van de (niet weergegeven) verbindingsstaafsnijvorm tijdens het snijproces van de verbindingsstaven 7 aangegeven. De tweede positioneeropeningen vormen de tweede positioneer-organen. De drie tweede positioneeropeningen 21 zijn in het binnenste gedeelte van het leidgestel 100 gevormd, d.w.z. in drie hoeken van het halfgeleiderinrichting vormende gebied A

behalve in de hoek, waar zich het kunststof injectiegedeelte 9 bevindt, in de nabijheid van de verbindingsstaven 7 en de bui-tengeleiders 3. De drie tweede positioneeropeningen 21 zijn in dezelfde posities in de individuele halfgeleiderinrichting vormende gebieden A gevormd. Bij deze uitvoeringsvorm zijn de drie positioneeropeningen 21 elk gevormd in een punt, waarin het verlengde van de longitudinale verbindingsstaaf 7 het verlengde van de laterale verbindingsstaaf 7 snijdt. De positioneeropeningen 21 zijn elk in het algemeen cirkelvormig.

Om de halfgeleiderinrichtingen onder gébruik van het leidgestel 100 voorzien van de tweede positioneeropeningen 21 te monteren, worden de buitengeleiders 3 gepositioneerd onder gebruik van de positioneeropeningen 21 en worden de verbin-dingsstaven 7 onder gebruik van de (niet afgebeelde) verbindingsstaaf snij vorm bij het verbindingsstaafsnijproces doorgesneden. Bij de processen welke verschillen van het verbindingsstaafsnijproces geschiedt de montage op dezelfde wijze als bij de conventionele methode onder gébruik van de eerste positioneeropeningen 8, die op dezelfde wijze zijn gevormd als bij het conventionele leidgestel.

Bij de bovenbeschreven uitvoeringsvorm is het leidgestel met de spleten 11, die om het halfgeleiderinrichting vormende gebied A zijn gevormd, beschreven. De uitvinding kan evenwel ook worden toegepast op een leidgestel zonder de spleten 11.

Voorts is een leidgestel waarbij de spleten zich om elk van de halfgeleiderinrichting vormende gebieden bevinden en dat voorzien is van positioneeropeningen in het binnenste gedeelte, dat binnen de spleten is gelegen, nl. bij drie hoeken van het halfgeleiderinrichting vormende gebied A behoudens de hoek, waar het kunststof injectiegedeelte is gevormd, bekend. Deze positioneeropeningen worden gevormd voor het absorberen van een verschuiving en vervorming van het halfgeleiderinrichting vormende gébied A ten opzichte van het buitenste gestelgedeelte van het leidgestel, veroorzaakt door de vorming van de spleten. Deze positioneeropeningen worden gebruikt bij het afdichtkunstof gietproces, het verbindings- staafsnijproces en het proces voor het vormen van de buitengeleiders. De positioneeropeningen volgens de uitvinding worden meer in het bijzonder gevormd om de positioneemauwkeurigheid van de buitengeleiders bij het verbindingsstaafsnijproces te verbeteren, en worden gébruikt voor het opnemen van een verschuiving van het halfgeleiderinrichting vormend gebied A ten opzichte van het buitenste gestelgedeelte van het leidgestel, evenals een verschuiving en vervorming van het binnenste gedeelte, dat zich binnen de verbindingsstaven 7 of de vorm-lijn 10, aangegeven in de figuren l en 2 bevindt, ten opzichte van het halfgeleiderinrichting vormende gebied A. D.w.z., dat het duidelijk is, dat de positioneeropeningen volgens de uitvinding worden gevormd voor doeleinden, welke verschillen van die van de conventionele openingen.

Zoals uit de bovenstaande beschrijving duidelijk zal zijn, omvat het leidgestel volgens de uitvinding tweede posi-tioneerorganen, welke bestaan uit drie positioneeropeningen, die in de nabijheid van de verbindingsstaven bij drie hoeken van elk halfgeleiderinrichting vormend gebied zijn gevormd behalve in de hoek, waar zich het kunststof injectiegedeelte bevindt. Bij het verbindingsstaafsnijproces vindt de positionering tussen de verbindingsstaven en de buitengeleiders van het leidgestel en de verbindingsstaafsnijvorm plaats onder gebruik van deze positioneeropeningen. Derhalve kan een onjuiste doorsnijding van de buitengeleiders worden belet en kan derhalve worden voorzien in een zeer betrouwbare halfgeleiderinrichting.

Claims (8)

1. Leidgestel ten gébruike voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen, gekenmerkt door ten minste één half-geleiderinrichting vormend gebied voorzien van een stempel-lichaam waarop een halfgeleiderelement is gemonteerd, binnen-geleiders, die om dit stempellichaam zijn opgesteld, buitengeleiders, hangende geleiders om het stempellichaam te ondersteunen, verbindingsstaven om de buitengeleiders en de hangende geleiders in een bepaalde volgorde om het stempellichaam lateraal te verbinden, een buitenste gestelgedeelte, dat zich langs een buitenomtrek van het ten minste ene halfgeleider-inrichting vormende gebied zodanig uitstrekt, dat dit het halfgeleiderinrichting vormende gebied van buitenaf ondersteunt en aansluit, waarbij het buitenste gestelgedeelte integraal met het halfgeleiderinrichting vormende gebied is gevormd, een kunststof injectiegedeelte, dat zich bij een van de vier hoeken van het halfgeleiderinrichting vormende gebied bevindt en voorzien is van een vlak, dat zich vanuit het buitenste gestelgedeelte naar het midden van het halfgeleiderinrichting vormende gebied uitstrekt teneinde het mogelijk te maken, dat daarover een afdichtende kunststof wordt geinji-cieerd, eerste positioneerorganen om het leidgestel te positioneren, welke eerste positioneerorganen zijn voorzien van een aantal openingen, die in het buitenste gestelgedeelte zijn gevormd, en tweede positioneerorganen, welke zich in de nabijheid van de verbindingsstaven en de buitengeleiders bevinden om de verbindingsstaven ten opzichte van de buitengeleiders te positioneren wanneer de verbindingsstaven worden doorgesneden.

2. Leidgestel volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de tweede positioneerorganen drie positioneeropeningen omvatten, die resp. in de drie hoeken van het halfgeleiderinrichting vormende gebied in de nabijheid van de verbindingsstaven zijn gevormd, behoudens wat betreft de hoek, waar zich het kunststof injectiegedeelte bevindt.

3. Leidgestel volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de positioneeropeningen van de tweede positioneerorganen elk cirkelvormig zijn.

4. Leidgestel volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de positioneeropeningen van de tweede positioneerorganen elk zijn gevormd in een snijpunt waarin de verlengden van de ver-bindingsstaven aan twee zijden elkaar snijden.

5. Leidgestel volgens conclusie 1, gekenmerkt door een reeks spleten, die om het halfgeleiderinrichting vormende gebied zijn gevormd behoudens wat betreft het kunststof injec-tiegedeelte, alsof zij het halfgeleiderinrichting vormende gebied omgeven.

6. Leidgestel volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat de tweede positioneerorganen drie positioneeropeningen omvatten, die resp. in de drie hoeken van het halfgeleiderinrichting vormende gebied in de nabijheid van de verbindingsstaven zijn gevormd behoudens wat betreft de hoek, waar zich het kunstmateriaal injicierende gedeelte bevindt.

7. Leidgestel volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de positioneeropeningen van de tweede positioneerorganen elk cirkelvormig zijn.

8. Leidgestel volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat de positioneeropeningen van de tweede positioneerorganen elk zijn gevormd in het snijpunt, waarin zich de verlengden van de verbindingsstaven aan twee zijden elkaar snijden.