JPS5989424A - 半導体装置のパツケ−ジング装置及び方法 - Google Patents

半導体装置のパツケ−ジング装置及び方法

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JPS5989424A
JPS5989424A JP58184945A JP18494583A JPS5989424A JP S5989424 A JPS5989424 A JP S5989424A JP 58184945 A JP58184945 A JP 58184945A JP 18494583 A JP18494583 A JP 18494583A JP S5989424 A JPS5989424 A JP S5989424A
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lead frame
strip
plastic
cavity
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ジヨン・ダブリユ・オ−カツト
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、半導体装置のパッケージングに関し、さらに
詳しくは、本発明は、プラスチックでカプセル封止する
ことによる半導体装置のパッケージングに関する。
例えば［プラスチック内に電子部品をカプセル封止する
方法］という名称のバチューに１９７７年８月２３日に
発行された米国ｌ特許第４，０４６，０２７号に示され
るプラスチックで封止された集積回路のように半導体装
置をカプセル封止することは知られている。半導体装置
はまずリードフレームのバーパッドに取りつげられる。
そして半導体装置上の電極パッドは、例えばポールボン
ディングのようなワイヤボンディングによってそれぞれ
パーパッドと近接するが離隔するリードフレームのリー
ドの先端にある対応する電極パッドに取りつけられる。
半導体装置は、たとえば半導体装置上接続するといった
いずれかの標準技術によってパーパッドの表面にとりつ
けられることが可能である。
複数の他の同様のリードフレ・−ムに連結していてもよ
いリードフレー、ムは次にモールド内に位置される。大
量の未加ニブラスチックを含む貯蔵部、水槽がモールド
に作られる。プラスチック供給路やチャンネルの配置網
は、プラスチック貯蔵部は、半導体装置を含む１つ又は
２つ以上の溝へとのびている。貯蔵部から腔へとプラス
チックが流れる通路は、１つまたは２つ以上の腔を通っ
てのびる。
一般的に腔に直前の供給路の中にｒ−）又は、抑制部材
が提供される。リードフレームは、モールド内の溝また
ひっこみ部に位置される。モールドは一般的に２つの部
分に構成される。リードフレームは穴の中からのびる位
置あわせ用の出張りを利用してモールドの第１の部分内
の穴の中に位置される。位置あわせ用の出張りに対応す
る位置あわせ用の孔がリードフレームの中にあり、確実
にリードフレームが溝の中の所定位置に納まるようにす
る。モードのもう一方の部分は、次に、その中にリード
フレームが位置された上記部分と接触させられる。適当
に位置あわせが行われると、半導体装置は、モールドの
両側の部分内のひっこみでできた腔の中に位置される。
腔は材料供給路によってモールドのプラスチック貯蔵部
に接続される。次に貯蔵部内のプラスチックに圧力が加
えられ、圧力が加えられることによって供給路を通って
腔にプラスチックが流れこむようにする。プラスチック
は半導体装置、リードフレームのバーパッド及び半導体
装置に近接する方のリードフレームのリードの先端とを
おおっている。それぞれ半導体装置のｔ極パッドと半導
体装置に近接するリードフレームのリードの先端の電極
パッドを接続するワイヤの長さも全部おおわれている。
しかしながら、半導体装置から遠い方のリードフレーム
の先端を含むリードフレームのリードの部分は、モール
ドの２つの部分の間に挾持され、故に腔の外側にあると
いうことを知っておかなくてはならない。腔の外側のリ
ードフレームの部分はプラスチックでおおわれていない
。モールドはプラスチックが充分な硬度まで硬化するよ
うに加熱される。
さらにモールドが開放されリードフレームがとり出され
る。次にこの操作がくり返される。
リードフレームはストリップ状に作ると有効であること
がわかっている。ス）　ＩＪッゾの中の各々のリードフ
レームは、上記で説明した通りそのバーパッドにとりつ
けられた半導体装置を有している。パーパッドは支持部
によって２つの平行するサイトレール部に接続される。
各々のサイトレールはリードフレームのある平面内のパ
ーパッドの両側に位置される。各々のリードフレームの
リードは、バーパッドの両側付近からサイトレール部に
だいたい平行にのびる２組に分けて形成される。
各々のリードフレームのリードは、少くとも１つの隣接
するリードフレームのリードに接続、される。
典型的には、ストリップをモールド内の溝に位置にする
時は、少（とも１つの他のストリップもモールド内の他
の同様の構の中に位置される。当分野では、他の腔を通
しである腔にプラスチックを供給することは、知られて
いる。このシステムでは両側のサイトレールの間に横方
向に隣接して２”）ノ＋）　−ドア＋／−ムが形成され
る。プラスチック供給路の付近のリードフレームの入る
腔は、供給路から遠いリードフレームの腔に接続される
。
リードフレームはエツチング技術又はパッチング操作に
よって平らな金属板から形成される。カプセル封止を行
った後、半導体装置及びリードフレームはモールドから
とり出され、これらは一般にプラスチックを加熱し硬化
させる為にオープンの中に位置される。個々のリードは
それから切断される。組立工程の間、機械的支持力を強
化する為またリードとリードの間の腔にプラスチックが
残らないようにプラスチックを流しこむ為のダムを提供
する為にリードは通常１つなぎに接続されている。リー
ド間を接続する支持部は、半導体装置及びリードフレー
ムの一部をカプセル封止するプラスチックの外部にある
。リードの切断は一般にトリミング処理と呼ばれる。リ
ードがストリップ状に形成されている場合さらにリード
は隣接するリードフレームのリードから切り離される。
サイトレール部もリード及びカプセル封止しているプラ
スチック内のパーパッドに接続している支持部から切り
離される。この時点で半導体装置上の電極パッドとカプ
セル封止するプラスチックノ外側に位置するリードフレ
ームの先端との間に半導体装置と他の回路とを接続する
為の唯一の電気的接続が形成される。例えば半導体装置
上の１つの電極パッドからそのパッドと近接するリード
の先端にある電極パッドとにとりつけられたワイヤを通
ツ”Ｃ力ｆ　セル封止するプラスチックの外側のリード
の先端まで至る電気的接続が形成される。
従来の構成では、半導体装置及びそれに関連するリード
フレームの部分とがその中に位置される少くとも２つの
腔にプラスチックを流しこむ為に役立つようにリードフ
レームの金属部分の上を横切ってプラスチックが流れる
ようにしたリードフレームのストリップを用いる半導体
装置のカプセル封止を示すものはなかった。また、従来
の構成では、プラスチックがストリップの金属部に置か
レモールトの２つの部分がリードフレームに密着しこれ
をそれらの間で挾持するようにされた時、モールドの一
部として上記ストリップの一部が働き、プラスチックが
リードフレームを沿って流れだし、半導体装置や、リー
ドフレームの一部を中に持つ少くとも１つの腔にプラス
チックが与えられるようにしたリードフレームから成る
ストリップを使うカプセル封止法もなかった。
発明の概要 本発明の装置は、例えばステンレススチールのような平
らな金属板を有している。金属板は打抜き、エツチング
又は、その他の操作のいずれかを便って複数のリードフ
レームからなるストリップに形成されたものである。各
々のリードフレームはパーパッド及び複数のリードを有
している。開口によってパーパッドは、パーパッドと近
接するリードの先端とは分かれている。パーパッドは２
つの支持部に接続される。支持部はリードフレームの両
側からのびストリップの本体部分までのびている。リー
ドは長方形のパーパッドのうち、支持部がのびている側
部とは直角に位置する少（とも１つの側部からパーパッ
ドと近接する方の先端から離れたリードの反対側の他端
までのびている。
リードはリードの長手方向における中央線に対し直角な
位置にある横方向線にそって１つに接続される。このよ
うにリードの幅方向に接続することによって機械的支持
力をさらに強め、カプセル封止の操作を行う間ダムとし
て働く支柱部が形成される。このリードの幅方の接続部
分は、両側の先端でそれぞれストリップの本体に接続さ
れる。パーパッドから遠い方のリードの先端は、ストリ
ップの本体部分又は、隣接するもう１つのリードフレー
ムのリードに傍続される。ストリップ及びこれに含まれ
るリードフレームは平らな金属板から形成されるのでリ
ード、パーパッド及びストリップの本体部分はほぼ同一
平面上にある。ストリップの本体部分は、少（とも１つ
のリードフレームの付近をリードに対し平行で支持部に
対し直角にのびるモールドに設けた溝といっしょに湯道
の−面を形成するストリップの金属部分の上にできる湯
道形成部分を有している。リードフレームは、ストＩＪ
ツブを幅方向に横切ってのびる行の中に配列される。２
つの隣接する行にはストリップの長手方向の一側部から
付近のもう一方の反対側の長手方向の側部までのびる主
要供給路を設けることができる。リードフレームの行は
、その行に隣接する湯道形成部分から遠い方のその行の
脇に沿ってストリップの幅方向に開口が設けられ分けら
れている。ストリップの本体部分の外側部分には、長手
方向の側部に沿って２つのサイトレールを形成する。サ
イトレールにはストリップを持ってゆ（と都合のよい区
域を知らせる為の、及び組立工程の間確実にス）　ＩＪ
ツゾを適当な位置にあわせる為の様々な目印又は位置合
せ用孔が設けられている。幅方向にのびる開口は、−力
の端は１方のサイトレールからのび、反対側のもう一方
の端は他方のサイトレールまでのびている。
例えば集積回路である半導体装置がパーパッドの第１表
面にとりつけられる。半導体装置は例えれる。パーパッ
ドにとりつけられた表面と反対側の半導体の表面には複
数の電極パッドが設けられている。電極パッドは、半導
体装置上の回路に対する入力／出力及び電力供給接続電
極を示す。少くともいくつかの電極パッドは、パーパッ
ドに近接する方のＩＪ　＋＋　）９の先端に位置された
電極パッドに接続される。ある種の場合では、全ての電
極パッドがリードに接続されるわけではなく全てのリー
ドが半導体装置と電極パッドに接続されるわけではない
。半導体装置の電極バンドとリードフレームの電極パッ
ドとの間の接続はワイヤによって行うことができる。ワ
イヤは、例えばぎ−ルボンデイングのような標準的技術
によってとりつけられる。ワイヤはとても細（比較的弱
い。さらにワイヤと電極パッドの間のポンディングは機
械的に弱い。故に、この領域に圧力がかかるのは好まし
くない。この為半導体装置の製造者には、この領域をお
おいつつむことが必要であることが知られている。この
為に必要になるこの領域を隔離する１つの方法はプラス
チックでこの領域をカプセル封止する方法である。プラ
スチックによるカプセル封止は、リードフレームをモー
ルド内に位置することによって行なわれる。
モールドは２つの部分を有している。１方の部分はス）
　ＩＪツブが整合され位置される溝又は、浅い窪みを有
している。半導体装置をとりつけであるパーパッドの表
面を含むストリップの表面は、モールドのこの部分の方
に向けて位置される。この溝はひっこみ部を有している
。リードフレームが適当に位置あわせされた時には、パ
ーパッド及びパーパッドに近接する方の先端付近の各々
のリードの先端部分を含むリードフレームの中央部分が
ひっこみの上に位置される。このひっこみは、ワイヤ及
びパーパッドにとりつけられている表面とは反対側の半
導体装置の表面から底まで充分に間隔があくように充分
な深さを持つように形成される。リード間を接続しての
びる幅方向の支持部は、モールドの第１部分の表面と接
触しひっこみの中ではないが近接して位置される。カプ
セル封止操作を行う間に、モールドのもう１方の部分は
、溝を持つ方のモールドの部分と密着して接触しあう　
ように操作される。モールドの２つの部分は、これらが
密着して保持されるように圧力が加えられる。モールド
の第２部分は第１部分のひっこみと同様のひっこみを有
している。モールドの第１部分と第２部分に設けたひっ
こみは、いっしょになって半導体装置やパーパッドワイ
ヤ及びパーパッドに近接する方のリードの先端の周囲に
囲う腔を形成する。サイトレールな宮むストリップの本
体部分はモールドの２つの部分の両方に接触している。
腔外部の各リードの部分はモールドの画部分に接触する
。ストリップの幅方向にリードを接続する支持部も腔の
ちょっと外側で両方のモールド部分と接触している。モ
ールドの第１ｔｌｌもプラスチックのたまっている部分
又は貯蔵部から金属部の湯道形成部の中心部分に沿って
のびる少くとも１本の中央湯道又は湯口を有している。
周辺の分岐湯道は、各々の腔から中央湯道に向かっての
びている。周辺の分岐湯道には腔に至るは、　んの少し
手前にデート又はプラスチックの流れを制限する部材が
設けられている。
また、モールドの第２部分は、中にプラスチックのペレ
ットが位置されるひっこみ部を作って貯蔵部の代わりと
することもできる。リードフレームがモールド内で正確
に位置あわせされると、プラスチックはストリップの適
当な位置に置かれ、ペレットはひっこみ部に確実に位置
される。この場合もモールドの一部として作られる湯道
は、ひっこみ部を持ち、このひっこみ部から半導体装置
のバーパッド及びそれに近接する部分のリードを中に持
つ腔までのびている。
カプセル封止操作では、貯蔵部内のフ０ラスチックには
、圧力が加えられ、これによってプラスチックは液体化
し、金属部の湯道形成部分の表面の上にできる湯道の中
を通り分岐湯道を通って腔の中へ流れこむ。さらに熱が
加えられ、部分的にプラスチックは硬化される。次にモ
ールドは開放され、ストリップがとり出される。モール
ドは次のストリップを受は入れる準備ができ、この操作
が本発明の利点は、リードフレームの密度を増加サセタ
リードフレームのストリップを提供する。
本発明の第２の利点は、１回のモールド操作サイクルで
カプセル封止される半導体装置の数を増加させることに
よって製造量を拡大することである。
本発明の第６の利点は、リードフレームの一部覚モール
ドの一部として使いプラスチックが主要湯道形成部分の
中を通るように流すことができるリードフレームのスト
リップを形成１−ることである。
本発明の第４の利点は、モールドの一方部分に設けたひ
っこみ部の中にプラスチックσ）ぺＶットを位置し、モ
ールドの各部分の間に密着してリードフレームのストリ
ップを形成した時に圧力を加えてひっこみ部のある方の
モールドの部分に設けた湯道に沿ってストリップの表面
の上を半導体装置のある腔までプラスチックが流れてゆ
くようにしむけることによって生産を増加することであ
る。
本発明の第４の利点は数個のリードフレームにたった１
つしかフラッシュポイントを持たないリードフレームを
提供することである。
本発明の第５の利点はコストを低減したカプセル封止法
を提供することである。
さらに本発明の利点はモールド内にプラスチックのくず
が残らないカプセル封止法を提供することである。
本発明の他の利点は、プラスチックのくずがリードフレ
ームのストリップに付着してモールドの外へ運び出され
るカプセル封止法を提供することである。
図面を参照すると、特に第１図を参照すると、ストリッ
プ２０が図示されている。ストリップ２０は、例えばス
テンレススティールのような平らな金属板から構成され
る。金属板はエツチングされるか又は打抜きが行われス
トリップ２０が作られる。ス゛トリツゾ２０は２つの長
手方向の側部２２．２４．を有している。ストリップ２
０の長手方向の側部２２及び２４付近の部分はそれぞれ
サイトレール２６及び２８を形成する。ストリップ２０
内の開口３０はストリップ２０を部分に分けている。こ
れらの部分は、サイトレール２６゜２８のみによって接
続されている。リードフレーム４０−４９はストリップ
２０の中に形成される。
ストリップ２０の他の部分（図示せず）には他のリード
フレームが形成されている。第１図には１０個のリード
フレームが示されているが、リードフレームはいくつで
も形成することができる。
リードフレーム４０−４９は、同様のものでリードフレ
ーム４０に関し詳細に説明すれば全ての説明に充分であ
る。バーパッド５６は、長方形の形状を持ちリードフレ
ーム４０に接続され、支持部５８及び６０によってスト
リップ２００本体の一部に接続される。リードフレーム
４０は開口６６及び６８を有している。開口６６はバー
パッド５６支持部５８と６０の間のリード７４−７７の
間に広がっている。リード７４−７７は、支持部５８及
び６０がとりつげられている側部に直角に位置するバー
パッド５６の側部付近からのびている。リードは、バー
パッド５６に近接する１方の先端からバーパッド５６か
ら離れた反対側の先端までのびている。リード７４−７
７は基本的には平行にのびている。ストリップ２ｏの幅
方向にリード間を接続する幅方向支持部８０はストリッ
プ２００本体部分からリード７４−７７を横切ってのび
組立工程の間、機械的支持力をさらに強化しカプセル封
止を行う間はプラスチックをせきとめるダムとして働く
。開口６６の幅方向のリード間支持部によっても規定さ
れている。小さめの開口８６−９０は、リード７４−７
７と幅方向支持部８０との間に広がる。バーパッド５６
かも遠い方のリード７４−７７の先端はストリップ２０
０本体部分に接続されている。リード７４−７７と同様
のも５１方のリードの組１００−１０３は、リード７４
−７７が接近している方のバーパッド５６の側部とは反
対側のバーパッド５６の側部に近接する先端からのびて
いる。幅方向支持部１１０はリード１００−１０３を横
ぎって形成され、幅方向支持部８０と同様である。半導
体装置１２０は、バーバンド５６の平らな表面の上にと
りつけられる。半導体装置１２０は、複数の電極パッド
（電極パッド１３０のみ図示する。）を有していてこれ
らの電極パッドは、ワイヤ（ワイヤ１３５のみ図示する
）によってリード７４−７７及び１００−１０３の先、
端に接続される。（リード１００の先端の電極パッドの
みがワイヤ１３５によって半導体装置１２０の電極パッ
ドに接続されることだけを図示する。）ワイヤ１３５の
接続は、例えばポールボンディングのような標準的技術
によって行われる。８本のリードが第１図に示されてい
るが本発明では、何本のリードでも使用することができ
る。
第２図で示す通り、リードフレーム４ｏは、包囲体１４
０を形成するプラスチックでカプセル封止される。包囲
体１４０の中には、半導体装置１２０、バーパッド５６
、支持部５８及び６ｏ及びバーパッド５６に近接する方
のリード７４−７７及び１００−１０３の先端（これら
は第１図に示す）が含まれる。包囲体１４０はワイヤポ
ンディング及び半導体装置を接触から保護している。
望ましい場合は、リード７４−７７及び１００−１０３
は、それぞれ点線１４６及び１Ａ８に沿って切断され、
幅方向支持部８０及び１１０はＩＪ　＋１ドとリードと
の間が切断され、リードと半導体装１６１２０上の電極
パッドとを結ぶ電気的接続が絶縁される。故に半導体装
置１２０と他の回路との間を電気的に接続することがで
きる。他のリードフレーム４１−４９は同様の方法でカ
プセル封止される。
孔１５５及び１５７はサイトレール２８内に図示されて
いる。孔１１３５−１６７はサイトレール２６内に図示
されている。孔１５５及び１６５と１５７及び１６７は
同じ位置にある。しかしながし、もう１つの孔１６６は
、ストリップの挿入の際に上下をまちがえないようにサ
イトレール２６中に設けられている。孔１５５，１５７
及び１６５−１６７は位置あわせの情報を提供していて
、ス）　ＩＪツデ２０の配置を容易に示すことができる
ように提供されている。
第６図に示す通りストリップ２０は開口３０と同様の多
数の開口を有している。開口の間の区域は、リードフレ
ーム４Ｏ−４９（第１図で示す。
第６図ではリードフレーム４０のみ図示される）を含む
区域と同様である。プラスチック貯蔵部１８０は、その
中にプラスチック材料の供給物を有している。貯蔵部１
８０は、湯道１８５を通ってモールド１９０内に接続さ
れる。モールド１９０はその中にストリップ２０を有し
ている。
ストリップ２０は溝２００と同様の溝１９５の中に位置
される。溝２００は、ストリップ２０と同様のス）　Ｉ
Ｊツブ（図示せず）を受けとる為に適当に構成される。
溝２００の中の複数の凹部（凹部２１０のみ図示する）
は、その中に半導体装置、ギンディングワイヤ、及びリ
ードのバーパッドに近接する部分に相当するように位置
される。凹部は、ワイヤ又は半導体装置が接触を起こさ
ないように充分な深さで形成する。実際、凹部の深さは
、作りたい包囲体の高さのほぼ半分の寸法にする。
溝２００自体はストリップ２０と同様のストリップがし
っかりとフィツトし、受けとることができるようにした
浅いひっこみである。モールド１９０の他の部分にも例
えば溝２００内の凹部１２０に相当するような凹部が設
けられている。
モールド１９０を閉じると、２つの四部が組合わされて
（第２図に示す）包囲体と同じ形状及び容積を持つ腔が
作られる。貯蔵部１８０内のプラスチックに圧力が加え
られる時、プラスチックは湯道１８５の中に流れだし半
導体装置が位置される腔に達するまで各腔と連終する分
岐湯道な流れてゆく。１９７７年８月２６日にバチエラ
等へ発行され「プラスチック内に電子部品をカプセル封
止ずろ方法」と表題された米国特許第４．［１４３，０
２７号は、一般的なモールディング技術を説明していて
これはこの中で参照として示されている。
第４図で示される通り、モールド１９０は上側部分２２
０及び下側部分２３０を有している。分岐し区切られた
部分に接続する湯道２４０゜２４５は主要湯道１８５か
ら直角に分岐している。
分岐湯道２４０及び２４５は、この分岐湯道を半導体装
置が位置される腔に接続する５本の末端湯道にプラスチ
ックを供給している。モールドの上側部分２２０及び下
側部分２３０は、圧力が加えられてぴったりと接触し保
持されることに注意しなくてはならない。分岐湯道２４
５は、１度ストリッゾ２０の側部２４の上だけを通過す
ることを覚えておかなくてはならない。分岐湯道２４５
に沿うプラスチックの流れは、１度だけストリップの側
部２４の上でのみ分断されている。これによってプラス
チックがストリップにしっかりと接着せずモールド内で
プラスチックがくずれることによって主として起こるモ
ールド内がよごれるという問題をとり除くことができる
。
第５図で示す通り、分岐湯道２６５は、末端湯道２７０
．２７５に分岐している。末端湯道２７０は、モールド
１９００両部分２２０と２３０の間に形成される腔の中
へとつながっている。シラスチックは末端湯道２７０を
通って腔２８０の中へ流れこむ。腔の下側部分は、開口
６６．６８（第１図に示す）を通つ℃流れこむプラスチ
ックで満たされる（第１図）。分岐供給路２６５の位置
は第１図の点線２９０で示される。
リードフレーム４０−４４から形成される第１の列及び
リードフレーム４５−４９から形成される第２の列を含
むリードフレームの列の間を通る主要湯道形成部分３０
０によってプラスチックは、腔に達する壕でストリップ
の第１表面の上を通って流れる。ｒ−）３１０は、モー
ルドを開けてプラスチックを硬化した後で湯道２７０を
満たしているプラスチックから包囲体１４０（第２図に
示す）を容易に分離できるようにする為に形成される。
ストリップ４００は第６図に示す。ストリップ４００は
複数のリードフレーム４１０−４１７を有している。各
々のリードフレームはみな同様であり、リードフレーム
４１０を詳細に説明すれば全ての説明に充分である。リ
ードフレーム４１２゜４１３．４１６及び４１７はプラ
スチックでカプセル封止されていることに注意しな（て
はならない。
リードフレーム４１０は、バーパッド４２０及び複数の
り−ド４３０さらに開口を有している。カプセル封止の
工程中、この開口と開口の間を通ってプラスチックが流
れるリードはバーパッド４２０に近接する方の先端から
もう一方の反対側の先端までのびている。支持部４４０
及び４４２はバーパッド４２０の側部から直角にのびて
いる。支持部４４０及び４４２は、バーパッド４２０を
残りのリードフレームとを安定した位置関係で保持して
いる。支持部は開口４５０及び４５２を横切ってのびて
いる。リード４３０も開口４５０及び４５２を横切って
のびている。リードはバーパッドの相対する側部かもの
びる２つの組に分けられる。ストリップの残り部分は、
もし配置の目標又は位置あわせ用の孔があればそれを除
き全て固体金属部分である。もし例えば銀又はアルミニ
ウム等でリードのバーパッドに近接する方の先端をコー
ティングしたい場合には、ストリップの長手方向に（第
６図において上下方向に）ス）　ＩＪツブ４００を移動
することによって、コーティングすることかできる。点
線４６０と４６２の間の部分のリードフレーム４１０，
４１１等をおおっテコ−ティングすることが可能である
。同じ処理操作は、リードフレーム４１４．４１５を含
む側のストリップのリードフレーム・に対しても行うこ
とができる。
カプセル封止をする操作中プラスチックペレットカスト
リッ７°４００の上側表面上の４つのリードフレーム４
１２，４１３．４１６及び４１７０間の中央区域４７０
に位置される。ストリップ４００のリードフレーム４１
２１１３，４１６及び４１７を含む部分とペレットはモ
ールド５００内に位置される。第７図、第８図に示すモ
ールド５００は上側部分５１２の中に四部５１０が設け
られている。凹部５１０はプラスチックのベレットを受
けとる為に適したように作られる。
モールド５００を構成する２つの部分５１２及び５１４
は２ついっしょにあわせられ、圧力が加えられるとプラ
スチックが凹部５１０から流れだし、湯道５１６及び５
１８に沿って流れる。湯道５１６から流れだしたプラス
チックは湯道５２０を通ってモールド５０００部分５１
２，５１４に設けた凹部によってできる腔５２５まで流
れてゆく。この腔５２５は、リードフレーム４１６の一
部、半導体装置５３０と必要な接続用ワイヤを含んでい
る。他のリードフレーム４１２，４１３及び４１７も同
様の腔を有していて同様にしてプラスチックが湯道を通
し与えられる。本発明を使用する１つの湯道を持つたっ
た１つの腔にプラスチックを与えることができる。この
中で使う［フラッシュの発生Ｊという用語はプラスチッ
クの流れる通り道が途切れることをいう。これは、シラ
スチックが望ましくない区域に入りこんだりストリップ
をとり除いた後でプラスチックの残りカスが残っｆ、−
リする原因となる。
ストリップ４００及びモールド５ｏｏを使うことによっ
てストリップの上側表面はこれに沿ってプラスチックを
所定方向に流すモールドの一表面を形成することに注意
してほしい。このカプセル封止法では、ストリップによ
ってプラスチックの残部（５６０として一般的に示す）
は、モールドから運びだされることも注意を要する。こ
のことは、次のスｌ−ＩＪツブのモールドの為、型を清
浄に保てることを意味する。
上記で説明した通りに熱が加えられてモールドを開ける
前にプラスチックは硬化される。モールドからストリッ
プをとり除いた後でオープンの中に入れることによって
プラスチックの硬化が行われる。
以上のような構成のリードフレームとモールドを使用す
るとプラスチックのもれによってできるグラスチックの
残部をモールドの中に残さないパッケージ製造を行うこ
とができる。本発明のようなリードフレームの構成では
、１回のモールド工程で大量の半導体装置をパッケージ
ングすることができる。故に信頼性が向上しかつコスト
ダウンが可能となる。
本発明の特定の実施例に関し説明１７ているが当業者で
あれば、これ以外の変形もおのづかも考えだすことがで
きると考える。添付特許請求の範囲に示す本発明の主旨
に含まれる全ての変形を含むことを意図しここに説明す
るものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明に従って構成したリードフレームのス
トリップの平面図である。 第２図は、カプセル封止をした後の第１図のリードフレ
ームのストリップの平面図である。 第３図は、本発明を利用したプラスチックカプセル封止
装置の平面図である。 第４囚は、第６図の線４−４に沿って切った断面図であ
る。 第５図は、モールド内のリードフレームのストリップの
側面図である。 第６図は、本発明に従って構成された他のリードフレー
ムのストリップの平面図である。 第７図は、第６図に示すリードのストリップが使用され
る場合のモールド内の材料供給路の側面図である。 第８図は、第６図に示されるストリップのリードフレー
ムの１つの部分の周囲に形成される腔の側面図である。 代理人　浅　村 Ｆｉｇ／ Ｆｉｇ、　２

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １１１ａ）　　２つの長手方向の側部と、中に複数のリ
    ードフレームを含み、平らな表面に於て１方の長手方向
    の側部かも少くとも第１又は第２のリードフレームまで
    のびる少くとも１つの湯道形成金属部を有し、各のリー
    ドフレームは半導体装置がとりつけられたバーパッドを
    持ち、各々のリードは、上記バーパッドに近い方の一端
    から上記バーパッドからは遠い方の反対側の他端までの
    びるリードフレームを有するほぼ平らな金属ストリップ
    とｂ）選択的に圧力が加えられるカシセル封止プラスチ
    ックの貯蔵部と Ｃ）閉鎖及び開放位置の間を移動可能な第１及び第２の
    部分であって上記第１の部分は、所定の位置にあわせる
    ことによって上記開放位置にある時はその中に上記スト
    リップの少くとも一部を受けとる為に適していて、上記
    ストリップは上記モールドが上記閉鎖位置にある時に上
    記所定の位置にあわせて維持され、上記第１及び第２の
    部分は、上記バーパッドに近接する一端の付近の上記第
    １のり−Ｖフレームの各々のリードの部分とリードフレ
    ームにとりつげられた第１の半導体装置の周囲の一方の
    腔と上記バーパッドに近接する一端の付近の上記第２の
    リードフレームの各々のリードの部分とリードフレーム
    にとりつけられた第２の半導体装置の周囲の他方の腔か
    らなる２つの腔を形成する複数の凹部を有する上記第１
    及び第２の部分と 上記モールドが上記閉鎖位置にあって上記ストリップが
    上記所定の位置にあわせられている時、上記長手方向の
    側部の上を上記金属湯道形成部分に沿つ【のび上記貯蔵
    部を上記第１及び第２の腔に接続する材料供給路と を有するモールドと を有するカプセル封止するプラスチック包囲体内に半導
    体装置なパ“ツケージングする装置。 ＋２１ａ）　　はぼ平らな金属スト◆リツゾであって２
    つの長手方向の側部と上記ス）　ＩＪツブの金属部の上
    を第１及び第２のリードフレームまでのびる湯道形成部
    分を持つ上記ストリップ内に配置された複数のリードフ
    レームとを有し、上記第１のリードフレームがそこにと
    りつげられた第１の半導体装置を持ち、第２のリードフ
    し・−ムがそこにとりつけられた第２の半導体装置を持
    つほぼ平らな金属ストリップと ｂ）圧力が加えられる液体状プラスチックを選択的に供
    給する第１の手段と Ｃ）第１の腔の中に上記第１の半導体装置及び上記第１
    の半導体装置に近接する上記第１のリードフレームの部
    分が位置され、第２の腔の中に上記第２の半導体装置及
    び上記第２の半導体装置に近接する上記第２のリードフ
    レームの部分が位置されるようにその中にストリップを
    持つ第２の手段と ｄ）上記湯道形成部分の上を通って上記第１及び第２の
    腔の中にプラスチックを流しこむ第６の手段と を有するプラスチック内に半導体装置をカプセル封止す
    る装置。 （３）　　第１及び第２の半導体装置をプラスチック内
    にカプセル封止する方法であって ａ）上記第１の半導体装置及び上記半導体装置に近接す
    る上記第１のリードフレームの部分が第１の腔の中に位
    置し、上記第２の半導体装置及び上記第２の半導体装置
    に近接する上記第２のリードフレームの部分が第２の腔
    の中に位置して閉鎖されたモールド内に上記ストリップ
    を配置し、ｂ）圧力が加えられて上記ストリップの金属
    湯道形成部分の上を通って上記第１の腔の中へ及び上記
    第２の腔の中へプラスチックを流しこむ工程から成る上
    記方法。 ｔ４）　ａ）　　圧力下で流動性を有するプラスチック
    のペレットと ｂ）はぼ平らなリードフレームのストリップであって１
    つのリードフレームは、半導体装置がとりつけられてい
    て上記スｌ−ＩＪツブは、所定位置から近接する上記１
    つのリードフレームまでのび、平らな表面の上に形成さ
    れる主要湯道形成部分を持つリードフレームのストリッ
    プと Ｃ）上記ストリップが上＠５１つのリードフレームと所
    定の位置あわせを行ってその中に位置され、その中に設
    けた腔の中に半導体装置が位置され、上記所定位置と一
    致して位置されるひっこみ部内に上記ペットが位置され
    るモールドであって、その中にプラスチックを流す為上
    記主要湯道構成部分の上を上記腔までのびる湯道が形成
    された上記モールドと を有する半導体装置及びリードフレームのカプセル封止
    装置。 ｆ５＋＆）　　圧力が加えられると流動性を有するプラ
    スチックのペレットと ｂ）複数のリードフレームを持つほぼ平らなリードフレ
    ームのストリップであって１つのリードフレームは、半
    導体装置がとりつけられて（・て上記ストリップは、所
    定位置から近接する上記１つのリードフレームまでのび
    、平らな表面の上に形成される主要湯道形成部分を持つ
    リードフレームのストリップと Ｃ）腔の中で半導体装置及び上記リードフレームの半導
    体装置に近接する部分とをおおう第１の手段と ｄ）上記ペレットに圧力を加える第２の手段とｅ）上記
    第１及び第２の手段を接続し上記プラスチックを上記所
    定位置から上記主要構成部分の上を通り上記腔まで流す
    第６の手段と を有する半導体装置のカプセル封止装置。 （６）　　平らなストリップ内に位置される半導体装置
    及びリードフレームをカプセル封止する方法であって ａ）リードフレーム及びリードフレームにとりつげられ
    た上記半導体装置をモールドの腔の中に位置し ｂ）圧力が加えられ主要湯道形成部分内の所定位置に相
    対する上記モールド内のひっこみ部から上記ストリップ
    の金属表面の上をプラスチックが流れるようにして上記
    プラスチックを上記主要湯道形成部分の上を通って上記
    腔の中へ流しこむ工程を有する上記方法。
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