PT77445B - Method and apparatus for lead frame and semiconductor device encapsulation - Google Patents

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PT77445B
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Description

DESCRIÇÃO DA ?\’lu'ÍA 02, íL.ALIZAçAO PRuFERIDA:
Com referência aos desenhos e em particular à fig. 1,
está
representa ia uma barra (2Gj. Λ barra (20) 9 construída a nartir de uma íoiha ..i-;t'iic£ Ίοιιε, por exemplo de a.ço inoxidável. A folha metaiica foi atacada cuinicnments ou puncionada nara nroduzir ; barra (2t). í b; rra (20) tem dois lados longitudinais (22) e
/s porções la. barra (20) a ij-centes aos lsdos longitudinais (22) -a (2d) fornam carris laterais (2o) 2 (2u), resnectivarnente. uma abertura (30) na brrra (20) senara as porções la barra (20) qu-'j est~o ligadas acenas aedos carris laterais (2^) e (23). m& t.-rra (20) forn-' as armações de montagem (do-d^). í s outras
,'G.O^t'ÒÓ.) 10
porções da barra (20) (não representadas na fig. 1) podem ter outras armações de montagem. Embora estejam representadas dez armações de montagem na fig. 1, pode existir qualquer outro numero di_ ferente. As armações de montagem (40-49) são semelhantes, bastando portanto definir uma delas em detalhe, a armação de montagem (40).
A ãrea dos terminais de ligação (56) tem uma forma rectangular e estã ligada ã armação de montagem (40) e, portanto, à porção principal da barra (20) por meio de suportes (58) e (60). A armação de montagem (40) tem as aberturas (66) e (68) . A abertura (66) estende-se entre a ãrea dos terminais de ligação (56), os suportes (58) e (60) e os condutores (74-77). Os condutores (74-77) estendem-se desde junto de um dos lados da ãrea dos terminais de ligação (56) que é perpendicular aos lados que têm os suportes (58) e (60) a eles ligados. Os condutores estendem-se desde as suas extremidades adjacentes à ãrea dos terminais de ligação (56) até outras extremidades opostas afastadas da ãrea dos terminais de ligação (56).
Os condutores (74-77) estendem-se basicamente paralelos uns aos outros. Um suporte lateral (80) estende-se desde a porção maior da barra (20) , através dos condutores (74-77) , para proporcionar um suporte mecânico adicional durante o processo de montagem e para funcionar como barreira durante a encapsulação. A abertura (66) ê também limitada pelo suporte lateral (80). As aberturas menores (86-90) estendem-se entre os condutores (74-77) e o suporte lateral (80). As extremidades dos condutores (74-77) afastadas da ãrea dos terminais de ligação (56) estão ligadas â porção maior da barra (.20) . Um outro conjunto de condutores (100-103), semelhantes aos condutores (74—77) estende-se desde as extremidades adjacentes a um dos lados da ãrea de terminais de ligação (56) oposto ao lado da ãrea dos terminais de ligação (56) a que ê adjacente uma extremidade dos condutores (74-77). Prevê-se um suporte lateral (110) através dos condutores (100-103), semelhante ao suporte
lateral (3θ). Um disnositivo semicondutor (120) está fixado numa sunerfície plana da área los terminais de ligação (56). 0 dispositivo semicondutor (12C.) tem um certo número de almofadas de contacto Z"apenas está repr2senta la a almofada de contacto (130)-7 que são ligadas oor maio de fios L astá renresentado anenas o fio (13517 às extremidades los condutoras (74-77) e (ΙΟΟ-Ι'ΐβ) f - oenas a slmoínla ie contacto na extremida ia lo condutor (luo) está representado liga la através do ido (i35) '· ; imolada de contacto (130) do lis. nositivo seminondi tor (120) J. '· ligação do fio (135) node ser feita nor ouulq^sr técnica normali?s la , nor exemnlo mediante ligaesférica. Embora estejam renresentados oito condutores na fig. i, podo utili’ar-se qualquer numero de condutores com a presente inversão.
Como se mostra na fig. 2, a armação de montagem (4u) é encansulaia com plástico que forma um espado fechado (140). Dentro do ·33·>&^ο fechado (lbo) encontram-se o disnositivo semicondutor (120), a área dos terminais de ligação (5'·), os suoortes (58) ® /
(6( ) e f.s extremidades dos condutores (74 - 77) e (10C-103) adjâcen tes à área los terminais de ligarão (56) (fig. 1). 0 3SXi;o fí^hâ.
io (l4o) nrotOf-e lo contacto a ligação lo fio e o disnositivo semi, condutor. 3e se desejar, os condutores (74-77) e (lC'0-103) são cor. talos uo xongo dt 3 lintias a tracejado (146) 0 (lu3), resr>ectivamente, 0 cs sunortes laterais (tu) 0 (110) 7o corta los entre os condutoras -u r- -η·> r 1 i g' .l'ctricns isoj-ias nnçrn condutores v as almofadas le contacto no dispositivo semicondutor (120). Assim, a ligação eléctrica entra o disuositivo semicondutor (120)
3 os outros circuitos torna-se possível, is outras armações de montegem (41-49) 3~o sneu psuiada s por ume n&,nGqra análoga.
•'o carril lateral (._'·) estão representados os furos (155) e (l57). Mo carril lateral (2Ú) estão representados os furos (ló5~ -167). us furos (155> o (165) e (157) 0 (16?) , estão colocados -·π
Woo7j
posições análogas. No entanto, orevê-se um furo adicional (loó) no carril lateral (26) para impedir a inserção invertida da barra (2C-). Os furos (155-157) e (165-1Ó7) fornecem informado ie alinha, mento e permitem uma referenciação fácil da barra (20).
dono se representa na fig. 2, a barra (20) tem um certo número ie aberturas semelhantes à abertura (30)· A área entre as aberturas é semelhante à área que inclui as armações de montagem (40-4-9) (fig.l) ^Tna iig. 3 apenas está representada a armasão de montagem (40)J. Um depósito (13g) tem um suprimento de material plástico no seu interior. 0 reservatório (l30) está ligado através ie uma calha (l3p) a um molde (190). 0 molde (190) tem no seu interior ?· barra (20). A barra (20) está colocada num caixilho (195) 5 que e semelhante ao caixilho (200). 0 caixilho (200) está aisptsdo
para receber uma barra (não representada) que é análoga à tçrra (20). uma série de depressões no caixilho (200) Z" a penas se encontra representada a depressão (210)J está situada era relação sos dispositivos semicondutores, aos fios de ligação e 9 porção dos con dutores adjacente à área dos terminais de ligação, para que se'coloquem no seu interior. -A depressão á suficientemente orofunda paro impedir 0 contacto com os fios ou com o dispositivo semicondutor.- De facto, a profundidade da depressão é igual a aproximadamen, te metade da altura desejada para o recinto fechado. U caixilho (2C0) é viu próprio uma depressão pouco orofunda ads^ta-la nara receber uma barra de armações de montagem análogas a barra (2C) num ajuste estreito. A outra parte do molde (190) está provida de depressões correspondentes, por exemplo, & depressão (210) do caixilho (200). A combinação das duas depressões, quando o rolde (190) está fechado, cria urna cavidade cov a forr-.n e o volume do espaço fechado (140) (fig. 2). quando se aplica pressão ao plástico no reservató rio (I80), ele flui pela calha (135), psre as calhas secundárias sté atingir as cavidades onde se localizam os dispositivos semicon
dutores. patente de invenção norte-americana r'2 4-. 04-3· 027, concedido ? Birchlor e colcb. em 23 l‘~ Agosto de 1977, coir. o título "Process íor Encapsulating Electronic Components in Plastic", que aqui se inclui como reíerência, discute técnicas gereis de moidação.
Como se mostra no fig. 4, o molde (190) tem uma parte superior (220) e um; et rt-e inferior (2jO). As calhas secundárias (24-0)
·.; (245) rr-xiJ'icam-30 porpendicularm ert 3 a sortir da calha (1-35) .
As calhas socuni'rirs (24(-) e (245) alimentam, calo uma, cinco calhas rui lio;-n; as calhas secuniáriss às c-^iiades onde se situara os dispositivos semicondutores. Deve notar-se que a parte superior (220) e a parte inferior (230) do aiolde (190) são mantidas em contacto εοι-trdo por meio de uma pressão. Deve notar-se que a calha secundária (245) passa apenas una vez pelo lado (24) da barra (20). Assim, apresenta-se uma única Jescontinuidade ao íluxo do elástico ao longo da calha, secur leria (245) que se encontra na passagem pelo lado (24). lato elimina a causa princioel de contaminação do molde
(190) pelo facto Je o piá Ξ t Í C O n~o ficar firmemente ligado s barra·
e não se partir no interi ΟΓ do mol le .
Como sc renresent a na fig. 5, um a calhe secundária (265) ra
mií ice -se em dua 3 Calha.S (270 ’ (275). Λ calha (2?C) conluz ao in
terior 1·- C^'i la, de (28a) í orna la entre a s nortes (220) e (230) do
mol ie (19C). 0 olá tico flui ;tr- vás da crina (20) para o inte-
rior ia cavidade (230). A norção inferior ir envida io 4 cheia pelo plástico que flui atra”és las alerturas (66) e (63) (fig. 1). A situarão ia calha secun leria (265) está representada na fig. 1 pela linha .·. trace,mado (290) · à passagem (jCu) entre as í ia ias de armnSõcs de mont agc’., sendo uma destas fiadas formada pelas armações ce montagem (40-44) a a outra nelas armações de montagem (45-49), permite que o plástico m-cs'? sobre uma superfície da barro otá atingir o ca ''idade. uma porta (310) 4 prevista para permitir a separação simpxes do espado fechado (140) (fig. 2) e da calha ie enchimento lo
14
plástico (270) depois de o molde tsr sido aberto e o plástico curado .
wa fig. 6 representa-se uma barra (40C). A barra (400) tem um certo número de armações de montador:. (410-417;. Cada uma das a£ mações de montagem ó análoga às restantes, bastando portanto descrever uma delas, a armação de montagem (4lC). De^e notar-se que as armações de montagem. (412), (413;, (4ló) e (417) estão encapsuladas em plástico. A armação de montagem (410) tem uma área dos terminais de ligarão (420) e um corto número de condutores (4j0) com aberturas entre os mesmos e através das quais corre o plástico iurante o processo de encapsularão. Os condutores estendem-se des. de uma extremidade adjacente à área dos terminais de ligação (420) até uma outra extremidade oposta. Os suportes ( ι4θ) e 0+42) estendem-se perpendicularmente a partir dos lados la área dos terminais de ligação (420). 0s suportes (440) e (442) mantém a área ios terminais de ligação (420) numa relação estável com o resto da armação de montagem (410). Os suportes estendem-se através das aberturas' (’ιρΰ) e (452). Os condutores (430) também ss estendem através·'das aberturas (4p0) e (452). 0s condutores estão divididos em dois conjuntos que se estendem a partir de lados opostos da área dos ter. minais de ligação. 0 restante da barra é sólido, excepto alguns furos ie referencia o de alinhamento, se existirem. Ge se desejar revestir ss extremidades dos condutores adjacentes à área dos terminais de ligação por exemplo com prata ou alumínio, é possível fazê-lo deslocando a barra (4CC) na sua direcção longitudinal (verticalrento, como se mostra na fig. ó). 0 revestimento pois ser então
aplicado entre as linhas a tracejado (4b0) e (462) nas armações de montagem (410), (411), etc. Pode executar-se mesma operação para ss armações da montagem no lado da barra (400) que inclui as armações de montagem (4i4) c (415).
Durante uma operação de encapsularão, coloca-se um' Via
1Í
í.e plástico num conto contrai (470) entro quatro armações de monta (412), (413), (41o) í (41^) na superfície superior Ίο barra
(4'óC) . A roiuão ir, barra (4C0) que inclui as armc^ões lo montagem (412), (413), (4ló) o (417) a a bola la plástico são colocadas num molio (30). o molde (500), como se mostra nas fig. 7 e 3, tem uma depressão (510) n^- sua parte superior (5x2). 1. depressão (510)
está ;>da->ta ia para receber a bola, ie plástico, ^uendo se unem uma à outra, sob pressão, as iuas partes (512) e (514) do molde (500), o plástico íiui pura íora da depressão (510) e passa pelas calhas (alá) o (513) de enchi sento. A partir da calha (>ló) o elástico flui através da caiba (520) para uma cavidade (525) formada por depressões nas partos (512) j (514) lo molde (500) qus contêm uma po£. s-ão da armarão dc montagem (4lc) e o lisposi.ti.vo semicondutor (530) com os necessários fios de ligarão. As outras armações ie montagem (4lg), (413) e (417) têm cavidades semelhantes s são alimcnta•irs com plástico através l«s celsas por uma maneira análoga. í aossív"! ; xia.entar apenas uma cr vi la lo com uma colha utilizando 4 presente invenção. ?. expressão "ponto de descontinuidade" equi uti li/.ads rdorc-yj a uru dcscontinui ia le no trajecto do fluxo do piás, tico que poderia permitir a -ntraia do elástico em áreas não desejadas e ueixar eventualrente pciaços do plástico no interior do mol de depois de retirado a barra.
Deve notar-se que, utili ando a barra (4ϋ0) e o molde (500), a superfície superior da barra forma uma superfície do molde para forcar o fluxo d: plástico. 0-3ve notar-se também que este processo de encapsularão assegura qus o pedaço de plástico ZT representado na gencrclidade em, (aèO)^7 s levado paro fora do molde pela barre. Isso assegura que o molde fica limpo para moldar a barra seguinte. Aplica-se calor ao molde, como atrás se disse, para curar o plástico antes de abrir o molde, i cura do plástico e completada num forno depois de retirar a turro do molde.
16
A Invenção foi descrita com referência a formas de realização específicas da mesma, mas deve compreender-se que podem ser sugeridas paios peritos desta matéria outras variantes. Pretende-se que todas essas variantes sejam consideradas incluídas no âmbito da invenção definido peias reivindicações anexas.
V.,
Re 1 -
17

Claims (4)

  1. Reivindicações
    1. - Aparelho para a encapsulação de um dispositivo semicondutor e armação de montagem, caracterizado por compreender:
    a) uma bola de plástico que flui sob pressão;
    b) uma barra metálica, substancialmente plana, de armações de montagem, possuindo uma armação de montagem o dispositivo semicondutor referido fixado na mesma, tendo a referida barra uma passagem numa superfície plana da mesma que vai desde um ponto prê-seleccionado até junto da referida armação de montagem; e
    c) um molde no qual se coloca a referida barra num alinhamento pré-determinado com a referida armação de montagem e com
    o referido dispositivo semicondutor colocado numa cavidade da mesma e estando a referida bola situada no interior de uma depressão na mesma armação situada coincidente com o referido ponto pré-selec- . cionado, estando o referido molde provido de uma calha de enchimento que se estende sobre a referida passagem até à referida cavidade
    /
    para dar passagem ao plástico.
  2. 2. - Aparelho para a encapsulação de um dispositivo'semicondutor, caracterizado por compreender:
    a) uma bola de plástico que flui sob pressão;
    b) uma barra metálica, substancialmente plana, que inclui um certo número de armações de montagem, tendo uma armação de montagem o dispositivo semicondutor referido fixado na mesma, tendo
    a referida barra uma passagem numa superfície plana da mesma que vai desde um ponto pré-seleccionado até junto da referida armação de montagem;
    c) um primeiro dispositivo que envolve o referido dispositivo semicondutor e uma porção da referida armação de montagem adjacente ao mesmo no interior de uma cavidade;
    d) um segundo dispositivo para aplicar pressão â referida bola de plástico; e
    e) um terceiro dispositivo que liga os referidos pri18
    meiro e segundo dispositivos para dirigir o referido plástico desde o referido ponto pré-seleccionado através da referida passagem para o interior da referida cavidade.
  3. 3.- Processo para a encapsulação de um dispositivo semicondutor e a armação de montagem colocada numa barra metálica plana, caracterizado por compreender as fases que consistem em:
    a) colocar a referida armação de montagem com o citado dispositivo semicondutor nela fixado numa cavidade de um molde; e
    b) dirigir o plástico sob pressão a partir de uma depressão no referido molde oposta a um ponto pré-seleccionado numa passagem numa superfície sólida da referida barra, fluindo o referido plástico pela referida passagem para o interior da referida cavidade.
    Lisboq, 3 de Outubro de. 1983
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    Fig. 8
    TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATEI)
PT77445A 1982-10-04 1983-10-03 Method and apparatus for lead frame and semiconductor device encapsulation PT77445B (en)

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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4641418A (en) * 1982-08-30 1987-02-10 International Rectifier Corporation Molding process for semiconductor devices and lead frame structure therefor
EP0305589B1 (en) * 1982-10-04 1997-12-17 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for the encapsulation of a semiconductor device mounted on a lead-frame
DE3320700A1 (de) * 1983-06-08 1984-12-13 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum kunststoffumhuellen von elektrischen bauelementen
DE3338597A1 (de) * 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
JPS6134749U (ja) * 1984-08-03 1986-03-03 富士通オ−トメ−シヨン株式会社 半導体装置用リ−ドフレ−ム連結体
US4862586A (en) * 1985-02-28 1989-09-05 Michio Osada Lead frame for enclosing semiconductor chips with resin
DE3526303A1 (de) * 1985-07-23 1987-01-29 Siemens Ag Einrichtung zum vergiessen von elektrischen bauteilen
FR2598258B1 (fr) * 1986-04-30 1988-10-07 Aix Les Bains Composants Procede d'encapsulation de circuits integres.
US4741507A (en) * 1986-06-02 1988-05-03 Motorola Inc. Self-cleaning mold
DE3782201T2 (de) * 1986-07-16 1993-04-15 Canon Kk Halbleiterphotosensor und verfahren zu dessen herstellung.
JP2724491B2 (ja) * 1989-02-01 1998-03-09 株式会社日立製作所 成形装置
JP2588283B2 (ja) * 1989-09-29 1997-03-05 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置
US5907184A (en) * 1998-03-25 1999-05-25 Micron Technology, Inc. Integrated circuit package electrical enhancement
US6173490B1 (en) * 1997-08-20 2001-01-16 National Semiconductor Corporation Method for forming a panel of packaged integrated circuits
US6130473A (en) 1998-04-02 2000-10-10 National Semiconductor Corporation Lead frame chip scale package
DE19921867C2 (de) * 1999-05-11 2001-08-30 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit mindestens einem verkapselten Chip auf einem Substrat
US6257857B1 (en) 2000-01-31 2001-07-10 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Molding apparatus for flexible substrate based package
JP2003077946A (ja) * 2001-08-31 2003-03-14 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US6666997B2 (en) * 2001-10-02 2003-12-23 Micron Technology, Inc. Method for removing cleaning compound flash from mold vents
US7264456B2 (en) * 2001-10-10 2007-09-04 Micron Technology, Inc. Leadframe and method for reducing mold compound adhesion problems
US20030116879A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-26 Seaquist Closures Foreign, Inc. Compression molding process and article made by the process
US7838985B2 (en) * 2007-07-12 2010-11-23 Vishay General Semiconductor Llc Semiconductor assembly that includes a power semiconductor die located on a cell defined by first and second patterned polymer layers
US7915728B2 (en) * 2007-07-12 2011-03-29 Vishay General Semiconductor Llc Subassembly that includes a power semiconductor die and a heat sink having an exposed surface portion thereof

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4043027A (en) * 1963-12-16 1977-08-23 Texas Instruments Incorporated Process for encapsulating electronic components in plastic
US3795492A (en) * 1970-10-09 1974-03-05 Motorola Inc Lanced and relieved lead strips
US3950140A (en) * 1973-06-11 1976-04-13 Motorola, Inc. Combination strip frame for semiconductive device and gate for molding
US4003544A (en) * 1973-06-11 1977-01-18 Motorola, Inc. Gateless injection mold for encapsulating semiconductor devices
JPS5243366A (en) * 1975-10-01 1977-04-05 Hitachi Ltd Mold for resin molding
JPS5333260A (en) * 1976-09-10 1978-03-29 Sony Corp Device for molding plastic
US4332537A (en) * 1978-07-17 1982-06-01 Dusan Slepcevic Encapsulation mold with removable cavity plates
JPS5480079A (en) * 1978-08-07 1979-06-26 Dai Ichi Seiko Co Ltd Method of forming semiconductor seal
JPS5643854A (en) * 1979-09-18 1981-04-22 Nec Corp Control system of received carrier detecting circuit
JPS5660210A (en) * 1979-10-23 1981-05-25 Mitsubishi Electric Corp Metal mold for resin sealing type semiconductor device
JPS5694635A (en) * 1979-12-27 1981-07-31 Toshiba Corp Metal-mold device for sealing by resin
JPS5775434A (en) * 1980-10-28 1982-05-12 Nec Corp Resin sealing metal mold for semiconductor device
JPS57187945A (en) * 1981-05-13 1982-11-18 Nec Home Electronics Ltd Manufacture of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
DE3379298D1 (en) 1989-04-06
US4504435A (en) 1985-03-12
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JPS5989424A (ja) 1984-05-23
EP0110518A2 (en) 1984-06-13
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DE3382817D1 (de) 1998-01-29
EP0110518B1 (en) 1989-03-01
DE3382817T2 (de) 1998-05-28

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