KR970071820A - 감지 증폭기 - Google Patents

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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 메모리 장치의 감지 증폭기에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
데이타 독출시 감지 속도 및 감도를 향상시킬 수 있는 감지 증폭기를 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
입력전압이 유기되는 감지라인과, 상기 입력전압과 비교될 기준전압이 유기되는 기준라인을 구비하여 상기 입력전압과 상기 기준전압을 비교하여 증폭하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭기에 있어서; 상기 감지라인과 상기 기준라인에 각기 연결된 제1, 2부하트랜지스터를 동일전압레벨로 제어하여 대응되는 상기 감지라인과 상기 기준라인에 일정레벨의 전압을 제공하는 것을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 메모리 장치에 적합하게 사용된다.

Description

감지 증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따라 구성된 감지 증폭기의 구체적인 회로도, 제5도는 본 발명의 제2실시예에 따라 구성된 감지 증폭기의 구체적인 회로도.

Claims (14)

  1. 입력전압이 유기되는 감지라인과, 상기 입력전압과 비교될 기준전압이 유기되는 기준라인을 구비하여 상기 입력전압과 상기 기준전압을 비교하여 증폭하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭기에 있어서; 상기 감지라인과 상기 기준라인에 각기 연결된 제1,2부하트랜지스터를 동일전압레벨로 제어하여 대응되는 상기 감지라인과 상기 기준라인에 일정레벨의 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 입력전압은 상기 감지라인에 접속되고 독출동작시 인에이블되는 제어신호에 응답하는 제1제어부에 의해 상기 일정레벨의 전압을 미리 설정된 제1전압만큼 레벨다운된 전압임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1제어부는 상기 감지라인에 접속되고 상기 제어신호에 응답하여 선택적으로 전류 경로를 형성하는 제1트랜지스터그룹과, 상기 제1트랜지스터그룹에 접속되어 상기 제1전압만큼 레벨다운시키는 제1로딩부로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1트랜지스터그룹은 상기 제어신호에 응답하는 인버어터와, 상기 감지라인과 상기 로딩부 사이에 채널이 직렬로 접속되고 상기 인버어터의 출력신호에 응답하는 제1트랜지스터와, 상기 인버어터의 출력단과 접지전압 사이에 채널이 직렬로 접속되고 게이트는 상기 제1트랜지스터의 소오스에 접속되는 제2트랜지스터로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭기.
  5. 제2항에 있어서, 상기 기준전압은 상기 기준라인에 접속되고 상기 제어신호에 응답하는 제2제어부에 의해 상기 일정레벨의 전압을 미리 설정된 제2전압만큼 레벨다운된 전압임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2제어부는 상기 감지라인에 접속되고 상기 제어신호에 응답하여 선택적으로 전류 경로를 형성하는 제2트랜지스터그룹과, 상기 제2트랜지스터그룹에 접속되어 상기 제2전압만큼 레벨다운시키는 제2로딩부로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭기.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2트랜지스터그룹은 상기 제어신호에 응답하는 인버어터와, 상기 감지라인과 상기 제2로딩부 사이에 채널이 직렬로 접속되고 상기 인버어터의 출력신호에 응답하는 제1트랜지스터와, 상기 인버어터의 출력단과 접지전압 사이에 채널이 직렬로 접속되고 게이트는 상기 제1트랜지스터의 소오스에 접속되는 제2트랜지스터로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭기.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1전압의 레벨은 상기 제1전압레벨의 2배 이상의 전압레벨임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭기.
  9. 제1항에 있어서, 상기 동일전압레벨은 상기 기준전압에 의해 결정되는 전압레벨임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭기.
  10. 제1항에 있어서, 상기 동일전압레벨은 상기 입력전압에 의해 결정되는 전압레벨임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 감지 증폭기.
  11. 기준노드와 감지노드를 가지는 감지 증폭기에 있어서; 상기 감지노드와 상기 기준노드에 각기 접속되고, 동일레벨의 제어전압에 응답하여 대응되는 상기 감지노드와 상기 기준노드에 일정레벨의 전압을 제공하는 제1, 2부하트랜지스터와; 상기 감지노드에 접속되어 미리 설정된 제1전압만큼 레벨다운시키기 위한 제1제어부와; 상기 기준노드에 접속되어 미리 설정된 제2전압만큼 레벨다운시키기 위한 제2제어부와; 상기 감지노드와 상기 기준노드에 접속되고, 상기 감지노드와 상기 기준 노드에 인가되는 전압의 레벨차를 감지하여 증폭하는 차동 증폭기를 적어도 구비함을 특징으로 하는 감지 증폭기.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1전압은 상기 제2전압의 2배 이상의 전압임을 특징으로 하는 감지 증폭기.
  13. 제11항에 있어서, 상기 동일레벨의 제어전압은 상기 기준노드에 인가되는 전압임을 특징으로 하는 감지 증폭기.
  14. 제11항에 있어서, 상기 동일레벨의 제어전압은 상기 감지노드에 인가되는 전압임을 특징으로 하는 감지 증폭기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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