KR970067954A - 산화아연 박막의 제조 방법, 및 이 박막을 사용한 반도체 소자 기판의 제조 방법 및 광전 변환 소자의 제조 방법 - Google Patents

산화아연 박막의 제조 방법, 및 이 박막을 사용한 반도체 소자 기판의 제조 방법 및 광전 변환 소자의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전기분해에 의해 기판에 대한 밀착성이 우수한 산화아연 박막을 안정적으로 제조하는 방법을 제공한다. 특히, 광전 변환 소자의 광 유폐층으로서 안정적으로 사용되는 산화아연 박막은 적어도 질산염 이온, 아연 이온 및 탄산화물을 포함하는 수용액에 침지된 전도성 기판과 상기 용액에 침지된 전극 사이에 전류를 인가하여 전도성 기판 상에 형성된다. 본 발명의 산화아연 박막 제조 방법은 진공 과정이 불필요하여 산화아연 박막의 제조 비용이 크게 절감되고, 균일성 및 기판에 대한 밀착성이 우수한 산화아연 박막의 제조가 가능하며, 본 발명에 따른 산화아연 박막으로 제조한 광전 변환 소자는 향상된 균일성 및 내환경성을 갖는다.

Description

산화아연 박막의 제조 방법. 및 이 박막을 사용한 반도체 소자 기판의 제조 방법 및 광전 변환 소자의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도1은 본 발명에 따른 산화아연 박막 제조 장치의 개략도.

Claims (70)

  1. 적어도 질산염 이온, 아연 이온 및 탄수화물을 포함하는 수용액에 침지된 전도성 기판과 상기 용액에 침지된 전극 사이에 전류를 인가하여 상기 전도성 기판상에 산화아연막을 형성시키는 단계로 이루어지는 산화아연 박막의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 탄수화물이 단당류, 이당류 또는 다당류로 이루어지는 것인 산화아연 박막의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 탄수화물이 2종 이상의 탄수화물의 혼합물로 이루어지는 것인 산화아연 박막의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 수용액 중의 상기 탄수화물의 농도가 0.001mol/1 내지 1.0mol/1인 산화아연 박막의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전도성 기판이 스테인레스 스틸판, 강판, 동판, 황동판 및 알루미늄판으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 것인 산화아연 박막의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 전극이 아연 전극인 산화아연 박막의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 수용액의 온도가 50℃ 이상인 산화아연 박막의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 전류의 전류 밀도가 10mA/d㎡인 산화아연 박막의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 전도성 기판이 그 위에 금속층이 형성되는 지지체를 포함하는 것을 산화아연 박막의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 금속막이 전기도금(electroplating)에 의해 형성되는 것인 산화아연 박막의 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 지지체를 에칭(etching)처리하는 단계를 더 포함하는 산화아연 박막의 제조 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 지지체가 유리, 세라믹 또는 수지로 제조된 것인 산화아연 박막의 제조 방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 산화아연 박막이 적어도 제1산화아연 박막 및 제2산화아연 박막으로 이루어지는 것인 산화아연 박막의 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 산화아연 박막이 상기 수용액의 농도, 전류밀도 및 상기 수용액의 온도 중의 하나 이상이 상이한 조건 하에 형성되는 산화아연 박막의 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제1 산화아연박막의 입자 크기가 상기 제2산화아연 박막의 입자 크기보다 작은 것인 산화아연 박막의 제조방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 제1 산화아연 박막의 입자 크기가 상기 제2 산화아연 박막의 입자 크기의 1/10이하인 산화아연 박막의 제조방법.
  17. 제13항에 있어서, 상기 제1 산화아연 박막의 배향성은 상기 막의 결정 입자의 c축이 상기 기판에 수직으로 배향되도록 규정되고 상기 제2 산화아연 박막의 배향성은 상기 막의 결정 입자의 〈101〉방향이 주로 상기 가판에 수직으로 배향되도록 규정되는 것인 산화아연 박막의 제조 방법.
  18. 제13항에 있어서, 상기 제1 산화아연 박막이 농도 0.03mol/1이하의 질산아연 및 탄수화물을 포함하는 수용액 중에 침지된 상기 전도성 기판과 상기 용액 중에 침지된 상기 전극 사이에 전류를 인가함으로써 형성되는 것인 산화아연 박막의 제조방법.
  19. 제13항에 있어서, 상기 제2 산화아연 박막이 농도 0.1mol/1이하의 질산아연 및 탄수화물을 포함하는 수용액 중에 침지된 상기 제1 산화아연 박막으로 형성된 상기 전도성 기판과 상기 용액 중에 침지된 상기 전극 사이에 전류를 인가함으로써 형성되는 것인 산화아연 박막의 제조방법.
  20. 제1항에 있어서, 상기 전도성 기판이 상기 산화아연 박막의 형성 전에 가열되는 것인 산화아연 박막의 제조 방법.
  21. 제13항에 있어서, 상기 제1 산화아연 박막의 형성을 위한 상기 용액의 온도가 상기 제2 산화아연 박막의 형성을 위한 상기 용액의 온도와 동일한 산화아연 박막의 제조 방법.
  22. 제1항에 있어서, 상기 전도성 기판이 벨트 크기(belt-sized) 기판인 산화아연 박막의 제조 방법.
  23. 제1항에 있어서, 상기 용액이 산을 더 포함하는 것인 산화아연 박막의 제조 방법.
  24. 적어도 질산염 이온, 아연 이온 및 탄수화물을 포함하는 수용액에 침지된 전도성 기판과 상기 용액에 침지된 전극 사이에 전류를 인가하여 상기 전도성 기판상에 산화아연막을 형성시키는 단계로 이루어지는 광전 변환 소자의 제조 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 탄수화물이 단당류, 이당류 또는 다당류로 이루어지는 것인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  26. 제24항에 있어서, 상기 탄수화물이 2종 이상의 탄수화물의 혼합물로 이루어지는 것인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  27. 제24항에 있어서, 상기 수용액중의 상기 탄수화물의 농도가 0.001mol/1내지 1.0mol/1인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  28. 제24항에 있어서, 상기 전도성 기판이 스테인레스 스틸판, 강판, 동판, 황동판 및 알루미늄판으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 것인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  29. 제24항에 있어서, 상기 전극이 아연전극인 광전 변환 소자의 제조방법.
  30. 제24항에 있어서, 상기 수용액의 온도가 50℃이상인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  31. 제24항에 있어서, 상기 전류의 전류 밀도가 10mA/d㎡ 내지 10A/d㎡인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  32. 제24항에 있어서, 상기 전도성 기판이 그 위에 금속층이 형성되는 지지체를 포함하는 것인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 금속막이 전기도금에 의해 형성되는 것인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  34. 제32항에 있어서, 상기 지지체를 에칭 처리하는 단계를 더 포함하는 광전 변환 소자의 제조 방법.
  35. 제32항에 있어서, 상기 지지체가 유리, 세라믹 또는 수지로 제조된 것인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  36. 제24항에 있어서, 상기 산화아연 박막이 적어도 제1 산화아연 박막 및 제2 산화아연 박막으로 이루어지는 것인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  37. 제36항에 있어서, 상기 복수개의 산화아연 박막이 상기 수용액의 농도, 전류밀도 및 상기 수용액의 온도 중의 하나 이상이 상이한 조건 하에 형성되는 것인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  38. 제36항에 있어서, 상기 제1 산화아연 박막의 입자 크기가 상기 제2 산화아연 박막의 입자 크기보다 작은 것인 광전 변환소자의 제조 방법.
  39. 제36항에 있어서, 상기 제1 산화아연 박막의 입자 크기가 상기 제2 산화아연 박막의 입자 크기의 1/10이하인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  40. 제36항에 있어서, 상기 제1 산화아연 바감긔 배향성은 상기 막의 결정 입자의 c축이 상기 기판에 수직으로 배향되도록 규정되고 상기 제2 산화아연 박막의 배향성은 상기 막의 결정 입자의 〈101〉방향이 주로 상기 기판에 수직으로 배향되도록 규정되는 것인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  41. 제36항에 있어서, 상기 제1 산화아연 박막이 농도 0.03mol/1이하의 질산아연 및 탄수화물을 포함하는 수용액 중에 침지된 상기 전도성 기판과 상기 용액중에 침지된 상기 전극 사이에 전류를 인가함으로써, 형성되는 것인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  42. 제36항에 있어서, 상기 제2 산화아연 박막이 농도 0.1mol/1이하의 질산아연 및 탄수화물을 포함하는 수용액 중에 침지된 제1산화아연 박막으로 형성된 상기 전도성 기판과 상기 용액중에 침지된 상기 전극 사이에 전류를 인가함으로써, 형성되는 것인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  43. 제24항에 있어서, 상기 전도성 기판이 상기 산화아연 박막의 형성 전에 가열되는 것인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  44. 제36항에 있어서, 상기 제1산화아연 박막의 형성을 위한 상기 용액의 온도가 상기 제2산화아연 박막의 형성을 위한 상기 용액의 온도와 동일한 광전 변환 소자의 제조 방법.
  45. 제24항에 있어서, 상기 전도성 기판이 벨트 크기 기판인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  46. 제24항에 있어서, 상기 용액이 산을 더 포함하는 것인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  47. 제24항에 있어서, 상기 반도체층이 비단결정 반도체로 구성된 것인 광전 변환 소자의 제조 방법.
  48. 적어도 질산염 이온, 아연 이온 및 탄수화물을 포함하는 수용액에 침지된 전도성 기판과 상기 용액에 침지된 전극 사이에 전류를 인가하여 상기 전도성 기판상에 산화아연막을 형성시키는 단계로 이루어지는 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  49. 제48항에 있어서, 상기 탄수화물이 단당류, 이당류 또는 다당류로 이루어지는 것인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  50. 제48항에 있어서, 상기 탄수화물이 2종 이상의 탄수화물의 혼합물로 이루어지는 것인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  51. 제48항에 있어서, 상기 수용액 중의 상기 탄수화물의 농도가 0.001mol/1내지 1.0mol/1인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  52. 제48항에 있어서, 상기 전도성 기판이 스테인레스 스틸판, 강판, 동판, 황동판 및 알루미늄판으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 것인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  53. 제48항에 있어서, 상기 전극이 아연 전극인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  54. 제48항에 있어서, 상기 수용액의 온도가 50℃이상인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  55. 제48항에 있어서, 상기 전류의 전류 밀도가 10mA/d㎡ 내지 10A/d㎡인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  56. 제48항에 있어서, 상기 전도성 기판이 그 위에 금속층이 형성되는 지지체를 포함하는 것인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  57. 제56항에 있어서, 상기 금속막이 전기도금에 의해 형성되는 것인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  58. 제56항에 있어서, 상기 지지체를 에칭 처리하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  59. 제56항에 있어서, 상기 지지체가 유리, 세라믹 또는 수지로 제조되는 것인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  60. 제48항에 있어서, 상기 산화아연 박막이 적어도 제1 산화아연 박막 및 제2 산화아연 박막으로 이루어지는 것인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  61. 제60항에 있어서, 상기 복수개의 산화아연 박막이 상기 수용액의 농도, 전류밀도및 상기 용액의 온도중의 하나 이상이 상이한 조건 하에 형성되는 것인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  62. 제60항에 있어서, 상기 제1 산화아연 박막의 입자 크기가 상기 제2 산화아연 박막의 입자 크기보다 작은 것인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  63. 제60항에 있어서, 상기 제1 산화아연 박막의 입자 크기가 상기 제2 산화아연 박막의 입자 크기의 1/10이하인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  64. 제60항에 있어서, 상기 제1 산화아연 박막의 배향성은 상기 막의 결정 입자의 c축이 상기 기판에 수직으로 배향되도록 규정되고 상기 제2 산화아연 박막의 배향성은 상기 막의 결정 입자의 〈101〉방향이 주로 상기 기판에 수직으로 배향되도록 규정되는 것인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  65. 제60항에 있어서, 상기 제1 산화아연 박막이 농도 0.03mol/1이하의 질산아연 및 탄수화물을 포함하는 수용액중에 침지된 상기 전도성 기판과 상기 용액 중에 침지된 상기 전극 사이에 전류를 인가함으로써 형성되는 것인 반도체소자 기판의 제조 방법.
  66. 제60항에 있어서, 상기 제2 산화아연 박막이 농도 0.1mol/1이하의 질산아연 및 탄수화물을 포함하는 수용액중에 침지된 상기 제1 산화아연 박막으로 형성된 상기 전도성 기판과 상기 용액 중에 침지된 상기 전극 사이에 전류를 인가함으로써 형성되는 것인 반도체소자 기판의 제조 방법.
  67. 제48항에 있어서, 상기 전도성 기판이 상기 산화아연 박막의 형성 전에 가열되는 것인 반도체 소자 기판의 제조 방법.
  68. 제60항에 있어서, 상기 제1 산화아연 박막의 형성을 위한 상기 용액의 온도가 상기 제2 산화아연 박막의 형성을 위한 상기 용액의 온도와 동일한 반도체소자 기판의 제조 방법.
  69. 제48항에 있어서, 상기 전도성 기판이 벨트 크기인 기판인 반도체소자 기판의 제조 방법.
  70. 제48항에 있어서, 상기 용액이 산을 더 포함하는 것인 반도체소자 기판의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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