KR970052282A - 고집적 소자의 콘택 홀 형성 방법 - Google Patents

고집적 소자의 콘택 홀 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 기판 상에 게이트절연막을 형성하고 게이트 전극용 폴리실리콘막 패턴을 형성하는 단계; 노출된 상기 폴리실리콘막 표면에 Si3N4막을 선택적으로 형성하는 단계; 콘택 마스크를 사용하여 상기 게이트 절연막을 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고집적 소자의 콘택 홀 형성 방법에 관한 것으로, Si3N4선택적 증착을 이용한 자기정렬방식으로 콘택을 이루어, 기존의 방식에 비해 훨씬 단순화된 공정 단계를 가지며 보다 넓은 콘택 영역 확보가 가능하므로 차세대 초고집적 소자에 적용 가능하다.

Description

고집적 소자의 콘택 홀 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 본 발명의 일실시예에 따른 콘택 공정도.

Claims (2)

  1. 고집적 소자의 콘택 홀 형성 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 게이트절연막을 형성하고 게이트 전극용 폴리실리콘막 패턴을 형성하는 단계; 노출된 상기 폴리실리콘막 표면에 Si3N4막을 선택적으로 형성하는 단계; 콘택 마스크를 사용하여 상기 게이트 절연막을 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고집적 소자의 콘택 홀 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Si3N4막을 NH3가스를 플로우 시키면서 어닐링하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고집적 소자의 콘택 홀 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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