KR970030655A - 반도체장치의 배선막 형성방법 - Google Patents
반도체장치의 배선막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 진공증착기를 사용하여 배선막을 반도체기판상에 형성하는 반도체장치의 배선막형성방법에 관한 것으로서, 그 방법은 상기 진공증착기의 수분제거용 챔버내에서 가스제거를 실행하는 공정과; 상기 수분제거용 챔버내의 온도를 저온으로 떨어 뜨려서 반도체기판자체의 온도를 저하시키는 냉각공정과; 실온에서 배선막을 콘택홀내에 그리고 반도체기판상에 증착하는 증착공정을 포함한다. 상술한 방법에 의하면, 배선막의 증착공정이 실행될때, 증착용 챔버내의 온도가 실온으로 항상 유지될 수 있기 때문에 정상적인 리플로우 마진과 그리고 스텝 커버리지가 양호한 배선막이 형성될 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 6도는 본 발명의 일시예에 따라 반도체기판상에 배선막을 형성하는 방법을 보여주는 순서도.
제 7도는 제 6도에 도시된 본 발명의 배선막형성방법에 따라 배선막이 형성되어 있는 반도체장치의 구조를 보여주는 단면도.
Claims (5)
- 진공증착기를 사용하여 배선막을 반도체기판상에 형성하는 반도체장치의 배선막형성방법에 있어서, 상기 진공증착기의 수분제거용 챔버내에서 가스제거를 실행하는 공정과; 상기 수분제거용 챔버내의 온도를 저온으로 떨어 뜨려서 반도체기판자체의 온도를 저하시키는 냉각공정과; 실온에서 배선막을 콘택홀내 그리고 반도체기판상에 증착하는 증착공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선막 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 증착공정후, 고온에서 560℃의 온도에서 열처리하는 리풀로우공정(단계 S64)을 부가하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선막 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 가스제거공정은 약 200℃의 온도에서 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선막 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 가스제거공정 후, 콘택홀내의 자연산화막을 제거하기 위해 에치백을 실행하는 에치백공정을 부가하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선막 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 냉각공정은 히터를 조절하여 상기 수분제거용 챔버내의 온도를 약 0-30℃의 범위내로 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 배선막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950039891A KR0163550B1 (ko) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 반도체장치의 배선막 형성방법 |
| TW085109129A TW297152B (en) | 1995-11-06 | 1996-07-26 | Method of making interconnection layer in semiconductor device |
| JP8216348A JPH09139385A (ja) | 1995-11-06 | 1996-08-16 | 半導体装置の配線膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950039891A KR0163550B1 (ko) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 반도체장치의 배선막 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970030655A true KR970030655A (ko) | 1997-06-26 |
| KR0163550B1 KR0163550B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=19433061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950039891A KR0163550B1 (ko) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 반도체장치의 배선막 형성방법 |
Country Status (3)
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| KR (1) | KR0163550B1 (ko) |
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1995
- 1995-11-06 KR KR1019950039891A patent/KR0163550B1/ko not_active IP Right Cessation
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1996
- 1996-07-26 TW TW085109129A patent/TW297152B/zh active
- 1996-08-16 JP JP8216348A patent/JPH09139385A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW297152B (en) | 1997-02-01 |
| KR0163550B1 (ko) | 1999-02-01 |
| JPH09139385A (ja) | 1997-05-27 |
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