KR970018680A - 실리사이드 게이트의 제조방법 - Google Patents
실리사이드 게이트의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
실리사이드 게이트 제조 방법에 관한 것으로 박막의 게이트산화막과 상기 게이트산화막 상에 형성된 실리사이드 게이트를 가지는 반도체장치의 제조방법은, HDP장비를 이용하여 Cl2/N2가스베이스에서 상기 실리사이드 게이트를 식각하는 단계에서, 상기 장비의 전극온도를 50℃ 이상으로 하여, 실리사이드 게이트의 욧입현상을 개선하고, HDP설비도입시 쳄버의 소제주기를 연장시키고 게이트폴리측벽 식각시 발생하는 과다한 중합체를 제어 할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 공정조건을 사용하여 실리사이드 게이트를 식각한 것을 나타낸다.
Claims (2)
- 박막의 게이트산화막과 상기 게이트산화막 상에 형성된 실리사이드 게이트를 가지는 반도체장치에 있어서, HDP장치를 이용하여 Cl2/N2가스를 사용하여 상기 실리사이드 게이트를 식각하는 단계에서, 상기 장비의 전극온도를 50℃ 이상으로 함을 특징으로 하는 반도체장치의 실리사이드 게이트 제조방법
- 제1항에 있어서, 상기 실리사이드 게이트는 텅스텐실리사이드임을 특징으로 하는 반도체장치의 실리사이드 게이트 제조방법
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031076A KR970018680A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 실리사이드 게이트의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031076A KR970018680A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 실리사이드 게이트의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018680A true KR970018680A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66615793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950031076A KR970018680A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 실리사이드 게이트의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018680A (ko) |
-
1995
- 1995-09-21 KR KR1019950031076A patent/KR970018680A/ko not_active Application Discontinuation
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