KR970052122A - 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법 - Google Patents

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KR970052122A
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여태정
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법을 제공하는 것으로, 웨이퍼상에 폴리실리콘층을 형성할 때 증착온도 및 압력을 변화시키므로써 후속공정의 텅스텐 실리사이드 증착시 파티클의 생성을 억제하여 소자의 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 웨이퍼상에 폴리실리콘층을 형성한 상태의 단면도.

Claims (5)

  1. 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법에 있어서, 온도를 안정화시키는 안정화 단계와, 상기 단계로부터 인너전력비를 단계적으로 높여가며 폴리실리콘을 증착하는 증착단계와, 상기 단계로부터 챔버내를 정화시키는 정화단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 안정화는 670℃의 온도에서 31 내지 33%의 인너전력비로 40 내지 50초간 실시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 증착단계는 27 내지 29%의 인너전력비로 20 내지 40초간 1차 증착을 하는 단계와, 상기 단계로부터 33 내지 35%의 인너전력비로 10 내지 30초간 2차 증착을 하는 단계와, 상기 단계로부터 39 내지 41%의 인너전력비로 5 내지 15초간 3차증착을 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 증착단계는 660℃의 온도로 실시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 각 단계에서는 웨이퍼의 상부 및 하부에 2.8SLM의 H2가스가 공급되고, 웨이퍼의 중앙부에는 6.75LM의 H2가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR20210076331A (ko) 2019-12-16 2021-06-24 (주)이노팜 온실용 개폐기 무단리미트 조절장치

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