KR970052122A - 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법을 제공하는 것으로, 웨이퍼상에 폴리실리콘층을 형성할 때 증착온도 및 압력을 변화시키므로써 후속공정의 텅스텐 실리사이드 증착시 파티클의 생성을 억제하여 소자의 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 웨이퍼상에 폴리실리콘층을 형성한 상태의 단면도.
Claims (5)
- 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법에 있어서, 온도를 안정화시키는 안정화 단계와, 상기 단계로부터 인너전력비를 단계적으로 높여가며 폴리실리콘을 증착하는 증착단계와, 상기 단계로부터 챔버내를 정화시키는 정화단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 안정화는 670℃의 온도에서 31 내지 33%의 인너전력비로 40 내지 50초간 실시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 증착단계는 27 내지 29%의 인너전력비로 20 내지 40초간 1차 증착을 하는 단계와, 상기 단계로부터 33 내지 35%의 인너전력비로 10 내지 30초간 2차 증착을 하는 단계와, 상기 단계로부터 39 내지 41%의 인너전력비로 5 내지 15초간 3차증착을 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 증착단계는 660℃의 온도로 실시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 각 단계에서는 웨이퍼의 상부 및 하부에 2.8SLM의 H2가스가 공급되고, 웨이퍼의 중앙부에는 6.75LM의 H2가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950065639A KR0172538B1 (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019950065639A KR0172538B1 (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법 |
Publications (2)
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KR970052122A true KR970052122A (ko) | 1997-07-29 |
KR0172538B1 KR0172538B1 (ko) | 1999-03-30 |
Family
ID=19447114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950065639A KR0172538B1 (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 웨이퍼상의 폴리실리콘층 형성방법 |
Country Status (1)
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KR (1) | KR0172538B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
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KR20210076331A (ko) | 2019-12-16 | 2021-06-24 | (주)이노팜 | 온실용 개폐기 무단리미트 조절장치 |
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1995
- 1995-12-29 KR KR1019950065639A patent/KR0172538B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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KR0172538B1 (ko) | 1999-03-30 |
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