KR970003838A - 반도체 소자의 금속층 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속층 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속층 형성방법에 관한 것으로, 접촉 저항을 감소시키기 위하여 콘택홀(Contact hole)형성후 금속증착반응로내에서 증기세정(Vapor Cleaning)을 실시하여 노출된 실리콘기판상에 생성된 자연산화막 및 잔유물을 완전히 제거시키므로써 소자의 전기적 특성을 향상시킬수 있도록 한 반도체 소자의 금속층 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속층 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 금속층 형성방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘기판상에 절연층을 형성하고 상기 접합부가 노출되도록 상기 절연층을 패터닝하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘기판을 금속증착반응로내로 로드한 후 중기세정공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 인-시투로 티타늄층을 형성하고 계속해서 티타늄나이트라이드층 및 금속층을 순차적으로 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 중기세정공정시 사용되는 가스는 HF/CH3OH, NF3또는 F2/Ar인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950016414A KR970003838A (ko) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 반도체 소자의 금속층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950016414A KR970003838A (ko) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 반도체 소자의 금속층 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003838A true KR970003838A (ko) | 1997-01-29 |
Family
ID=66524533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950016414A KR970003838A (ko) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 반도체 소자의 금속층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003838A (ko) |
-
1995
- 1995-06-20 KR KR1019950016414A patent/KR970003838A/ko not_active Application Discontinuation
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