KR970003631A - 반도체 소자의 층간절연막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 층간절연막 형성방법에 관한 것으로, 상부층 패터닝시 발생되는 식각피해를 감소시키기 위하여 절연막 형성후 플라즈마처리를 이용하여 상기 절연막에 질소(N) 이온을 피폭시키므로써 소자의 특성을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 층간절연막 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1C도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 층간절연막 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 층간절연막 형성방법에 있어서, 소정의 공정을 거친 실리콘기판의 표면을 평탄화시키기 위하여 제1절연막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1절연막상에 제2절연막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 식각속도를 감소시키기 위하여 플라즈마처리를 이용하여 상기 제2절연막에 질소(N) 이온을 피폭시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 제1절연막은 BPSG막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마처리는 플라즈마를 이용하는 화학 기상 증착 반응로내에 질소가스를 0.2 내지 10slpm으로 주입시키고, 고주파전력을 300 내지 2000W 정도 인가한 후 1 내지 30분 정도 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간절연막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017731A KR970003631A (ko) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 반도체 소자의 층간절연막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017731A KR970003631A (ko) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 반도체 소자의 층간절연막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003631A true KR970003631A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66524696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950017731A KR970003631A (ko) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 반도체 소자의 층간절연막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003631A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100541369B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2006-01-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 배선 형성방법 |
-
1995
- 1995-06-28 KR KR1019950017731A patent/KR970003631A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100541369B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2006-01-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 배선 형성방법 |
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