KR970028589A - 반도체 디바이스에 대한 검사방법과 배선전류 관측방법 및 그의 장치 - Google Patents

반도체 디바이스에 대한 검사방법과 배선전류 관측방법 및 그의 장치 Download PDF

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Abstract

적외선 레이저빔(11)이 현미경부 본체(24) 및 대물렌즈(25)를 통해 적외선 레이저빔 광원(23)으로부터 시료로서 시료대(21)에 놓여진 집적회로(12)상에 조사(照射)된다. 정전압원(15)이 집적회로(12)의 전원단자에 접속된다. 조사로 인한 배선부의 저항의 가변으로 인해 집적회로의 접지단자에서 전류변화가 생기게 된다. 전류 변화 검사부(17)가 전류변화를 검출한다. 시스템제어/신호처리부(27)는 신호를 처리하며 영상/파형 표시부(28)는 전류영상, 결함영상 또는 전류파형을 표시하게 한다. 배선의 결함은 적외선빔을 사용하여 고장피의(피疑)부분의 국소화후에 가시광빔을 사용하여 감지될 수 있다.

Description

반도체 디바이스에 대한 검사방법과 배선전류 관측방법 및 그의 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 실시예 1에 대한 검사장치의 구성을 도시하는 블록도.

Claims (8)

  1. 칩의 이면 또는 전면으로 부터 반도체 디바이스 영역 상에 적외선빔을 조사하는 단계, 및 적외선빔 조사에 의해 상기 반도체 디바이스의 소성 단자에서 나타나는 전류변화를 검출하여 상기 영역에서 배선전류를 관측하는 단계를 구비하는 반도체 디바이스에서의 배선전류 관측방법.
  2. 칩의 이면 또는 전면으로부터 반도체 디바이스의 영역 상에 적외선빔을 조사하는 단계, 및 적외선빔 조사에 의해 상기 반도체 디바이스의 소정 단자 사이에서 나타나는 전압변화를 검출하여 상기 영역을 검사하는 단계를 구비하는 반도체 디바이스 검사방법.
  3. 칩의 이면 또는 전면으로부터 반도체 디바이스의 관측영역 상에 적외선빔을 조사시키며, 적외선 조사에 의한 소정의 단자 사이에서 나타나는 전압변화 또는 임의의 단자에서의 전류변화를 검출하여 고장피의부를 찾는 제1단계, 및 제1단계에서 발견된 고장피의부상에 가시광선을 조사하며, 가시광빔 조사에 의한 임의의 단자 사이에서의 전류 또는 전압변화를 검출하여 배선결함을 검출하는 제2단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 검사방법.
  4. 칩의 이면 또는 전면으로부터 반도체 디바이스 영역상에 적외선을 조사시키는 적외선 조사수단, 적외선 조사에 의해 반도체 디바이스의 소정 단자 사이에서 나타나는 전압변화 및 반도체 디바이스의 임의의 단자를 통해 흐르는 전류변화를 검출하는 변화검사수단, 및 상기 변화검사수단의 검사결과에 의한 영역에서 고장 디바이스를 검사하는 검사수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 검사장치.
  5. 칩의 이면 또는 전면으로부터 반도체 디바이스의 영역 상에 적외선빔을 조사시키는 적외선빔 조사수단, 적외선빔의 조사에 의해 반도체 디바이스의 임의의 단자 사이에 나타나는 전압변화 또는 임의의 단자를 통해 흐르는 전류변화를 검출하여 고장피의부를 판단하는 고장피의부 판단수단, 상기 고장피의부 판단수단에 의해 지적된 고장피의부 상에 가시광빔을 조사하는 가시광빔 조사수단, 및 반도체 디바이스의 임의의 단자 사이에 나타나는 전압변화 또는 상기 임의의 단자를 통해 흐르는 전류변화를 검출하여 배선의 결함을 검출하는 배선결함 검출수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 검사장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 적외선빔 조사수단 및 상기 가시광빔 조사수단은 상기 적외선빔 조사수단이 가시광선 빔 조사수단에 의해 조사된 반도체 디바이스의 반대표면 상에 적외선빔을 조사하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 검사장치.
  7. 제4항에 있어서, 테스트 패턴을 발생시켜 반도체 디바이스의 소망 동작 상태를 구현하는 테스트 패턴 발생수단, 및 테스트 패턴 발생수단에 의해 발생된 테스트 패턴을 반도체 수단에 인가시키는 테스트 패턴 인가 수단을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 검사장치.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서, 테스트 패턴을 발생시켜 반도체 디바이스의 소망 동작상태를 구현하는 테스트 패턴 발생수단, 및 테스트 패턴 발생수단에 의해 발생된 테스트 패턴을 반도체 수단을 인가시키는 테스트 패턴 인가수단을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 검사장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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