KR970018031A - 반도체 제조 장치의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 셀 내의 파워 라인과 쇼트없이 콘택홀 내에 금속배선을 매몰하거나, 스탭 컨버리지(step converage)을 할 수 있는 콘택홀을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 콘택홀이 상단의 넓은 개구부로부터 단계별로 그 개구부가 좁아지면서 하단의 접촉 개구부로 이어지는 구조로 좁아지는 단계가 3회 이상인 콘택홀의 구조를 갖는다.
따라서, 상술한 바와 같이 본 발명에 따른 콘택홀의 형성 방법은 그 좁아지는 단계는 3회 이상이며 최종습식 식각과 건식 식각에 의해 구현되는 식각턱은 종래의 방법 대비 원만하게 이루어짐으로 인해 셀영역의 파워라인과의 쇼트불량을 방지하면서도 주변회로 영역의 콘택홀에서 금속 배선을 원활히 할 수 있는 효과를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 콘택홀을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
Claims (4)
- 반도체 디바이스에서 금속 배선을 하부 구조물에 연결시키기 위한 콘택홀의 제조방법에 있어서, 콘택홀이 상단의 넓은 개구부로부터 단계별로 그 개구부가 좁아지면서 하단의 접촉 개구부로 이어지는 구조로 좁아지는 단계가 3회 이상인 콘택홀의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 콘택홀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 콘택홀 상단의 넓은 개구부로부터 단계별로 좁아지는 개구부의 모양은 습식 식각에 의해 습식 식각 바운더리인 오버행을 형성함을 특징으로 하는 콘택홀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 콘택홀의 형성시 하부 구조물을 노출하는 최종 개구부 형성 단계에서 건식 식각에 의한 수직형 모양을 가지는 것을 특징으로 하는 콘택홀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 1차 콘택홀 형성용 마스크를 사용하여 사진 공정 후 습식 식각으로 식각 물질의 일부를 식각하고, 포토레지스터를 제거하는 단계; 상기 1차 콘택홀 형성용 마스크와 동일한 마스크의 콘택홀의 크기보다는 적게 제작된 2차 콘택홀 형성용 마스크를 사용하여 사진 공정 후 습식 식각으로 식각 물질의 일부를 식각하고, 연속으로 건식 식각으로 잔여 식각 물질을 제거하여 하부 구조물을 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택홀의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950029314A KR970018031A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 반도체 제조 장치의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019950029314A KR970018031A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 반도체 제조 장치의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970018031A true KR970018031A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66596253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950029314A KR970018031A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 반도체 제조 장치의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970018031A (ko) |
-
1995
- 1995-09-07 KR KR1019950029314A patent/KR970018031A/ko not_active Application Discontinuation
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