KR970018031A - 반도체 제조 장치의 콘택홀 형성방법 - Google Patents

반도체 제조 장치의 콘택홀 형성방법 Download PDF

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송윤협
정규철
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 셀 내의 파워 라인과 쇼트없이 콘택홀 내에 금속배선을 매몰하거나, 스탭 컨버리지(step converage)을 할 수 있는 콘택홀을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 콘택홀이 상단의 넓은 개구부로부터 단계별로 그 개구부가 좁아지면서 하단의 접촉 개구부로 이어지는 구조로 좁아지는 단계가 3회 이상인 콘택홀의 구조를 갖는다.
따라서, 상술한 바와 같이 본 발명에 따른 콘택홀의 형성 방법은 그 좁아지는 단계는 3회 이상이며 최종습식 식각과 건식 식각에 의해 구현되는 식각턱은 종래의 방법 대비 원만하게 이루어짐으로 인해 셀영역의 파워라인과의 쇼트불량을 방지하면서도 주변회로 영역의 콘택홀에서 금속 배선을 원활히 할 수 있는 효과를 갖는다.

Description

반도체 제조 장치의 콘택홀 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 콘택홀을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.

Claims (4)

  1. 반도체 디바이스에서 금속 배선을 하부 구조물에 연결시키기 위한 콘택홀의 제조방법에 있어서, 콘택홀이 상단의 넓은 개구부로부터 단계별로 그 개구부가 좁아지면서 하단의 접촉 개구부로 이어지는 구조로 좁아지는 단계가 3회 이상인 콘택홀의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 콘택홀의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 콘택홀 상단의 넓은 개구부로부터 단계별로 좁아지는 개구부의 모양은 습식 식각에 의해 습식 식각 바운더리인 오버행을 형성함을 특징으로 하는 콘택홀의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 콘택홀의 형성시 하부 구조물을 노출하는 최종 개구부 형성 단계에서 건식 식각에 의한 수직형 모양을 가지는 것을 특징으로 하는 콘택홀의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 1차 콘택홀 형성용 마스크를 사용하여 사진 공정 후 습식 식각으로 식각 물질의 일부를 식각하고, 포토레지스터를 제거하는 단계; 상기 1차 콘택홀 형성용 마스크와 동일한 마스크의 콘택홀의 크기보다는 적게 제작된 2차 콘택홀 형성용 마스크를 사용하여 사진 공정 후 습식 식각으로 식각 물질의 일부를 식각하고, 연속으로 건식 식각으로 잔여 식각 물질을 제거하여 하부 구조물을 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택홀의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950029314A 1995-09-07 1995-09-07 반도체 제조 장치의 콘택홀 형성방법 KR970018031A (ko)

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