KR970013417A - 자기 정렬된 전계 주입을 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
자기 정렬된 전계 주입을 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명의 자기 정렬된 전계 주입 구조 및 방법은 결합된 도핑충(62,62')을 반도체 장치의 활성 영역(active area)(41)의 적어도 일부에 형성하기 위해서 교호의 마스크충(altermate masking layer)(60,60')을 이용하여 수행되는 전계 주입(130)를 구비한다. 종래 기술의 채널 스톱 처리와 달리, 본 발명의 방법은 결합된 도핑충(62,62')이 전계 산화물 영역(38및39)에 대해 자기 정렬되는 구조를 생성한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도7은 본 발명의 다른 실시예를 도시하는 반도체 웨이퍼의 일부 단면도.
Claims (5)
- 자기 정렬된 전계 주입(130)을 갖는 반도체 장치 제조 방법에 있어서, 반도체 기판(10)을 제공하는 단계와, 상기 반도체 기판(10) 안에 제1전도형의 복수개의 제1우물 영역(12)을 형성하는 단계와, 상기 복수개의 우물 영역(12)의 적어도 한 개의 우물 영역 안에 적어도 한 개의 활성 영역을 정의하는 산화물 영역(38,39)을 열 적으로 형성하는 단계 및, 상기 제1전도형을 가지며, 상기 적어도 한 개의 활성 영역 안에 있고, 채널 스톱 주입 효과를 제공하기 위해 상기 산화물 영역(38,39)에 자기 정렬되는 적어도 한 개의 도핑 영역(62)을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1전도형의 상기 적어도 한 개의 도핑 영역(62) 형성 단계는 측면으로 분할된 도핑 영역(62')을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 전계 주입(130)를 갖는 반도체 장치에 있어서, 반도체 기판(10)과 상기 반도체 기판(10) 안에 새부리(bird's beak) 영역(64)을 가지며, 열 산화법에 의해서 형성된 복수개의 산화물 영역(38,39,40)과, 상기 복수개의 산화물 영역(38,39,40)중 적어도 한 개의 산화물 영역 의해서 정의되는 적어도 한 개의 활성 영역 및 제1 또는 제2전도형을 가지며, 상기 복수개의 산화물 영역(38,39,40)중 상기 적어도 한 개의 산화물 영역에 인접해서 자기 정렬되고, 채널 스톱 주입 효과를 제공하기 위해 상기 새부리 영역(64)의 적어도 일부 아래에 상기 적어도 한 개의 활성 영역으로부터 확장되는 적어도 한 개의 도핑 영역(62)을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계 주입(130)를 갖는 반도체 장치.
- 분리된 반도체 장치에 있어서, 반도체 기판(10)과, 상기 반도체 기판(10) 안에 있는 제1전도형 및 제1농도의 제1우물 영역(12)과, 상기 반도체 기판(10)안에 잇는 제2 전도형 및 제2 농도의 제2 우물 영역(12)과, 상기 복수개의 제1우물 영역(12)과 상기 복수개의 제2우물 영역(14)안에 있고, 열 산화법에 의해서 형성되는 복수개의 산화물 영역(38,39,40)과, 상기 복수개의 제1우물 영역(12)과 상기 복수개의 제2우물 영역(14)의 각각의 안에 있고, 상기 복수개의 산화물 영역(38,39,40)중 적어도 한 개의 산화물 영역에 의해서 정의되는 적어도 한 개의 활성 영역 및, 상기 제1전도형과 제2농도를 가지고, 실질적으로 상기 복수개의 제1우물 영역(12)에서의 각각의 상기 적어도 한 개의 활성 영역 안에 있고, 상기 제2농도가 상기 제1농도보다 짙고, 상기 적어도 한 개의 도핑 영역(62)이 상기 복수개의 산화물 영역(38,39,40)의 각각에 인접하는 적어도 한 개의 도핑 영역(62)을 구비하는 것을 특징으로 하는 분리된 반도체 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 복수개의 제2우물 영역(14)에서 실질적으로 상기 적어도 한 개의 활성 영역 안에 제2전도형과 제2농도의 적어도 한 개의 도핑 영역을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 분리된 반도체 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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