KR970053032A - 반도체 소자 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 소자의 누설 전류의 방지, 메모리 속도의 증가 및 소비전력을 감소시켜 반도체 소자의 전기적 특성을 향상시키기 위해 게이트 전극 가장자리 부분에 버즈 빅을 형성시킨 반도체 소자 제조방법이 개시된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 내지 2D도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (7)
- 반도체 소자 제조 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 폴리 실리콘층 및 게이트 산화막을 순차적으로 형성한 후, 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극이 형성된 실리콘 기판에 제1차 접합 영역을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 하부의 모서리 부분에 버즈 빅이 형성되도록 산화공정을 실시하는 단계와, 상기 게이트 전극의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 실리콘 기판상에 제2차 접합 영역을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트 산화막은 100Å-200Å의 두께로 형성되고, 폴리 실리콘은 2000Å-3000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리 실리콘 형성시 전도성의 향상을 위하여 인이온을 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화 공정을 750℃ 내지 850℃ 온도의 범위에서 O2와 H2에 의한 습식 방식으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화 공정에 의해 베어 실리콘 기판상에 산화막이 100Å의 두께로 형성되고, 인이온이 도핑되어 주입된 폴리 실리콘층상에는 상기 베어 실리콘 기판상에 성장된 산화막의 두께보다 3 내지 4배 정도의 두께인 300 내지 400Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 버즈빅은 게이트 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2차 접합 영역을 형성하기 위해 N+이온을 900℃에서 가열하여 활성화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950051294A KR970053032A (ko) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 반도체 소자 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950051294A KR970053032A (ko) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 반도체 소자 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970053032A true KR970053032A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66645741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950051294A KR970053032A (ko) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 반도체 소자 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970053032A (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030044343A (ko) * | 2001-11-29 | 2003-06-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR100444918B1 (ko) * | 2001-03-14 | 2004-08-18 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0298938A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | Mis型半導体装置およびその製造方法 |
JPH03139826A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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-
1995
- 1995-12-18 KR KR1019950051294A patent/KR970053032A/ko not_active Application Discontinuation
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