KR970018687A - 고내압 모스 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
고내압 모스 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 고내압 모스 트랜지스터 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명의 트랜지스터 제조방법은, 반도체기판 상에 활성영역을 한정하고 복수개의 영역에 필드산화막을 형성하는 단계, 상기 복수개의 영역에 제1 불순물층을 형성하는 단계, 상기 제1불순물층과 인접한 상기 복수 영역에 제2 불순물층을 형성하는 단계, 상기 결과물 상에 게이트 산화막을 형성하는 단계, 상기 게이트 산화막 상에 게이트 폴리실리콘층을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 영역 사이와 제3 및 제4 영역 사이에 제3 불순물층을 형성하는 단계, 상기 제2 불순물층에 인접한 제4 영역에 제4 불순물층을 형성하고 확산시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 높은 동작전압을 얻기 위하여 소오스 및 드레인 영역에 마스크 패턴을 사용하여 높은 에너지로 이온주입하는 단계를 없앨 수 있으며, 통상적 N+접합구조를 충분히 감쌀 수 있어서 농도구배(concentration gradient)를 줄일 수 있으므로 동작 전압 및 내압 상승 효과가 기대된다. 또한 제1 불순물층 이온주입시 더블 이온주입 함으로써 고내압 모스 트랜지스터의 소오스 및 드레인 영역에 저농도/중농도/고농도의 3중 드레인 구조를 형성할 수 있으므로 드레인 영역의 높은 전계를 분산시키는데 효과적이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도 내지 제8도는 본 발명에 의한 고내압 모스 트랜지스터 제조방법을 단계별로 나타낸 도면들이다.
Claims (1)
- 반도체기판 상에 활성영역을 한정하고 1 내지 4개 영역의 필드산화막을 형성하는 단계; 상기 활성영역에 형성된 채널영역과 인접한 제2 영역 및 제3 영역 전체와 제1 영역 및 제4 영역의 일부에 기판과 반대 도전형의 제1 불순물층을 형성하는 단계; 상기 제1 불순물층과 인접한 제1 및 제4영역의 잔여영역에 기판과 같은 도전형의 불순물을 이온주입하여 제2 불순물층을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2 불순물층을 실리콘 기판에 확산시키는 단계; 상기 결과물 상에 산화막을 성장시키고 이를 패턴닝하여 게이트 산화막을 형성하는 단계; 상기 게이트 산화막 상에 폴리실리콘을 증착한 다음 이를 패턴닝하여 게이트 폴리실리콘층을 형성하는 단계; 상기 제1 영역과 제2 영역 사이의 영역 및 제3 영역과 제4 영역사이의 영역에 기판과 반대 도전형 불순물을 이온주입하여 소오스 및 드레인의 제3 불순물층을 형성하는 단계; 상기 제2 불순물층에 인접하고 가드링 및 기판파워에 해당하는 제4 영역에 기판과 같은 도전형불순물을 이온주입하여 제4 불순물층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고내압 모스 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029280A KR970018687A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 고내압 모스 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029280A KR970018687A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 고내압 모스 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018687A true KR970018687A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66597295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950029280A KR970018687A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 고내압 모스 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018687A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399694B1 (ko) * | 2000-08-10 | 2003-09-29 | 산요덴키가부시키가이샤 | 절연 게이트형 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
-
1995
- 1995-09-07 KR KR1019950029280A patent/KR970018687A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399694B1 (ko) * | 2000-08-10 | 2003-09-29 | 산요덴키가부시키가이샤 | 절연 게이트형 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
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Legal Events
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