KR970011968A - 액정셀의 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정셀의 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 기판 위에 도전 물질로 형성되어 있는 게이트 전극 및 게이트 라인 그리고 캐퍼시터 전극을 포함하는 게이트 배선과 상기 게이트 라인과 수직방향인 캐퍼시터 전극에 대응하는 위치에 도전 물질로 데이터 라인 및 소스 전극과 드레인 전극이 각각 평행하게 형성되어 있는 데이터 배선으로 부정확한 정렬에 따른 오차 발생을 줄일 수 있고, 게이트 라인과 데이터 라인 사이의 단락 결함 및 게이트 라인의 단선 결함을 줄일 수 있는 효과가 있다.

Description

액정셀의 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 액정셀의 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이고,
제3도의 (가)∼(다)는 본 발명의 실시예에 따른 액정셀의 박막 트랜지스터 기판의 제조 공정의 순서를 나타낸 평면도이다.

Claims (11)

  1. 투명한 절연 물질로 이루어진 기판, 상기 기판 위에 도전물질로 형성되어 있는 게이트 전극 및 게이트 라인 그리고 캐퍼시터 전극을 포함하는 게이트 배선, 상기 게이트 배선과 절연막 또는 절연막과 반도체막을 사이에 두고 상기 게이트 라인과 수직방향인 캐퍼시터 전극에 평행하게 형성되어 있는 테이퍼 라인 및 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 테이터 배선, 상기 캐퍼시터 전극과 절연막을 사이에 두고 일부 겹쳐서 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액정셀의 박막 트랜지스터 기판.
  2. 제1항에서, 상기 게이트 배선은 Al 또는 Ta로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정셀의 박막 트랜지스터 기판.
  3. 제1항에서, 상기 게이트 배선 위에 양극 산화막이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정셀의 박막 트랜지스터 기판.
  4. 제1항에서, 상기 캐퍼시터 전극은 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차부에서 상기 캐퍼시터 전극과 상기 데이터선 사이의 간격이 화소의 중앙부보다, 넓게 되어 있어 단락시 리페어하기 용이한 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 액정셀의 박막 트랜지스터 기판.
  5. 제1항에서, 상기 반도체막과 상기 소스/드레인 전극 사이에 외인성 반도체막이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정셀의 박막 트랜지스터 기판.
  6. 제1항 또는 제5항에서, 상기 반도체막은 아몰퍼스 실리콘으로 형성되어 있으며, 상기 외인성 반도체막은 n+아몰퍼스 실리콘으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정셀의 박막 트랜지스터 기판.
  7. 제1항에서, 상기 화소 전극 위에 보호막이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정셀의 박막 트랜지스터 기판.
  8. 투명한 절연 물질로 이루어진 기판 위에 도전물질로 게이트 전극 및 게이트 라인 그리고 캐퍼시터 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 제1공정, 제2도는 상기 게이트 배선 위에 절연막을 형성하는 제2공정, 제3도는 상기 절연막 위에 채널층인 반도체막을 형성하는 제3공정, 제4도는 상기 데이터 배선 위에 보호막을 형성하는 제5공정, 상기 보호막 위에 상기 데이터 링의 둘레의 안쪽으로 대응하는 위치에 형성되어 있고, 상기 드레인 전극과 추후 연결되는 화소 전극을 형성하는 제6공정, 제5도는 상기 반도체막 위에 상기 게이트 라인에 대해 수직 방향의 캐퍼시터 전극과 팽팽하게 도전 물질로 데이터 라인 및 소스 전극과 드레인 전극을 포함한 데이터 배선을 형성하는 제4공정으로 이루어져 있다.
  9. 제8항에서, 상기 제1공정과 상기 제2공정 사이에 상기 게이트 배선 위에 양극 산화막을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정셀의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  10. 제8항에서, 상기 제3공정과 상기 제4공정 사이에 상기 반도체막 위에 외인성 반도체막을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정셀의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  11. 제8항 또는 제10항에서, 상기 반도체막은 아몰퍼스 실리콘으로 형성하고, 상기 외인성 반도체막은 n+아몰퍼스 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정셀의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950026167A 1995-08-23 1995-08-23 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판 KR0182014B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020042898A (ko) * 2000-12-01 2002-06-08 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
CN111399295A (zh) * 2020-04-26 2020-07-10 成都中电熊猫显示科技有限公司 断线修补方法、装置、电子设备和存储介质

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3205501B2 (ja) * 1996-03-12 2001-09-04 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置およびその修正方法
JP3680527B2 (ja) * 1997-01-31 2005-08-10 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 薄膜トランジスタマトリクス基板及びその製造方法
KR100283511B1 (ko) * 1998-05-20 2001-03-02 윤종용 광시야각 액정 표시장치
KR100430232B1 (ko) * 1998-12-21 2004-12-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치및액정표시장치의축적캐패시터
KR20000041955A (ko) 1998-12-24 2000-07-15 김영환 박막 트랜지스터 액정표시소자
KR100848099B1 (ko) * 2002-05-27 2008-07-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR20030094452A (ko) * 2002-06-04 2003-12-12 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
TW540137B (en) * 2002-07-16 2003-07-01 Hannstar Display Corp TFT LCD, the semiconductor structure thereof, and the fabrication method thereof
JP4622674B2 (ja) * 2005-05-23 2011-02-02 パナソニック株式会社 液晶表示装置
JP5148086B2 (ja) * 2005-08-18 2013-02-20 三星電子株式会社 有機薄膜トランジスタ表示板
TWI276902B (en) * 2005-12-16 2007-03-21 Innolux Display Corp Liquid crystal display device
US8023054B2 (en) 2005-12-30 2011-09-20 Lg Display Co., Ltd. Flat panel display and fabricating method thereof
KR101286533B1 (ko) * 2008-02-19 2013-07-16 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101041618B1 (ko) * 2008-04-24 2011-06-15 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
CN101876769B (zh) * 2009-12-15 2011-11-30 友达光电股份有限公司 显示面板
KR101820032B1 (ko) 2010-09-30 2018-01-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치 및 이들의 리페어 방법
GB2567871B (en) * 2017-10-27 2022-02-02 Flexenable Ltd Electronic device for pressure sensors
CN109085724B (zh) * 2018-09-18 2021-08-31 惠科股份有限公司 一种静电放电电路、阵列基板及显示装置
CN109270756B (zh) * 2018-09-30 2020-12-25 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111610383B (zh) * 2020-05-28 2023-02-03 厦门天马微电子有限公司 一种静电检测装置和静电检测系统

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0814669B2 (ja) * 1988-04-20 1996-02-14 シャープ株式会社 マトリクス型表示装置
EP0438138B1 (en) * 1990-01-17 1995-03-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid-crystal display device of active matrix type
US5151806A (en) * 1990-04-27 1992-09-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus having a series combination of the storage capacitors
EP0717303B1 (en) * 1990-05-11 2003-05-02 Sharp Kabushiki Kaisha An active matrix display device, a method of manufacturing the same and a method to treat defective pixels
JP2616160B2 (ja) * 1990-06-25 1997-06-04 日本電気株式会社 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイ
JP2669954B2 (ja) * 1991-05-08 1997-10-29 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
US5302987A (en) * 1991-05-15 1994-04-12 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate including connecting electrode with extended portion
KR940004322B1 (ko) * 1991-09-05 1994-05-19 삼성전자 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US5260818A (en) * 1992-05-11 1993-11-09 Industrial Technology Research Institute Display panel provided with repair capability of defective elements
JP3258768B2 (ja) * 1993-06-22 2002-02-18 三菱電機株式会社 マトリックス型表示装置
US5745090A (en) * 1994-12-09 1998-04-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Wiring structure and driving method for storage capacitors in a thin film transistor liquid crystal display device
JP3464570B2 (ja) * 1995-08-21 2003-11-10 株式会社 日立ディスプレイズ カラー液晶表示素子
US5996566A (en) * 1998-10-22 1999-12-07 Malan; Lee Archery bow

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020042898A (ko) * 2000-12-01 2002-06-08 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
CN111399295A (zh) * 2020-04-26 2020-07-10 成都中电熊猫显示科技有限公司 断线修补方法、装置、电子设备和存储介质
CN111399295B (zh) * 2020-04-26 2022-11-29 成都中电熊猫显示科技有限公司 断线修补方法、装置、电子设备和存储介质

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