KR970006546A - Ⅲ족-질화물계 결정의 기상 에칭 방법 및 재성장 방법 - Google Patents

Ⅲ족-질화물계 결정의 기상 에칭 방법 및 재성장 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 표면성상이 양호한 에칭된 표면을 제조하기 위한 Ⅲ족-질화물계 결정의 기상 에칭방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 기상 에칭후에 수행하는 재성장방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 Ⅲ족-질화물계 결정의 기상 에칭방법 및 재성장 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 자외선을 녹색광으로 방출하는 다이오드 또는 반도체 레이저, 광검출기, 고온에 사용하기 위한 트랜지스터 및 반도체소자를 제조하는데 이용될 수 있다. 또한 본 발명에 따른 방법은 대량생산에 적합하고, 비용이 저렴하다.
본 발명의 방법에 따르면, 기상 에칭액을 공급한다. 기상 에칭액은 하나 이상의 기체 형태의 할로겐 및/또는 하나 이상의 기체 형태의 할로겐 할라이드를 포함한다. Ⅲ족-질화물계 결정을 500 내지 900℃ 범위의 온도로 가열하고, 기상 에칭액의 흐름내에서 에칭시킨다. 기상 에칭액은 수소를 추가로 포함할 수 있다. 달리는, 기상 에칭액을 불활성 가스로 회석시키고, Ⅲ족-질화물계 결정을 불활성 가스로 회석시킨 기상 에칭액의 흐름내에서 에칭시킬 수 있다.

Description

Ⅲ족-질화물계 결정의 기상 에칭 방법 및 재성장 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 기상 에칭 방법을 수행하는데 사용할 수 있는 반응기의 한가지 실례의 개략도이다, 제2도는 본 발명에 따른 기상 에칭 방법을 이용하여 에칭하기 전에 애칭용 마스크를 샘플에 적용하는 방법을 도시한 것이다.

Claims (17)

  1. 가스 형태의 할로겐 및 가스 형태의 할로겐 할라이드중 하나 이상을 포함하는 기상 에칭액을 제공하는 단계; Ⅲ족-질화물계 결정을 500 내지 900℃ 범위의 온도로 가열하는 단계; 및 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 기상 에칭액의 흐름내에서 에칭시키는 단계를 포함하는, Ⅲ족-질화물계 결정을 기상 에칭시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기상 에칭액을 제공하는 단계에서, 상기 기상 에칭액을 불활성 가스로 회석시키고, 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 에칭시키는 단계에서, 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 불활성 가스로 회석시킨 기상 에칭액의 흐름내에서 에칭시키는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 에칭시키는 단계가 대기압과 거의 동등한 압력으로 기상 에칭액의 흐름을 정치(setting)시키는 단계를 포함하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기상 에칭액을 제공하는 단계에서, 상기 기상 에칭액이 수소를 추가로 포함하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기상 에칭액을 제공하는 단계에서, 상기 기상 에칭액을 불활성 가스로 회석시키고, 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 에칭시키는 단계에서, 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 불활성 가스로 회석시킨 기상 에칭액의 흐름내에서 에칭시키는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 에칭시키는 단계가 대기압과 거의 동등한 압력으로 기상 에칭액의 흐름을 정치시키는 단계를 포함하는 방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 기상 에칭액을 제공하는 단계에서, 수소 및 HCI을 포함하는 기상 에칭액을 제공하는 방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 에칭시키는 단계가 Ⅲ족-질화물계 결정내에 에칭된 표면을 형성시키고; 상기 에칭된 표면상에서 추가의 Ⅲ족-질화물계 결정을 재성장시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  9. 제4항에 있어서, 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 에칭시키는 단계가 대기압과 거의 동등한 압력으로 기상 에칭액의 흐름을 정치시키는 단계를 포함하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 하나 이상의 GaN, AlN, InN, GaInN, AlInN, AlCaN, AlGaInN 및 BAlGaInN을 포함하는 Ⅲ족-질화물계 결정을 에칭시키기 위한 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 기상 에칭액을 제공하는 단계에서, HCI을 포함하는 기상 에칭액을 제공하는 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 에칭시키는 단계가 상기 Ⅲ족-질화물계 결정내에 에칭된 표면을 형성시키고; 상기 에칭된 표면상에서 추가의 Ⅲ족-질화물계 결정을 재성장시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 반응기를 제공하는 단계를 추가로 포함하고; 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 가열하는 단계 및 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 에칭시키는 단계를 상기 반응기의 내측에서 수행하며; 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 재성장시키는 단계를 에칭된 표면이 형성된 후 반응기로부터 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 제거하지 않고 반응기의 내측에서 추가로 수행하는 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 에칭시키는 단계가 대기압과 거의 동등한 압력으로 기상 에칭액의 흐름을 정지시키는 단계를 포함하는 방법.
  15. 수소와 가스 형태의 할로겐 및 가스 형태의 할로겐 할라이드중 하나 이상과의 혼합물을 포함하는 기상 에칭액을 제공하는 단계; Ⅲ족-질화물계 결정을 500 내지 900℃ 범위의 온도로 가열하는 단계; 및 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 대기압과 거의 동등한 압력에서 기상 에칭액의 흐름내에서 에칭시키는 단계를 포함하는 Ⅲ족-질화물계 결정을 기상 에칭시키는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 에칭시키는 단계가 상기 Ⅲ족-질화물계 결정내에 에칭된 표면을 형성시키고; 상기 에칭된 표면상에서 추가의 Ⅲ족-질화물계 결정을 재성장시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 기상 에칭액을 제공하는 단계에서, 상기 기상 에칭액을 불활성 가스로 회석시키고, 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 에칭시키는 단계에서, 상기 Ⅲ족-질화물계 결정을 불활성 가스로 회석시킨 기상 에칭액의 흐름내에서 에칭시키는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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