KR970076732A - 발광소자와 발광소자용 웨이퍼 및 그 제조 방법 - Google Patents
발광소자와 발광소자용 웨이퍼 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970076732A KR970076732A KR1019970022381A KR19970022381A KR970076732A KR 970076732 A KR970076732 A KR 970076732A KR 1019970022381 A KR1019970022381 A KR 1019970022381A KR 19970022381 A KR19970022381 A KR 19970022381A KR 970076732 A KR970076732 A KR 970076732A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gan
- light emitting
- epitaxial layer
- gaas substrate
- gallium nitride
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract 29
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 claims abstract 18
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 7
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
청색 발광휘도의 보다 높은 발광소자가 얻어진다. 이 발광소자에서는 GaAs 기판(8) 위에 질화 갈륨화합물(9)을 형성한 후 GaAs 기판(8)의 최소한 일부를 제거하므로서 발광소자를 형성환다. 이에따라 GaAs 기판(8)이 제거되는 몫만큼 GaAs 기판(8)의이 전체로 형성되어 있는 경우에 비해서 광의 흡수량이 저감되고 그에 따라 청색 발광휘도가 높는 발광소자가 얻어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제2실시형태에 의한 발광소자를 도시한 단면도.
Claims (13)
- GaAs 기판(8) 위에 질화갈륨 화합물(9)을 형성하는 공정과 질화갈륨 화합물을 형성한 후 GaAs 기판의 최소한 일부를 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 발광 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 질화갈륨 화합물은 GaN 버퍼층과 GaN 에피택셜층을 포함하고, GaAs 기판의 모든 것이 제거되는 것을 특징으로 하는 발광 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, GaN 기판의 버퍼층과 GaN 에피택셜층과의 합계의 막 두께는 70㎛ 이상 400㎛ 이하이고, GaN 버퍼층과 GaN 에피택셜층은 GaN 기판을 구성하는 것을 특딩으로 한 발광 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, GaAs 기판의 제거는 기계 가공 제거 수단과, 염소 가스를 사용한 리액티브 이혼 엣칭에 의한 제거 수단과, 암모니아와 과산화수소를 사용한 웨트 엣칭에 의한 제거 수단 및 고온의 염화수소가스의 분위기중에서의 분해 제거 수단 중 최소한 1개의 수단에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 발광 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 질화갈륨 화합물은 GaN 버퍼층(1)과 제1의 GaN 에피택셜층(2)과, 제1의 AlGaN 에피택셜층(3)과 InGaN를 포함하는 발광층(4)과 제2의 AlGaN에피택셜층(5)과, 제2의 GaN 에피택셜층(6)을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 질화갈륨 화합물(9)은 70㎛ 이상 200㎛ 이하의 막 두께를 갖추고 GaAs 기판의 모든것이 제거되는 것을 특징으로 하는 발광 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 질화갈륨 화합물(9)은 1㎛ 이상 70㎛ 이하의 막 두께를 갖고, GaAs 기판의 일부가 제거되는 것을 특징으로 하는 발광 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 질화갈륨 화합물을 형성하는 공정은, GaAs 기판 위에 절연막으로 되는 스트라이프 패턴을 형성하는 공정과; 스트라이프 패턴의 형성후 GaAs 기판 및 스트라이프 패턴 위에 GaN 및 AlN의 어떤 것으로 형성되는 버퍼층을 형성하는 공정; 및 버퍼충 위에 GaN 에피택셜층을 형성하는 공정을 포함하고, GaAs 기판의 최소한 일부를 제거하는 공정은 GaAs 기판의 모두를 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
- 8항에 있어서, 절연막은 2 산화 실리콘 및 질화 실리콘 중 하나인 것을 특징으로 하는 발광 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 절연막은 3㎛ 이상 20㎛ 이하의 폭과, 0.05㎛ 이상 0.5㎛ 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
- GaN 버퍼층과 GaN 에피택셜층을 포함하는 GaN 기판을 구비하고, GaN 버퍼층과 GaN 에피택셜층과의 합계의 막 두께는 70㎛ 이상 400㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 발광 소자용 웨이퍼.
- 주표면을 갖는 GaAs 기판(8)과, GaAs 기판의 주표면 위에 형성된 청색 및 청록색의 발광층(4)을 포함하는 질화물갈륨 화합물(9)을 구비하고, 질화갈륨 화합물은 GaN 버퍼층(1)과 제1의 GaN에피택셜층(2)과 제1의 AlGaN 에피택셜층(3)과 InGaN을 포함하는 발광층(4)과 제2의 AlGaN 에피택셜층(5)과 제2의 GaN 에피택셜층(6)을 포함하고, GaAs 기판의 일부가 제거되어서 질하갈륨 화합물의 표면이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 청색 및 청록색의 발광소자.
- 제12항에 있어서, 질화물갈륨 화합물(9)은 1㎛ 이상 70㎛ 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 청색 및 청록색의 발광 소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13733296 | 1996-05-31 | ||
| JP96-137332 | 1996-05-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970076732A true KR970076732A (ko) | 1997-12-12 |
| KR100501015B1 KR100501015B1 (ko) | 2005-10-12 |
Family
ID=15196193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970022381A KR100501015B1 (ko) | 1996-05-31 | 1997-05-31 | 발광소자와발광소자용웨이퍼및그제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100501015B1 (ko) |
| TW (1) | TW389939B (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101110431B1 (ko) | 2005-05-17 | 2012-03-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 정전기 방전 불량을 감소시킬 수 있는 발광 소자 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204621A (ja) * | 1993-01-07 | 1994-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体膜の作製方法 |
| JP3325713B2 (ja) * | 1994-08-22 | 2002-09-17 | ローム株式会社 | 半導体発光素子の製法 |
| JP3974667B2 (ja) * | 1994-08-22 | 2007-09-12 | ローム株式会社 | 半導体発光素子の製法 |
| JPH08116092A (ja) * | 1994-08-26 | 1996-05-07 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製法 |
| US5843590A (en) * | 1994-12-26 | 1998-12-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Epitaxial wafer and method of preparing the same |
-
1997
- 1997-04-30 TW TW086105731A patent/TW389939B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-05-31 KR KR1019970022381A patent/KR100501015B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW389939B (en) | 2000-05-11 |
| KR100501015B1 (ko) | 2005-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6100104A (en) | Method for fabricating a plurality of semiconductor bodies | |
| US6156584A (en) | Method of manufacturing a semiconductor light emitting device | |
| CN102742036B (zh) | 固态照明装置及相关联制造方法 | |
| JP3455512B2 (ja) | エピタキシャル成長用基板およびその製造方法 | |
| KR100668351B1 (ko) | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR100797208B1 (ko) | 특히 전자 공학, 광전자 공학 및 광학용 기판을 형성하는분리 가능한 반도체 조립체의 제조 프로세스 | |
| KR100635313B1 (ko) | ＧａＮ계 화합물 반도체 결정의 성장 방법 및 반도체 기재 | |
| EP0810674A3 (en) | Light emitting device, wafer for light emitting device, and method of preparing the same | |
| US7008839B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor thin film | |
| JP2000331947A (ja) | 半導体基材及びその作製方法 | |
| US8643059B2 (en) | Substrate structure and method of manufacturing the same | |
| KR970018759A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| SG127832A1 (en) | Light-emitting device, method for making the same,and nitride semiconductor substrate | |
| KR20010006551A (ko) | 실리콘 카바이드 기판의 표면 재생 방법 | |
| US20110195538A1 (en) | Method of fabricating light emiting diode chip | |
| KR920017250A (ko) | 반도체기판 및 그 제조방법 | |
| JP3962283B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20100041216A1 (en) | Method of manufacturing nitride semiconductor substrate | |
| KR101638975B1 (ko) | 중공 부재 패턴을 구비한 질화물 반도체 기판 및 제조방법 | |
| US6503769B2 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
| US6623877B2 (en) | III nitride epitaxial wafer and usage of the same | |
| US6838391B2 (en) | Method of semiconductor processing including fluoride | |
| KR970076732A (ko) | 발광소자와 발광소자용 웨이퍼 및 그 제조 방법 | |
| KR970017991A (ko) | 에피택셜 웨이퍼 및 이의 제조방법 | |
| CN102640258A (zh) | 一种制作氮化物半导体器件的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090623 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |