KR940001261A - 자연산화막 제거방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼에 생성되는 자연산화막을 제거할 수 있는 자연산화막 제거방법에 관한 것으로, 종래에는 튜브온도를 낮추어도 웨이퍼에 자연산화막이 발생하여 웨이퍼에 형성되는 질화막의 질이 저하되는 결점이 있었으나, 본 발명에서는 N2나 He에 희석시킨 HF를 이용하여 자연산화막을 제거하므로써 상기 결점을 개선시킬 수 있는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (5)
- 웨이퍼를 튜브에 넣고 튜브를 진공상태로 한 후 일정온도에서 일정압력으로 유지시키는 단계와, 상기 튜브내에 HF가스를 공급하여 웨이퍼의 자연산화막을 제거하고, 튜브를 진공상태로 하여 잔여 HF가스를 제거하는 단계와, N2가스로 튜브내를 정화하는 단계를 차례로 실시하여 이루어짐을 특징으로 하는 자연산화막 제거방법.
- 제1항에 있어서, 일정온도를 650℃ 이하로 하는 자연산화막 제거방법.
- 제1항에 있어서, HF가스를 N2가스에 10% 이하로 희석하여 사용하는 자연산화막 제거방법.
- 제1항에 있어서. HF가스를 He가스에 10% 이하로 희석하여 사용하는 자연산화막 제거방법.
- 제1항에 있어서, 일정압력을 0.15-0.50 토르로 하는 자연산화막 제거방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920010034A KR940001261A (ko) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 자연산화막 제거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920010034A KR940001261A (ko) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 자연산화막 제거방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940001261A true KR940001261A (ko) | 1994-01-11 |
Family
ID=67296643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920010034A KR940001261A (ko) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 자연산화막 제거방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940001261A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100480891B1 (ko) * | 2002-05-16 | 2005-04-07 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 구리배선 형성방법 |
-
1992
- 1992-06-10 KR KR1019920010034A patent/KR940001261A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100480891B1 (ko) * | 2002-05-16 | 2005-04-07 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 구리배선 형성방법 |
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