KR940001261A - 자연산화막 제거방법 - Google Patents

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KR940001261A
KR940001261A KR1019920010034A KR920010034A KR940001261A KR 940001261 A KR940001261 A KR 940001261A KR 1019920010034 A KR1019920010034 A KR 1019920010034A KR 920010034 A KR920010034 A KR 920010034A KR 940001261 A KR940001261 A KR 940001261A
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South Korea
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natural oxide
gas
oxide film
tube
wafer
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KR1019920010034A
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Inventor
정호영
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼에 생성되는 자연산화막을 제거할 수 있는 자연산화막 제거방법에 관한 것으로, 종래에는 튜브온도를 낮추어도 웨이퍼에 자연산화막이 발생하여 웨이퍼에 형성되는 질화막의 질이 저하되는 결점이 있었으나, 본 발명에서는 N2나 He에 희석시킨 HF를 이용하여 자연산화막을 제거하므로써 상기 결점을 개선시킬 수 있는 것이다.

Description

자연산화막 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 웨이퍼를 튜브에 넣고 튜브를 진공상태로 한 후 일정온도에서 일정압력으로 유지시키는 단계와, 상기 튜브내에 HF가스를 공급하여 웨이퍼의 자연산화막을 제거하고, 튜브를 진공상태로 하여 잔여 HF가스를 제거하는 단계와, N2가스로 튜브내를 정화하는 단계를 차례로 실시하여 이루어짐을 특징으로 하는 자연산화막 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 일정온도를 650℃ 이하로 하는 자연산화막 제거방법.
  3. 제1항에 있어서, HF가스를 N2가스에 10% 이하로 희석하여 사용하는 자연산화막 제거방법.
  4. 제1항에 있어서. HF가스를 He가스에 10% 이하로 희석하여 사용하는 자연산화막 제거방법.
  5. 제1항에 있어서, 일정압력을 0.15-0.50 토르로 하는 자연산화막 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920010034A 1992-06-10 1992-06-10 자연산화막 제거방법 KR940001261A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100480891B1 (ko) * 2002-05-16 2005-04-07 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 구리배선 형성방법

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