KR950027974A - 저압화학기상증착 장비의 반응실 오염원 제거방법 - Google Patents

저압화학기상증착 장비의 반응실 오염원 제거방법 Download PDF

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KR950027974A
KR950027974A KR1019940004875A KR19940004875A KR950027974A KR 950027974 A KR950027974 A KR 950027974A KR 1019940004875 A KR1019940004875 A KR 1019940004875A KR 19940004875 A KR19940004875 A KR 19940004875A KR 950027974 A KR950027974 A KR 950027974A
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허상범
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 저압화학기상증착(Low Press Chemical Vapor Deposition; 이하 LPCVD라 칭함)장비를 이용한 공정시 반응실벽에 증착되어 균열, 분해됨으로 인해 오염을 유발시키는 오염원을 제거하는 저압화학기상증착 장비의 반응실 오염원 제거방법에 관한 것으로, 반응실 내에 부유하는 오염원이 산호와 반응해 안정화되도록 함으로써 반응실 내의 청정도를 높일 수 있다.

Description

저압화학기상증착 장비의 반응실 오염원 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (1)

  1. 공정 대기상태에서 반응실 내부를 소정가스를 이용한 정화(purge) 및 펌핑을 통해 안정화시키는 저압화학기상증착(Low Press Chemical Vapor Deposition)장비의 반응실 오염원 제거방법에 있어서, 상기 주입가스에 O2가스가 포함되는 것을 특징으로 하는 저압화학기상증착 장비의 반응실 오염원 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940004875A 1994-03-11 1994-03-11 저압화학기상증착 장비의 반응실 오염원 제거방법 KR950027974A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980076204A (ko) * 1997-04-08 1998-11-16 윤종용 저압 기상 증착 장치의 폴리 실리콘 안정화 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR19980076204A (ko) * 1997-04-08 1998-11-16 윤종용 저압 기상 증착 장치의 폴리 실리콘 안정화 방법

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