KR960028118A - 광로조절장치와 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 광로조절장치와 그 제조방법에 관한 것으로, 다수의 트랜지스터 소자가 매트릭스 어레이형태로 내재된 액트브 매트릭스기판상에 형성된 신호전극패드에 전기적으로 접속되는 하부전극과, 그 하부전극상에 형성된 저온열처리에 의해 성형가능한 제1변형부, 그 제1변형부상에 형성된 중간전극, 그 중간전극의 상측에 저온열처리에 의해 성형가능한 제2변형부, 그 제2변형부상에 형성되어 반사영역에서 상기 하부전극과 전기적으로 접속되는 형태의 상부전극을 포함하여 구성되고, 중간전극을 공통전극으로 형성함과 더불어 상부전극과 하부전극은 공통접속하여 신호전극으로 작용하도록 형성하면서 ZnO소재를 사용하여 고온의 열처리공정이 배제되도록 한 것이다.

Description

광로조절장치와 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제 3 도는 본 발명의 일실시예에 따른 광로조절장치를 나타낸 단면구조도.

Claims (14)

1. 다수의 트랜지스터소자가 매트릭스 어레이형태로 내재된 액티브매트릭스 기판상에 형성된 신호전극패드에 전기적으로 접속되는 하부전극과, 그 하부전극상에 형성된 저온열처리에 의해 성형가능한 제1변형부. 그 제1변형부상에 형성된 중간전극. 그 중간전극의 상측에 저온열처리에 의해 성형가능한 제2변형부. 그 제2변형부상에 형성되어 반사영역에서 상기 하부전극과 전기적으로 접속되는 형태의 상부전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 광로조절장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 중간전극은 공통전극으로서 형성되고, 상기 상호 전기적으로 접속된 하부전극과 상부전극은 신호전극으로서 형성된 것을 특징으로 하는 광로조절장치.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 변형부는 ZnO로 형성된 것을 특징으로 하는 광로조절장치.
4. 제 2 항에 있어서, 상기 상부전극과 하부전극은 반사영역에서 Al이나 Au 같은 금속재료에 의한 단일의 금속막으로 형성된 것을 특징으로 하는 광로조절장지.
5. 액티브 매트릭스기관상에 희생층을 형성하는 단계와, 그 희생층에서 상기 액티브 매트릭스기판상의 신호전극패드 부분에 대응하는 상기 희생층의 부분을 제거한 다음 전체 면상에 하부전극을 적층하는 단계. 상기 전체 면상에 저온의 열처리에 의해 성형되는 압전재료로 제1변형부를 적층하는 단계. 그 제1변형부상에 도전성의 중간전극을 형성하는 단계. 그 중간전극상에 상기 제1변형부와 동일한 재료의 제2변형부를 형성하는 단계. 그 제2변형부상에 반사영역에서 상기 하부전극과 전기적으로 접속되면서 광로조절을 위한 반사막으로 작용하는 상부전극을 형성하는 단계 및 화소간 분리를 위한 화소패터닝공정을 행하고 나서 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 제1변형부와 제2변형부는 저온의 열처리에 의해 성형가능한 ZnO로 형성되고, 상기 중간전극은 공통전극으로 작용하게 되는 반면 상기 반사영역에서 상호 전기적으로 접속된 상부전극과 하부전극은 신호전극으로서 작용하게 된것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
7. 제 6 항에 있어서,상기 반사영역에서의 상부전극과 하부전극은 상기 하부전극상에 적층된 제2변형부와 중간전극 및 제1변형부를 상기 반사막의 영역에서 선택적으로 에칭제거한 다음 Al이나Au의 금속재상부전극을 단일의 금속재 층으로 적층함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
8. 다수의 트랜지스터소자가 매트릭스어레이형태로 내재된 액티브 매트릭스기판상에 형성된 신호전극패드에 전기적으로 접속된 하부전극과, 그 하부전극상에 형성된 저온열처리에 의해 성형가능한 제1변형부 그 제1변형부상에 형성된 중간전극. 그 중간전극의 상측에 저온열처리에 의해 성형가능한 제2변형부. 그 제2변형부상에 적층되고 반사영역에서 그 제2변형부를 매개로 상기 하부전극과 전기적으로 접속되는 형태의 상부전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 광로조절장치.
9. 제 8 항에 있어서, 상기 중간전극은 공통전극으로서 형성되고, 상기 상호 전기적으로 접속된 하부전극과 상부전극은 신호전극으로서 형성된 것을 특징으로 하는 광로조절장치.
10. 제 8 항에 있어서, 상기 제1 및 제2변형부는 ZnO로 형성된 것을 특징으로 하는 광로조절장치.
11. 제 9 항에 있어서, 상기 상부전극과 하부전극은 반사면에서 Al이나Au같은 도전성 재료로 형성된것을 특징으로 하는 광로조절장치.
12. 액티브 매트릭스기판상에 희생층을 형성하는 단계와, 그 희생층에서 상기 액티브 매트릭스기판상의 신호전극패드 부분에 대응하는 상기 희생층의 부분을 제거한 다음 전체 면상에 하부전극을 적층하는 단계. 상기 전체 연상에 저온의 열처리에 의해 성형되는 압전재료로 제1변형부를 적층하는 단계 그 제1변형부상에 금속재의 중간전극을 형성하는 단계. 그 중간전극상에 상기 제1변형부와 동일한 재료의 제2변형부를 형성하는 단계. 그제2변형부상에 적층되어 반사영역상에서 상기 제2변형부를 매개로 상기 하부전극과 전기적으로 접속되면서 반사막으로 작용하는 상부전극을 형성하는 단계 및 화소간 분리를 위한 화소패터닝공정을 행하고 나서 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
13. 제 12 항에 있어서, 상기 제1변형부와 제2변형부는 저온의 열처리에 의해 성형가능한 ZnO로 형성되고, 상기 중간전극은 공통전극으로 작용하게 되는 반면 상기 상호 전기적으로 접속된 상부전극과 하부전극은 신호전극으로서 작용하게 된 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
14. 제 13 항에 있어서, 상기 반사영역상에서 상부전극과 하부전극은 그 반사영역상에서 상기 하부전극상에 적층된 중간전극 및 제1변형부를 제거한 다음 제2변형부를 적층하고, 그 제2변형부상에 Al 및 Au의 금속제 상부전극을 적층함으로써 다층막 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.