CZ188297A3 - Seskupení ovládaných zrcadel tenkého filmu, vytvářené při nízkých teplotách a způsob jeho výroby - Google Patents
Seskupení ovládaných zrcadel tenkého filmu, vytvářené při nízkých teplotách a způsob jeho výroby Download PDFInfo
- Publication number
- CZ188297A3 CZ188297A3 CZ971882A CZ188297A CZ188297A3 CZ 188297 A3 CZ188297 A3 CZ 188297A3 CZ 971882 A CZ971882 A CZ 971882A CZ 188297 A CZ188297 A CZ 188297A CZ 188297 A3 CZ188297 A3 CZ 188297A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- thin film
- layer
- electrode
- electrodispersing
- light reflecting
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 102
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- OYLRFHLPEAGKJU-UHFFFAOYSA-N phosphane silicic acid Chemical compound P.[Si](O)(O)(O)O OYLRFHLPEAGKJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- -1 polyamide Chemical compound 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S359/00—Optical: systems and elements
- Y10S359/904—Micromirror
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Rear-View Mirror Devices That Are Mounted On The Exterior Of The Vehicle (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
Oblast techniky
Vynález se týká optického projekčního systému, zejména seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu pro použití v tomto systému, kdy každý tenký film ovládaných zrcadel má bimorfní strukturu.
Dosavadní stav techniky
Mezi různými projekčními systémy existujícími v oboru, je dobře znám optický projekční systém schopný poskytnout obraz o vysoké kvalitě a ve velkém měřítku. U takového optického projekčního systému světlo z lampy rovnoměrně osvětluje seskupení například Μ x N ovládaných zrcadel, kdy každé zrcadlo je spojeno s každým z akčních členů. Akční členy mohou být zhotoveny z elektrovychylujících materiálů, například z piezoelektrických nebo elektrostrikčních materiálů, které se vlivem použitého elektrického pole deformují.
Odražené světelné paprsky od každého zrcadla dopadají na otvor (štěrbinu) například optické přepážky. Přivedením elektrického signálu na každý akční člen se relativní poloha každého zrcadla k původnímu světelnému paprsku mění, čímž způsobuje odchýlení optické dráhy odraženého paprsku od každého zrcadla. Jelikož se optická dráha každého odraženého paprsku mění, mění se i množství světla odraženého od zrcadel a procházejícího štěrbinou, čímž dochází k modulování intenzity paprsku. Modulované paprsky procházející štěrbinou dopadají na projekční plochu prostřednictvím optického zařízení, jakým je například soustava projekčních čoček, a vytváří na projekční ploše obraz.
Na obr.lA až 1G jsou znázorněny jednotlivé výrobní kroky výroby seskupení 100 Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 101, kde M a N jsou celá čísla určující sloupec a řadu v seskupení 100, jak je to uvedeno v dosud nevyřízené U.S. patentové přihlášce 08/430,628 pod názvem Seskupení ovládaných zrcadel • · • · ·· ··· · • · · · • · · • · · · · • · • 4 » * t · «
• 4t * •I tenkého filmu.
Výrobní proces seskupení 100 začíná přípravou aktivní matrice 10, která má horní povrch a obsahuje podkladovou vrstvu 12, seskupení Μ χ N transistorů (nejsou zobrazeny) a seskupení Μ χ N spojovacích terminálů 14.
V následujícím kroku se na horním povrchu aktivní matice 10 vytváří obětní (sacrificialní) vrstva tenkého filmu 28 pomocí metody rozprašování nebo napařování, je-li obětní vrstva tenkého filmu 28 vyrobena z kovu, chemickým nanášením páry (CVD) nebo odstředivým nanášením vrstvy, jestliže je obětní vrstva tenkého filmu 28 zhotovena z fosfor-silikátového skla (PSG), a pomocí metody CVD, jestliže je obětní vrstva tenkého filmu 28 vyrobena z Poly-Si.
Dále se vytváří podpůrná vrstva 20 zahrnující seskupení Μ χ N podpůrných členů 24 obklopených obětní vrstvou tenkého filmu 28., kde podpůrná vrstva 20 je formována: vytvořením seskupení Μ χ N prázdných míst (nejsou znázorněny) na obětní vrstvě tenkého filmu 28 pomocí fotolitografie, přičemž každé prázdné místo je umístěno okolo spojovacích terminálů 14 použitím metody CVD nebo metody rozprašování, tak jak je to znázorněno na obr.lA. Podpůrné členy 24 jsou zhotoveny z izolačního materiálu.
V následujícím kroku je na horní straně podpůrné vrstvy 20 vytvořena, použitím Sol-Gel (koloidní gelový roztok), metody rozprášení, nebo metody CVD, pružná vrstva 60, zhotovená ze stejného materiálu jako podpůrné členy 24.
Následuje vytvoření kovového vedení 22 v každém podpůrném členu 24, a to : nejprve vytvořením seskupení Μ χ N otvorů (nejsou znázorněny) technikou leptání, kde každý otvor vystupuje z horním části pružné vrstvy 60 směrem do horní části spojovacího terminálu 14, a dále vyplněním otvorů kovem, čímž se vytvoří vedení 22, jak je to znázorněno na obr.lB.
V dalším kroku se pokovením vytvoří, z elektricky vodivého materiálu, druhá vrstva tenkého filmu 40, a to na horní straně pružné vrstvy 60, včetně vedení 22. Druhá vrstva tenkého filmu 40 je elektricky připojena k transistorům přes vedení 22 v • · 1 * < · · ······ ···« ···· ·· · • « · · · · · » · • ·· · · *3 · · ···<
• * · · Β · » ······ · · · «· · · <
- 3 podpůrném členu 24.
Následuje vytvoření elektrovychylující tenké vrstvy 70 z piezoelektrického materiálu, například ze slitiny olova, zirkonu a titanu (PZT), na horní straně druhé vrstvy tenkého filmu 40, použitím metody pokovování, CVD nebo Sol-Gel, tak jak je to znázorněno na obr.lC.
V následujícím kroku je elektrovychylující vrstva tenkého filmu 70, druhá vrstva tenkého filmu 40 a pružná vrstva 60, upravena do seskupení Μ x N elektrovychylujících členů tenkého filmu 75, seskupení Μ x N elektrod druhého tenkého filmu 45 a seskupení Μ x N pružných členů 65, pomocí fotolitografické techniky nebo úpravou laserem, až do obnažení (exponování) podpůrné vrstvy 20, jak je to vidět na obr.ID. Každá z druhých elektrod tenkého filmu 45 je elektricky spojena s transistorem prostřednictvím vedení 22, vytvořeném v každém podpůrném členu 24, a funguje jako signální elektroda v ovládaných zrcadlech tenkého filmu 101.
Každý z elektrovychylujících členů tenkého filmu je tepelně zpracováván při vysoké teplotě, to znamená okolo 650°C v případě použití PZT materiálu, aby se umožnilo vytvoření fázového přechodu a vytvoření seskupeni Μ x N tepelně zpracovaných struktur (nejsou znázorněny). Jelikož je každý elektrovychylující člen 75 dostatečně silný, není nutné ho v případě, že je zhotoven z piezoelektrického materiálu polovat, k nastavení dojde během zavedení elektrického signálu na ovládaná zrcadla tenkého filmu 101.
Po realizaci předchozího kroku se vytváří sestava Μ x N prvních elektrod tenkého filmu, a to na horních částech elektrovychylujících členů tenkého filmu 75 v sestavě Μ x N tepelně zpracovaných struktur, nejprve vytvořením vrstvy 30, zhotovené z elektricky vodivého a světlo odrážejícího materiálu, který zcela pokrývá horní stranu sestavy Μ x N tepelně zpracované struktury, včetně obnažené podpůrné vrstvy 20, a to technikou rozprašování ve vakuu, jak je to znázorněno na obr. IE, a dále selektivním odstraněním vrstvy 30 • · · · · ······ • · · · · · · · · · · · » • · I · · · « • · * · ·» ·«· · · «· » leptáním, což má za následek vytvoření seskupení 110 Μ χ N ovládaných struktur zrcadel 111, kde každá ovládaná struktura zrcadel 111 zahrnuje horní povrch a čtyři boční povrchy, jak je to znázorněno na obr.lF. Každá první elektroda tenkého filmu 35 funguje jako zrcadlo a jako elektroda s předpětím v ovládaných zrcadlech tenkého filmu 101.
Předchozí krok je následován úplným pokrytím horního povrchu a čtyř bočních povrchů v každé struktuře ovládaných zrcadel 111, tenkou ochrannou vrstvou (není zobrazena).
Obětní vrstva tenkého filmu 28 v podpůrné vrstvě 20 je odstraněna leptáním. Nakonec se odstraní ochranná vrstva tenkého filmu, čímž se vytvoří seskupení 100 Μ χ N ovládaných zrcadel tenkého filmu 101. jak to lze vidět na obr.lG.
Vyskytují se jisté nedostatky spojené se způsobem výroby seskupení 100 Μ χ N ovládaných zrcadel tenkého filmu 101. Vytváření elektrovychylujících členů tenkého filmu 75 vyžaduje použít vysokou teplotu, a proto se musí věnovat pozornost výběru správného materiálu pro obětní vrstvu tenkého filmu 28., který by byl schopný tak vysokou teplotu snášet.
Jelikož tento způsob výroby seskupení 100 zahrnuje proces s vysokou teplotou, musí se i u elektrod použít materiály, které by byly rovněž schopné snášet vysokou teplotu, ale takové materiály jsou velmi drahé, což zvyšuje výrobní náklady na výrobu seskupení 100.
Kromě toho má vysoká teplota, požadovaná během vytváření elektrovychylu jí cích členů tenkého filmu 75, opačný účinek na strukturální integritu každého z ovládaných zrcadel tenkého filmu 101, což může ovlivnit výkon seskupení 100.
Kromě shora uvedených nedostatků ve způsobu výroby, má takto připravené seskupení hlavní nedostatek, a tím je celková optická účinnost. Když se každé z ovládaných zrcadel tenkého filmu 101 deformuje vlivem elektrického pole zavedeného na elektrovychylující člen tenkého filmu 75, deformuje se rovněž připojená první elektroda tenkého filmu, která působí rovněž jako zrcadlo, a namísto toho, aby 'vytvořila rovinný horní
povrch, vytváří zakřivený horní povrch, od kterého se světelný paprsek odráží. Výsledkem je, že se celkový optický účinek seskupení 100 snižuje.
Podstata vynálezu
Prvotním cílem tohoto vynálezu je poskytnou způsob výroby seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu, pro využití v optickém projekčním systému, u kterého by byl vynechán proces s vysokou teplotou, což by mělo za následek možnost použít, pro výrobu obětní vrstvy tenkého filmu a elektrod, levnější materiál.
Dalším cílem tohoto vynálezu je poskytnout seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu, které se může použít v optických projekčních systémech se zlepšenou optickou výkonností.
V souladu s jedním aspektem tohoto vynálezu se poskytuje způsob výroby seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu, kde M a N jsou celá čísla a kde každé ovládané zrcadlo tenkého filmu zahrnuje část odrážející světlo a ovládací část, pro použití v optickém projekčním systému, přičemž způsob zahrnuje kroky: poskytnutí aktivní matrice s horním povrchem, kde aktivní matrice zahrnuje podkladovou vrstvu se seskupením Μ x N transistorů a seskupení Μ x N spojovacích terminálů; vytvoření obětní vrstvy tenkého filmu na horním povrchu aktivní matrice; odstranění částí obětní vrstvy tenkého filmu vytvořené na horní straně každého spojovacího terminálu v aktivní matrici; vytvoření druhé vrstvy elektrod tenkého filmu na horní straně obětní vrstvy tenkého filmu a na horním povrchu aktivní matrice; uložení spodní elektrovychylující vrstvy na horní stranu druhé vrstvy elektrod tenkého filmu, přičemž spodní elektrovychylující vrstva je zhotovena z materiálu charakteristického tím, že je krystalograficky asymetrický, nevykazuje hysteresní vlastnosti a vyrábí se při teplotě v rozmezí od 200°C do 300 °C; vytvoření střední vrstva elektrod;
«· « · · · · a · · · · · · • · · · « • ·«· · · a • · · · • ·» » ·· · ·« ·· • ·* vytvoření vzorování u střední vrstva elektrod ve směru sloupců, pro vytvoření M počtu vzorovaných středních vrstev elektrod, přičemž každá vzorovaná vrstva elektrod je od druhé vrstvy odpojena a pokrývá část spodní elektrovychylující vrstvy tak, že zmíněná část obklopuje spojovací terminály ve stejném sloupci; umístění horní elektrovychylující vrstvy, zhotovené ze stejného materiálu jako spodní elektrovychylující vrstva, na horní stranu spodní elektrovychylující vrstvy, přičemž je mezi nimi umístěna vzorovaná střední vrstva elektrod; vzorování horní a spodní elektrovychylující vrstvy ve směru sloupce až do okamžiku, kdy je druhá vrstva elektrod exponovaná a začne vytvářet vzorovanou strukturu včetně M počtu vzorovaných vrstev a odpovídajícího počtu exponovaných druhých vrstev elektrod tenkého filmu, aby se tím definovala ovládací část a světlo odrážející část v každé ovládaném zrcadle tenkého filmu, přičemž každá vzorovaná vrstva odpovídá ovládací části v každém ovládaném zrcadle tenkého filmu, a je od druhých vzorovaných vrstev odpojena jednou exponovanou druhou vrstvou elektrod, a přitom obklopuje každou vzorovanou střední vrstvu elektrod, kde každá exponovaná druhá vrstva elektrod tenkého filmu odpovídá části odrážející světlo v každém ovládaném zrcadle tenkého filmu; vytváření první vrstvy elektrod tenkého filmu, zhotovené z elektricky vodivého a světlo odrážejícího materiálu, na horní straně vzorované struktury, a to za účelem výroby polotovaru ovládané struktury; vzorování polotovaru ovládané struktury v řádcích do okamžiku, kdy je obětní vrstva tenkého filmu exponována, a to do polotovaru seskupení Μ χ N ovládaných zrcadel, přičemž každé zpola zhotovené ovládané zrcadlo zahrnuje první elektrodu tenkého filmu, horní elektrovychylující člen, střední elektrodu, spodní elektrovychylující člen a druhou elektrodu tenkého filmu; odstranění obětní vrstvy tenkého filmu a tím vytvoření seskupení Μ χ N ovládaných zrcadel tenkého filmu.
Podle jiného aspektu tohoto vynálezu se poskytuje seskupení M χ N ovládaných zrcadel tenkého filmu, kde M a N jsou celá čísla, které se používá v optických projekčních systémech, přičemž ·· · · ··
seskupení zahrnuje: aktivní matrici s horním povrchem a podkladovou vrstvou se seskupením Μ χ N spojovacích terminálů a seskupení Μ χ N transistorů; seskupení Μ χ N ovládacích struktur, kde každá ovládací struktura je bimorfní strukturou, kde každá ovládací struktura zahrnuje ovládací a světlo odrážející část, kde ovládací část v každé ovládací struktuře zahrnuje přední část první elektrody tenkého filmu, horní elektrovychylující člen, střední elektrodu, spodní elektrovychylující člen a přední část druhé elektrody tenkého filmu, kde část odrážející světlo zahrnuje zbývající část první elektrody tenkého filmu, kde je elektrovychylující člen zhotoven z materiálu charakteristického tím, že je krystalograficky asymetrický, nevykazuje hysterezní vlastnosti a je formován při teplotě dosahující hodnoty v rozmezí od 200°C do 300°C, přičemž spodní část přední části druhé elektrody tenkého filmu je elektricky spojena s každým spojovacím terminálem a každým transistorem, čímž se druhé elektrodě tenkého filmu umožňuje fungovat jako signální elektroda, kde je spodní elektrovyhylující člen umístěn na horní části přední části druhém elektrody tenkého filmu, kde je střední elektroda vytvořena na horní části spodního elektrovychylujícího členu a funguje jako běžná elektroda s předpětím, kde je horní elektrovychylující člen umístěn na horní části spodního elektrovychylujícího členu se střední elektrodou umístěnou mezi nimi, a kde je první elektroda tenkého filmu, zhotovená z vodivého a světlo odrážejícího materiálu, umístěna na horní části horního elektrovychylujícího členu a zbývající části druhé elektrody tenkého filmu ve světlo odrážející části, čímž elektricky spojuje první elektrodu tenkého filmu s druhou elektrodou tenkého filmu, a tím umožňuje první elektrodě tenkého filmu fungovat jako zrcadlo a signální elektroda, a to v každé ovládací struktuře.
»·» » ·»
..· i
Přehled obrázků na výkrese
Dříve uvedené, ale i další cíle a znaky tohoto vynálezu budou zřejmé z následujícího popisu provedení, kterému se dává přednost, a z připojených výkresů na kterých:
obr.lA až 1G schematicky znázorňuje příčný řez, zobrazující způsob výroby seskupení Μ χ N ovládaných zrcadel podle dosavadního stavu techniky, obr.2 znázorňujme příčný řez seskupením Μ χ N ovládaných zrcadel podle jednoho provedení tohoto vynálezu, obr.3A až 3G schematicky znázorňuje způsob výroby seskupení Μ χ N ovládaných zrcadel, podle tohoto vynálezu, zobrazeného na obr.2, obr.4 znázorňuje příčný řez seskupením Μ χ N ovládaných zrcadel tenkého filmu v jiném provedení tohoto vynálezu, obr.5A až 5D schematicky znázorňuje příčný řez seskupením Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu, zobrazující způsob výroby tohoto seskupení z obr.4.
Příklady provedení vynálezu
Na obr.2 a 5 je zobrazeno vynálezecké seskupení 200, 400 Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 201, 401, kde M a N jsou celá čísla, kde M a N indikují sloupec a řadu v seskupení 200, 400. které se dá použít v optickém projekčním systému, a kde schematický příčný řez seskupením zobrazuje způsob výroby tohoto seskupení, Podobné díly, zobrazené na obr.2 a 5 jsou označeny stejnými referenčními číslicemi.
Na obr.2 je znázorněn příčný řez seskupením 200 Μ χ N ovládaných zrcadel tenkého filmu 201, kdy toto seskupení 200 zahrnuje aktivní matrici 210 a seskupení Μ χ N ovládacích struktur 250, přičemž každá ovládací struktura je bimorfní strukturou.
Aktivní matrice 210 zahrnuje podkladovou desku 212 se seskupením Μ χ N spojovacích terminálů 214 a seskupením Μ χ N • ··· 9 9 * · · 999 9 • · · · · · · ·· · · 99 999 99 99 9 transistorů ( nejsou znázorněny), přičemž každý spojovací terminál 214 je elektricky spojen s transistory.
Každá ovládací struktura 250 má ovládací a světlo odrážející části 180, 190. Ovládací část 180, v každé ovládací struktuře 250. zahrnuje přední část druhé elektrody tenkého filmu 245, spodní elektrovychylující člen 285, střední elektrodu 295, horní elektrovychylující člen 275 a přední část první elektrody tenkého filmu 235. kde světlo odrážející část 190 je tvořena zbývajícími částmi první a druhé elektrody tenkého filmu 235,
245. Spodní část přední části druhé elektrody tenkého filmu 245 v ovládací části 180 v každé ovládací struktuře, je připojena k hornímu povrchu aktivní matrice 210 tak, že je elektricky připojena ke každému spojovacímu terminálu 214, který je zase spojen s každým transistorem, což umožňuje, aby druhá elektroda tenkého filmu fungovala jako signální elektroda v každé ovládací struktuře 250. Spodní elektrovychylující člen 285 je umístěn na horní části přední části druhé elektrody tenkého filmu 245. Střední elektroda 295 je umístěna mezi horním a spodním elektrovychylujícím členem 275, 285 a funguje jako běžná elektroda s předpětím, a to v každé ovládací struktuře 250.
Horní elektrovychylující člen 275 je umístěn na horní části spodního elektrovychylujícího členu 285 a střední elektroda 295 je umístěna mezi nimi. První elektroda tenkého filmu 235, vyrobená z elektricky vodivého a světlo odrážejícího materiálu, je umístěna na horní části horního elektrovychylujícího členu 275 a na horní části zbývající části druhé elektrody tenkého filmu 245 světlo odrážející části 190 a elektricky spojuje první elektrodu 235 s druhou elektrodou 245. čímž umožňuje první elektrodě tenkého filmu 235 fungovat jako zrcadlo a signální elektroda, a to v každé ovládací struktuře 250.
Horní a spodní elektrovychylující člen 275, 285. v každém ovládaném zrcadle tenkého filmu 201. je zhotoven z krystalografického asymetrického materiálu, to je z oxidu zinku (ZnO) nebo nitridu hliníku (A1N),přičemž materiál je charakteristický tím, že nevykazuje hysterézní smyčku, může se formovat při teplotě v rozmezí od 200°0 do 300°C. Použití takového materiálu pro horní a spodní elektrovychylují člen 275, 285. umožňuje použít k výrobě první druhé a střední elektrody tenkého filmu 235, 245, 295. levnější elektrodové materiály s nízkým bodem tání, například hliník (Al) nebo stříbro (Ag), čímž se celkově snižují výrobní náklady na seskupení 200.
Směr polarizace horního elektrovychylujíčího členu 275 je stejný jako u spodního elektrovychylujíčího členu 285. Po přiložení elektrického pole přes horní a spodní elektrovychylující člen 275. 285. v každém ovládaném zrcadle tenkého filmu 201, se směr polarizace v jednom elektrovychylujícím členu shoduje s elektrickým polem a směr druhého elektrovychylujíčího členu je vůči elektrickému poli opačný. V takovém případě elektrovychylující člen, jehož směr polarizace se s elektrickým polem shoduje, se bude rozpínat ve svislém směru a smršťovat ve vodorovném směru, a elektrovychylující člen s opačným směrem polarizace se bude smršťovat ve svislém směru a rozpínat ve vodorovném směru, čímž vznikne bimorfní režim činnosti. Kromě toho tím že první a druhá elektroda tenkého filmu 235. 245 jsou navzájem spojeny, světlo odrážející část 190 v každém ovládaném zrcadle 201 a světlo odrážející část 190 v každé ovládající struktuře 250 zůstává v rovinném stavu, jestliže je na ovládané zrcadlo tenkého filmu 201 přiveden elektrický signál, což umožňuje jeho plné využití pro odrážení světelného paprsku, čímž se zlepšuje optický výkon každého ovládaného zrcadla tenkého filmu 201.
Na obr. 3A až 3G je znázorněn příčný řez seskupení, který zobrazuje způsob výroby seskupení Μ x N ovládaných zrcadel 201.
Výrobní proces seskupení 200 začíná přípravou aktivní matrice 210. která má horní povrch a podkladovou desku 212 se seskupením Μ x N spojovacích terminálů 214 a seskupením Μ x N transistorů (není znázorněno), přičemž podkladová vrstva 212 je vyrobena z izolačního materiálu, například z plátku Si.
V následujícím kroku je obětní vrstva tenkého filmu 228.
•·· Φ · · · 9 · · · φ • · · » · « vyrobená z oxidu, například z ZnO nebo polymeru, například z polyamidu, a která má tloušťku 1 - 2 ^m, vytvořena na horní části aktivní matrice 210 pomocí rozprašování ve vakuu, nebo pomocí odpařování ve vakuu, jestliže je obětní vrstva tenkého filmu 228 zhotovena z oxidu, a pomocí odstředivým nanášení povlaku jestliže je obětní vrstva 228 zhotovena z polymeru.
Po vytvoření obětní vrstvy 228 jsou její části, vytvořené okolo horní části každého terminálu 214 v aktivní matrici 210. odstraněny, přičemž dochází k jejich obnažení (exponování) pomocí fotolitografické metody.
Následně je druhá vrstva elektrody tenkého filmu 240, zhotovená z elektricky vodivého materiálu, například z hliníku (Al) nebo stříbra (Ag) , a která má tloušťku 0,1 - 2 m, vytvořena na horní části obětní vrstvy tenkého filmu 228 a exponovaném horním povrchu aktivní matrice 210 použitím rozprašování ve vakuu nebo odpařováním ve vakuu tak, že je druhá elektrodová vrstva tenkého filmu 240 elektricky připojena ke spojovacím terminálům 214. jak je to znázorněno na obr.3A.
Na obr.3B je znázorněna spodní elektrovychylující vrstva 280. zhotovená z krystalograficky asymetrického materiálu tvárného při nízké teplotě, například ze ZnO, která má tloušťku 0,1 2^uia, která je vytvořena na na horní straně druhé elektrodové vrstvy 240 pomocí odpařování nebo rozprašování ve vakuu.
V následujícím kroku je střední elektrodová vrstva (není znázorněna), zhotovená z jiného elektricky vodivého materiálu, například z Al nebo Ag, a která má tloušťku 0,1 - 2/<m, umístěna na horní části spodní elektrovychylující vrstvy 280 pomocí rozprašování nebo napařování ve vakuu. Druhá elektrodová vrstva tenkého filmu 240 a střední elektrodová vrstva mohou být zhotoveny ze stejného elektricky vodivého materiálu.
Potom je střední elektrodová vrstva vzorována ve směru sloupce, aby došlo k vytvoření M počtu vzorovaných středních elektrodových vrstev 290, jak je to znázorněno na obr. 3C, a to pomocí fotolitografického nebo laserového způsobu úpravy, přičemž je každá vzorovaná střední vrstva 290 odpojena od jiné » ··· · · · · · ··· · • · · · · · · ···· · · · · · ·· · · * střední vrstvy a pokrývá část spodní elektrovychylující vrstvy 280 takovým způsobem, že část zakrytá každou vzorovanou střední elektrodovou vrstvou 290, obklopuje spojovací terminály 214 ve stejném sloupci, jestliže zmíněná část vybíhá směrem dolů.
V dalším kroku, jak je to znázorněno na obr.3D, je horní elektrovychylující vrstva 270, zhotovená ze stejného materiálu a stejně tlustá jako spodní elektrovychylující vrstva 280, vytvořena na horní straně vzorované střední elektrodové vrstvě 290 a spodní elektrovychylující vrstvě 280, a to pomocí odpařování a rozprašování ve vakuu.
V následujícím kroku, je horní a spodní elektrovychylující vrstva 270, 280 vzorována ve směru sloupce až do okamžiku, kdy druhá elektrodová vrstva tenkého filmu 240 je exponována pomocí fotolitogtrafického nebo laserového způsobu úpravy, aby se vytvořila vzorovaná struktura 150, zahrnující M počet vzorovaných vrstev 160 a odpovídající počet exponovaných druhých elektrodových vrstev 241, přičemž každá vzorovaná vrstva 160 je od druhé oddělena druhou exponovanou elektrodovou vrstvou 241.
a obklopuje každou ze vzorovaných středních elektrodových vrstev 290, jak je to znázorněno na obr.3E. Při tomto kroku vzniká ovládací část 180 a světlo odrážející část 190 v každém ovládaném zrcadle tenkého filmu 180. odpovídajícímu vzorované vrstvě 160, přičemž světlo odrážející část 190 odpovídá exponované druhé elektrodové vrstvě tenkého filmu 241.
První elektrodová vrstva tenkého filmu 230. zhotovená z elektricky vodivého a světlo odrážejícího materiálu, například z Al nebo Ag, a která mán tloušťku 500 - 2000 Á, je vytvořena na vzorované struktuře 150 rozprašováním nebo odpařováním ve vakuu, čímž se vytvoří polotovar ovládané struktury 300, jak je to znázorněno na obr.3F.
Po realizaci předchozího kroku, se polotovar ovládané struktury 300 vzoruje ve směru řady, a to do okamžiku, kdy je obětní vrstva tenkého filmu 228 exponována, do seskupení M x N zpola dohotovených ovládaných zrcadel (není znázorněno), přičemž každý polotovar ovládaného zrcadla zahrnuje první • ··· a · · · λ ··· · • 9 · · · · · ···» 99 ··· ·· ·· · elektrodu tenkého filmu 235. horní elektrovychylující člen 275, střední elektrodu 295. spodní elektrovychylující člen 285 a druhou elektrodu tenkého filmu 245, a to použitím litografického nebo laserového způsobu úpravy. V každém polotovaru ovládaného zrcadla je první elektroda tenkého filmu 235 spojena s druhou elektrodou tenkého filmu 245. a to v části odrážející světlo 190. která je elektricky spojena se spojovacím terminálem 214 a transistorem, čímž umožňuje, aby první a druhá elektroda tenkého filmu 235, 245 mohly fungovat jako signální elektroda v ovládaném zrcadle tenkého filmu 201.
Nakonec se leptáním odstraní obětní vrstva 228, čímž se vytvoří seskupení 200 Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 201, jak je to znázorněno na obr.3G.
Na obr.4 je znázorněn příčný řez seskupením 400 Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 401. podle dalšího provedení tohoto vynálezu, kde každé ovládané zrcadlo tenkého filmu 401 zahrnuje ovládací část 380 a část odrážející světlo 390. Seskupení je podobné seskupení 200. znázorněném na obr.2, s tou výjimkou, že první a druhé elektrody tenkého filmu 435, 445 v části odrážející světlo 390 v každém ovládaném zrcadle tenkého filmu 401. jsou odděleny vrstvou 370 elektrovychylujícího materiálu, přičemž vrstva 370 poskytuje další podporu pro zvyšování strukturální integrity části odrážející světlo 390.
Na obr.SA až 5D je znázorněn příčný řez, který vypovídá o způsobu výroby seskupení 400 Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 401.
Způsob výroby seskupení 400 je podobný způsobu výroby seskupení 200 z obr.2 s výjimkou, že horní a spodní elektrovychylující vrstvy 470, 480 jsou vzorovány pomocí fotolitografické nebo laserové úpravy tak, že vrstva 370 elektrovychylujícího materiálu je na horní části druhé elektrodové vrstvy tenkého filmu 440 v části odrážející světlo 390 ponechána, jak je to znázorněno na obr.5C.
V popsaných seskupeních 200, 400 a způsobech jejich výroby, vzhledem k tomu, že horní a spodní elektrovychylující členy
každého ovládaného zrcadla 201, 401 jsou zhotoveny z krystalografického asymetrického materiálu, například z ZnO, který se může formovat při relativně nízké teplotě, například 200 - 300°C, se lze obejít bez procesu, při kterém se používá vysoká teplota, což umožňuje výběr materiálu, vhodného pro obětní vrstvu tenkého filmu, ze široké palety materiálů.
Kromě toho se, použitím materiálu, například ZnO, nebo jiného materiálu, který má podobné vlastnosti, pro horní a spodní elektrovychylující členy, umožňuje použít i levnější elektrodové materiály s nízkou teplotou tání, a to u první, druhé a střední elektrodové vrstvy tenkého filmu, čímž se dosáhne snížení celkových výrobních nákladů na výrobu seskupení.
Kromě toho se může, vzhlem k tomu, že je seskupení vytvářeno bez použití vysoké teploty, lépe zachovat strukturální integrita, a tím i výkonnost seskupení.
Zatímco byl tento vynález popsán na jistých provedeních, kterým se dává přednost, mohou se použít i jiné modifikace a variace, aniž by došlo k vzdálení se od rozsahu tohoto vynálezu, jak to bude vyjádřeno v následujících nárocích.
Claims (14)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Seskupení Μ χ N ovládaných zrcadel tenkého filmu, kde M a N jsou celá čísla, která indikují sloupec a řádku v seskupení, které se požívá v optických projekčních systémech, zahrnuje:aktivní matrici s horním povrchem a podkladovou vrstvou se seskupením Μ χ N spojovacích terminálů a se seskupením Μ χ N transistorů, seskupení Μ χ N ovládacích struktur, kde každá ovládací struktura je bimorfní strukturou, kde každá ovládací struktura má ovládací a světlo odrážející část, kde ovládací část v každé ovládací struktuře zahrnuje přední část první elektrody tenkého filmu, horní elektrovychylující člen, střední elektrodu, spodní elektrovychylující člen a přední část druhé elektrody tenkého filmu, světlo odrážející část zahrnující zbývající část první elektrody tenkého filmu a zbývající část druhé elektrody tenkého filmu, kde je elektrovychylující člen zhotoven z materiálu, který je charakteristický tím, že je krystalograficky asymetrický a nevykazuje žádné hysterézní vlastnosti a vytváří se při teplotě s hodnotou v rozsahu 200°C až 300°C, přičemž spodní část přední části druhé elektrody tenkého filmu je elektricky spojena s každým spojovacím terminálem a s každým transistorem, aby se tím druhé elektrodě tenkého filmu umožnilo fungovat jako signální elektroda, přičemž spodní elektrovychylující člen je umístěn na horní části přední části druhé elektrody tenkého filmu, kde je střední elektroda vytvořena na horní části spodního elektrovychylujícího členu a funguje jako běžná elektroda s předpětím, kde horní elektrovychylující člen je umístěn na horní straně spodního elektrovychylujícího členu, přičemž střední elektroda je umístěna mezi nimi, a kde je první elektroda tenkého filmu, zhotovená z elektricky vodivého a světlo odrážejícího9· » materiálu, umístěna na horní straně elektrovychylujícího členu a zbývající části druhé elektrody tenkého filmu v části odrážející světlo, čímž elektricky spojuje první elektrodu tenkého filmu s druhou elektrodou tenkého filmu, aby v každé ovládací struktuře fungovaly jako zrcadlo a signální elektroda.
- 2. Seskupení podle nároku 1,vyznačující se tím, že první a druhá elektroda tenkého filmu, v části odrážející světlo, jsou od sebe odděleny vrstvou elektrovychylujícího materiálu.
- 3. Seskupení podle nároku 1,vyznačující se tím, že horní a spodní elektrovychylující člen je zhotoven z oxidu zinku nebo nitridu hliníku.
- 4. Seskupení podle nároku 1,vyznačující se tím, že směr polarizace horního elektrovychylujícího členu je stejný jako směr polarizace spodního elektrovychylujícího členu v každém ovládaném zrcadle tenkého filmu.
- 5. Způsob výroby seskupení Μ χ N ovládaných zrcadel tenkého filmu, kde M a N jsou celá čísla a každé ovládané zrcadlo tenkého filmu zahrnuje část odrážející světlo a ovládací část, a to pro použití v optických projekčních systémech, přičemž způsob zahrnuje:poskytnutí aktivní matrice s horním povrchem, podkladovou vrstvou s Μ χ N transistorů a seskupením Μ χ N spojovacích terminálů, vytvoření obětní vrstvy tenkého filmu na horním povrchu aktivní matrice, odstranění částí obětní vrstvy tenkého filmu okolo horní7X f části každého spojovacího terminálu v aktivní matrici, vytvoření druhé elektrodové vrstvy tenkého filmu na horní části obětní vrstvy tenkého filmu na horním povrchu aktivní matrice, umístění spodní elektrovychylující vrstvy na horní stranu druhé elektrodové vrstvy tenkého filmu, kdy spodní elektrovychylující vrstva je vyrobena z materiálu charakteristického tím, že je krystalograficky asymetrickým materiálem, nevykazuje hysteresní vlastnosti a vytváří se při teplotě v rozmezí od 200°C do 300°C, vytvoření střední elektrodové vrstvy na horní části spodní elektrovychylující vrstvy, vzorování střední elektrovychylující vrstvy ve směru sloupce, za účelem vytvoření M počtu vzorovaných středních elektrodových vrstev, kdy každá vzorovaná střední elektrodová vrstva je od ostatních odpojena a pokrývá část spodní elektrovychylující vrstvy tak, že část obklopuje spojovací terminály ve stejném sloupci, umístění horní elektrovychylující vrstvu, vyrobené ze stejného materiálu jako spodní elektrovychylující vrstva, na horní část spodní elektrovychylující vrstvy, přičemž střední vzorovaná elektrodová vrstva je umístěná mezi nimi, vzorování horní a spodní elektrovychylující vrstvy ve směru sloupce až do okamžiku, kdy je druhá elektrodová vrstva tenkého filmu exponována, aby se tím vytvořila vzorovaná struktura zahrnující M počet vzorovaných vrstev a odpovídající počet exponovaných druhých elektrodových vrstev, čímž se definují ovládací části a části odrážející světlo v každém ovládaném zrcadle tenkého filmu, přičemž každá • · · · · ······ vzorovaná vrstva odpovídá ovládací části v každém ovládaném zrcadle tenkého filmu a je odpojena od jiných vzorovaných vrstev pomocí exponované druhé elektrodové vrstvy a obklopuje každou vzorovanou střední elektrodovou vrstvu, přičemž každá exponovaná druhá elektrodová vrstva odpovídá části odrážející světlo v každém ovládaném zrcadle tenkého filmu, formování první elektrodové vrstvy tenkého filmu, zhotovené elektricky vodivého a světlo odrážejícího materiálu, na horní straně vzorované struktury, a to za účelem výroby polotovaru ovládané struktury, vzorování polotovaru ovládané struktury ve směru řádku, až do okamžiku exponování obětní vrstvy tenkého filmu, do seskupení polotovaru Μ χ N ovládaných zrcadel, kdy každý polotovar ovládaného zrcadla zahrnuje první elektrodovou vrstvu, horní elektrovychylující člen, střední elektrodu, spodní elektrovychylující člen a druhou elektrodu tenkého filmu, odstranění obětní vrstvy, čímž se vytvoří seskupení Μ χ N ovládaných zrcadel tenkého filmu.
- 6. Způsob podle nároku 5,vyznačující se tím, že obětní vrstva tenkého filmu je vyrobena z oxidu nebo polymeru.
- 7. Způsob podle nároku 5,vyznačující se tím, že obětní vrstva tenkého filmu je vytvořena rozprašováním ve vakuu nebo odpařováním ve vakuu, jestliže je obětní vrstva vyrobena z oxidu, nebo způsobem odstředivého nanášení vrstvy, jestliže je obětní vrstva tenkého filmu vyrobena z polymeru.
- 8. Způsob podle nároku 5,vyznačující se tím, že druhá elektrodová vrstva tenkého filmu a střední elektrodová vrstva má tloušťku 0,1 - 2 ^m.
- 9. Způsob podle nároku 8,vyznačující se tím, že druhá elektrodová vrstva tenkého filmu a střední elektrodová vrstva se vytváří rozprašováním, nebo odpařováním ve vakuu.
- 10. Způsob podle nároku 5,vyznačující se tím, že horní a spodní elektrovychylující vrstva se vytváří odpařováním, nebo rozprašováním ve vakuu.
- 11. Způsob podle nároku 10,vyznačující se tím, že horní a spodní elektrovychylující vrstva má tloušťku 0,1-2 ^m.
- 12. Způsob podle nároku 5,vyznačující se tím, že první elektrodová vrstva tenkého filmu má tloušťku v rozmezí 500 - 2000 Á.
- 13. Způsob podle nároku 12,vyznačující se tím, že první elektrodová vrstva tenkého filmu je vytvořena rozprašováním, nebo odpařováním ve vakuu.
- 14. Způsob podle nároku 5,vyznačující se tím, že horní a spodní elektrovychylující vrstva je vzorována ve směru sloupce tak že vrstva elektrovychylujícího materiálu je ponechána na horní straně druhé elektrodové vrstvy tenkého filmu v části odrážející světlo.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940034972A KR100203577B1 (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 광로조절장치와 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ188297A3 true CZ188297A3 (cs) | 1998-03-18 |
Family
ID=19402117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ971882A CZ188297A3 (cs) | 1994-12-19 | 1995-11-22 | Seskupení ovládaných zrcadel tenkého filmu, vytvářené při nízkých teplotách a způsob jeho výroby |
Country Status (18)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5706121A (cs) |
| EP (1) | EP0718658B1 (cs) |
| JP (1) | JP3523881B2 (cs) |
| KR (1) | KR100203577B1 (cs) |
| CN (1) | CN1070330C (cs) |
| AR (1) | AR000913A1 (cs) |
| AU (1) | AU703795B2 (cs) |
| BR (1) | BR9510206A (cs) |
| CA (1) | CA2208089A1 (cs) |
| CZ (1) | CZ188297A3 (cs) |
| DE (1) | DE69521283T2 (cs) |
| HU (1) | HU221359B1 (cs) |
| MY (1) | MY113094A (cs) |
| PE (1) | PE55296A1 (cs) |
| PL (1) | PL178495B1 (cs) |
| RU (1) | RU2156487C2 (cs) |
| TW (1) | TW305945B (cs) |
| WO (1) | WO1996019896A1 (cs) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5991064A (en) * | 1996-06-29 | 1999-11-23 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array and a method for the manufacture thereof |
| GB9625512D0 (en) * | 1996-12-09 | 1997-01-29 | Crosfield Electronics Ltd | Radiation beam scanning apparatus and method |
| US20060152830A1 (en) * | 2005-01-12 | 2006-07-13 | John Farah | Polyimide deformable mirror |
| CA2663919A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Dynea Oy | Novel hybrid binder with natural compounds for low emission products |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3544201A (en) * | 1968-01-02 | 1970-12-01 | Gen Telephone & Elect | Optical beam deflector |
| US4615595A (en) * | 1984-10-10 | 1986-10-07 | Texas Instruments Incorporated | Frame addressed spatial light modulator |
| US4793699A (en) * | 1985-04-19 | 1988-12-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection apparatus provided with an electro-mechanical transducer element |
| US5172262A (en) * | 1985-10-30 | 1992-12-15 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
| JPS63117671A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-21 | Minolta Camera Co Ltd | バイモルフ駆動素子 |
| JPH088777B2 (ja) * | 1986-11-05 | 1996-01-29 | 三菱電機株式会社 | インバ−タ装置の制御回路 |
| US5126836A (en) * | 1989-11-01 | 1992-06-30 | Aura Systems, Inc. | Actuated mirror optical intensity modulation |
| US5185660A (en) * | 1989-11-01 | 1993-02-09 | Aura Systems, Inc. | Actuated mirror optical intensity modulation |
| GB2239101B (en) * | 1989-11-17 | 1993-09-22 | Marconi Gec Ltd | Optical device |
| US5085497A (en) * | 1990-03-16 | 1992-02-04 | Aura Systems, Inc. | Method for fabricating mirror array for optical projection system |
| JP3148946B2 (ja) * | 1991-05-30 | 2001-03-26 | キヤノン株式会社 | 探針駆動機構並びに該機構を用いたトンネル電流検出装置、情報処理装置、圧電式アクチュエータ |
| US5170283A (en) * | 1991-07-24 | 1992-12-08 | Northrop Corporation | Silicon spatial light modulator |
| US5159225A (en) * | 1991-10-18 | 1992-10-27 | Aura Systems, Inc. | Piezoelectric actuator |
| US5175465A (en) * | 1991-10-18 | 1992-12-29 | Aura Systems, Inc. | Piezoelectric and electrostrictive actuators |
| US5247222A (en) * | 1991-11-04 | 1993-09-21 | Engle Craig D | Constrained shear mode modulator |
| CA2176111A1 (en) * | 1993-11-09 | 1995-05-18 | Jeong Beom Ji | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof |
| US5481396A (en) * | 1994-02-23 | 1996-01-02 | Aura Systems, Inc. | Thin film actuated mirror array |
-
1994
- 1994-12-19 KR KR1019940034972A patent/KR100203577B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-11-18 MY MYPI95003523A patent/MY113094A/en unknown
- 1995-11-18 TW TW084112258A patent/TW305945B/zh active
- 1995-11-22 WO PCT/KR1995/000153 patent/WO1996019896A1/en not_active Application Discontinuation
- 1995-11-22 AU AU38820/95A patent/AU703795B2/en not_active Ceased
- 1995-11-22 HU HU9800814A patent/HU221359B1/hu unknown
- 1995-11-22 CN CN95196838A patent/CN1070330C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-22 DE DE69521283T patent/DE69521283T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-22 PL PL95320827A patent/PL178495B1/pl unknown
- 1995-11-22 EP EP95118378A patent/EP0718658B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-22 CZ CZ971882A patent/CZ188297A3/cs unknown
- 1995-11-22 BR BR9510206A patent/BR9510206A/pt not_active IP Right Cessation
- 1995-11-22 JP JP51967796A patent/JP3523881B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-22 CA CA002208089A patent/CA2208089A1/en not_active Abandoned
- 1995-11-22 RU RU97112466/09A patent/RU2156487C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1995-11-23 AR ARP950100283A patent/AR000913A1/es unknown
- 1995-11-30 US US08/565,713 patent/US5706121A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-06 PE PE1995286536A patent/PE55296A1/es not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL320827A1 (en) | 1997-11-10 |
| PL178495B1 (pl) | 2000-05-31 |
| JPH10510931A (ja) | 1998-10-20 |
| DE69521283D1 (de) | 2001-07-19 |
| US5706121A (en) | 1998-01-06 |
| AR000913A1 (es) | 1997-08-27 |
| PE55296A1 (es) | 1996-12-03 |
| HU221359B1 (en) | 2002-09-28 |
| CA2208089A1 (en) | 1996-06-27 |
| KR100203577B1 (ko) | 1999-06-15 |
| CN1070330C (zh) | 2001-08-29 |
| EP0718658A1 (en) | 1996-06-26 |
| TW305945B (cs) | 1997-05-21 |
| KR960028118A (ko) | 1996-07-22 |
| EP0718658B1 (en) | 2001-06-13 |
| BR9510206A (pt) | 1997-11-04 |
| AU703795B2 (en) | 1999-04-01 |
| DE69521283T2 (de) | 2001-09-20 |
| AU3882095A (en) | 1996-07-10 |
| CN1176727A (zh) | 1998-03-18 |
| JP3523881B2 (ja) | 2004-04-26 |
| HUT77725A (hu) | 1998-07-28 |
| MY113094A (en) | 2001-11-30 |
| MX9704519A (es) | 1997-10-31 |
| WO1996019896A1 (en) | 1996-06-27 |
| RU2156487C2 (ru) | 2000-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CZ328097A3 (cs) | Seskupení ovládaných zrcadel tenkého filmu, používané v optických projekčních systémech | |
| US5920422A (en) | Method for manufacturing an actuated mirror array having an optimum optical efficiency | |
| AU693125B2 (en) | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof | |
| AU693119B2 (en) | Thin film actuated mirror array and methods for its manufacture | |
| US5690839A (en) | Method for forming an array of thin film actuated mirrors | |
| CZ287202B6 (en) | Array of actuated mirrors intended particularly for use in optical projection systems and method for the manufacture thereof | |
| US5636070A (en) | Thin film actuated mirror array | |
| CZ148797A3 (en) | System of controlled mirrors with thin layers and process for producing thereof | |
| CN1062664C (zh) | 改进的制造薄膜可致动反射镜阵列的方法 | |
| CZ288251B6 (en) | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof | |
| WO1998008127A1 (en) | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system | |
| CZ188297A3 (cs) | Seskupení ovládaných zrcadel tenkého filmu, vytvářené při nízkých teplotách a způsob jeho výroby | |
| US5701192A (en) | Thin film actuated mirror array and method of manufacturing the same | |
| CZ304197A3 (cs) | Seskupení ovládaných zrcadel tenkého filmu s dielektrickými vrstvami | |
| CN1166610A (zh) | 薄膜致动反射镜阵列的形成方法 | |
| MXPA97004519A (en) | Formation of mirrors accessed by peliculelelade formed to low temperat | |
| US5683593A (en) | Method for manufacturing a thin film actuated mirror array | |
| AU717083B2 (en) | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD00 | Pending as of 2000-06-30 in czech republic |