HU221359B1 - Low temperature formed thin film actuated mirror array - Google Patents
Low temperature formed thin film actuated mirror array Download PDFInfo
- Publication number
- HU221359B1 HU221359B1 HU9800814A HU9800814A HU221359B1 HU 221359 B1 HU221359 B1 HU 221359B1 HU 9800814 A HU9800814 A HU 9800814A HU 9800814 A HU9800814 A HU 9800814A HU 221359 B1 HU221359 B1 HU 221359B1
- Authority
- HU
- Hungary
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- thin
- thin film
- lower displacement
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 89
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 24
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 208000037998 chronic venous disease Diseases 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- OYLRFHLPEAGKJU-UHFFFAOYSA-N phosphane silicic acid Chemical compound P.[Si](O)(O)(O)O OYLRFHLPEAGKJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyimide Chemical compound 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S359/00—Optical: systems and elements
- Y10S359/904—Micromirror
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Rear-View Mirror Devices That Are Mounted On The Exterior Of The Vehicle (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés (200) optikaivetítőrendszerhez M×N tükörelemmel (201), ahol M és N egész számok, ésaz elrendezésben (200) lévő oszlopok és sorok számát jelentik,amelynek M×N darab csatlakozókapocsból (214) álló elrendezéssel és M×Ndarab tranzisztorból álló elrendezéssel rendelkező alapréteget (212)tartalmazó aktív mátrixa (210) van felső felülettel, és van továbbáM×N darab bimorf szerkezetű működtető- szerkezetből (250) állóelrendezése, amely működtetőszerkezetek (250) rendelkeznek elsővékonyréteg elektróda (235) elülső részét, felső elmozdulást létrehozó(275) tagot, közbenső elektródát (295), alsó elmozdulást létrehozótagot (285) és második vékonyréteg elektróda (245) elülső részéttartalmazó működtető résszel (180), valamint az első vékonyrétegelektróda (235) fennmaradó részét és a második vékonyréteg elektróda(245) fennmaradó részét tar- talmazó fényvisszaverő résszel (190),ahol az elmozdulást létrehozó tagok (275, 285) kristálytanilagaszimmetrikus, hiszterézissel nem rendelkező, 200 °C és 300 °C közöttihőmérsékleten kialakított anyagból vannak, és ahol a másodikvékonyréteg elektródák (245) elülső részének alja villamosan egy-egycsatlakozókapocsra (214) és tranzisztorra van csatlakoztatva a másodikvékonyréteg elektróda (245) jelelektródaként való működtetésére, azalsó elmozdulást létrehozó tag (285) a második vékonyréteg elektróda(245) elülső részének tetején van elhelyezve, a közös előfeszítőelektródaként működő közbenső elektróda (295) az alsó elmozdulástlétrehozó tag (285) tetején van kialakítva, a felső elmozdulástlétrehozó tag (275) a közbenső elektróda (295) közrefogásával az alsóelmozdulást létrehozó tag (285) tetején van elhelyezve, és afényvisszaverő és villamosan vezető anyagból lévő első vékonyrétegelektróda (235) a felső elmozdulást létrehozó tag (275) és a másodikvékonyréteg elektródának (245) a fényvisszaverő részben (190) lévőfennmaradó része tetején, az első és második vékonyréteg elektródákat(235, 245) összekötően, az első vékonyréteg elektróda (235) tükörkéntés jelelektródaként való működését lehetővé tevően van elhelyezve. Atalálmány továbbá eljárás a fenti elrendezés (200) vékonyrétegesműveleti lépésekkel történő előállítására. ŕ
Description
KIVONAT
Vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés (200) optikai vetítőrendszerhez MxN tükörelemmel (201) , ahol M és N egész számok, és az elrendezésben (200) lévő oszlopok és sorok számát jelentik, amelynek MxN darab csatlakozókapocsból (214) álló elrendezéssel és MxN darab tranzisztorból álló elrendezéssel rendelkező alapréteget (212) tartalmazó aktív mátrixa (210) van felső felülettel, és van továbbá MxN darab bimorf szerkezetű működtetőszerkezetből (250) álló elrendezése, amely működtetőszerkezetek (250) rendelkeznek első vékonyréteg elektróda (235) elülső részét, felső elmozdulást létrehozó (275) tagot, közbenső elektródát (295), alsó elmozdulást létrehozó tagot (285) és második vékonyréteg elektróda (245) elülső részét tartalmazó működtető résszel (180), valamint az első vékonyréteg elektróda (235) fennmaradó részét és a második vékonyréteg elektróda (245) fennmaradó részét tartalmazó fényvisszaverő résszel (190), ahol az elmozdulást létrehozó tagok (275, 285) kristálytanilag aszimmetrikus, hiszterézissel nem rendelkező, 200 °C és 300 °C közötti hőmérsékleten kialakított anyagból vannak, és ahol a második vékonyréteg elektródák (245) elülső részének alja villamosán egy-egy csatlakozókapocsra (214) és tranzisztorra van csatlakoztatva a második vékonyréteg elektróda (245) jelelektródaként való működtetésére, az alsó elmozdulást létrehozó tag (285) a második vékonyréteg elektróda (245) elülső részének tetején van elhelyezve, a közös előfeszítő elektródaként működő közbenső elektróda (295) az alsó elmozdulást létrehozó tag (285) tetején van kialakítva, a felső elmozdulást létrehozó tag (275) a közbenső elektróda (295) közrefogásával az alsó elmozdulást létrehozó tag (285) tetején van elhelyezve, és a fényvisszaverő és villamosán vezető anyagból lévő első vékonyréteg elektróda (235) a felső elmozdulást létrehozó tag (275) és a második vékonyréteg elektródának (245) a fényvisszaverő részben (190) lévő fennmaradó része tetején, az első és második vékonyréteg elektródákat (235, 245) összekötőén, az első vékonyréteg elektróda (235) tükörként és jelelektródaként való működését lehetővé tévőén van elhelyezve. A találmány továbbá eljárás a fenti elrendezés (200) vékonyréteges műveleti lépésekkel történő előállítására.
201
-'-‘ 200
180 190
2?5 235
212 '250
210
2. ábra
A leírás terjedelme 18 oldal (ezen belül 11 lap ábra)
HU 221 359 B1
HU 221 359 Bl
A találmány vékonyréteggel működtetett MxN tükörelemből álló elrendezés, ahol a vékonyréteggel működtetett tükörelemek bimorf szerkezetűek, valamint eljárás annak előállítására.
A korábbi technika
A technika állása szerinti különböző videómegjelenítő rendszerek között az optikai vetítőrendszerek köztudottan alkalmasak nagy méretű, jó minőségű kép megjelenítésre. Az ilyen optikai vetítőrendszerekben egy lámpából jövő fény egyenletesen világít meg egy például MxN darab vékonyréteggel működtetett tükörelemből álló elrendezést, oly módon, hogy minden egyes tükörelem egy működtetőhöz kapcsolódik. A működtetők készülhetnek elektromosság hatására alakját változtató anyagból, például piezoelektromos vagy elektrosztrikciós anyagból, amely anyag a reá ható villamos feszültség hatására deformálódik.
A tükörelemek által visszavert fénysugarak például egy ernyő nyílására esnek. A működtetőkre villamos feszültséget kapcsolva a tükörelemeknek a beeső fénysugárhoz viszonyított helyzete megváltozik, és ezáltal a tükörelemekről visszavert fénysugarak optikai útja elhajlik. Ahogy a visszavert fénysugarak optikai útja változik, megváltozik a tükörelemekről visszavert ama fénymennyiség, amely áthalad a nyíláson, és ez modulálja a fénysugár intenzitását. A modulált fénysugarak a nyíláson és egy megfelelő optikai eszközön, például vetítőlencsén keresztül egy vetítőemyőre esnek és azon képet jelenítenek meg.
Az 1A-1G. ábrákon MxN darab, vékonyréteggel működtetett 101 tükörelemből álló 100 elrendezés előállítási lépései láthatók, ahol M és N egész számok, és a 100 elrendezésben lévő oszlopokat és sorokat jelentik, amelyet azonos feltalálók párhuzamos US 08/430,628 szabadalmi bejelentése ismertet „Vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés” címmel.
A 100 elrendezés előállításának folyamata 10 aktív mátrix elkészítésével kezdődik, amelynek van felső felülete, és amely tartalmaz 12 alapréteget, MxN darab tranzisztorból álló elrendezést (nincs ábrázolva) és MxN darab 14 csatlakozókapocsból álló elrendezést.
A következő műveletben a 10 aktív mátrix felső felületén 28 eltávolítandó vékonyréteget alakítanak ki vákuumpárologtatással vagy gőzöléses eljárással, ha a 28 eltávolítandó vékonyréteg fémből van, kémiai gőzöléses bevonással (CVD, Chemical vapour deposition) vagy forgatásos bevonással, ha a 28 eltávolítandó vékonyréteg foszforszilikát üveg (PSG, phosphor-silicate glass), illetve CVD eljárással, ha a 28 eltávolítandó vékonyréteg poliszilícium anyagú.
Ezután a 28 eltávolítandó vékonyréteg által körülvéve MxN darab 24 tartóelemből álló elrendezést tartalmazó 20 tartóréteget alakítanak ki, ahol a 20 tartóréteg kialakításához először MxN darab üres résből (nincs ábrázolva) álló elrendezést alakítanak ki a 28 eltávolítandó vékonyrétegen fotolitografikus eljárással, ahol az üres rések a 14 csatlakozókapcsok körül helyezkednek el, majd a 14 csatlakozókapcsok körül elhelyezkedő üres résekben vákuumpárologtatásos vagy CVD eljárással 24 tartóelemeket alakítanak ki az 1A. ábrán látható módon.
A következő lépésben a 24 tartóelemekkel azonos anyagból lévő 60 rugalmas réteget alakítanak ki a 20 tartórétegen kolloid gélezéses, vákuumpárologtatásos vagy CVD eljárással.
Ezután a 24 tartóelemekben fémből lévő 22 vezetékeket alakítanak ki oly módon, hogy először maratással MxN darab üregből álló elrendezést (nincs ábrázolva) hoznak létre, amely üregek a 60 rugalmas réteg tetejétől a 14 csatlakozókapcsok tetejéig nyúlnak, majd azt a 22 vezeték kialakítása céljából megtöltik a fémmel, amint azt az 1B. ábra mutatja.
A következő lépésben villamosán vezető anyagú második 40 vékonyréteget alakítanak ki a 22 vezetékeket körülvevő 60 rugalmas rétegen vákuumpárologtatásos eljárással. A második 40 vékonyréteg villamosán a 24 tartóelemekben kialakított 22 vezetékeken keresztül a tranzisztorokra van csatlakoztatva.
Ezután a második 40 vékonyréteg tetején piezoelektromos, például ólom-cirkónium-titanát (PZT) anyagú elmozdulást létrehozó 70 vékonyréteget alakítanak ki vákuumpárologtatásos eljárással, CVD eljárással, vagy kolloid-gélezéses eljárással, amint az az IC. ábrán látható.
A következő lépésben az elmozdulást létrehozó 70 vékonyréteg, a második 40 vékonyréteg és a 60 rugalmas réteg megmintázásával MxN darab elmozdulást létrehozó 75 tagból álló elrendezést, MxN darab második 45 vékonyréteg elektródából álló elrendezést, és MxN darab 65 rugalmas tagból álló elrendezést alakítanak ki fotolitografikus vagy lézertrimmeléses eljárással, amíg a 20 tartóréteg szabaddá válik, amint azt az
ID. ábra mutatja. A második 45 vékonyréteg elektródák villamosán a 24 tartóelemekben kialakított 22 vezetékeken keresztül a tranzisztorokra vannak csatlakoztatva, és a vékonyréteggel működtetett 101 tükörelemekben jelelektródaként funkcionálnak.
Ezután az elmozdulást létrehozó 75 tagokat magas hőmérsékleten, például PZT esetében 650 °C-os hőmérséklet körül hőkezelik, hogy lehetővé tegyék a fázisátmenet lezajlását, és ezzel MxN darab hőkezelt szerkezetből (nincs ábrázolva) álló elrendezést alakítsanak ki. Mivel az elmozdulást létrehozó 75 tagok megfelelően vékonyak, nincs szükség azok polarizálására, ha azok piezoelektromos anyagból vannak: azok a vékonyréteggel működtetett 101 tükörelemek működése alatt rájuk kapcsolt villamos jellel polarizálhatok.
A fenti művelet után MxN darab villamosán vezető és fényvisszaverő anyagú első 35 vékonyréteg elektródából álló elrendezést alakítanak ki az MxN darab hőkezelt szerkezetből álló elrendezésben lévő elmozdulást létrehozó 75 tagok tetején oly módon, hogy az
IE. ábrán látható módon vákuumpárologtatással először az Μ χ N darab hőkezelt szerkezetből álló elrendezés tetejét a szabaddá vált 20 tartóréteggel együtt teljesen beborító, villamosán vezető és fényvisszaverő anyagú 30 réteget alakítanak ki, majd maratással a 30 réteget szelektív módon eltávolítják, ami MxN darab működtetett 111 tükörszerkezetekből álló 110 elrendezést eredményez, ahol a működtetett 111 tükörszerkezetek
HU 221 359 BI az 1F. ábrán látható módon felső felülettel és négy oldalfelülettel rendelkeznek. Az első 35 vékonyréteg elektródák tükörként és előfeszítő elektródaként is funkcionálnak a vékonyréteggel működtetett 101 tükörelemekben.
Az előző műveletet követő lépésben a működtetett 111 tükörszerkezetek felső felületét és négy oldalfelületét teljesen beborítják védő vékonyréteggel (nincs ábrázolva).
A 20 tartóréteg 28 eltávolítandó vékonyrétegét ezután maratásos eljárással eltávolítják. Végül a védő vékonyréteget is eltávolítják, és így kialakítják az MxN darab, vékonyréteggel működtetett 101 tükörelemekből álló, 1G. ábrán látható 100 elrendezést.
A fenti eljárásnak MxN darab, vékonyréteggel működtetett 101 tükörelemekből álló 100 elrendezés előállítására vannak bizonyos hátrányai. Az elmozdulást létrehozó 75 tagok kialakítása magas hőmérsékleten történik, és ezért óvatosan kell megválasztani a 28 eltávolítandó vékonyréteg anyagát, amelynek ellen kell állnia a kialakításához szükséges magas hőmérsékletnek.
Ezen túlmenően, mivel a 100 elrendezés előállítása magas hőmérsékleten zajló folyamatot tartalmaz, az elektródák anyagainak is ellen kell állniuk a magas hőmérsékletnek, és az ilyen anyagok rendszerint drágák, ami megnöveli a 100 elrendezés előállítási költségét.
Az elmozdulást létrehozó 75 tagok kialakításakor szükséges magas hőmérséklet károsan befolyásolhatja a működtetett 101 tükörelemek szerkezeti épségét, ami káros hatással lehet a 100 elrendezés teljesítményére.
Az 100 elrendezés előállítási eljárásának fenti hiányosságain kívül a 100 elrendezésnek van egy fő hibája, ami az optikai hatékonyságban rejlik. Amikor a vékonyréteggel működtetett 101 tükörelem deformálódik, az elmozdulást létrehozó 75 tagjára kapcsolt villamos feszültség hatására a reá csatlakoztatott, tükörként funkcionáló első 35 vékonyréteg elektróda is deformálódik, ami által sík felület kialakulása helyett görbült felső felület jön létre a fénysugarak visszaverésére. Ennek eredményeként a 100 elrendezés optikai hatékonysága lecsökken.
A találmány ismertetése
A találmány elsődleges célja tehát olyan eljárás szolgáltatása MxN elemből álló, vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés előállítására optikai vetítőrendszerhez, amelyben nincs magas hőmérsékletű folyamat, ami által lehetővé válik az eltávolítandó vékonyréteg és az elektródák számára nagy választékból olcsóbb anyag alkalmazása.
A találmány másik célkitűzése MxN elemből álló, vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés szolgáltatása optikai vetítőrendszerhez, amely előállításához nem tesz szükségessé magas hőmérsékletű folyamatot.
A találmány további célkitűzése olyan MxN elemből álló, vékonyréteggel működtetett tükörelemelrendezés szolgáltatása optikai vetítőrendszerhez, amelynek javított optikai hatékonysága van.
A találmány egyrészt eljárás optikai vetítőrendszerhez való, vékonyréteggel működtetett MxN tükörelemet tartalmazó elrendezés előállítására, ahol M és N egész számok, és a vékonyréteggel működtetett tükörelemek tartalmaznak fényvisszaverő részt és működtetőrészt, amelynek során felső felülettel rendelkező aktív mátrixot állítunk elő, amely aktív mátrix tartalmaz alapréteget MxN darab tranzisztorból álló elrendezéssel és Μ χ N darab csatlakozókapocsból álló elrendezéssel, az aktív mátrix felső felületén eltávolítandó vékonyréteget helyezünk el, az eltávolítandó vékonyrétegnek az aktív mátrixban lévő csatlakozókapcsok tetején kialakított részeit eltávolítjuk, az eltávolítandó vékonyrétegen és az aktív mátrix felső felületén második elektróda vékonyréteget alakítunk ki, a második elektróda vékonyréteg tetején alsó elmozdulást létrehozó réteget helyezünk el, ahol az alsó elmozdulást létrehozó réteg kristálytanilag aszimmetrikus, hiszterézissel nem rendelkező, és 200 °C és 300 °C közötti hőmérsékleten kialakított anyagból van, az alsó elmozdulást létrehozó réteg tetején közbenső elektróda réteget alakítunk ki, a közbenső elektróda réteg oszlopirányú megmintázásával M darab mintázott közbenső elektróda réteget alakítunk ki, ahol a mintázott közbenső elektróda rétegek egymástól el vannak választva, és az alsó elmozdulást létrehozó réteg részeit az ugyanazon oszlopban lévő csatlakozókapcsok körülvételével fedik le, a mintázott közbenső elektróda rétegek közrefogásával az alsó elmozdulást létrehozó réteg tetején azzal megegyező anyagú felső elmozdulást létrehozó réteget helyezünk el, a felső és az alsó elmozdulást létrehozó réteg rétegeket oszlopirányban a második elektróda vékonyréteg szabaddá válásáig megmintázzuk, és így M számú mintázott réteget és annak megfelelő számú szabad második elektróda vékonyréteget tartalmazó mintázott szerkezetet állítunk elő a vékonyréteggel működtetett tükörelemek működtetőrészének és fényvisszaverő részének kialakítására, ahol a vékonyréteggel működtetett tükörelemek működtetőrészének megfelelő mintázott rétegek egymástól egy szabad második elektróda vékonyréteggel el vannak választva, és a mintázott közbenső elektróda rétegeket körülvéve vannak kialakítva, a szabad második elektróda vékonyrétegek pedig megfelelnek a vékonyréteggel működtetett tükörelemek fényvisszaverő részének, villamosán vezető és fényvisszaverő anyagból lévő első elektróda vékonyréteget alakítunk ki a mintázott szerkezet tetején félkész működtetett szerkezet előállítására, a félkész működtetett szerkezetet sorirányban, az eltávolítandó vékonyréteg szabaddá válásáig történő megmintázással MxN darab félkész működtetett tükörelemből álló elrendezéssé formáljuk, ahol a félkész működtetett tükörelemek tartalmaznak első vékonyréteg elektródát, felső elmozdulást létrehozó tagot, közbenső elektródát, alsó elmozdulást létrehozó tagot és második vékonyréteg elektródát, valamint az eltávolítandó vékonyréteget eltávolítjuk, és ezzel az Μ χ N darab vékonyréteggel működtetett tükörelemből álló elrendezést előállítjuk.
A találmány másrészt vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés optikai vetítőrendszerhez MxN tü3
HU 221 359 Bl körelemmel, ahol M és N egész számok, és az elrendezésben lévő oszlopok és sorok számát jelentik, amelynek MxN darab csatlakozókapocsból álló elrendezéssel és MxN darab tranzisztorból álló elrendezéssel rendelkező alapréteget tartalmazó aktív mátrixa van felső felülettel, és van továbbá MxN darab bimorf szerkezetű működtetőszerkezetből álló elrendezése, amely működtetőszerkezetek rendelkeznek első vékonyréteg elektróda elülső részét, felső elmozdulást létrehozó tagot, közbenső elektródát, alsó elmozdulást létrehozó tagot és második vékonyréteg elektróda elülső részét tartalmazó működtető résszel, valamint az első vékonyréteg elektróda fennmaradó részét és a második vékonyréteg elektróda fennmaradó részét tartalmazó fényvisszaverő résszel, ahol az elmozdulást létrehozó tagok kristálytanilag aszimmetrikus, hiszterézissel nem rendelkező, 200 °C és 300 °C közötti hőmérsékleten kialakított anyagból vannak, és ahol a második vékonyréteg elektródák elülső részének alja villamosán egy-egy csatlakozókapocsra és tranzisztorra van csatlakoztatva a második vékonyréteg elektróda jelelektródaként való működtetésére, az alsó elmozdulást létrehozó tag a második vékonyréteg elektróda elülső részének tetején van elhelyezve, a közös előfeszítő elektródaként működő közbenső elektróda az alsó elmozdulást létrehozó tag tetején van kialakítva, a felső elmozdulást létrehozó tag a közbenső elektróda közrefogásával az alsó elmozdulást létrehozó tag tetején van elhelyezve, és a fényvisszaverő és villamosán vezető anyagból lévő első vékonyréteg elektróda a felső elmozdulást létrehozó tag és a második vékonyréteg elektródának a fényvisszaverő részben lévő fennmaradó része tetején, az első és második vékonyréteg elektródákat összekötőén, az első vékonyréteg elektróda tükörként és jelelektródaként való működését lehetővé tévőén van elhelyezve.
A rajzok rövid leírása
A találmány előnyös kiviteli alakjait a következőkben rajzok alapján ismertetjük, ahol az
1A-1G. ábrák ismert, MxN elemből álló, vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés előállítási eljárását szemléltető vázlatos keresztmetszeti rajzok, a
2. ábra a találmány egyik kiviteli alakja szerinti MxN tükörelemből álló, vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés keresztmetszeti rajza, a
3A-3G. ábrák a 2, ábrán látható találmány szerinti MxN tükörelemből álló vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés előállítási eljárását szemléltető vázlatos keresztmetszeti rajzok, a
4. ábra a találmány egy másik kiviteli alakja szerinti MxN tükörelemből álló, vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés keresztmetszeti rajza, és az
5A-5D. ábrák a 4. ábrán látható találmány szerinti MxN tükörelemből álló vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés előállítási eljárását szemléltető vázlatos keresztmetszeti rajzok.
A találmány megvalósítási módjai
A 2-5. ábrákon a találmány előnyös kiviteli alakjai szerinti, optikai vetítőrendszerhez használható, MxN darab vékonyréteggel működtetett 201, 401 tükörelemből álló 200,400 elrendezés keresztmetszeti rajza, valamint az előállítását szemléltető vázlatos keresztmetszeti rajzok láthatók, ahol M és N egész számok, és a 200, 400 elrendezés oszlopait és sorait jelentik. A 2-5. ábrákon az azonos részek azonos hivatkozási számmal vannak jelölve.
A 2. ábrán MxN darab, vékonyréteggel működtetett 201 tükörelemből álló 200 elrendezés keresztmetszeti rajza látható, amely tartalmaz 210 aktív mátrixot és MxN darab 250 működtetőszerkezetből álló elrendezést, ahol a 250 működtetőszerkezetek bimorf szerkezetűek.
A 210 aktív mátrix tartalmaz 212 alapréteget MxN darab 214 csatlakozókapocsból álló elrendezéssel és MxN darab tranzisztorból álló elrendezéssel (nincs ábrázolva), ahol minden egyes 214 csatlakozókapocs villamosán egy tranzisztorhoz van kapcsolva.
A 250 működtetőszerkezetnek van 180 működtetőrésze és 190 fényvisszaverő része. A 250 működtetőszerkezetben lévő 180 működtetőrész tartalmazza egy második 245 vékonyréteg elektróda elülső részét, tartalmaz alsó elmozdulást létrehozó 285 tagot, közbenső 295 elektródát, felső elmozdulást létrehozó 275 tagot, valamint tartalmazza egy első 235 vékonyréteg elektróda elülső részét. A 190 fényvisszaverő részt az egymásra helyezett első és második 235,245 vékonyréteg elektródák fennmaradó része alkotja. A 250 működtetőszerkezet 180 működtetőrészében lévő második 245 vékonyréteg elektróda elülső részének alja a 210 aktív mátrix felső felületére van csatlakoztatva oly módon, hogy az villamosán az egyes 214 csatlakozókapcsokra van csatlakoztatva, amelyek pedig az egyes tranzisztorokra, ami lehetővé teszi, hogy a második 245 vékonyréteg elektróda jelelektródaként funkcionáljon a 250 működtetőszerkezetben. Az alsó elmozdulást létrehozó 285 tag a második 245 vékonyréteg elektróda elülső részének tetején van elhelyezve. A közbenső 295 elektróda a felső és az alsó elmozdulást létrehozó 285,295 tagok között van elhelyezve, és közös előfeszítő elektródaként funkcionál a 250 működtetőszerkezetben. A felső elmozdulást létrehozó 275 tag az alsó elmozdulást létrehozó 285 tag tetején van elhelyezve oly módon, hogy ezek a közbenső 295 elektródát közrefogják. A villamosán vezető és fényvisszaverő anyagból lévő első 235 vékonyréteg elektróda a felső elmozdulást létrehozó 275 tag tetején és a 190 fényvisszaverő részben lévő második 245 vékonyréteg elektróda fennmaradó részének tetején van elhelyezve, amely 190 fényvisszaverő rész villamosán összekapcsolja az első 235 vékonyréteg elektródát a második 245 vékonyréteg elektródával, és így lehetővé teszi, hogy az első 235 vékonyréteg elektróda tükörként és egyben jelelektródaként is funkcionáljon a 250 működtetőszerkezetekben.
A vékonyréteggel működtetett 201 tükörelemekben lévő felső elmozdulást létrehozó 275 tagok és az alsó el4
HU 221 359 BI mozdulást létrehozó 285 tagok kristálytanilag aszimmetrikus anyagból, például cink-oxidból (ZnO) vagy alumínium-nitridből (AIN) vannak, amely anyagot továbbá az jellemzi, hogy nincs hiszterézise, és 200 °C-300 °C közötti hőmérsékleten alakítható ki. Az, hogy a felső és alsó elmozdulást létrehozó 275, 285 tagokhoz ilyen anyagot használunk, lehetővé teszi, hogy alacsony hőmérsékleten olvadó és olcsó elektróda anyagokat, például alumíniumot (Al) vagy ezüstöt (Ag) használjunk az első és a második 235,245 vékonyréteg ektródákhoz, valamint a közbenső 295 ektródákhoz, amivel lecsökkentjük a 200 elrendezés előállítási költségét.
A felső elmozdulást létrehozó 275 tag polarizációs iránya megegyezik az alsó elmozdulást létrehozó 285 tagéval. Ha a felső és alsó elmozdulást létrehozó 275,285 tagokra villamos feszültséget kapcsolunk a vékonyréteggel működtetett 201 tükörelemekben, az egyik elmozdulást létrehozó tag polarizációs iránya egybeesik a villamos mezővel, a másik elmozdulást létrehozó tagé pedig ellentétes a villamos mezővel. Ilyen esetben az az elmozdulást létrehozó tag, amelynek polarizációs iránya egybeesik a villamos mezővel, függőlegesen kitágul és vízszintesen összehúzódik, az az elmozdulást létrehozó tag pedig, amelynek polarizációs iránya ellentétes a villamos mezővel, függőlegesen összehúzódik és vízszintesen kitágul, ami erősíti a bimorf viselkedést. Ezen túlmenően az első és a második 235, 245 vékonyréteg elektródák a vékonyréteggel működtetett 201 tükörelemekben lévő 190 fényvisszaverő rész kialakítására egymáshoz vannak kapcsolva, és a 250 működtetőszerkezetekben lévő 190 fényvisszaverő rész sík alakú marad, amikor a vékonyréteggel működtetett 201 tükörelemekre villamos jelet kapcsolunk. Ez lehetővé teszi, hogy a 190 fényvisszaverő rész teljes mértékben visszaverje a fénysugarat, ami megnöveli a vékonyréteggel működtetett 201 tükörelemek optikai hatékonyságát.
A 3A-3G. ábrák a találmány szerinti MxN darab vékonyréteggel működtetett 201 tükörelemből álló 200 elrendezés előállítását szemléltető vázlatos keresztmetszeti rajzok láthatók.
A 200 elrendezés előállításának folyamata 210 aktív mátrix elkészítésével kezdődik, amelynek van felső felülete, és amely tartalmaz 212 alapréteget MxN darab 214 csatlakozókapocsból álló elrendezéssel és MxN darab tranzisztorból álló elrendezéssel (nincs ábrázolva), ahol a 212 alapréteg szigetelő anyagból, például szilícium lapkából van.
Ezután a 210 aktív mátrix tetején oxidból, például ZnO-ból vagy polimerből, például poliimidből lévő, 1-2 pm vastagságú 228 eltávolítandó vékonyréteget alakítunk ki vákuumpárologtatásos vagy vákuumgőzöléses eljárással, ha a 228 eltávolítandó vékonyréteg oxidból van, illetve forgatásos bevonási eljárással, ha a 228 eltávolítandó vékonyréteg polimerből van.
A következő lépésben a 228 eltávolítandó vékonyrétegnek a 210 aktív mátrixban lévő 214 csatlakozókapcsok teteje körüli részeit eltávolítjuk fotolitografikus eljárással, és így a 214 csatlakozókapcsok tetejét szabaddá tesszük.
Ezután első villamosán vezető anyagból, például alumíniumból (Al) vagy ezüstből (Ag) lévő, 0,1-2 pm vastagságú második 240 elektróda vékonyréteget alakítunk ki a 228 eltávolítandó vékonyréteg és a 210 aktív mátrix szabaddá vált felső felületén vákuumpárologtatásos vagy vákuumgőzöléses eljárással oly módon, hogy a második 240 elektróda vékonyréteg villamosán a 214 csatlakozókapocsra csatlakozzon, amint az a 3A. ábrán látható.
A 3B. ábrán látható módon kristálytanilag aszimmetrikus, alacsony hőmérsékleten alakítható anyagból, például ZnO-ból lévő, 0,1-2 pm vastagságú alsó elmozdulást létrehozó 280 réteget alakítunk ki a második 240 elektróda vékonyrétegen vákuumgőzöléses vagy vákuumpárologtatásos eljárással.
A következő lépésben második villamosán vezető anyagból, például Al-ból vagy Ag-ből lévő, 0,1-2 pm vastagságú közbenső elektróda réteget (nincs ábrázolva) viszünk fel az alsó elmozdulást létrehozó 280 réteg tetejére vákuumpárologtatásos vagy vákuumgőzöléses eljárással. A második 240 elektróda vékonyréteg és a közbenső elektróda réteg ugyanazon villamosán vezető anyagból lehet.
Ezután a közbenső elektróda réteg oszlopirányú megmintázásával M darab mintázott közbenső 290 elektróda réteget állítunk elő, amint az a 3C. ábrán látható, fotolitográfiai vagy lézertrimmeléses eljárással, ahol a mintázott közbenső 290 elektróda rétegek egymástól el vannak választva és az alsó elmozdulást létrehozó 280 réteg egy részét fedik le oly módon, hogy a mintázott közbenső 290 elektróda rétegek által lefedett rész lefelé haladva körülveszi az ugyanazon oszlopban lévő 214 csatlakozókapcsokat.
A következő lépésben az alsó elmozdulást létrehozó 280 réteg anyagával azonos anyagból lévő és azzal azonos vastagságú felső elmozdulást létrehozó 270 réteget alakítunk ki a mintázott közbenső 290 elektróda rétegek és az alsó elmozdulást létrehozó 280 réteg tetején vákuumgőzöléses vagy vákuumpárologtatásos eljárással.
Az ezt követő műveleti lépésben a felső és az alsó elmozdulást létrehozó 270, 280 rétegeket oszlopirányban a második 240 elektróda vékonyréteg szabaddá válásáig megmintázzuk fotolitográfiai vagy lézertrimmeléses eljárással, és így M számú mintázott 160 réteget és megfelelő számú szabad második 241 elektróda vékonyréteget tartalmazó 150 mintázott szerkezetet állítunk elő, ahol a mintázott 160 rétegek egymástól egy szabad második elektróda 241 vékonyréteggel el vannak választva, és körülveszik a mintázott közbenső 290 elektróda rétegeket, amint az a 3E. ábrán látható. Ez a műveleti lépés kiemeli a vékonyréteggel működtetett 201 tükörelemekben lévő 180 működtetőrészt és 190 fényvisszaverő részt, ahol a 180 működtetőrész megfelel a mintázott 160 rétegnek, a 190 fényvisszaverő rész pedig megfelel a szabaddá tett elektróda 241 vékonyrétegnek.
Amint azt a 3F. ábra mutatja, villamosán vezető és fényvisszaverő anyagból, például Al-ból vagy Ag-ból lévő, 50-200 nm vastagságú első 230 elektróda vékonyréteget alakítunk ki a mintázott 150 szerkezeten vákuumpárologtatásos vagy vákuumgőzöléses eljárással félkész működtetett 300 szerkezet kialakítására.
HU 221 359 Β1
A fenti művelet után a félkész működtetett 300 szerkezetet sorirányban, az eltávolítandó 228 vékonyréteg szabaddá válásáig történő megmintázásával MxN darab félkész működtetett tükörelemből álló elrendezéssé (nincs ábrázolva) formáljuk fotolitográfiai vagy lézertrimmeléses eljárással, ahol a félkész működtetett tükörelemek tartalmaznak első 235 vékonyréteg elektródát, felső elmozdulást létrehozó 275 tagot, közbenső 295 elektródát, alsó elmozdulást létrehozó 285 tagot és második 245 vékonyréteg elektródát. A félkész működtetett szerkezetekben az első 235 vékonyréteg elektróda a második 245 vékonyréteg elektródához van csatlakoztatva a 190 fényvisszaverő résznél, amely villamosán a 214 csatlakozókapocsra és a tranzisztorra van csatlakoztatva. Ez lehetővé teszi az első 235 vékonyréteg elektróda és a második 245 vékonyréteg elektróda számára, hogy a vékonyréteggel működtetett 201 tükörelemekben jelelektródaként működjenek.
Végül a 228 eltávolítandó vékonyréteget maratással eltávolítjuk, és ezáltal kialakítjuk a 3G. ábrán látható, MxN darab vékonyréteggel működtetett 201 tükörelemből álló 200 elrendezést.
A 4. ábrán a találmány egy másik kiviteli alakja szerinti MxN darab vékonyréteggel működtetett 401 tükörelemből álló 400 elrendezés keresztmetszeti rajza látható, ahol a vékonyréteggel működtetett 401 tükörelemek tartalmaznak 380 működtetőrészt és 390 fényvisszaverő részt. A 400 elrendezés hasonló a 2. ábrán látható 200 elrendezéshez, azzal a különbséggel, hogy a vékonyréteggel működtetett 401 tükörelemek 390 fényvisszaverő részében lévő első és második 435, 445 vékonyréteg elektródák egymástól elmozdulást létrehozó anyagból lévő 370 réteggel el vannak választva, amely 370 réteg még jobban biztosítja a 390 fényvisszaverő rész szerkezeti épségének megőrzését.
Az 5A-5D. ábrákon az MxN darab vékonyréteggel működtetett 401 tükörelemből álló 400 elrendezés előállítási eljárását szemléltető vázlatos keresztmetszeti rajzok láthatók.
A 400 elrendezés előállítási eljárása hasonló a 2. ábrán lévő 200 elrendezéséhez, azzal a különbséggel, hogy a felső és az alsó elmozdulást létrehozó 470, 480 rétegek fotolitográfiai vagy lézertrimmeléses eljárással úgy vannak megmintázva, hogy az elmozdulást létrehozó anyag 370 rétege a második elektróda 440 vékonyréteg tetején maradjon a 390 fényvisszaverő részben, amint az az 5C. ábrán látható.
A fent ismertetett 200, 400 elrendezéseknél és azok előállítási eljárásánál, mivel a vékonyréteggel működtetett 201, 401 tükörelemek felső és alsó elmozdulást létrehozó tagjai kristálytanilag aszimmetrikus anyagból, például ZnO-ból vannak, amely viszonylag alacsony, például 200-300 °C hőmérsékleten alakítható, a kialakításkor elhagyható a magas hőmérsékleten végzett folyamat, ami lehetővé teszi, hogy az eltávolítandó vékonyréteghez alkalmazandó anyagot az anyagok szélesebb skálájából válasszuk.
Ezen túlmenően ZnO-nak vagy hasonló tulajdonságú anyagnak a felső és alsó elmozdulást létrehozó tagok számára való alkalmazása lehetővé teszi alacsony olvadási hőmérsékletű, ezért olcsóbb anyagok alkalmazását az első és második vékonyréteg ektródákhoz és közbenső vékonyréteg ektródákhoz, amivel lecsökkentjük az elrendezés előállítási költségét.
Ezen túlmenően, mivel az elrendezést a magas hőmérsékletű folyamat nélkül állítjuk elő, jobban megőrizhető annak szerkezeti épsége és ezért a teljesítménye.
Bár a találmányt konkrét előnyös kiviteli alakok alapján ismertettük, más módosítások és változatok is lehetségesek.
Claims (14)
- SZABADALMI IGÉNYPONTOK1. Vékonyréteggel működtetett tükörelemelrendezés optikai vetítőrendszerhez MxN tükörelemmel, ahol M és N egész számok, és az elrendezésben lévő oszlopok és sorok számát jelentik, azzal jellemezve, hogy MxN darab csatlakozókapocsból (214) álló elrendezéssel és Μ χ N darab tranzisztorból álló elrendezéssel rendelkező alapréteget (212) tartalmazó aktív mátrixa (210) van felső felülettel, és van továbbá MxN darab bimorf szerkezetű működtetőszerkezetből (250) álló elrendezése, amely működtetőszerkezetek (250) rendelkeznek első vékonyréteg elektróda (235) elülső részét, felső elmozdulást létrehozó (275) tagot, közbenső elektródát (295), alsó elmozdulást létrehozó tagot (285) és második vékonyréteg elektróda (245) elülső részét tartalmazó működtető résszel (180), valamint az első vékonyréteg elektróda (235) fennmaradó részét és a második vékonyréteg elektróda (245) fennmaradó részét tartalmazó fényvisszaverő résszel (190), ahol az elmozdulást létrehozó tagok (275, 285) kristálytanilag aszimmetrikus, hiszterézissel nem rendelkező, 200 °C és 300 °C közötti hőmérsékleten kialakított anyagból vannak, és ahol a második vékonyréteg elektródák (245) elülső részének alja villamosán egy-egy csatlakozókapocsra (214) és tranzisztorra van csatlakoztatva a második vékonyréteg elektróda (245) jelelektródaként való működtetésére, az alsó elmozdulást létrehozó tag (285) a második vékonyréteg elektróda (245) elülső részének tetején van elhelyezve, a közös előfeszítő elektródaként működő közbenső elektróda (295) az alsó elmozdulást létrehozó tag (285) tetején van kialakítva, a felső elmozdulást létrehozó tag (275) a közbenső elektróda (295) közrefogásával az alsó elmozdulást létrehozó tag (285) tetején van elhelyezve, és a fényvisszaverő és villamosán vezető anyagból lévő első vékonyréteg elektróda (235) a felső elmozdulást létrehozó tag (275) és a második vékonyréteg elektródának (245) a fényvisszaverő részben (190) lévő fennmaradó része tetején, az első és második vékonyréteg elektródákat (235, 245) összekötőén, az első vékonyréteg elektróda (235) tükörként és jelelektródaként való működését lehetővé tévőén van elhelyezve.
- 2. Az 1. igénypont szerinti tükörelem-elrendezés, azzal jellemezve, hogy az első és a második vékonyréteg elektróda (435, 445) a fényvisszaverő részben (390) egymástól villamosság hatására alakját változtató anyagból lévő réteggel van elválasztva.HU 221 359 Bl
- 3. Az 1. igénypont szerinti tükörelem-elrendezés, azzal jellemezve, hogy a felső és az alsó elmozdulást létrehozó tagok (275, 475, 285, 485) cink-oxidból vagy alumínium-nitridből vannak.
- 4. Az 1. igénypont szerinti tükörelem-elrendezés, azzal jellemezve, hogy a vékonyréteggel működtetett tükörelemekben (201,401) a felső és az alsó elmozdulást létrehozó tagok (275, 475, 285, 485) polarizációs iránya egymással megegyezik.
- 5. Eljárás optikai vetítőrendszerhez való, vékonyréteggel működtetett MxN tükörelemet tartalmazó elrendezés előállítására, ahol M és N egész számok, és a vékonyréteggel működtetett tükörelemek tartalmaznak fényvisszaverő részt és működtetőrészt, azzal jellemezve, hogy felső felülettel rendelkező aktív mátrixot (210) állítunk elő, amely aktív mátrix (210) tartalmaz alapréteget (212) MxN darab tranzisztorból álló elrendezéssel és MxN darab csatlakozókapocsból (214) álló elrendezéssel, az aktív mátrix (210) felső felületén eltávolítandó vékonyréteget (228) helyezünk el, az eltávolítandó vékonyrétegnek (228) az aktív mátrixban (210) levő csatlakozókapcsok (214) tetején kialakított részeit eltávolítjuk, az eltávolítandó vékonyrétegen (228) és az aktív mátrix (210) felső felületén második elektróda vékonyréteget (240) alakítunk ki, a második elektróda vékonyréteg (240) tetején alsó elmozdulást létrehozó réteget (280) helyezünk el, ahol az alsó elmozdulást létrehozó réteg (280) kristálytanilag aszimmetrikus, hiszterézissel nem rendelkező, és 200 °C és 300 °C közötti hőmérsékleten kialakított anyagból van, az alsó elmozdulást létrehozó réteg (280) tetején közbenső elektróda réteget alakítunk ki, a közbenső elektróda réteg oszlopirányú megmintázásával M darab mintázott közbenső elektróda réteget (290) alakítunk ki, ahol a mintázott közbenső elektróda rétegek (290) egymástól el vannak választva, és az alsó elmozdulást létrehozó réteg (280) részeit az ugyanazon oszlopban lévő csatlakozókapcsok (214) körülvételével fedik le, a mintázott közbenső elektróda rétegek (290) közrefogásával az alsó elmozdulást létrehozó réteg (280) tetején azzal megegyező anyagú felső elmozdulást létrehozó réteget (270) helyezünk el, a felső és az alsó elmozdulást létrehozó rétegeket (270, 280) oszlopirányban a második elektróda vékonyréteg (241) szabaddá válásáig megmintázzuk, és így M számú mintázott réteget (160) és annak megfelelő számú szabad második elektróda vékonyréteget (241) tartalmazó mintázott szerkezetet (150) állítunk elő a vékonyréteggel működtetett tükörelemek (201) működtetőrészének (180) és fényvisszaverő részének (190) kialakítására, ahol a vékonyréteggel működtetett tükörelemek (201) működtetőrészének (180) megfelelő mintázott rétegek (160) egymástól egy szabad második elektróda vékonyréteggel (241) el vannak választva, és a mintázott közbenső elektróda rétegeket körülvéve vannak kialakítva, a szabad második elektróda vékonyrétegek (241) pedig megfelelnek a vékonyréteggel működtetett tükörelemek (201) fényvisszaverő részének (190), villamosán vezető és fényvisszaverő anyagból lévő első elektróda vékonyréteget (235) alakítunk ki a mintázott szerkezet tetején félkész működtetett szerkezet (300) előállítására, a félkész működtetett szerkezetet (300) sorirányban, az eltávolítandó vékonyréteg (228) szabaddá válásáig történő megmintázással MxN darab félkész működtetett tükörelemből álló elrendezéssé formáljuk, ahol a félkész működtetett tükörelemek tartalmaznak első vékonyréteg elektródát (235), felső elmozdulást létrehozó tagot (275), közbenső elektródát, alsó elmozdulást létrehozó tagot (285) és második vékonyréteg elektródát (245), valamint az eltávolítandó vékonyréteget (228) eltávolítjuk, és ezzel az MxN darab vékonyréteggel működtetett tükörelemből (201) álló elrendezést (200) előállítjuk.
- 6. Az 5. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az eltávolítandó vékonyréteg (228) oxidból vagy polimerből van.
- 7. Az 5. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az eltávolítandó vékonyréteget (228) vákuumpárologtatásos vagy vákuumgőzöléses eljárással alakítjuk ki, ha az eltávolítandó vékonyréteg (228) oxidból van, és forgatásos bevonási eljárással, ha az eltávolítandó vékonyréteg (228) polimerből van.
- 8. Az 5. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a második elektróda vékonyréteget (241) és a közbenső elektróda réteget 0,1-2 pm vastagságúra alakítjuk ki.
- 9. A 8. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a második elektróda vékonyréteget (241) és a közbenső elektróda réteget vákuumpárologtatásos vagy vákuumgőzöléses eljárással alakítjuk ki.
- 10. Az 5. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a felső és az alsó elmozdulást létrehozó rétegeket (270, 280) vákuumgőzöléses vagy vákuumpárologtatásos eljárással alakítjuk ki.
- 11. A 10. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a felső és az alsó elmozdulást létrehozó rétegeket (270, 280) 0,1-2 pm vastagságúra alakítjuk ki.
- 12. Az 5. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az első elektróda vékonyréteget (235) 50-200 nm vastagságúra alakítjuk ki.
- 13. A 12. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az első elektróda vékonyréteget (235) vákuumpárologtatásos vagy vákuumgőzöléses eljárással alakítjuk ki.
- 14. Az 5. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a felső és az alsó elmozdulást létrehozó rétegek (270, 280) oszlopirányú megmintázásakor elmozdulást létrehozó anyagból lévő réteget hagyunk a fényvisszaverő részben (190) lévő második elektróda vékonyréteg (241) tetején.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940034972A KR100203577B1 (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 광로조절장치와 그 제조방법 |
| PCT/KR1995/000153 WO1996019896A1 (en) | 1994-12-19 | 1995-11-22 | Low temperature formed thin film actuated mirror array |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| HUT77725A HUT77725A (hu) | 1998-07-28 |
| HU221359B1 true HU221359B1 (en) | 2002-09-28 |
Family
ID=19402117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| HU9800814A HU221359B1 (en) | 1994-12-19 | 1995-11-22 | Low temperature formed thin film actuated mirror array |
Country Status (18)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5706121A (hu) |
| EP (1) | EP0718658B1 (hu) |
| JP (1) | JP3523881B2 (hu) |
| KR (1) | KR100203577B1 (hu) |
| CN (1) | CN1070330C (hu) |
| AR (1) | AR000913A1 (hu) |
| AU (1) | AU703795B2 (hu) |
| BR (1) | BR9510206A (hu) |
| CA (1) | CA2208089A1 (hu) |
| CZ (1) | CZ188297A3 (hu) |
| DE (1) | DE69521283T2 (hu) |
| HU (1) | HU221359B1 (hu) |
| MY (1) | MY113094A (hu) |
| PE (1) | PE55296A1 (hu) |
| PL (1) | PL178495B1 (hu) |
| RU (1) | RU2156487C2 (hu) |
| TW (1) | TW305945B (hu) |
| WO (1) | WO1996019896A1 (hu) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5991064A (en) * | 1996-06-29 | 1999-11-23 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array and a method for the manufacture thereof |
| GB9625512D0 (en) * | 1996-12-09 | 1997-01-29 | Crosfield Electronics Ltd | Radiation beam scanning apparatus and method |
| US20060152830A1 (en) * | 2005-01-12 | 2006-07-13 | John Farah | Polyimide deformable mirror |
| CN101511960A (zh) * | 2006-08-31 | 2009-08-19 | 太尔公司 | 用于低排放产品的含有天然化合物的新型复合粘合剂 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3544201A (en) * | 1968-01-02 | 1970-12-01 | Gen Telephone & Elect | Optical beam deflector |
| US4615595A (en) * | 1984-10-10 | 1986-10-07 | Texas Instruments Incorporated | Frame addressed spatial light modulator |
| US4793699A (en) * | 1985-04-19 | 1988-12-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection apparatus provided with an electro-mechanical transducer element |
| US5172262A (en) * | 1985-10-30 | 1992-12-15 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
| JPS63117671A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-21 | Minolta Camera Co Ltd | バイモルフ駆動素子 |
| JPH088777B2 (ja) * | 1986-11-05 | 1996-01-29 | 三菱電機株式会社 | インバ−タ装置の制御回路 |
| US5185660A (en) * | 1989-11-01 | 1993-02-09 | Aura Systems, Inc. | Actuated mirror optical intensity modulation |
| US5126836A (en) * | 1989-11-01 | 1992-06-30 | Aura Systems, Inc. | Actuated mirror optical intensity modulation |
| GB2239101B (en) * | 1989-11-17 | 1993-09-22 | Marconi Gec Ltd | Optical device |
| US5085497A (en) * | 1990-03-16 | 1992-02-04 | Aura Systems, Inc. | Method for fabricating mirror array for optical projection system |
| JP3148946B2 (ja) * | 1991-05-30 | 2001-03-26 | キヤノン株式会社 | 探針駆動機構並びに該機構を用いたトンネル電流検出装置、情報処理装置、圧電式アクチュエータ |
| US5170283A (en) * | 1991-07-24 | 1992-12-08 | Northrop Corporation | Silicon spatial light modulator |
| US5175465A (en) * | 1991-10-18 | 1992-12-29 | Aura Systems, Inc. | Piezoelectric and electrostrictive actuators |
| US5159225A (en) * | 1991-10-18 | 1992-10-27 | Aura Systems, Inc. | Piezoelectric actuator |
| US5247222A (en) * | 1991-11-04 | 1993-09-21 | Engle Craig D | Constrained shear mode modulator |
| WO1995013683A1 (en) * | 1993-11-09 | 1995-05-18 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof |
| US5481396A (en) * | 1994-02-23 | 1996-01-02 | Aura Systems, Inc. | Thin film actuated mirror array |
-
1994
- 1994-12-19 KR KR1019940034972A patent/KR100203577B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-11-18 MY MYPI95003523A patent/MY113094A/en unknown
- 1995-11-18 TW TW084112258A patent/TW305945B/zh active
- 1995-11-22 AU AU38820/95A patent/AU703795B2/en not_active Ceased
- 1995-11-22 WO PCT/KR1995/000153 patent/WO1996019896A1/en not_active Application Discontinuation
- 1995-11-22 DE DE69521283T patent/DE69521283T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-22 CA CA002208089A patent/CA2208089A1/en not_active Abandoned
- 1995-11-22 PL PL95320827A patent/PL178495B1/pl unknown
- 1995-11-22 CN CN95196838A patent/CN1070330C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-22 HU HU9800814A patent/HU221359B1/hu unknown
- 1995-11-22 BR BR9510206A patent/BR9510206A/pt not_active IP Right Cessation
- 1995-11-22 CZ CZ971882A patent/CZ188297A3/cs unknown
- 1995-11-22 EP EP95118378A patent/EP0718658B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-22 JP JP51967796A patent/JP3523881B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-22 RU RU97112466/09A patent/RU2156487C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1995-11-23 AR ARP950100283A patent/AR000913A1/es unknown
- 1995-11-30 US US08/565,713 patent/US5706121A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-06 PE PE1995286536A patent/PE55296A1/es not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BR9510206A (pt) | 1997-11-04 |
| AU703795B2 (en) | 1999-04-01 |
| AR000913A1 (es) | 1997-08-27 |
| WO1996019896A1 (en) | 1996-06-27 |
| RU2156487C2 (ru) | 2000-09-20 |
| KR960028118A (ko) | 1996-07-22 |
| AU3882095A (en) | 1996-07-10 |
| DE69521283D1 (de) | 2001-07-19 |
| KR100203577B1 (ko) | 1999-06-15 |
| PE55296A1 (es) | 1996-12-03 |
| CA2208089A1 (en) | 1996-06-27 |
| DE69521283T2 (de) | 2001-09-20 |
| PL320827A1 (en) | 1997-11-10 |
| TW305945B (hu) | 1997-05-21 |
| MX9704519A (es) | 1997-10-31 |
| HUT77725A (hu) | 1998-07-28 |
| CN1070330C (zh) | 2001-08-29 |
| CN1176727A (zh) | 1998-03-18 |
| MY113094A (en) | 2001-11-30 |
| JPH10510931A (ja) | 1998-10-20 |
| PL178495B1 (pl) | 2000-05-31 |
| US5706121A (en) | 1998-01-06 |
| JP3523881B2 (ja) | 2004-04-26 |
| CZ188297A3 (cs) | 1998-03-18 |
| EP0718658A1 (en) | 1996-06-26 |
| EP0718658B1 (en) | 2001-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2141175C1 (ru) | Тонкопленочная приводимая в действие зеркальная матрица для использования в оптической проекционной системе и способ ее изготовления | |
| JP3283881B2 (ja) | Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法 | |
| AU693139B2 (en) | Array of thin film actuated mirrors for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof | |
| HU221360B1 (en) | Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof | |
| JP3797682B2 (ja) | Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法 | |
| HU220466B1 (hu) | Vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés optikai vetítőrendszerhez és eljárás annak előállítására | |
| US5735026A (en) | Method for the manufacture of an electrodisplacive actuator array | |
| US5768006A (en) | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system | |
| CN1057392C (zh) | 制造薄膜可驱动反射镜阵列的改进方法 | |
| US5627673A (en) | Array of thin film actuated mirrors for use in an optical projection system | |
| JPH07181403A (ja) | 光投射型システムに用いられる電歪アクチュエイテッドミラーアレイ | |
| HU221359B1 (en) | Low temperature formed thin film actuated mirror array | |
| US5610773A (en) | Actuated mirror array and method for the manufacture thereof | |
| CN1161462A (zh) | 带有温度补偿层的薄膜致动的反射镜阵列 | |
| AU717083B2 (en) | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system | |
| KR100208690B1 (ko) | 향상된 반사능을 갖는 광로 조절 장치 및 이의 제조 방법 | |
| CN1226320A (zh) | 用于光学投影系统中的薄膜致动反射镜阵列 | |
| MXPA97004519A (en) | Formation of mirrors accessed by peliculelelade formed to low temperat | |
| JP2002500783A (ja) | 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法 |