JPS63117671A - バイモルフ駆動素子 - Google Patents

バイモルフ駆動素子

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JPS63117671A
JPS63117671A JP61261362A JP26136286A JPS63117671A JP S63117671 A JPS63117671 A JP S63117671A JP 61261362 A JP61261362 A JP 61261362A JP 26136286 A JP26136286 A JP 26136286A JP S63117671 A JPS63117671 A JP S63117671A
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JP
Japan
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bimorph
electrodes
electrode
shutter
circuit
Prior art date
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Application number
JP61261362A
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English (en)
Inventor
Yoshihiro Tanaka
良弘 田中
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Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
    • H10N30/2041Beam type
    • H10N30/2042Cantilevers, i.e. having one fixed end

Landscapes

  • Shutters For Cameras (AREA)
  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は、シャッター駆動等に用いられるバイモルフ駆
動素子に間する。
ロ、従来の技術 バイモルフは2枚の電歪素子板を導電体(シム材)を挟
んで接着したもので、これを駆動源として働かせるため
には、第6図(B)のように、真中のシム材を中央電極
とし、両件側電歪素子表面の電極をつないで他方の電極
とし、両電極間に電圧を印加する必要がある。その電圧
は素子の材料によって異なるが、数十ボルトから数百ボ
ルトの程度である。この印加電圧の極性を逆にすると、
バイモルフの変位の方向が逆になる。バイモルフに駆動
電圧を印加するためには、中央と両外側の電極を取出す
必要がある。第7図(A)に、中央電極の取り出し方法
の一例を示す、一般にバイモルフは2枚のセラミック1
4aと14bに挟まれたシム14cをそのまま或は部分
的にセラミックよりも外側まで延長して、中央の電極と
して用いられていることが多い0次に両外側の電極につ
いて考える。一般には、バイモルフの外側電極14d、
14eは銀或は銀糸の合金を印刷或は蒸着して作られて
おり、従って、従来は第7図(B)に示すように、外側
電極からリード線りを引出すためには銀電極面に直接リ
ード線りをハンダ付けし、両側から取出したリード線を
束ねて一本のリード線にしている。しかしながら、バイ
モルフのような薄い平板(t−0,5+u程度)の両面
にハンダ付をすることは、一方のリード線をハンダ付す
る時、先に付けた反対側のリード線のハンダが溶けてし
まうために、非常に作業性が悪く、この外側電極リード
線の引出し方法の作業性の低さがバイモルフの実用化の
妨げの一因とのなっていた。
本件特許出願人によって、第3図に示すように、バイモ
ルフの端部に挟持力を有する金属板14fを決みつけ、
この金属板から外付電極を延出構成する構造が提案され
ている。これによ−ノて上記作業性の低さは改善される
が、なお、性能上下記に示すような問題点が発生する。
それは外側1tN!の上に付けた外付電極と中央電極の
シムとの間隔である。一般にバイモルフの厚みは全体で
0.5m鳳程度のものであり、その内セラミック1層の
厚みは0.1〜0.2+am程度である。従って、例え
ば第3図に示した様に、セラミック14a、14bとシ
ム14cの接着の位置精度がずれてシムの端がセラミッ
クの端より外に出た場合には、シムと外付電極とが0.
1〜0.2Hの間隔で対面することになる。そして、シ
ムと外付電極の間には、バイモルフ駆動のための高電圧
(数十〜数百ボルト)が印加されるわけであるから、シ
ムと外付電極の間での放電現象が起き、正常なバイモル
フの駆動が出来なくなることがある。
ハ1発明が解決しようとする問題点 シャッター駆動等に用いられるバイモルフ駆動素子にお
いて、中央電極と外(11電極に印加される電圧は高電
圧(数十〜数百ボルト)であるから、両電極が近接して
いると、放電現象が発生することがある。バイモルフ駆
動素子には安定した駆動力が要求される場合が多く、そ
のためには安定した電圧が印加されなければならない、
しかし、放電現象はバイモルフ駆動素子に印加する電圧
に変動を起こし、バイモルフ駆動素子の駆動精度を不安
定にすると云う問題を起こすために、極力発生を押さえ
る必要がある。
本発明は、バイモルフのリード線接続の作業性の向上を
計りながら、かつ、両電極間における放電現象の発生を
防止して、上述した問題を解消することを目的とする。
二9問題点解決のための手段 バイモルフ駆動素子において、外側電極に導電体を密着
接続し、かつその導電体の一部をバイモルフの一端から
突出させて接続端子とし、中央電極において上記接続端
子と近接する部分を切除して切欠部を設けた。
ホ1作用 バイモルフ駆動素子の外付電極と中央電極の両電極間の
放電は両電極間の間隔が狭いなめに発生するのであるか
ら、両電極間の放電現象を防止するために、両電極間の
間隔を広げれば良いと云うことに着目し、外付電極の突
出端子と中央電極゛の突出端子を近接しないように設け
、なお外付電極の突出端子に近接している中央電極の端
部を切り欠くようにして、外付電極と中央電極の両電極
間隔を広くするようにした。このことにより、両電極間
で発生する放電現象を押さえることが出来るようになっ
た。
へ、実施例 本発明の実施例を第1図に示す、第1図において、14
a、14bはバイモルフ14の構成要素である電歪性セ
ラミック、14cはセラミック14a、14cに挟まれ
た金属板で、バイモルフ14の構成要素であるシムであ
り、バイモルフ14から一部を突出させて中央電極の接
続端子部を構成させ、外付電極14fから延出した接続
端子部Mと近接した部分を切欠き切欠部Nを設けている
、14d、14eはセラミック14a、14bの外表面
に銀或は銀糸の合金を印刷或は蒸着して形成した外側電
極である。外付電極14fは第1図Bに示すように外側
電極14d、14eを挟持する上下2部分を接続端子部
で連結した形の一枚板で、これをMの部分で二つ折にし
てバイモルフの一端を挟みつけ、Mの部分をバイモルフ
14の一端から突出させて接続端子部としたものである
この構成で放電現象の防止原理について説明する。中央
電極であるシム14cは第1図に示すように、シム14
cの端子側の端部のうち外付1を極14fと対向近接し
ている部分を放電が起きる心配のないところ迄半円形に
切り欠いて切欠部Nを設けている。この切欠部N形成に
よって、両電極間の間隙が広がり放電現象が防止できる
。また、この切欠部Nの製作は、シム14cの外形を作
るのと同時にプレスで打ち抜くことが出来るので、工程
は従来と同じで良く、製作精度は高いから、放電に対す
る信頼性は非常に高くなる。勿論、切欠部Nの形状は半
円形に限るものでなく、シム14Cと外付電極14fの
距離をとることが出来ればどのような形状でも良い、外
付電極14fは第1図Bに示すように、両件側電極を挟
持するようにバイモルフ14の一端に固定されている。
このためにハンダ付等を行う場合、作業性が良く、また
、両件側電極を挟持する方法によってはハンダ付も必要
では無くなる0以上に示したように、バイモルフのシム
及び外付電極の形状を工夫することにより、バイモルフ
の実装面での作業性・信頼性さらに性能面での信頼性の
向上が得られる。
第2図A−Dに本発明の他の実施例を示す、上述および
これらの実施例の共通の考え方は、バイモルフの外側電
極14d、14eの両方を1つの金属部分(外付電極1
4f)で挟み込み、その外付電極14fをバイモルフ1
4の一端の外側まで延長して、外側電114d、14e
の共通の接続端子とすると云う考え方である。これによ
ってバイモルフと駆動電源との接続構造を構成する場合
の作業性が向上する。そして上記延出した接続端子部M
とシム14cとの間の放電防止のため、シムの端部の上
記接続端子部Mとの対向する部分に切欠きを設けるもの
である。第2図の(A)及び(B)はその外付電極14
fに弾性力を持たせて外側電極14d、14eの両側か
らバイモルフ14を挟持することにより、ハンダ付或は
導電性の接着を不要としたものである。又、第2図(C
)は、ワイヤーで出来た部材(挟持バネ14g)を、別
体のバイモルフ保持のための部品(ここではモールド成
形されたチリ取量の箱体に金属板の外付電極14fを天
井板としてインサートしたが、挟持部材14gと接続し
て接続端子部Mを構成するような部材を包含していれば
、他の構成でも良い)で外側電極14d、14eに圧接
させるようにバイモルフ14の一端に嵌着する方法であ
る。
勿論、ワイヤーではなく金属板で両件側電極14d、1
4eを挟持しても良い、そして、第2図(D)は金属板
の外付電極14fで両件側電極を挟持して、その外付電
極14fをハンダ付或は導電性の接着を行った例である
。この場合のハンダ付は、外付電極14fが自刃でバイ
モルフの端部に取付いているので、リード線のハンダ付
と違って、自動的に機械でハンダ付が可能であり、作業
性は非常に良く、又、信頼性も高い、これら第2図A〜
Dに示す何れの実施例においても、中央電極14cにお
いて外付電極14fに近接する部分に切欠部Nを設けて
いる。
以上に示したように中央電極と外側電極の接続端子を取
出すと、第4図に示すように、バイモルフとその駆動回
路の間を接続するのに、差込み式のコネクターを用いて
結線することが可能になり、作業性が非常に良くなり、
又、バイモルフのように駆動に高電圧(数十ボルトから
数百ボルト)を必要とするものにあっては、手作業によ
るハンダ付の場合に発生するハンダのはみ出しがなくな
り安全性にも寄与する。
また、この接続端子部にリード線をハンダ付しても、バ
イモルフに直接リード線をハンダ付することに比べれば
、格段に作業性が良い0以上に提案した様なバイモルフ
の電極を用いれば、第7図(B)に示した様な従来のバ
イモルフに比べて非常に取扱いがしやすく、その分応用
の範囲も広くなる。なお、バイモルフの外側電極に一枚
の板状の導電体を、ハンダ付により密着接続した構造に
おいても、本発明を適用することができる。
第5図に本発明のバイモルフを駆動源としたシャッター
駆動装置の一実施例を示す、この実施例はシャッターが
絞りを兼ねて、被写体輝度によって決まる開口値まで、
一定速度で開いて行く型のシャッター装置であり、片支
持のバイモルフ14に生じる駆動力によって、一対のシ
ャッター羽根2.4を同時に互いに反対方向に回動させ
、シャッター羽根2,4に設けたシャッター開度検知用
小孔群の合致を、後部の光検出素子10により検知し、
指定したシャッターの開口位置を、上記光検出素子10
の光検出回数により検知する。即ち、上記光検出回数が
所定の回数になれば、シャッター開度が指定した開度に
なったと判断し、シャッター羽根の開動を中止し、シャ
ッター羽根を初期位置に戻す動作を行うような構成にし
である。
次に構成される個々の部品の働きについて説明を行う、
第5図において、シャッター羽根2及び4はシャッター
台板6に固定された軸8に回動可能に保持されており、
露出開口6aの中心と軸8の中心を結ぶ線に対して対称
な形状である。シャッター羽根2及び4に設けられた長
孔2b、4bは開閉レバー12に設けられた係合ピン1
2a。
12bと係合し、係合ビン12a、12bの移動によっ
てシャッター羽根2及び4を回動させる。
シャッター羽根2及び4に設けられたV字状の切欠の開
口部2a、4aは上記の回動により露出開口6aを開閉
する。シャッタ羽根2及び4に複数の小孔2A、2B、
2C,2D、2E及び4A。
4B、4C,4D、4Eを軸8を中心、とする同一円周
上に、また露出開口6aの中心と軸8の中心を結ぶ線に
対して対称に設け、シャッター羽根2及び4の回動に合
わせて上記小孔群が移動し、白板の切欠6bに設置した
光検出素子10の測定値t 10 aにおいて、小孔2
Aと4Aは羽根開口直前に、小孔2Bと4Bは最小口径
絞りまで開いた時点で、小孔2Eと4Eは最大口径絞り
まで開いた時点で重なるように配置されており、その他
の小孔2Cと4C,2Dと4Dはシャッタ羽根が最小口
径と最大口径の絞りの中間の所定絞りまで開いた時点で
重なるように配置されている。なお、小孔は検出すべき
絞り値に対応して適当な数を適当な位置に設ければ良い
、シャッター台板6には露出開口6a、光検出素子10
を設置するための切欠6b、 rM開閉バー12に立て
たピン12a。
12bが接触して、同レバーの動きを妨げるのを避ける
ための長孔6c、6dが設けられている。
シャッタ開閉レバー12はシャッタ台板6上の軸16に
回動可能に保持されており、図上右端部には軸8と接触
しないように設けた長孔12eとシャッタ羽根の長孔2
b、4bに係合するピン12a、12bを長孔12eに
対してほぼ対称に設け、図上の左端はコ字形に形成した
先端部に、バイモルフ14の先端部を挟持するようにピ
ン12c、12dを設けられている。バイモルフ14は
一方の端部をピン12c、12dによって挟持され、も
う一方の端部を保持板18によって固定されている。
第5図に示したシャッター閉成状態において、バイモル
フ14に電圧を印加すると、バイモルフ14が保持板1
8側の端を固定端として時計方向に回動変位し、これに
より駆動力が発生する。その駆動力により開閉レバー1
2が時計方向に回動駆動されると、ピン12a及び12
bによって、シャッタ羽根2,4の長孔2b、4bが押
動されて、シャッタ羽根2.4が相互に開く方向に回動
せしめられる。
シャッター羽根2.4の回動に伴い小孔2Aと4A、2
Bと4B、2Cと4C,2Dと4D、2Eと4Eが順次
互いに重なり合う、光検出素子10は、測定値t 10
 aにおいて、その重なりを検知して信号を出力し、そ
の検知信号の出力回数が所定の回数になれば、制御回路
は指定したシャッター開度になったと判断し、バイモル
フ14への電圧の印加を中止して、シャッター羽根2.
4の開動を中止し、シャッター羽根2.4を初期位置に
戻す動作が行われる。
次に上記の動作を制御する制御回路の一実施例を第6図
に示す9点線で囲まれた充電回路27はバイモルフBi
をトランジスターTr3のコレクター回路に挿入し、ベ
ース電圧が一定部ちベース・エミッター間電圧が一定な
らばコレクター電流はコレクター電圧に関係なくほぼ一
定であると云うトランジスターの増幅特性を利用してバ
イモルフBiが定電流で充電されるようにする回路であ
る。
21は被写体の輝度Bv値を測定する測光回路、22は
フィルム感度Sv値を読み取るフィルム感度読取回路、
23は第5図の光検出素子10を回路に組込んだ開口位
置検出回路である。24は演算回路で輝度Bv値とフィ
ルム感度Svとから露出値Evを演算し、露出制御回路
25に出力する、露出制御回路25はシャッターレリー
ズ操作によって閉じられるスイッチS2の閉成によりバ
イモルフ充電回路27にバイモルフB1の充電信号を出
力し、開口位置検出回路23から露出制御回路25に入
力されるパルス信号が露出値Evに対応する個数になっ
た時に、上記充電信号をストップさせると共にバイモル
フ充電電荷を放電させる信号を出力させる。バイモルフ
充電回路27は露出制御回路25からの制御信号に基づ
いてバイモルフBiを定電流で充電したり、充電された
電荷をはり瞬時に放電したりする回路である。昇圧回路
26はバイモルフ充電に必要な最高電圧まで電源電圧を
昇圧させる昇圧回路で、電子閃光装置に用いられている
昇圧回路が共用される。尚、バイモルフ14(Bi)は
第6図(B)に示したように、中央電極が昇圧回路側、
両側電極がトランジスターTr3のコレクター側に接続
され、中央電極と両側電極との間に正の電圧が印加され
ることにより、第5図(A)で保持板18側の一端を固
定端もして時計方向に回動変位する方向に取付るものと
する。
不図示のメインスイッチがONされると、電子閃光装置
の昇圧回路26に給電vOが行われ、昇圧回路26によ
り、メインコンデンサー〇が所定の電圧まで充電される
。続いて不図示のレリーズボタンの第1段の押下により
、不図示のスイ・ノチがONL昇圧回路26を除く他の
回路に給電v1が行われる。これにより測光回路21が
働き、被写体の輝度をBv値として演算回路24に出力
する。フィルム感度読取回路22はフィルムパトローネ
上のDXコードからフィルム感度を自動的に読みとり、
Sv値として演算回路24に出力する、演算回路24は
上記入力された輝度Bv値とフィルム感度Svとから露
出値Evを演算し、露出制御回路25に出力する。この
段階で露出制御回路25は、出力端子a、b共にハイレ
ベル信号を出力しており、第6図(C)に示すように、
トランジスタTri、Tr2共にONであり、従って、
バイモルフB1駆動及び初期化を行うトランジスタTr
3及びTr4はOFFの状態で、バイモルフBiの充電
電荷はOになっている。
次に撮影を行うべく不図示のレリーズ釦が第2段(第1
段より深いストローク)まで押下されるとレリーズスイ
ッチS2がONする。これにより露出制御回路25は出
力端子aにOレベル、端子すには引続きハイレベルの信
号を出力し、第6図(C)に示すようにバイモルフ充電
回路27のトランジスタTr2を0FFL、トランジス
タTr3をONする。トランジスタTr3は定電流工1
を流すために、ベース・エミッタ間にダイオードD1が
接続され、ダイオードD1には定電流電源Iによって定
電流が流されるようになっている。
このためトランジスタT r 3のベース・エミッタ間
電圧は一定に保たれ、Tr3のコレクタ電流Ilが一定
となる。尚VRは定電流■、を調整する為の可変抵抗で
ある。上記のように、バイモルフBiが定電流IIによ
って充電されると、その充電電圧に比例した駆動力がバ
イモルフB1に発生してくる。この駆動力により上述し
たようにシャッターが開口されていく、シャッターが開
口していくと、開口位置検出回路23からシャッターの
開口に応じてパルスが順次露出制御回路に出力される。
露出制御回路25は演算された露出値Evに応じたパル
ス数が入力されると、出力端子aにハイレベル、出力端
子すに0レベルの信号を出力し、第6図(C)に示すよ
うに、トランジスタTr2をONし、トランジスタTr
3をOFF’して、シャッター開口を停止させ、これと
同時にシャッター閉成を制御するトランジスタTriを
OFFし、トランジスタTr4を短時間ONにして、バ
イモルフBiを短絡させる。バイモルフBiはこの短絡
により初期位置に復帰するように動き、シャッターを閉
成する。第6図(C)に上記各トランジスターの作動信
号図を示す。
ト、効果 本発明によれば、外側電極に密着接続した導電体の一部
をバイモルフの一端より突出させた接続端子と近接する
中央電極の一部を切取って、切欠部を設けることにより
、両電極間の間隙が広がったことで、放電現象がなくな
り、性能面での安定性が向上した。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例で同図Aは平面図、同図Bは
断面図、第2図は本発明の他の実施例を示し、同図Aは
外付電極を金属板でヘアピン形状で形成した場合の平面
図と側面図、同図BはSUSワイヤーでゼムピン形状に
形成させた外付電極の場合の平面図と側面図、同図Cは
SUSワイヤーでバイモルフを挟持し且つその上面をバ
イモルフホルダーで被覆した場合の側断面図、同図りは
金属板の外付電極で外側電極を挟持し且つ外付電極と外
側電極をハンダ付した場合の平面図と側断面図、第3図
は放電現象の説明図、第4図は接続方法の具体例、第5
図は上記発明品のバイモルフを用いたシャッタ駆動装置
の一実施例の機構部で(A)図は平面図、(B)図は断
面図、第6図は上記実施例の回路構成で(A)図は回路
図、  (B)図はバイモルフの配線図、(C)図は回
路動作のタイムチャート、第7図は従来例の接続端子の
引出し説明図である。 14・・・バイモルフ、14a・・・セラミック、14
b・・・セラミック、14C・・・シム、14d・・・
外側電極、14e・・・外側?!極、14f・・・外付
電極1M・・・接続端子部、N・・・切欠部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  バイモルフの外側電極に導電体を密着接続し、かつそ
    の導電体の一部をバイモルフの一端から突出させて接続
    端子とし、中央電極において上記接続端子と近接する部
    分を切除して切欠部を設けたことを特徴とするバイモル
    フ駆動素子。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0718658A1 (en) * 1994-12-19 1996-06-26 Daewoo Electronics Co., Ltd Low temperature formed thin film actuated mirror array
EP1528608A3 (en) * 2003-10-27 2005-08-03 Nec Tokin Corporation Bending actuator having beam-deflection limiting structure

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