JP3283881B2 - Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法 - Google Patents

Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法

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    • Y10S359/00—Optical: systems and elements
    • Y10S359/904—Micromirror

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、光投射システムに関し、特に、このシステ
ムで用いるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイ及びその製造方法に関する。
従来の技術 従来の多様な映像表示システムの中で、光投射システ
ムは大画面で高画質の映像を表示できるものとして知ら
れている。このような光投射システムにおいては、ラン
プから発する光は、例えば、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテ
ッドミラーよりなるアレイ（以下、「Ｍ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーアレイ」と称する）上に一様に
照射される。ここで、各ミラーは各アクチュエータに接
続されている。このアクチュエータは印加される電界に
応じて、構造的に変形する圧電材料または電歪材料のよ
うな電気的に変形可能な物質でできている。各ミラーか
ら反射された光ビーム（以下、「反射光ビーム」と称す
る）は、例えば、光バッフルの開口に入射する。電気信
号を各アクチュエータに供給することによって、各ミラ
ーからの反射光ビームの光路が偏向される。各反射光ビ
ームの光路が偏向される場合、各ミラーから反射され開
口を通過する光の量が変化することによって、光の強さ
が調節できる。開口を通じて光量が調節された光ビーム
は、投射レンズのような適切な光学デバイスを通じて投
射スクリーン上に投影され、スクリーン上に画像が表示
される。
図１には、光投射システムで用いるＭ×Ｎ個の電気的
に変形可能なアクチュエーテッドミラーアレイ10の断面
図が示されている。このアレイ10は、本特許出願と出願
人を同じくする係属中の米国特許出願の明細書に、「EL
ECTRODISPLACIVE ACTUATED MIRROR ARRAY」との名称
で開示されており、基板12及びＭ×Ｎ個のトランジスタ
ｋアレイを有する能動マトリックス11と、一対の駆動部
材14及び15、一対のバイアス電極16及び17、共通信号電
極18を有するＭ×Ｎ個の電気的に変形可能なアクチュエ
ータ30よりなるアレイ13と、この電気的に変形可能なア
クチュエータ30にそれぞれ嵌められたＭ×Ｎ個のヒンジ
31のアレイ19と、能動マトリックス11と各共通信号電極
18とを電気的に接続するのに用いられるＭ×Ｎ個の接続
端子22のアレイ20と、Ｍ×Ｎ個のヒンジ31の上部に設け
られたＭ×Ｎ個のミラー23のアレイ21とから構成されて
いる。
また、本願に適用される上記引用例においては、30〜
50μｍの厚さを有するセラミックウェーハを採用するＭ
×Ｎ個の電気的に変形可能なアクチュエーテッドミラー
アレイの製造方法も開示されている。
しかしながら、上記のＭ×Ｎ個の電気的に変形可能な
アクチュエータの製造方法に関して、幾つかの問題点が
ある。第一、30〜50μｍの厚さのセラミックウェーハを
得ることが大変困難であり、更に、セラミックウェーハ
の厚さを30〜50μｍに減らすとしても、その特性が劣化
され製造プロセスを行うに困難さがある。
更に、製造の時間が相当にかかり、制御が難しく、且
つ面倒なプロセスによって所要の再現性、信頼性及び生
産性が低下し、且つその大きさを縮小するのが大変困難
であるという不都合がある。
発明の概要 従って、本発明の目的は、電気的に変形可能な薄膜セ
ラミックウェーハを用いずに、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレイを製造する方法を提供すること
にある。
本発明の他の目的は、半導体製造に通常用いる薄膜技
法を採用して、より高い再現性、信頼性及び生産性を与
え得るＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ
を製造する新規な方法を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、電気的に変形可能で、導
電性で、且つ光反射性を有する物質からなる複数の薄膜
層が組み込まれた新規な構造を有するＭ×Ｎ個のアクチ
ュエーテッドミラーアレイを提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の一実施例によ
れば、光投射システムで用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アク
チュエーテッドミラーアレイ（Ｍ及びＮは正の整数）で
あって、基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ、及び
Ｍ×Ｎ個の接続端子のアレイを有する能動マトリックス
と、上面及び下面、近位の部分及び遠位の部分を有して
おり、各々が少なくとも、上面及び下面を有し電気的に
変形可能な物質から成る薄膜層と、各々が特定の厚さで
前記薄膜層の前記上面に位置する第１電極と、前記下面
に位置する第２電極とを含み、電気信号が前記第１電極
と前記第２電極との間に設けられた前記薄膜層の両端に
印加される場合、前記薄膜層と共に変形されるＭ×Ｎ個
の薄膜駆動構造体のアレイと、上面及び下面を有してお
り、前記薄膜駆動構造体の各々を支持すると共に、前記
薄膜駆動構造体と前記能動マトリックスとを電気的に接
続するＭ×Ｎ個の支持部材のアレイと、前記各薄膜駆動
構造体の変形に応じて、前記各薄膜駆動構造体の上面に
設けられ、各々が変形して入射した光ビームを反射させ
るＭ×Ｎ個のミラーのアレイとを含むことを特徴とする
Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイが提供
される。
本発明の他の実施例によれば、光投射システムで用い
られるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ
の製造方法であって、上面及び下面を有し、基板、Ｍ×
Ｎ個のトランジスタのアレイ及びＭ×Ｎ個の接続端子の
アレイを備える能動マトリックスを準備する第１工程
と、前記能動マトリックスの上面に、前記Ｍ×Ｎ個の薄
膜アクチュエーテッドミラーアレイのＭ×Ｎ個の支持部
材のアレイに対応するＭ×Ｎ個のペデスタルのアレイと
犠牲エリアとを有する支持層を形成する第２工程と、前
記支持層の前記犠牲エリアを除去する第３工程と、第１
薄膜電極層を前記支持層に形成する第４工程と、第１薄
膜電極層を前記変形可能な薄膜層に形成する第５工程
と、第２薄膜電極層を前記変形可能な薄膜層に形成する
第６工程と、光反射性の物質からなるミラー層を、前記
第２薄膜電極層に形成する第７工程と、前記支持層の前
記犠牲エリアを除去して、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレイを形成する第８工程とを含むこ
とを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーアレイの製造方法が提供される。
図面の簡単な説明 図１は、従来のＭ×Ｎ個の電気的に変形可能なアクチ
ュエーテッドミラーアレイの断面図である。
図２は、本発明の第１実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーアレイの断面図である。
図３は、図２に示す薄膜アクチュエーテッドミラーの
詳細な断面図である。
図４は、本発明の第１実施例に基づいて、ミラーと第
１電極との間に弾性層を設けた薄膜アクチュエーテッド
ミラーの断面図である。
図５は、第２電極の下に位置する弾性層を有する薄膜
アクチュエーテッドミラーの詳細な断面図である。
図６は、本発明の第１実施例に基づいて、光反射性の
物質からなり、第２電極と相異なる厚さを有する第１電
極を備える薄膜アクチュエーテッドミラーの断面図であ
る。
図７は、本発明の第１実施例に基づいて、光反射性の
物質からなる第１電極と、駆動構造体の下面に位置する
弾性層とが設けられている薄膜アクチュエーテッドミラ
ーの断面図である。
図８は、本発明の第１実施例に基づいて、光反射性の
物質からなり、第１電極の上に位置する弾性層を有する
薄膜アクチュエーテッドミラーの断面図である。
図9A及び9Bは、（Ａ）は本発明の第１実施例に基づい
て、各駆動構造体における電気的に変形可能な薄膜層の
上面が、第１電極を部分的に覆う図で、（Ｂ）は薄膜層
の下面が、第２電極を部分的に覆う薄膜アクチュエーテ
ッドミラーの断面図である。
図10は、駆動の際に、本発明の第１実施例に基づく薄
膜アクチュエーテッドミラーアレイの断面図である。
図11は、本発明の第２実施例に基づいて、バイモフ構
造を有する薄膜アクチュエーテッドミラーの断面図であ
る。
図12は、本発明の第２実施例に基づいて、光反射性の
物質からなる第１電極を有する薄膜アクチュエーテッド
ミラーの断面図である。
図13は、（Ａ）〜（Ｆ）よりなり、各図は本発明の第
１実施例に基づいて、薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイの製造方法を説明するための断面図である。
発明の詳細な説明 以下、本発明の好適な実施例について、図面を参照し
ながら詳細に説明する。
図２〜図13には、本発明の好ましい実施例に基づい
て、光投射システムで用いるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレイの概略的な断面図で示されてい
る。上記Ｍ及びＮは正の整数である。ここで、図２〜図
13に示されている同一部材には同一符号を付して示すこ
とに注目されたい。
図２には、本発明の第１実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラー51によりなるアレイ50の断面
図が示されている。このアレイ50は、能動マトリックス
52と、Ｍ×Ｎ個の薄膜駆動構造体54のアレイ53と、Ｍ×
Ｎ個の支持部材56のアレイ55と、Ｍ×Ｎ個のミラー58の
アレイ57とから構成されている。
図３には、図２に示す薄膜アクチュエーテッドミラー
51の詳細な断面図が示されている。能動マトリックス52
は基板59、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せ
ず）及びＭ×Ｎ個の接続端子61のアレイ60を有する。各
薄膜駆動構造体54は、上面62及び下面63、近位の端64及
び遠位の端65を有し、少なくとも、上面67及び下面68を
有する電気的に変形可能な物質でできている変形可能な
薄膜層66と、各々が特定の厚さを有し、例えば、銅（A
u）あるいは銀（Ag）ような金属からなる第１電極層69
及び第２電極層70とを含む。この第１電極層69は変形可
能な薄膜層66の上面67に、第２電極層70は変形可能な薄
膜層66の下面68に各々設けられている。変形可能な薄膜
層66は圧電性セラミック、電歪セラミック、磁気電歪セ
ラミック、または電歪ポリマーで作られている。この変
形可能な薄膜層66が、電歪セラミックまたは電歪ポリマ
ーからなる場合には極性化されなければならない。
Ｍ×Ｎ個の支持部材56の各々は上面71及び下面72を有
し、各薄膜駆動構造体54を支持すると共に、各薄膜駆動
構造体54の第２電極層70と能動マトリックス52上の対応
する接続端子61とを電気的に接続するのに用いられる。
この接続端子61の上には例えば、金属のような導電性の
物質からなるコンジット73が設けられている。本発明の
Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー51のアレイ50
において、各薄膜駆動構造体54は、その下面63の一方の
端（即ち、近位の端64）に各支持部材56の上面71が接す
る型の片持構造で支持され、各支持部材56の下面72は能
動マトリックス52の上に接続されている。光ビームを反
射するためのＭ×Ｎ個のミラー58の各々は、各駆動構造
体54の上面62に位置する。電界は、各駆動構造体54の第
１電極層69と第２電極層70との間にに設けられた変形可
能な薄膜層66の両端に印加される。このような電界を印
加することによって、変形可能な薄膜層66、駆動構造体
54及びミラー58が変形される。
Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー51のアレイ
50の機能を適切に行わせるため、各アクチュエーテッド
ミラー51におけるミラー58及び第１電極層69の全厚さ
は、その変形を引き起こすために第２電極層70の厚さと
は相異しなければならない。
この全厚さと第２電極層70の厚さとの間に差がない場
合は、図４及び図５に示すように、上面40を有する弾性
層88を各アクチュエーテッドミラー51に設けられなけれ
ばならない。この弾性層88はミラー58と第１電極層69と
の間に、または各アクチュエーテッドミラー51の第２電
極層70の下側に位置しなければならない。
また、導電性の物質からなる第１電極層69は、光反射
性の物質（例えば、アルミニウム（Al））でも作られる
ことによって、各アクチュエーテッドミラー51でミラー
58として働くことになる。この場合、各アクチュエーテ
ッドミラー51の機能を適切に行わせるため、第１電極層
69及び第２電極層70は互いに相異した厚さを有するか、
または図４及び図７に示すように、各アクチュエーテッ
ドミラー51に各駆動構造体の下側に弾性層88が設けられ
なければならない。更に、図８に示すように、この弾性
層88が光反射性の物質からなる場合は、ミラーとしても
機能する。
本発明のアクチュエーテッドミラー51のアレイ50は、
第１電極層69及び第２電極層70を完全に覆う各薄膜駆動
構造体54の変形可能な薄膜層66の上面67及び下面68の中
の一つを有するか、第１電極層69及び第２電極層70を部
分的に覆う変形可能な薄膜層66の上面67及び下面68の中
の一つを有することによって、その機能を行うことがで
きる。このような駆動構造体を有するアクチュエーテッ
ドミラー51の例が、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に各々示
されている。
本発明の第１実施例において、図８及び図10には、Ｍ
×Ｎ個の駆動構造体54のアレイを含み、電歪セラミック
（例えば、PZT（lead zirconium titanate）からなる
アクチュエーテッドミラー51のアレイ50が示されてい
る。電界は、各駆動構造体54の第１電極層69と第２電極
層70との間に設けられた変形可能な薄膜層66の両端に印
加される。このような電界を供給することによって、電
歪材料の分極に対する電界の分極によって、電歪セラミ
ックは収縮されるか膨脹されるかする。即ち、電界の分
極が電歪セラミックの分極に対応する場合、電歪セラミ
ックは収縮することになり、電歪セラミックの分極と反
対である場合は、電歪セラミックは膨脹することにな
る。
図８及び図10を再度参照すると、印加された電界の分
極に対応する電歪セラミックの分極によって、電歪セラ
ミックが収縮されることが示されている。図10に示すよ
うに、弾性層88が収縮しないと、駆動構造体は下向けに
曲がれることになる。図８及び図10に示すように、図10
のアクチュエーテッドミラー51でミラーとして働く弾性
層88の上面40に入射した光は、図８の駆動されないアク
チュエーテッドミラー51から反射された光よりより大き
い角度で偏向されることが分かる。
また、電歪セラミックの分極と反対の分極を有する電
界が変形可能な薄膜層66の両端に加えられる場合、電歪
セラミックは膨脹することになる。この例で、弾性層88
が膨脹しないことによって、駆動構造体54は下向けに曲
がれる。下向けに曲がれたアクチュエーテッドミラー51
のミラー58に入射する光は、図８の駆動されないアクチ
ュエーテッドミラー51の弾性層88の上側面40から反射さ
れた光より小さい角度で偏向される。
図11には、本発明の第２実施例に基づくＭ×Ｎ個の薄
膜アクチュエーテッドミラー101のアレイ100の断面図が
示されている。ここで、第２実施例は、各駆動構造体54
が第１電極層69と、第２電極層70と、中間金属層87と、
上側面90及び下側面91を有する電気的に変形可能な上部
薄膜層（以下、「上部変形可能層」と称する）89と、上
側面93及び下側面94を有する電気的に変形可能な下部薄
膜層（以下、「下部変形可能層」と称する）92とを備え
るバイモルフ構造（bimorph structure）からなること
を除いては、上記の第１実施例と類似である。各駆動構
造体54において、上部変形可能層89及び下部変形可能層
92は中間金属層87、上部変形可能層89の上側面90に位置
する第１電極層69及び下部変形可能層92の下側面94に位
置する第２電極層70により分離されている。
第１実施例と同一に、各駆動構造体54の各変形可能層
89及び92は、電歪セラミック、圧電セラミック、磁気圧
電セラミック、または電歪ポリマーで作られる。これら
の変形可能層89及び92が電歪セラミックまたは電歪ポリ
マーできている場合、各層89及び92は、上部変形可能層
89の電歪材料の分極方向が下部変形可能層92の電歪材料
の分極方向と反対になるように分極されなければならな
い。
図12には、本発明の第２実施例に基づいて、アクチュ
エーテッドミラー101のアレイ100の断面図が示されてい
る。ここで、第１電極層69は光反射性の物質からなるこ
とによって、その上面39はミラーとして働く。第２実施
例のアレイ100の機能を説明するため、Ｍ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラー101のアレイ100の上部変形可
能層89及び下部変形可能層92が、例えば、PZTのような
電歪セラミックからなっていることと仮定する。電界が
駆動構造体54、上部変形可能層89及び下部変形可能層92
の各々に印加される場合、駆動構造体54は電歪セラミッ
クの分極及び電界の分極によって、上向きにまたは下向
きに湾曲することになる。例えば、上部変形可能層89の
分極は収縮を引き起こし、下部変形可能層92の分極は膨
脹を引き起こして駆動構造体54は上向けに曲がれること
になる。この状態にて、駆動構造体54から反射された光
は、駆動されない駆動構造体54から反射された光より小
さい角度で偏向される。しかしながら、電歪セラミック
及び電界の分極が上部変形可能層89を膨脹させ、下部変
形可能層92を収縮させると、駆動構造体54は下向きに湾
曲することになる。この状態にて、駆動構造体54から反
射された光ビームは、駆動されない駆動構造体54から反
射された光ビームより大きい角度で偏向される。
図13（Ａ）〜図13（Ｆ）には、本発明の第１実施例に
基づく製造方法が示されている。第１実施例に基づくＭ
×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー51のアレイ50の
製造は、図13（Ａ）に示すように、上面75及び下面76を
有し、基板59と、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図
示せず）とＭ×Ｎ個の接続端子61のアレイ60とからなる
能動マトリックス52の準備から始まる。
その後、支持層80が能動マトリックス52の上面75に形
成される。この支持層80はＭ×Ｎ個の支持部材56のアレ
イ55に対応するＭ×Ｎ個のペデスタル82のアレイ81と、
犠牲エリア83とを有する。ここで、支持層80は図13
（Ｂ）に示すように、犠牲層（図示せず）を能動マトリ
ックス52の上面75全体に堆積する工程と、Ｍ×Ｎ個の接
続端子61の各周りに位置するＭ×Ｎ個の空スロットのア
レイ（図示せず）を形成することによって犠牲エリア83
が形成される工程と、各空スロットにペデスタル82を満
たす工程とから形成される。この犠牲層はスパッタリン
グ法を用いて、空スロットのアレイはエッチング法を用
いて、ペデスタル82はスパッタリング法または化学気相
堆積法（CVD）を用いた後にエッチング法を用いてそれ
ぞれ形成される。その後、支持層80の犠牲エリア83は、
エッチング法あるいは化学液を用いて除去される。
図13（Ｃ）に示すように、例えば、導電性の物質でで
き、各接続端子61と各第２電極層70とを電気的に接続す
るためのコンジット73が各ペデスタル82に形成される。
このコンジット73は最初、エッチング法を用いて対応す
る接続端子61の上部まで延在する孔を生成し、その後、
その孔に導電性の物質を満たすことによって作られる。
続けて、図13（Ｄ）に示すように、第１薄膜電極層84
は例えば、銅（Au）のような導電性の物質から成り、支
持層80、コンジット73及び犠牲エリア83の上に形成され
る。その後、例えば、PZTのような電気的に変形可能な
物質から成る変形可能層85を、第１薄膜電極層84上に形
成する。
しかるのち、例えば、アルミニウム（Al）のような光
反射性の物質からなる薄膜層99が、第２薄膜電極層95の
上に形成される。
図13（Ｅ）に示すように、導電性で電気的に変形可能
で、且つ光反射性の物質からなる薄膜層99は、公知の薄
膜技法（例えば、スパッタリング法、ゾル−ゲル法、蒸
着法、エッチング法及びマイクロマシニング法）を用い
て形成されパターニングされる。
その後、図13（Ｆ）に示すように、支持層80の犠牲エ
リア83は、化学液を加えて除去されるか溶解されること
によって、上記のアクチュエーテッドミラー51のアレイ
50が形成される。
前述した工程から理解されるように、第２実施例は第
１実施例とほぼ同一の方法で製造される。支持層は能動
マトリックスに形成される。この支持層はＭ×Ｎ個の支
持部材に対応するＭ×Ｎ個のペデスタルのアレイと、犠
牲エリアとを有する。その後、第１薄膜電極層、下部変
形可能層、中間金属層、上部変形可能層、第２薄膜電極
層及び光反射層は、支持層の上に各々順次的に形成され
る。前述したように、導電性で、電気的に変形可能で、
且つ光反射性を有する物質からなる薄膜層は、公知の薄
膜技術を用いて形成されパターニングされる。その後、
支持層の犠牲エリアは、化学液を加えて溶解されるか除
去されることによって、バイモフ構造体のＭ×Ｎ個の薄
膜駆動構造体54のアレイ53を有するアクチュエーテッド
ミラー101のアレイ100を形成することになる。各駆動構
造体54は、各支持部材56により基板に片持構造体で支持
されている。
本発明の好適な第１及び第２実施例において、他の薄
膜層の形成方法と同様に、弾性層88を形成するプロセス
を付加することができる。
上記において、本発明の好適な実施例について説明し
たが、本発明の特許請求の範囲を逸脱することなく、種
々の変更を加え得ることは勿論である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 １９９３／２５８７９ (32)優先日 平成５年11月30日(1993．11．30) (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (31)優先権主張番号 １９９３／３１７２０ (32)優先日 平成５年12月30日(1993．12．30) (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (72)発明者 リー ソク ウォン 大韓民国 ソウル 122―042 オンピョ ン―ク プルカン ２―ドン 292―49 (56)参考文献 特開 平５−196880（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−52507（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−116324（ＪＰ，Ａ)

Claims (28)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄
    膜アクチュエーテッドミラーアレイ（Ｍ及びＮは正の整
    数）であって、 基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ、及びＭ×Ｎ個
    の接続端子のアレイを有する能動マトリックスと、 電気的に変形可能な物質から成る薄膜層と、この薄膜層
    の上側及び下側にそれぞれ形成した第１電極層及び第２
    電極層とを含み、前記変形可能な薄膜層が入力した電気
    的駆動信号に応じて収縮し又は膨張するＭ×Ｎ個の薄膜
    駆動構造体のアレイと、 前記薄膜駆動構造体の各々を、その中心から変位した支
    持点において片持ち支持方式で支持すると共に、前記薄
    膜駆動構造体と前記能動マトリックとを電気的に接続す
    るＭ×Ｎ個の支持部材のアレイと、 前記各薄膜駆動構造体の上面に形成したＭ×Ｎ個のミラ
    ーのアレイとを具え、 前記第１の電極層と第２の電極層とをこれらの厚さが互
    いに相違するように形成して前記変形可能な薄膜層の収
    縮又は膨張により薄膜駆動構造体の自由端側が変位する
    ように構成し、この薄膜駆動構造体の自由端側の変位に
    より前記ミラーが湾曲するように構成し、ミラーの湾曲
    により入射した光ビームを駆動信号に対応する方向に反
    射させることを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエー
    テッドミラーアレイ。
  2. 【請求項２】前記各支持部材の下側面が前記能動マトリ
    ックスの上側に位置すると共に上側面は前記薄膜駆動構
    造体下側に位置することを特徴とする請求項１に記載の
    Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
  3. 【請求項３】前記薄膜層が、圧電性セラミックまたは圧
    電性ポリマーからなることを特徴とする請求項１に記載
    のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
  4. 【請求項４】前記薄膜層が、極性化されていることを特
    徴とする請求項３に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエー
    テッドミラーアレイ。
  5. 【請求項５】前記薄膜層が、電歪材料からなることを特
    徴とする請求項１又は２に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチ
    ュエーテッドミラーアレイ。
  6. 【請求項６】前記薄膜層が、磁気電歪材料からなること
    を特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュ
    エーテッドミラーアレイ。
  7. 【請求項７】前記支持部材の各々が、前記各駆動構造体
    の前記第２電極と前記能動マトリックスの対応する接続
    端子とを電気的に接続するためのコンジットを有するこ
    とを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチ
    ュエーテッドミラーアレイ。
  8. 【請求項８】前記Ｍ×Ｎ個のミラーの各々が、光反射性
    の物質からなることを特徴とする請求項１に記載のＭ×
    Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
  9. 【請求項９】前記第１電極及び第２電極が、前記薄膜層
    の上面及び上面をそれぞれ完全に覆うことを特徴とする
    請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミ
    ラーアレイ。
  10. 【請求項１０】前記第１電極及び第２電極が、導電性の
    物質からなることを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ
    個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
  11. 【請求項１１】前記第１又は第２の電極層のうち前記ミ
    ラーと隣接する側の電極に弾性層が設けられていること
    を特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュ
    エーテッドミラーアレイ。
  12. 【請求項１２】前記第１又は第２の電極層のうち前記ミ
    ラーと反対側に位置する電極に弾性層が設けられること
    を特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュ
    エーテッドミラーアレイ。
  13. 【請求項１３】前記第１電極が、光反射性の物質からな
    り、前記各薄膜アクチュエーテッドミラーのミラーとし
    て機能することを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個
    の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
  14. 【請求項１４】請求項１から13までのいずれか１項に記
    載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを
    含むことを特徴とする光投射システム。
  15. 【請求項１５】光投射システムで用いられるＭ×Ｎ個の
    薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であっ
    て、 基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ及びＭ×Ｎ個の
    接続端子のアレイを備える能動マトリックスを形成する
    第１工程と、 前記能動マトリックスの上面に、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜ア
    クチュエーテッドミラーアレイのＭ×Ｎ個の支持部材の
    アレイに対応するＭ×Ｎ個のペデスタルのアレイと犠牲
    エリアとを有する支持層を形成する第２工程と、 前記支持層の前記犠牲エリアを除去する第３工程と、 第１薄膜電極層を前記支持層に形成する第４工程と、 前記第１薄膜電極層に電気的に変形可能な薄膜層を形成
    する第５工程と、 第２薄膜電極層を前記変形可能な薄膜層に形成する第６
    工程と、 光反射性の物質からなるミラー層を、前記第２薄膜電極
    層に形成する第７工程と、 前記支持層の前記犠牲エリアを除去して、中心から変位
    した支持点において片持ち支持されたＭ×Ｎ個の薄膜ア
    クチュエーテッドミラーアレイを形成する第８工程とを
    含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
    ドミラーアレイの製造方法。
  16. 【請求項１６】前記第１薄膜電極層及び前記第２薄膜電
    極層が、スパッタリング法を用いて形成されることを特
    徴とする請求項15に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエー
    テッドミラーアレイの製造方法。
  17. 【請求項１７】前記変形可能な薄膜層が、スパッタリン
    グ法を用いて形成されることを特徴とする請求項15に記
    載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの
    製造方法。
  18. 【請求項１８】前記変形可能な薄膜層が、化学気相堆積
    （CVD）法を用いて形成されることを特徴とする請求項1
    5に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア
    レイの製造方法。
  19. 【請求項１９】前記変形可能な薄膜層が、ゾル−ゲル法
    を用いて形成されることを特徴とする請求項15に記載の
    Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造
    方法。
  20. 【請求項２０】前記ミラー層が、スパッタリング法を用
    いて形成されることを特徴とする請求項15に記載のＭ×
    Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方
    法。
  21. 【請求項２１】前記支持層を形成する第２の工程が、前
    記能動マトリックスの上面に犠牲層を形成する工程と、
    この犠牲層に、前記Ｍ×Ｎ個の接続端子の各々の周りに
    位置するＭ×Ｎ個の空スロットのアレイを形成する工程
    と、前記各空スロットにペデスタルを満たす工程とを含
    むことを特徴とする請求項15に記載のＭ×Ｎ個の薄膜ア
    クチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
  22. 【請求項２２】前記犠牲層が、スパッタリング法を用い
    て形成されることを特徴とする請求項21に記載のＭ×Ｎ
    個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
  23. 【請求項２３】前記Ｍ×Ｎ個の空スロットのアレイが、
    エッチング法を用いて形成されることを特徴とする請求
    項21に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー
    アレイの製造方法。
  24. 【請求項２４】前記ペデスタルが、スパッタリング法、
    エッチング法を順次的に用いて形成されることを特徴と
    する請求項21に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
    ドミラーアレイの製造方法。
  25. 【請求項２５】前記ペデスタルが、化学気相堆積法、エ
    ッチング法を順次的に用いて形成されることを特徴とす
    る請求項21に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド
    ミラーアレイの製造方法。
  26. 【請求項２６】光投射システムで用いられるＭ×Ｎ個の
    薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であっ
    て、 基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ及びＭ×Ｎ個の
    接続端子のアレイを備える能動マトリックスを形成する
    第１工程と、 前記能動マトリックス上に、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチ
    ュエーテッドミラーアレイのＭ×Ｎ個の支持部材のアレ
    イに対応するＭ×Ｎ個のペデスタルのアレイと犠牲エリ
    アとを有する支持層を形成する第２工程と、 前記支持層の犠牲エリアを除去する第３工程と、 薄膜弾性層を前記支持層の上面に形成する第４工程と、 前記薄膜弾性層の上側に第１薄膜電極層を形成する第５
    工程と、 変形可能な薄膜層を前記第１薄膜電極層の上側に形成す
    る第６工程と、 第２薄膜電極層を前記変形可能な薄膜層の上側に形成す
    る第７工程と、 光反射性の物質からなるミラー層を前記第２薄膜電極層
    の上側に形成する第８工程と、 前記支持層の前記犠牲エリアを除去して、中心から変位
    した支持点において片持ち支持されたＭ×Ｎ個の薄膜ア
    クチュエーテッドミラーアレイを形成する第９工程とを
    含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
    ドミラーアレイの製造方法。
  27. 【請求項２７】前記薄膜弾性層が、前記ミラー層を形成
    する前に形成されることを特徴とする請求項26に記載の
    Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造
    方法。
  28. 【請求項２８】光投射システムで用いられるＭ×Ｎ個の
    薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であっ
    て、 基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ及びＭ×Ｎ個の
    接続端子のアレイを備える能動マトリックスを形成する
    第１工程と、 前記能動マトリックスの上側に、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜ア
    クチュエーテッドミラーアレイのＭ×Ｎ個の支持部材の
    アレイに対応するＭ×Ｎ個のペデスタルのアレイと犠牲
    エリアとを有する支持層を形成する第２工程と、 前記支持層の前記犠牲エリアを除去する第３工程と、 第１薄膜電極層を前記支持層の上側に形成する第４工程
    と、 下側の変形可能な薄膜層を前記薄膜弾性層の上側に形成
    する第５工程と、 中間金属層を前記下側の変形可能な薄膜層の上に形成す
    る第６工程と、 上側の変形可能な薄膜層を前記中間金属層の上側に形成
    する第７工程と、 第２薄膜電極層を前記上側の変形可能な薄膜層の上側に
    形成することによって、バイモルフ構造を形成する第８
    工程と、 光反射性の物質からなるミラー層を前記第２薄膜電極層
    の上側に形成する第９工程と、 前記支持層の前記犠牲エリアを除去して、片持ち支持さ
    れたバイモルフ構造体を含むＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエ
    ーテッドミラーアレイを形成する第10工程とを含むこと
    を特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー
    アレイの製造方法。
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