PL176406B1

PL176406B1 - Układ zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych i sposób wytwarzania układu zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych

Info

Publication number: PL176406B1
Application number: PL94314124A
Authority: PL
Inventors: Jeong-Beom Ji; Dong-Kuk Kim; Seok-Won Lee
Original assignee: Daewoo Electronics Co Ltd
Priority date: 1993-10-29
Filing date: 1994-10-25
Publication date: 1999-05-31
Also published as: EP0651274A1; US5661611A; CZ118096A3; AU8005294A; CN1134208A; CN1047056C; WO1995012287A1; BR9407923A; RU2140722C1; HU9601094D0; CZ288846B6; JP3283881B2; MY113977A; AU693119B2; TW279930B; DE69420666T2; PL314124A1; DE69420666D1; HU220516B1; HUT75803A

Abstract

1 . Uklad zwierciadel cienkowarstwowych ruchomych za- wiera aktywna matryce zawierajaca podloze 1 uklad M x N koncówek laczacych, znamienny tym, ze zawiera uklad (53) M xN cienkowar- stwowych struktur ruchomych (54), z których kazda ma powierzch- nie górna (61) 1 powierzchnie dolna (63), koniec blizszy (64) 1 koniec dalszy (65), z co najmniej jedna cienka warstwa (66) mate- rialu wzbudzajacego ruch majacego powierzchnie górna (67) i dolna (68), oraz pierwsza elektrode (69) 1 druga elektrode (70) o okreslonej grubosci, przy czym pierwsza elektroda (69) jest umieszczona na górnej powierzchni (67) cienkiej warstwy (66) wzbudzajacej ruch, zas druga elektroda (70) - na jej powierzchni dolnej (68), przy czym sygnal elektryczny jest przykladany pomiedzy pierwsza elektroda (66) 1 druga elektroda (70) przez cienka warstwe (66) wzbudzajaca ruch, powodujac odksztalcenie warstwy (66) wzbudzajacej ruch 1 cienkowarstwowych struktur ruchomych (54), uklad (55) M x N elementów nosnych (56), z których kazdy zawiera powierzchnie górna (71) i powierzchnie dolna (72), podtrzymujac kazda z cien- kowarstwowych struktur ruchomych (54), i stanowiac elektryczne polaczenia kazdej z cienkowarstwowych struktur ruchomych (54) z aktywna matryca (52) oraz uklad M x N zwierciadel (58) do odbijania wiazek swiatla, w którym kazde ze zwierciadel (58) jest umieszczone na górnej czesci kazdej cienkowarstwowej struktury ruchomej (54) FIG 2 PL PL

Description

Przedmiotem wynalazku jest układ zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych i sposób wytwarzania układu zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych.

Jednym z wielu znanych różnorodnych urządzeń wyświetlających obrazy jest urządzenie rzutnikowe umożliwiające rzutowanie dużych obrazów o wysokiej jakości. W tego typu optycznym urządzeniu rzutnikowym oświetla się równomiernie światłem lampy układ, na przykład, M x N poruszanych zwierciadeł tak, że każde zwierciadło jest sprzężone z odpowiednim siłownikiem. Siłowniki takie można wykonać z materiału zmieniającego geometrię pod działaniem pola elektrycznego, na przykład z materiału piezoelektrycznego lub elektrostrykcyjnego odkształcającego się pod działaniem pola elektrycznego.

176 406

Odbita od każdego ze zwierciadeł wiązka świetlna pada na szczelinę w przegrodzie. Doprowadzony do każdego z siłowników sygnał elektryczny zmienia położenie każdego ,ze zwierciadeł względem padającej wiązki światła, powodując tym samym odchylenie ścieżki optycznej wiązki odbitej od każdego z nich. Skutkiem zmiany ścieżki optycznej każdej z odbitych wiązek jest zmiana ilości światła przechodzącego przez szczelinę, odbitego od każdego zwierciadła, co moduluje natężenie wiązki. Wiązki modulowane przez szczelinę rzutuje się za pomocą odpowiedniego urządzenia optycznego, na przykład za pomocą soczewek rzutujących, na ekran, wyświetlając w ten sposób na nim obraz.

Znany jest z amerykańskiego opisu patentowego nr 08/278472 zawierający: aktywną matrycę złożoną z podłoża i znajdującego się na nim układu M x N tranzystorów; układ M x N przemieszczalnych elektrycznie siłowników, z których każdy składa się z pary elementów wykonawczych, pary elektrod odchylających oraz wspólnej elektrody sygnałowej; układ M x N zawiasów, z których każdy jest usytuowany w każdym z przemieszczalnych elektrycznie siłowników; układ M x N końcówek łączących, z których każda przeznaczona jest do elektrycznego łączenia każdej z elektrod sygnałowych z aktywną matrycą; oraz układ M x N zwierciadeł, z których każde jest osadzone na górnej części każdego z M x N zawiasów.

We wspomnianym powyżej, opisie patentowym nr 08/278472 ujawniono również sposób wytwarzania takiego układu M xN przemieszczanych elektrycznie zwierciadeł, z wykorzystaniem płytki ceramicznej o grubości 30 do 60 mm.

Znany jest z opisów patentowych nr 5247222, 0419853 i 5159225 układ zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych z ruchomą matrycą zawierającą podłoże oraz układ M x N końcówek łączących.

Znany jest z opisów patentowych nr 4932119, 4529620 i 5085497 sposób wytwarzania układu zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych, zawierających aktywną matrycę z podłożem oraz układ M xN końcówek łączących.

Celem wynalazku jest układ zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych.

Celem wynalazku jest sposób wytwarzania układu zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych, z którego wyeliminowano stosowanie cienkiej, przemieszczanej elektrycznie płytki ceramicznej.

Układ zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych zawiera aktywną matrycę zawierającą podłoże i układ M x N końcówek łączących, według wynalazku charakteryzuje się tym, że zawiera układ M xN cienkowarstwowych struktur ruchomych, z których każda ma powierzchnię górną i powierzchnię dolną, koniec bliższy i koniec dalszy, z co najmniej jedną cienką warstwą materiału wzbudzającego ruch, mającego powierzchnię górną i dolną, oraz pierwszą elektrodę i drugą elektrodę o określonej grubości, przy czym pierwsza elektroda jest umieszczona na górnej powierzchni cienkiej warstwy wzbudzającej ruch, zaś druga elektroda - na jej powierzchni dolnej, przy czym sygnał elektryczny jest przykładany pomiędzy pierwszą elektrodą i drugą elektrodą przez cienką warstwę wzbudzającą ruch, powodując odkształcenie warstwy wzbudzającej ruch i cienkowarstwowych struktur ruchomych, układ M xN elementów nośnych, z których każdy zawiera powierzchnię górną i powierzchnię dolną, podtrzymując każdą z cienkowarstwowych struktur ruchomych, i stanowiąc elektryczne połączenia każdej z cienkowarstwowych struktur ruchomych z aktywną matrycą oraz układ M x N zwierciadeł do odbijania wiązek światła, w którym każde ze zwierciadeł jest umieszczone na górnej części każdej cienkowarstwowej struktury ruchomej.

Korzystnie każda ze struktur ruchomych jest połączona wspornikowo z każdym z elementów nośnych poprzez zamocowanie na górnej powierzchni każdego z elementów nośnych w dolnej powierzchni, bliżej położonego końca każdej ze struktur ruchomych.

Korzystnie dolna powierzchnia każdego z elementów nośnych jest umieszczona na górnej części aktywnej matrycy.

Korzystnie każda z cienkowarstwowych struktur ruchomych ma budowę piezoelektryczną i zawiera pierwszą elektrodę, drugą elektrodę, pośrednią.warstwę metalową, górną, wzbudzaj ącą ruch, cienką warstwę mającą powierzchnię górną i powierzchnią dolną oraz dolną, wzbudzającą ruch, cienką warstwę z powierzchnią górną i powierzchnią dolną, gdzie wzbudzające ruch, cienkie warstwy, górna i dolna, są przedzielone pośrednią warstwą metalową, pierwsza elektroda

17(6406 znajduje się na górnej powierzchni górnej, wzbudzającej ruch cienkiej warstwy, a druga elektroda znajduje się na dolnej powierzchni dolnej, wzbudzającej ruch, cienkiej warstwy.

Korzystnie wzbudzająca ruch cienka warstwa stanowi warstwę z piezoelektrycznego materiału ceramicznego lub z piezoelektrycznego polimeru.

Korzystnie wzbudzająca ruch cienka warstwa ma bieguny.

Korzystnie wzbudzająca ruch, cienka warstwa stanowi warstwę z materiału elektrostrykcyjnego.

Korzystnie wzbudzająca ruch, cienka warstwa stanowi warstwę z materiału magnetostrykcyjnego.

Korzystnie górne i dolne cienkie warstwy wzbudzające ruch stanowią warstwy z materiału piezoelektrycznego.

Korzystnie warstwa materiału piezoelektrycznego górnej, wzbudzającej ruch cienkiej warstwy ma biegunowość o kierunku przeciwnym do biegunowości dolnej, wzbudzającej ruch cienkiej warstwy.

Korzystnie w każdym z elementów nośnych znajduje się przewód do elektrycznego łączenia drugiej elektrody w każdej z cienkowarstwowych struktur ruchomych z odpowiednią końcówką łączącą na aktywnej matrycy.

Korzystnie każde ze zwierciadeł stanowi warstwę z materiału odbijającego światło.

Korzystnie pierwsza i druga elektroda całkowicie pokrywają, odpowiednio, górną i dolną powierzchnię wzbudzającej ruch cienkiej warstwy.

Korzy stnie pierwsza lub druga elektroda pokrywa częściowo górną lub dolną powierzchnię wzbudzającej ruch cienkiej warstwy.

Korzystnie pierwsza i druga elektroda stanowią warstwy z materiału przewodzącego prąd elektryczny.

Korzystnie układ zawiera M x N sprężystych warstw, przy czym każda jest usytuowana na górnej powierzchni każdej z cienkowarstwowych struktur ruchomych.

Korzystnie każda ze sprężystych warstw znajduje się pomiędzy zwierciadłem a pierwszą elektrodą w każdej z cienkowarstwowych struktur ruchomych.

Korzystnie układ M x N zwierciadeł zawiera układ M x N sprężystych warstw, z których każda usytuowana jest na dolnej powierzchni każdej z cienkowarstwowych struktur ruchomych.

Korzystnie pierwsza elektroda stanowi warstwę z materiału odbijającego światło.

Korzystnie pierwsza elektroda ma taką samą grubość jak druga elektroda w każdym ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych.

Korzystnie układ M x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych zawiera M x N sprężystych warstw, z których każda usytuowana jest na dolnej powierzchni każdej z cienkowarstwowych struktur ruchomych.

Korzystnie pierwsza elektroda ma inną grubość niż druga elektroda w każdym ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych.

Sposób wytwarzania układu zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych zawierających aktywną matrycę z podłożem, oraz układ M x N końcówek łączących, według wynalazku charakteryzuje się tym, że na aktywnej matrycy, formuje się warstwę nośną składającą się z układu M x N podstawek odpowiadającemu układowi M x N elementów nośnych i obszaru protektorowego, następnie obrabia się obszar protektorowy warstwy nośnej, po czym osadza się pierwszą cienką warstwę elektrodową na warstwie nośnej, nakłada się cienką, wzbudzającą ruch warstwę na pierwszą cienką warstwę elektrodową, po czym formuje się drugą cienką warstwę elektrodową na pierwszej cienkiej warstwie wzbudzającej ruch; następnie osadza się warstwę zwierciadłową, w postaci warstwy z materiału odbijającego światło, na drugiej cienkiej warstwie elektrodowej, a następnie usuwa się obszar protektorowy warstwy nośnej.

Korzystnie pierwszą i drugą cienkowarstwową elektrodę wytwarza się metodą napylania katodowego.

Korzystnie cienką warstwę wzbudzającą ruch wytwarza się metodą napylania katodowego.

Korzystnie cienką warstwę wzbudzającą ruch wytwarza się metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej.

176 406

Korzystnie cienką warstwę wzbudzającą ruch wytwarza się metodą rozpuszczalnikowożelową.

Korzystnie warstwę zwierciadłową wytwarza się metodą napylania katodowego.

Korzystnie warstwę nośną wytwarza się poprzez: osadzanie warstwy protektorowej na górnej powierzchni aktywnej matrycy, tworzenie układu M x N pustych szczelin na warstwie protektorowej, usytuowanych wokół każdej z M x N końcówek łączących, oraz tworzenie podstawki w każdej z pustych szczelin.

Korzystnie warstwę protektorową tworzy się poprzez napylanie katodowe.

Korzystnie układ pustych szczelin tworzy się poprzez trawienie.

Korzystnie podstawki tworzy się poprzez napylanie katodowe, po którym następuje trawienie.

Korzystnie podstawki tworzy się poprzez chemiczne osadzanie z fazy gazowej, po którym następuje trawienie.

Sposób wytwarzania układu zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych zawierających aktywną matrycę z podłożem oraz układ M x N końcówek łączących, według wynalazku charakteryzuje się tym, że na aktywnej matrycy formuje się warstwę nośną składająca się z układu M x N podstawek odpowiadającego układowi M x N elementów nośnych i obszaru protektorowego, obrabia się obszar protektorowy warstwy nośnej, następnie osadza się sprężystą cienką warstwę na całej górnej powierzchni warstwy nośnej, po czym osadza się pierwszą cienkowarstwową elektrodę na drugiej cienkiej elastycznej warstwie, uzyskuje się dolną, cienką, wzbudzającą ruch warstwę na pierwszej cienkowarstwowej elektrodzie, po czym osadza się drugą cienkowarstwową elektrodę nacienkiej, wzbudzającej ruch warstwie, formuje się warstwę zwierciadłową, wykonaną z materiału odbijającego światło, na drugiej cienkowarstwowej elektrodzie oraz usuwa się obszar protektorowy warstwy nośnej.

Korzystnie sprężystą cienką warstwę wytwarza się bezpośrednio przed utworzeniem warstwy zwierciadłowej.

Sposób wytwarzania układu zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych zawierających aktywną matrycę z podłożem oraz układ M x N końcówek łączących, według wynalazku charakteryzuje się tym, że na górnej powierzchni aktywnej matrycy formuje się warstwę nośną składającą się z układu M xN podstawek odpowiadającego układowi M xN elementów nośnych i obszaru protektorowego, po czym obrabia się obszar protektorowy warstwy nośnej, następnie osadza się pierwszą cienkowarstwową elektrodę na warstwie nośnej, uzyskuje się dolną cienką, wzbudzającą ruch warstwę na pierwszej cienkowarstwowej elektrodzie, formuje się pośrednią warstwę metalową na górnej powierzchni dolnej cienkiej, wzbudzającej ruch warstwy, po czym osadza się górną cienką, wzbudzającą ruch warstwę na pośredniej warstwie metalowej, uzyskuje się drugą cienkowarstwową elektrodę na górnej cienkiej, wzbudzającej ruch warstwie, osadza się warstwę zwierciadłową, wykonaną z materiału odbijającego światło, na drugiej cienkowarstwowej elektrodzie, po czym usuwa się obszar protektorowy warstwy nośnej.

Dzięki rozwiązaniu według wynalazku uzyskano nowoczesny sposób wytwarzania układu M x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych zapewniającego wyższą odtwarzalność, niezawodność i wydajność dzięki zastosowaniu znanych technik cienkowarstwowych powszechnie stosowanych w produkcji półprzewodników. Kolejnym celem wynalazku jest uzyskanie układu M x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych o nowej strukturze, złożonej z wielu cienkich warstw materiałów, które wzbudzają ruch, przewodzą elektryczność i odbijają światło.

Według innego aspektu niniejszego wynalazku uzyskano nowy sposób wytwarzania układu M x N poruszanych zwierciadeł do optycznego urządzenia rzutującego, w którym zastosowano znane techniki cienkowarstwowe, składający się z następujących etapów: (a) uzyskanie aktywnej matrycy z powierzchnią górną i dolną, złożonej z podłoża, układu M x N tranzystorów i układu M x N końcówek łączących; (b) formowanie warstwy nośnej na górnej powierzchni aktywnej matrycy, która to warstwa nośna składa się z układu M x N podstawek odpowiadających układowi M x N elementów nośnych w układzie M x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych i obszaru protektorowego; (c) obrabianie obszaru protektorowego warstwy nośnej tak, żeby można go było usuwać; (d) osadzanie pierwszej cienkowarstwowej elektrody na warstwie nośnej; (e) nakładanie cienkiej, wzbudzającej ruch warstwy na pierwszą

176 406 cienkowarstwową elektrodę; (f) formowanie drugiej cienkowarstwowej elektrody na cienkiej warstwie wzbudzającej ruch; (g) osadzanie warstwy zwierciadłowej, wykonanej z materiału odbijającego światło, na drugiej cienkowarstwowej elektrodzie; oraz (h) usuwanie obszaru protektorowego warstwy nośnej, w wyniku czego powstaje wspomniany układ MxN zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych.

Przedmiot wynalazku jest przedstawiony na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia w przekroju poprzecznym znany ze stanu techniki układ M x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych, fig. 2 - przykład wykonania układu M x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych, według wynalazku, w przekroju poprzecznym, fig. 3 - cienkowarstwowe, ruchome zwierciadło według pierwszego przykładu wykonania pokazanego na fig. 2, w przekroju poprzecznym, fig. 4 - ruchome zwierciadło według pierwszego przykładu wykonania z sprężystą warstwą dodaną pomiędzy zwierciadłem a pierwszą elektrodą, w przekroju poprzecznym, fig. 5

- ruchome zwierciadło według pierwszego przykładu wykonania ze sprężystą warstwą na dolnej powierzchni drugiej elektrody, w przekroju poprzecznym, fig. 6 - ruchome zwierciadło według pierwszego przykładu wykonania posiadające pierwszą elektrodę z materiału odbijającego światło i zawierające pierwszą i drugą elektrodę o różnych grubościach, w przekroju poprzecznym, fig. 7 - ruchome zwierciadło według pierwszego przykładu wykonania z pierwszą elektrodą wykonaną z materiału odbijającego światło i zawierające sprężystą warstwę na dolnej powierzchni struktury poruszającej, w przekroju poprzecznym, fig. 8 - ruchome zwierciadło według pierwszego przykładu wykonania ze sprężystą warstwą na górnej powierzchni pierwszej elektrody i wykonane z materiału odbijającego światło, w przekroju poprzecznym, fig. 9A i 9B

- ruchome zwierciadło według pierwszego przykładu wykonania mające jedną z górnych i dolnych powierzchni warstwy wzbudzającej ruch w każdej ze struktur poruszających pokrytą częściowo pierwszą i drugą elektrodą, w przekroju poprzecznym, fig. 10 - ruchome zwierciadło według pierwszego przykładu wykonania w stanie poruszonym, w przekroju poprzecznym, fig. 11 - ruchome zwierciadło według drugiego przykładu wykonania mające strukturę piezoelektryczną, w przekroju poprzecznym, fig. 12 - ruchome zwierciadło według drugiego przykładu wykonania z pierwszą elektrodą wykonaną z materiału odbijającego światło, w przekroju poprzecznym, oraz fig. 13A do 13F - przekroje poprzeczne odpowiednich przykładów wykonania układu zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych.

Na figurze 1 przedstawiono w przekroju poprzecznym znany ze stanu techniki układ 10, złożony z M x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych, zawierający: aktywną matrycę 11 złożoną z podłoża 12 i znajdującego się na nim układu M x N tranzystorów, układ 13 M x N przemieszczalnych elektrycznie siłowników 30, każdy złożony z pary elementów wykonawczych 14, 15, pary elektrod odchylających 16,17 oraz wspólnej elektrody sygnałowej 18, układ 19 M x N zawiasów 31, z których każdy jest usytuowany w każdym z przemieszczalnych elektrycznie siłowników 30, układ 20 M x N końcówek łączących 22, każda przeznaczona do elektrycznego łączenia każdej z elektrod sygnałowych 18 z aktywną matrycą 11, oraz układ 21 M x N zwierciadeł 23, z których każde jest osadzone na górnej części każdego z M x N zawiasów 31.

Na figurze 2 do 13 przedstawiono w przekrojach poprzecznych pierwszy przykład wykonania układu M x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych według wynalazku do optycznego urządzenia rzutującego, gdzie M i N są liczbami całkowitymi. Należy zwrócić uwagę, że podobne części na fig. 2 do 13 oznaczono podobnymi numerami.

Na figurze 2 przedstawiono w przekroju poprzecznym pierwszy przykład wykonania układu 50 M x N ruchomych zwierciadeł cienkowarstwowych 51, zawierający aktywną matrycę 52, układ 53 M x N cienkowarstwowych struktur ruchomych 54, układ 55 M x N elementów nośnych 56 oraz układ 57 M x N zwierciadeł 58.

Na figurze 3 przedstawiono w szczegółowym przekroju poprzecznym zwierciadło cienkowarstwowe ruchome 51 z fig. 2. Aktywna matryca 52 składa się z podłoża 59, układu M x N tranzystorów (nie pokazanych) oraz układu M x N końcówek łączących 61. Każda z cienkowarstwowych struktur ruchomych 54 ma powierzchnię górną i dolną 6163, koniec bliższy i dalszy 64, 65, a także co najmniej cienką warstwę 66 materiału wzbudzającego ruch, mającego powierzchnię górną i dolną 67, 68, oraz pierwsze i drugie elektrody 69, 70 o określonej grubości,

176 406 wykonane z, na przykład, takiego metalu jak złoto (Au) lub srebro (Ag), przy czym pierwsza elektroda 60 ma powierzchnię górną 39. Pierwsza elektroda 69 znajduje się na górnej powierzchni 67 wzbudzającej ruch cienkiej warstwy 66, natomiast druga elektroda 70, najej powierzchni dolnej. Wzbudzająca ruch cienka warstwa 66 jest wykonana z piezoelektrycznego materiału ceramicznego, elektrostrykcyjnego materiału ceramicznego, magnetostrykcyjnego materiału ceramicznego albo polimeru piezoelektrycznego. W razie wykonania wzbudzającej ruch cienkiej warstwy z piezoelektrycznego materiału ceramicznego lub piezoelektrycznego polimeru, trzeba nadawać jej biegunowość.

Każdy z M x N elementów nośnych 56 posiadających powierzchnię górną i dolną 71, 72 służy do trzymani a każdej ze struktur ruchomych 54 w miej scu, a także do elektrycznego łączenia drugiej elektrody 70 każdej ze struktur ruchomych 54 z odpowiednimi końcówkami łączącymi 61 na aktywnej matrycy 52 dzięki zaopatrzeniu ich w przewód 73 wykonany z materiału przewodzącego prąd elektryczny, np. z metalu.

W układzie 50 według wynalazku M x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 51, każda ze struktur ruchomych 54 jest osadzona wspornikowo względem każdego z elementów nośnych 56 dzięki temu, że jest zamontowana na górnej powierzchni 71 każdego z elementów nośnych 56 na dolnej powierzchni 63 każdej ze struktur poruszających 54 na jej bliższym końcu 64, a dolna powierzchnia 72 każdego z elementów nośnych 56 znajduje się na górnej powierzchni aktywnej matrycy 52. Każda z M x N odbijających wiązki światła zwierciadeł 58 znajduje się na górnej powierzchni każdej ze struktur ruchomych 54. Pole elektryczne działa, poprzez wzbudzającą ruch cienką warstwę 66, wytwarzane pomiędzy pierwszą i drugą elektrodą 69, 70 w każdej ze struktur ruchomych 54. Działanie takiego pola elektrycznego powoduje odkształcenie wzbudzającej ruch warstwy 66, a tym samym struktury ruchomej 54, a tym samym umieszczonego na jej górnej powierzchni zwierciadła 58.

W celu prawidłowego działania układu M x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 51, łączna grubość zwierciadła 58 i pierwszej elektrody 69 w każdym ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 51, warunkująca odkształcanie struktury, musi być różna od grubości znajdującej się tam drugiej elektrody.

W przeciwnym przypadku każde ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 51 musi być dodatkowo zaopatrzone w sprężystą warstwę 88 z górną powierzchnią 40. Sprężysta warstwa 88 może znajdować się pomiędzy zwierciadłem 58 a pierwszą elektrodą 69, albo na dolnej powierzchni drugiej elektrody 70 każdego ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 51, jak pokazano na fig. 4 i 5.

Tworzący pierwszą elektrodę 69 materiał przewodzący elektryczność może również być materiałem odbijającym światło, np. aluminium (Al), dzięki czemu górna powierzchnia 39 pierwszej elektrody w każdym ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 58 może również działać jak zwierciadło 58. W takim przypadku, w celu prawidłowego działania każdego ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 51, pierwsza i druga elektroda muszą być zaopatrzone w sprężystą warstwę 88 usytuowaną na dolnej powierzchni każdej ze znajdujących się w nim struktur ruchomych, jak pokazano na fig. 6 i 7. Ponadto, jeżeli warstwa sprężysta 88 jest wykonana z materiału odbijającego światło, również ona może działać jak zwierciadło 58, jak pokazano na fig. 8.

Układ 50, według wynalazku zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 51 może równie dobrze działać mając górną i dolną powierzchnię 67, 68 wzbudzającej ruch cienkiej warstwy 66 w każdej ze struktur ruchomych 54 całkowicie pokrytą pierwszą i drugą elektrodą 69, 70, albo też mając jedną z powierzchni, górną lub dolną 69, 70, wzbudzającej ruch cienkiej warstwy 66 w każdej ze struktur ruchomych 54 pokrytą częściowo pierwszą i drugą elektrodą 69, 70.

Na figurach 9A i 9B pokazano dwa przykłady zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 51 mających budowę tego typu.

Na figurach 8 i 10 pokazano jako pierwszy przykład wykonania układ 50 M x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 51 złożony z układu M x N struktur ruchomych 54, wykonanych z piezoelektrycznego materiału ceramicznego, np. z tytaniano-cyrkonianu ołowiowego (PZT). Pole elektryczne działa przez wzbudzającą ruch cienką warstwę piezoelektryczną 66

176 406 znajdującą się pomiędzy pierwszą i drugą elektrodą 69,70 w każdej ze struktur ruchomych 54. Skutkiem działania pola elektrycznego jest skurcz lub rozszerzenie się piezoelektrycznego materiału ceramicznego, w zależności od biegunowości pola elektrycznego względem biegunowości materiału piezoelektrycznego. Jeżeli biegunowość pola elektrycznego jest zgodna z biegunowością piezoelektrycznego materiału ceramicznego, następuje skurcz piezoelektrycznego materiału ceramicznego. Jeżeli biegunowość pola elektrycznego jest przeciwna do biegunowości piezoelektrycznego materiału ceramicznego, następuje rozszerzenie piezoelektrycznego materiału ceramicznego.

Na figurach 8 i 10 pokazano sytuację, w której biegunowość piezoelektrycznego materiału ceramicznego jest zgodna z biegunowością przyłożonego pola elektrycznego, co powoduje skurcz piezoelektrycznego materiału ceramicznego.

Warstwa sprężysta 88 nie kurczy się, skutkiem czego struktura ruchoma wygina się ku dołowi, jak pokazano na fig. 10. Analizując fig. 8 i 10 można wykazać, że światło padające na górną powierzchnię 40 warstwy sprężystej 88, działającej jak zwierciadło 58, ruchomego zwierciadła 51 pokazanego na fig. 10, odchyla się pod większym kątem niż światło odbite od niewygiętego poruszanego zwierciadła 51 pokazanego na fig. 8.

Alternatywnie, do wzbudzającej ruch cienkiej warstwy 66 można przyłożyć pole elektryczne o biegunowości przeciwnej, powodując rozszerzanie się piezoelektrycznego materiału ceramicznego. W tym przypadku warstwa sprężysta 88 nie rozszerza się i w rezultacie struktura ruchoma 54 wygina się do góry (nie pokazano). Światło padające na zwierciadło 58 wygiętego do góry ruchomego zwierciadła 51 odbija się pod zmniejszonym kątem niż światło odbijane od górnej powierzchni 40 warstwy sprężystej 88 w niewygiętym ruchomym zwierciadle 51 pokazanym na fig. 8.

Na figurze 11 przedstawiono w przekroju poprzecznym drugi przykład wykonania układu 100 M x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 101, przy czym drugi przykład wykonania jest podobny do pierwszego, z tym wyjątkiem, że każda ze struktur ruchomych 54 ma strukturę piezoelektryczną, zawierającą pierwszą elektrodę 69, drugą elektrodę 70, metalowe warstwy pośrednie 87, górną, wzbudzającą ruch cienką warstwę 89 mającą powierzchnię górną i dolną 90,91 oraz dolną, wzbudzającą ruch cienką warstwę 92 z powierzchnią górną i dolną 93, 94. W każdej ze struktur ruchomych 54 górne i dolne wzbudzające ruch cienkie warstwy 89, 92 są przedzielone pośrednią warstwą metalową 87, przy czym pierwsza elektroda 69 znajduje się na górnej powierzchni 90 górnej, wzbudzającej ruch cienkiej warstwy 89, a druga elektroda 70, na dolnej powierzchni 94 dolnej, wzbudzającej ruch cienkiej warstwy 92.

Podobnie jak w przypadku pierwszego przykładu wykonania, górne i dolne wzbudzające ruch cienkie warstwy 89, 92 w każdej ze struktur ruchomych 54 są wykonane z piezoelektrycznego materiału ceramicznego, elektrostrykcyjnego materiału ceramicznego, magnetostrykcyjnego materiału ceramicznego albo polimeru piezoelektrycznego. W razie wykonania górnej i dolnej wzbudzającej ruch cienkiej warstwy 89,92 z piezoelektrycznego materiału ceramicznego lub piezoelektrycznego polimeru, górnej i dolnej wzbudzającej ruch cienkiej warstwie 89, 92 trzeba nadawać biegunowość w taki sposób, żeby kierunek biegunowości materiału piezoelektrycznego w górnej wzbudzającej ruch cienkiej warstwie 89 był przeciwny do kierunku biegunowości dolnej, wzbudzającej ruch cienkiej warstwy 92.

Na figurze 12 pokazano w przekroju poprzecznym drugi przykład wykonania zwierciadła cienkowarstwowego ruchomego 101, w którym pierwsza elektroda 69 jest wykonana z materiału odbijającego światło, dzięki czemu jej powierzchnia górna 39 również działajak zwierciadło 58.

Dla zilustrowania sposobu działania drugiego przykładu wykonania załóżmy, że górne i dolne, wzbudzające ruch cienkie warstwy 89,90 układu 100 M x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 101 pokazanych na fig. 11, są wykonane z piezoelektrycznego materiału ceramicznego, np. z PZT. Po przyłożeniu pola elektrycznego do cienkowarstwowej struktury ruchomej 54, górnych i dolnych, wzbudzających ruch, cienkich warstw piezoelektrycznych 89, 92, cienkowarstwowa struktura ruchoma 54 wygina się do góry albo w dół, w zależności od biegunowości piezoelektrycznego materiału ceramicznego i biegunowości pola elektrycznego. Przykładowo, jeżeli biegunowość powoduje skurcz górnej, wzbudzającej ruch, piezoelektrycznej cienkiej warstwy 89 i rozszerzenie się dolnej, wzbudzającej ruch, piezoelektrycznej cienkiej

176 406 warstwy, cienkowarstwowa struktura ruchoma 54 wygina się do góry. W tym przypadku padające światło odchyla się o mniejszy kąt od cienkowarstwowej struktury ruchomej 54 niż światło odchylające się od niewygiętej cienkowarstwowej struktury ruchomej 54. Jeżeli natomiast biegunowość piezoelektrycznego materiału ceramicznego i pola elektrycznego powoduje rozszerzanie się górnej, wzbudzającej ruch, cienkiej warstwy 89 i skurcz dolnej, wzbudzającej ruch, piezoelektrycznej cienkiej warstwy 92, struktura ruchoma 54 wygnie się w dół. W tym przypadku padające światło odchyla się o większy kąt od struktury poruszającej 54 niż światło odchylające się od niewygiętej struktury poruszającej 54.

Na figurach 13A do 13F przedstawiono etapy wytwarzania pierwszego przykładu wykonania według wynalazku. Proces wytwarzania pierwszego przykładu wykonania, tj. układu 50 M x N zwierciadła cienkowarstwowego ruchomego 51, gdzie M i N są liczbami całkowitymi, rozpoczyna się od sporządzenia aktywnej matrycy 52 z powierzchnią górną i dolną 75, 76, złożonej z podłoża 59, układu M x N tranzystorów (nie pokazanych) oraz układu 60 M x N końcówek łączących 61, jak pokazano na fig. 13A.

W następnym etapie, na górnej powierzchni 75 aktywnej matrycy 52 formuje się warstwę nośną 80, złożoną z układu 81 M x N podstawek 82, odpowiadającego układowi 55 M x N elementów nośnych 56 i obszarowi protektorowemu 83, gdzie warstwę nośną 80 formuje się poprzez: osadzanie warstwy protektorowej (nie pokazanej) na całej górnej powierzchni 75 aktywnej matrycy 52, formowanie układu MxN pustych szczelin (nie pokazanych) w utworzonym obszarze protektorowym 83, przy czym każdą z pustych szczelin lokuje się wokół każdej z M x N końcówek łączących 61, oraz wstawianie podstawki 82 w każdą pustą szczelinę, jak pokazano na fig. 13B. Warstwę protektorową wytwarza się metodą napylania katodowego, układ pustych szczelin - metodą trawienia, a podstawki metodą napylania katodowego lub chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD), a następnie trawienia. Następnie obszar protektorowy 83 warstwy nośnej 80 poddaje się obróbce tak, żeby można go było później usunąć metodą trawienia lub za pomocą środków chemicznych.

W każdej z podstawek 82 formuje się przewody 73 do elektrycznego łączenia każdej z końcówek łączących 61 z każdą z drugich elektrod 70 wykonane z materiału przewodzącego prąd elektryczny, na przykład z wolframu (W), wykonując najpierw w podstawce metodą trawienia otworki, biegnące od jej powierzchni górnej do górnej części odpowiednich końcówek łączących 61, a następnie wypełniając je materiałem przewodzącym prąd elektryczny, jak pokazano na fig. 13C.

W następnym etapie, jak pokazano na fig. 13D, na warstwie nośnej 80 osadza się pierwszą elektrodę cienkowarstwową 84 wykonaną z materiału przewodzącego prąd elektryczny, na przykład z Au. Następnie na pierwszej elektrodzie cienkowarstwowej 84 formuje się odpowiednio wzbudzającą ruch cienką warstwę 85 wykonaną z materiału wzbudzającego ruch, np. z PZT, i drugą elektrodę cienkowarstwową 95.

Następnie, na górnej powierzchni drugiej elektrody cienkowarstwowej 95 formuje się cienką warstwę 99 materiału odbijającego światło, na przykład Al.

Cienkie warstwy przewodzących prąd elektryczny, wzbudzających ruch i odbijających światło materiałów można osadzać i nadawać im wzór znanymi technikami cienkowarstwowymi, takimi jak napylanie katodowe, rozpuszczanie-żelowanie, odparowywanie, trawienie i mikroobróbka mechaniczna, jak pokazano na fig. 13E.

Następnie usuwa się lub rozpuszcza obszar protektorowy 83 warstwy nośnej 80 działając na niego środkami chemicznymi, w wyniku czego powstaje wspomniany układ 50 M x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 51, jak pokazano na fig. 13F.

Drugi przykład wykonania wytwarza się w podobny sposób jak pierwszy. Warstwę nośną nakłada się na aktywną matrycę. Warstwa nośna również zawiera układ M x N elementów nośnych oraz obszar protektorowy. Następnie na warstwie nośnej osadza się odpowiednio pierwszą elektrodę cienkowarstwową, dolną, cienką warstwę wzbudzającą ruch, pośrednią warstwę metalową, górną, cienką warstwę wzbudząjącąruch, drugą elektrodę cienkowarstwową, oraz warstwę odbijającą światło. Cienkie warstwy przewodzących prąd elektryczny, wzbudzających ruch i odbijających światło materiałów można osadzać i nadawać im wzór znanymi technikami cienkowarstwowymi, takimi jak wspomniano wcześniej. Następnie rozpuszcza się

176 406 lub usuwa obszar protektorowy działając na niego środkami chemicznymi, pozostawiając układ 100 zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 101 złożony z układu 53 M x N struktur ruchomych 54 o strukturze piezoelektrycznej, przy czym każda ze struktur ruchomych 54 jest osadzona wspomikowo względem elementów nośnych 56.

W opisanych powyżej sposobach wytwarzania pierwszego i drugiego przykładu wykonania według niniejszego wynalazku, można zastosować dodatkowy proces formowania warstwy sprężystej 88 takim samym sposobem jak stosowany w formowaniu innych elementów cienkowarstwowych.

Niniejszy wynalazek opisano wyłącznie na pewnych zalecanych przykładach wykonania, ale istnieje możliwość dokonania w nim pewnych modyfikacji i zmian bez odchodzenia od istoty wynalazku, sformułowanej w podanych zastrzeżeniach patentowych.

176 406

FIG. 2

FIG.3

FIG. 4

FIG. 5

FIG.6

176 406

FIG.7

FIG.8

FIG. 9A

FIG. 9B

51,

FIG. 1 O

FIG. 1 1

176 406

FIG. 12

OO ,39

Ig ,70 —

176 406

FIG. 13 A

FIG. 13B

y¹

FIG.13C

FIG. 13D

FIG. 13E

777/7//7/77/7/77777/7/77 ~7~ \

7777777771

FIG. 13F

176 406

FIG. 1

Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 70 egz.

Cena 4,00 zł.

Claims

Zastrzeżenia patentowe

1. Układ zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych zawiera aktywną matrycę zawierającą podłoże i układ M x N końcówek łączących, znamienny tym, że zawiera układ (53) M x N cienkowarstwowych struktur ruchomych (54), z których każda ma powierzchnię górną (61) i powierzchnię dolną (63), koniec bliższy (64) i koniec dalszy (65), z co najmniej jedną cienką warstwą (66) materiału wzbudzającego ruch mającego powierzchnię górną (67) i dolną (68), oraz pierwszą elektrodę (69) i drugą elektrodę (70) o określonej grubości, przy czym pierwsza elektroda (69) jest umieszczona na górnej powierzchni (67) cienkiej warstwy (66) wzbudzającej ruch, zaś druga elektroda (70) - na jej powierzchni dolnej (68), przy czym sygnał elektryczny jest przykładany pomiędzy pierwszą elektrodą (66) i drugą elektrodą (70) przez cienką warstwę (66) wzbudzającą ruch, powodując odkształcenie warstwy (66) wzbudzającej ruch i cienkowarstwowych struktur ruchomych (54), układ (55) M x N elementów nośnych (56), z których każdy zawiera powierzchnię górną (71) i powierzchnię dolną (72), podtrzymując każdą z cienkowarstwowych struktur ruchomych (54), i stanowiąc elektryczne połączenia każdej z cienkowarstwowych struktur ruchomych (54) z aktywną matrycą (52) oraz układ (57) M x N zwierciadeł (58) do odbijania wiązek światła, w którym każde ze zwierciadeł (58) jest umieszczone na górnej części każdej cienkowarstwowej struktury ruchomej (54).
2. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że każda z cienkowarstwowych struktur ruchomych (54) jest połączona wspornikowo z każdym z elementów nośnych (56) poprzez zamocowanie na górnej powierzchni (71) każdego z elementów nośnych (56) w dolnej powierzchni (63) bliżej położonego końca (64) każdej z cienkowarstwowych struktur ruchomych (54).
3. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że dolna powierzchnia (72) każdego z elementów nośnych (56) jest umieszczona na górnej części aktywnej matrycy (52).
4. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że każda z cienkowarstwowych struktur ruchomych (54) ma budowę piezoelektryczną i zawiera pierwszą elektrodę (69), drugą elektrodę (70), pośrednią warstwę metalową (87), górną, wzbudzającą ruch, cienką warstwę (89) mającą powierzchnię górną (90) i powierzchnią dolną (91) oraz dolną, wzbudzającą ruch, cienką warstwę (92) z powierzchnią górną (93) i powierzchnią dolną (94), gdzie wzbudzające ruch, cienkie warstwy, górna (89) i dolna (92), są przedzielone pośrednią warstwą metalową (87), pierwsza elektroda (69) znajduje się na górnej powierzchni (90) górnej, wzbudzającej ruch cienkiej warstwy (89), a druga elektroda (70) znajduje się na dolnej powierzchni (94) dolnej, wzbudzającej ruch, cienkiej warstwy (92).
5. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że wzbudzająca ruch cienka warstwa (66) stanowi warstwę z piezoelektrycznego materiału ceramicznego lub z piezoelektrycznego polimeru.
6. Układ według zastrz. 5, znamienny tym, że wzbudzająca ruch cienka warstwa (66) ma bieguny.
7. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że wzbudzająca ruch, cienka warstwa (66) stanowi warstwę z materiału elektrostrykcyjnego.
8. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że wzbudzająca ruch, cienka warstwa (66) stanowi warstwę z materiału magnetostrykcyjnego.
9. Układ według zastrz. 4, znamienny tym, że górne i dolne cienkie warstwy (89, 92) wzbudzające ruch stanowią warstwy z materiału piezoelektrycznego.
10. Układ według zastrz. 9, znamienny tym, że warstwa materiału piezoelektrycznego górnej, wzbudzającej ruch cienkiej warstwy (89) ma biegunowość o kierunku przeciwnym do biegunowości dolnej, wzbudzającej ruch cienkiej warstwy (92).
11. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że w każdym z elementów nośnych (59) znajduje się przewód (73) do elektrycznego łączenia drugiej elektrody (70) w każdej z cienkowarstwowych struktur ruchomych (54) z odpowiednią końcówką łączącą (61) na aktywnej matrycy (52).
12. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że każde ze zwierciadeł (59) stanowi warstwę z materiału odbijającego światło.
13. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że pierwsza i druga elektroda (69, 70) całkowicie pokrywają, odpowiednio, górną i dolną powierzchnię (67, 68) wzbudzającej ruch cienkiej warstwy (66).
14. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że pierwsza lub druga elektroda (69, 70) pokrywa częściowo górną lub dolną powierzchnię (67, 68) wzbudzającej ruch cienkiej warstwy (66).
15. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że pierwsza i druga elektroda (69, 70) stanowią warstwy z materiału przewodzącego prąd elektryczny.
16. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że zawiera M x N sprężystych warstw (88), przy czym każda jest usytuowana na górnej powierzchni (61) każdej z cienkowarstwowych struktur ruchomych (54).
17. Układ według zastrz. 16, znamienny tym, że każda ze sprężystych warstw (88) znajduje się pomiędzy zwierciadłem a pierwszą elektrodą (69) w każdej z cienkowarstwowych struktur ruchomych (54).
18. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że układ (50) M xN zwierciadeł (51) zawiera układ M x N sprężystych warstw (88), z których każda usytuowana jest na dolnej powierzchni (63) każdej z cienkowarstwowych struktur ruchomych (54).
19. Układ według zastrz. 15, znamienny tym, że pierwsza elektroda (69) stanowi warstwę z materiału odbijającego światło.
20. Układ według zastrz. 19, znamienny tym, że pierwsza elektroda (69) ma taką samą grubość jak druga elektroda (70) w każdym ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych.
21. Układ według zastrz. 20, znamienny tym, że układ (50) M x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych (51) zawiera M x N sprężystych warstw (88), z których każda usytuowana jest na dolnej powierzchni (63) każdej z cienkowarstwowych struktur ruchomych (54).
22. Układ według zastrz. 19, znamienny tym, że pierwsza elektroda (69) ma inną grubość niż druga elektroda (70) w każdym ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych (51).
23. Sposób wytwarzania układu zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych zawierających aktywną matrycę z podłożem, oraz układ MxN końcówek łączących, znamienny tym, że na aktywnej matrycy (52), formuje się warstwę nośną (80) składającą się z układu (81) M x N podstawek (82) odpowiadającemu układowi (55) M x N elementów nośnych (56) i obszaru protektorowego (83), następnie obrabia się obszar protektorowy (83) warstwy nośnej (80), po czym osadza się pierwszą cienką warstwę elektrodową (84) na warstwie nośnej (80), nakłada się cienką, wzbudzającą ruch warstwę (85) na pierwszą cienkowarstwową elektrodę (84), po czym formuje się drugą cienkowarstwową elektrodę (95) na pierwszej cienkiej warstwie (85) wzbudzającej ruch, następnie osadza się warstwę zwierciadłową (99), w postaci warstwy z materiału odbijającego światło, na drugiej cienkowarstwowej elektrodzie, a następnie usuwa się obszar protektorowy (83) warstwy nośnej (80).
24. Sposób według zastrz. 23, znamienny tym, że pierwszą i drugą cienkowarstwową elektrodę (84, 95) wytwarza się metodą napylania katodowego.
25. Sposób według zastrz. 23, znamienny tym, że cienką warstwę (85) wzbudzającą ruch wytwarza się metodą napylania katodowego.
26. Sposób według zastrz. 23, znamienny tym, że cienką warstwę (85) wzbudzającą ruch wytwarza się metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej.
27. Sposób według zastrz. 23, znamienny tym, że cienką warstwę (85) wzbudzającą ruch wytwarza się metodą rozpuszczalnikowo-żelową.
28. Sposób według zastrz. 23, znamienny tym, że warstwę zwierciadłową (99) wytwarza się metodą napylania katodowego.

17(6406
29. Sposób według zastrz. 23, znamienny tym, że warstwę nośną (80) wytwarza się poprzez osadzanie warstwy protektorowej (83) na górnej powierzchni (75) aktywnej matrycy (52), tworzenie układu M x N pustych szczelin na warstwie protektorowej (83), usytuowanych wokół każdej z M x N końcówek łączących (61), oraz tworzenie podstawki (82) w każdej z pustych szczelin.
30. Sposób według zastrz. 29, znamienny tym, że warstwę protektorową (83) tworzy się poprzez napylanie katodowe.
31. Sposób według zastrz. 29, znamienny tym, że układ pustych szczelin tworzy się poprzez trawienie.
32. Sposób według zastrz. 29, znamienny tym, że podstawki (82) tworzy się poprzez napylanie katodowe, po którym następuje trawienie.
33. Sposób według zastrz. 29, znamienny tym, że podstawki (82) tworzy się poprzez chemiczne osadzanie z fazy gazowej, po którym następuje trawienie.
34. Sposób wytwarzania układu zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych zawierających aktywną matrycę z podłożem oraz układ M xN końcówek łączących, znamienny tym, że na aktywnej matrycy (52) formuje się warstwę nośną (80) składającą się z układu (81) M x N podstawek (82) odpowiadającego układowi (55) M x N elementów nośnych i obszaru protektorowego (83), obrabia się obszar protektorowy (83) warstwy nośnej (80), następnie osadza się sprężystą cienką warstwę (88) na całej górnej powierzchni warstwy nośnej (80), po czym osadza się pierwszą cienkowarstwową elektrodę (84) na drugiej cienkiej elastycznej warstwie (88), uzyskuje się dolną, cienką, wzbudzającą ruch warstwę (85) na pierwszej cienkowarstwowej elektrodzie (84), po czym osadza się drugą cienkowarstwową „elektrodę (95) na cienkiej, wzbudzającej ruch warstwie (85), formuje się warstwę zwierciadłową (99), wykonaną z materiału odbijającego światło, na drugiej cienkowarstwowej elektrodzie (95), oraz usuwa się obszar protektorowy (83) warstwy nośnej (80).
35. Sposób według zastrz. 34, znamienny tym, że sprężystą cienką warstwę (88) wytwarza się bezpośrednio przed utworzeniem warstwy zwierciadłowej (99).
36. Sposób wytwarzania układu zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych zawierających aktywną matrycę z podłożem oraz układ M x N końcówek łączących, znamienny tym, że na górnej powierzchni (75) aktywnej matrycy (52) formuje się warstwę nośną (80) składającą się z układu (81) M x N podstawek (82) odpowiadającego układowi (55) M x N elementów nośnych (56) i obszaru protektorowego (83), po czym obrabia się obszar protektorowy (83) warstwy nośnej (80), następnie osadza się pierwszą cienkowarstwową elektrodę (84) na warstwie nośnej (80), uzyskuje się dolną cienką, wzbudzającą ruch warstwę (92) na pierwszej cienkowarstwowej elektrodzie (84), formuje się pośrednią warstwę metalową (87) na górnej powierzchni dolnej cienkiej, wzbudzającej ruch warstwy (92), po czym osadza się górną cienką, wzbudzającą ruch warstwę (89) na pośredniej warstwie metalowej (87), uzyskuje się drugą cienkowarstwową elektrodę (95) na górnej cienkiej, wzbudzającej ruch warstwie (89), osadza się warstwę zwierciadłową (99), wykonaną z materiału odbijającego światło, na drugiej cienkowarstwowej elektrodzie (95), po czym usuwa się obszar protektorowy (83) warstwy nośnej (80).