RU96112195A

RU96112195A - Тонкопленочная приводимая в действие зеркальная матрица для использования в оптической проекционной системе и способ ее изготовления

Info

Publication number: RU96112195A
Application number: RU96112195/09A
Authority: RU
Inventors: Джи Джеонг-Беом; Ким Донг-Кук; Мин Йонг-Ки
Original assignee: Дэу Электроникс Ко., Лтд.
Priority date: 1993-11-09
Filing date: 1994-11-01
Publication date: 1998-11-20

Claims

1. Матрица из МхN тонкопленочных приводимых в действии зеркал, где М и N - целые числа, для использования в оптической проекционной системе, содержащая: активную матрицу, включающую подложку, матрицу МхN тринзисторов и матрицу из МхN соединительных выводов; матрицу из МхN тонкопленочных приводимых структур, где каждая из приводных структур снабжена верхней и нижней поверхностями, ближним и дальним краями, причем каждая из приводных структур включает, по меньшей мере, один тонкопленочный слой индуцирующего перемещение материала, имеющий верхнюю и нижнюю поверхности и первый и второй электроды, где первый электрод расположен на верхней поверхности индуцирующего перемещение тонкопленочного слоя, а второй электрод - на нижней поверхности индуцирующего перемещение слоя, где электрический сигнал, приложенный к индуцирующему перемещение слою, между первым и вторым электродами, вызывает деформацию индуцирующего перемещение слоя, и, вследствии этого, приводной структуры; матрицу из МхN поддерживающих элементов, причем каждый из поддерживающих элементов снабжен верхней и нижней поверхностями, где каждый из поддерживающих элементов используется для фиксации каждой из приводных структур, а также электрического соединения каждой из приводных структур с активной матрицей; матрицу промежуточных элементов, где каждый промежуточный элемент снабжен верхней и нижней поверхностями и расположен на верхней поверхности каждой из приводных структур на дальнем ее конце; и матрицу из МхN зеркальных слоев, где каждый из зеркальных слоев включает зеркало для отражения световых лучей и поддерживающий слой, каждый из зеркальных слоев, кроме того, включает первую и вторую части, соответствующие дальнему и ближнему концам каждой из приводных структур, первая и вторая части каждого из зеркальных слоев крепится на верхней поверхности каждого из промежуточных элементов и выступает в виде консоли от соответствующего поддерживающего элемента соответственно, таким образом, когда каждая из приводных структур деформируется в ответ на и электрический сигнал, соответствующий зеркальный слой остается плоским, таким образом позволяя всем зеркалам отражать световые лучи.

2. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что каждая из приводных структур выступает в виде консоли от каждого из поддерживающих элементов, путем ее помещения на верхнюю поверхность каждого из поддерживающих элементов нижней поверхностью каждой из приводных структур у ее ближнего края.

3. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что нижняя поверхность каждого из поддерживающих элементов расположена на верхней поверхности активной матрицы.

4. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что каждый из промежуточных элементов выполнен на верхней поверхности каждой из приводных структур на дальнем ее конце.

5. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что первая часть каждого из зеркальных слоев крепится на верхней поверхности промежуточных элементов, а вторая часть выступает в виде консоли от соответствующего поддерживающего элемента.

6. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что каждая из приводных структур является биморфной структурой и включает первый электрод, второй электрод, промежуточный металлический слой, верхний индуцирующий перемещение тонкопленочный слой, имеющий верхнюю и нижнюю поверхности и нижний индуцирующий перемещение тонкопленочный слой, снабженный верхней и нижней поверхностями, где верхний и нижний индуцирующие перемещение тонкопленочные слои разделены промежуточным металлическим слоем, причем первый электрод расположен на верхней поверхности верхнего индуцирующего перемещение тонкопленочного слоя, а второй электрод расположен на нижней поверхности нижнего индуцирующего перемещение тонкопленочного слоя.

7. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что индуцирующий перемещение тонкопленочный слой выполнен из пьезоэлектрической керамики или пьезоэлектрического полимера.

8. Матрица по п.7, отличающаяся тем, что индуцирующий перемещение тонкопленочный слой поляризован.

9. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что индуцирующий перемещение тонкопленочные слои выполнены из электрострикционного материала.

10. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что индуцирующий перемещение тонкопленочные слои выполнены из магнитострикционного материала.

11. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что верхний и нижний индуцирующие перемещение тонкопленочные слои выполнены из пьезоэлектрического материала.

12. Матрица по п.11, отличающаяся тем, что пъезоэлектрический материал верхнего индуцирующего перемещение тонкопленочного слоя поляризован в направлении обратном по отношению к нижнему индуцирующему перемещение тонкопленочному слою.

13. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что каждый из поддерживающих элементов снабжен перемычкой для электрического соединения второго электрода в каждой из приводных структур с соответствующим соединительным выводом активной матрицы.

14. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что первый и второй электроды полностью покрывают верхнюю и нижнюю поверхности индуцирующего перемещение тонкопленочного слоя соответственно.

15. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что один либо первый, либо второй электрод покрывает частично верхнюю или нижнюю поверхность индуцирующего перемещение тонкопленочного слоя.

16. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что первый и второй электроды выполнены из электрически проводящего материала.

17. Матрица по п.1, кроме того, содержащая МхN упругих слоев, где каждый из упругих слоев расположен на верхней, либо на нижней поверхности каждой из приводных структур.

18. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что поддерживающий слой выполнен из светоотражающего материала, таким образом позволяя поддерживающему слою действовать также, как зеркало в каждом из тонкопленочных приводимых в действии зеркал.

19. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что матрица из МхN промежуточных элементов отсутствует.

20. Матрица по п.19, отличающаяся тем, что каждый поддерживающий слой одновременно соединен с дальним концом приводных структур и верхней поверхностью активной матрицы.

21. Оптическая проекционная система, содержащая матрицу из МхN тонкопленочных приводимых в действие зеркал, имеющая структуру, изложенную в любом из пп.1-20.

22. Способ изготовления матрицы из МхN тонкопленочных приводимых в действие зеркал для использования в оптической проекционной системе, где М и N - целые числа, предусматривающий: (а) заготовку активной матрицы, имеющей верхнюю и нижнюю поверхности, где активная матрица включает подложку, матрицу из МхN тринзисторов и матрицу из МхN соединительных выводов; (b) формирование первого поддерживающего слоя на верхней поверхности активной матрицы, причем первый поддерживающий слой включает матрицу из МхN опорных стоек, соответствующих матрице из МхN поддерживающих элементов в матрице из МхN тонкопленочных приводимых в действие зеркал и первую избыточную область; (с) обработку первой избыточной области первого поддерживающего слоя для ее удаления; (d) напыление первого тонкопленочного электродного слоя на первый поддерживающий слой; (е) выполнение тонкопленочного индуцирующего перемещение слоя на первом тонкопленочном электродном слое; (f) формирование второго тонкопленочного электродного слоя на тонкопленочном индуцирующем перемещение слое; (g) выполнение промежуточного слоя на верхней поверхности второго тонкопленочного электродного слоя, где промежуточный слой включает матрицу из МхN промежуточных элементов и вторую избыточную область; (h) обработку второй избыточной области промежуточного слоя для ее удаления; (i) напыление второго поддерживающего на верхнюю поверхность промежуточного слоя; (j) формирование светоотражающего слоя на верхней поверхности поддерживающего слоя; и (к) удаление первой и второй избыточных областей первого поддерживающего слоя и промежуточного слоя для того, чтобы таким образом сформировать матрицу из МхN тонкопленочных приводимых в действие зеркал.

23. Способ по п.22, отличающийся тем, что первый и второй электродные слои формируют с использованием способа металлизации.

24. Способ по п.22, отличающийся тем, что тонкопленочный индуцирующий перемещение слой формируют с использованием способа металлизации.

25. Способ по п.22, отличающийся тем, что тонкопленочный индуцирующий перемещение слой формируют с использованием способа химического осаждения паров.

26. Способ по пункту 23, отличающийся тем, что тонкопленочный индуцирующий перемещение слой формируют с использованием способа конденсации.

27. Способ по пункту 22, отличающийся тем, что зеркальный слой формируют с использованием метода металлизации.

28. Способ по пункту 22, отличающийся тем, что поддерживающий слой формируют путем: (а) напыления первого избыточного слоя на верхнюю поверхность активной матрицы; (b) выполнения матрицы из МхN первых пустых гнезд на избыточном слое, причем каждое из первых пустых гнезд расположено вокруг каждого из МхN соединительных выводов; и (с) формирования опорных стоек в каждом из первых пустых гнезд.

29. Способ по пункту 28, отличающийся тем, что первый избыточный слой формируют с использованием способа металлизации.

30. Способ по пункту 28, отличающийся тем, что матрицу из МхN первых пустых гнезд формируют с использованием способа травления.

31. Способ по пункту 28, отличающийся тем, что опорные стойки формируют с использованием способа металлизации с последующим способом травления.

32. Способ по пункту 28, отличающийся тем, что опорные стойки формируют с использованием способа химического осаждения паров с последующим способом травления.

33. Способ по п.22, отличающийся тем, что промежуточный слой формируют путем: (а) напыления второго избыточного слоя на второй тонкопленочный электродный слой; (b) выполнения матрицы из МхN пустых гнезд на втором избыточном слое; и (с) формирования промежуточного элемента в каждом из пустых гнезд.

34. Способ по п.33, отличающийся тем, что вторую избыточную область формируют с использованием способа металлизации.

35. Способ по п.33, отличающийся тем, что матрицу из МхN вторых пустых гнезд формируют с использованием способа травления.

36. Способ по п.33, отличающийся тем, что промежуточный элемент формируют с использованием способа металлизации с последующим способом травления.

37. Способ по п.33, отличающийся тем, что промежуточный элемент формируют с использованием способа химического осаждения паров с последующим способом травления.

38. Оптическая проекционная система, содержащая матрицу из МхN тонкопленочных приводимых в действие зеркал, подготовленную в соответствии со способом, изложенных в любом из пп.22-37.

39. Способ изготовления матрицы из МхN тонкопленочных приводимых в действие зеркал для использования в оптической проекционной системе, где М и N - целые числа, предусматривающий: (а) заготовку активной матрицы, имеющей верхнюю и нижнюю поверхности, где активная матрица включает подложку, матрицу из МхN тринзисторов и матрицу из МхN соединительных выводов; (b) формирование поддерживающего слоя на верхней поверхности активной матрицы, причем поддерживающий слой включает матрицу из МхN опорных стоек, соответствующих матрице из МхN поддерживающих элементов в матрице из МхN тонкопленочных приводимых в действие зеркал и первую избыточную область; (с) обработку избыточной области поддерживающего слоя для ее удаления; (d) напыление первого тонкопленочного электродного слоя на поддерживающий слой; (е) обеспечение тонкопленочного индуцирующего перемещение слоя на первом тонкопленочном электродном слое; (f) формирование промежуточного металлического слоя на верхней поверхности нижнего тонкопленочного индуцирующего перемещение слоя; (g) напыление верхнего тонкопленочного индуцирующего перемещение слоя на промежуточный металлический слой; (h) обеспечение второго тонкопленочного электродного слоя на верхнем тонкопленочном индуцирующем перемещение слое, таким образом формируя биморфную структуру; (i) выполнение промежуточного слоя на верхней поверхности второго тонкопленочного электродного слоя, где промежуточный слой включает матрицу из МхN промежуточных элементов и вторую избыточную область; (i) обработку второй избыточной области промежуточного слоя для ее удаления; (к) напыление второго поддерживающего слоя на верхнюю поверхность промежуточного слоя; (l) формирование светоотражающего слоя на верхней поверхности поддерживающего слоя; и (m) удаление первой и второй избыточных областей первого поддерживающего слоя и промежуточного слоя для того, чтобы таким образом сформировать матрицу из МхN тонкопленочных приводимых в действие зеркал.

40. Оптическая проекционная система, содержащая матрицу из МхN тонкопленочных приводимых в действие зеркал, выполненная в соответствии со способом, изложенным в п.39.