RU97112466A

RU97112466A - Матрица тонкопленочных возбуждаемых зеркал и способ ее изготовления

Info

Publication number: RU97112466A
Application number: RU97112466/09A
Authority: RU
Inventors: Ки Мин Йонг
Original assignee: Дэу Электроникс Ко., Лтд.
Priority date: 1994-12-19
Filing date: 1995-11-22
Publication date: 1999-06-10

Claims

1. Матрица из М•N тонкопленочных возбуждаемых зеркал, где М и N являются целыми числами и указывают столбец и сторону матрицы, соответственно, для использования в оптической проекционной системе, отличающаяся тем, что содержит:
активную матрицу, имеющую верхнюю поверхность и включающую в себя подложку с матрицей из М•N. соединительных выводов и матрицу из М•N транзисторов, и
матрицу из М•N возбуждающих структур, причем каждая из возбуждающих структур представляет биморфную структуру и имеет возбуждающую и светоотражающую части, при этом возбуждающая часть в каждой из возбуждающих структур включает в себя переднюю часть первого тонкопленочного электрода, верхний электросмещаемый элемент, промежуточный электрод, нижний электросмещаемый элемент и переднюю часть второго тонкопленочного электрода, светоотражающая часть включает в себя оставшуюся часть первого тонкопленочного электрода и оставшуюся часть второго тонкопленочного электрода, электросмещаемые элементы выполнены из материала, характеризующегося тем, что он является кристаллографически асимметричным, не проявляет гистерезиса и образуется при темпертуре в диапазоне 200-300^oС, при этом нижняя сторона передней части второго тонкопленочного электрода электрически соединена с каждым из соединительных выводов и с каждым из транзисторов для обеспечения возможности второму тонкопленочному электроду функционировать в качестве сигнального электрода, нижний электросмещаемый элемент размещен на верхней стороне передней части второго тонкопленочного электрода, промежуточный электрод образован на верхней стороне нижнего электросмещаемого элемента имеет функцию общего электрода смещения, верхний электросмещаемый элемент размещен на верхней стороне нижнего электросмещаемого элемента с промежуточным электродом, расположенным между ними, а первый тонкопленочный электрод, выполненный из светоотражающего и электрически проводящего материала расположен на верхней стороне верхнего электросмещаемого элемента и оставшейся части второго тонкопленочного электрода в светоизлучающей части, электрически соединяя тем самым первый тонкопленочный электрод со вторым тонкопленочным электродом для обеспечения возможности первому тонкопленочному электроду функционировать в качестве зеркала и сигнального электрода в каждой из возбуждающих структур.

2. Матрица по п. 1, отличающаяся тем, что первый и второй тонкопленочные электроды в светоизлучающей части разделены слоем электросмещаемого материала.

3. Матрица по п. 1, отличающаяся тем, что верхний и нижний электросмещаемые элементы выполнены из окиси цинка или нитрида алюминия.

4. Матрица по п. 1, отличающаяся тем, что направление поляризации верхнего электросмещаемого электрода идентична поляризации нижнего электросмещаемого элемента в каждом из тонкопленочных возбуждаемых зеркал.

5. Способ изготовления матрицы из М•N тонкопленочных возбуждаемых зеркал, где М и N являются целыми числами, в которой каждое из тонкопленочных возбуждаемых зеркал включает в себя светоотражающую часть и возбуждающую часть, для использования в оптической проекционной системе, отличающийся тем, что включает этапы
формирования активной матрицы, имеющей верхнюю поверхность, причем активная матрица включает в себя подложку с матрицей из М•N транзисторов и матрицу из М•N соединительных выводов,
формирования тонкопленочного временного слоя на верхней поверхности активной матрицы,
удаления частей тонкопленочного временного слоя, сформированного вокруг верхней части каждого из соединительных выводов в активной матрице,
формирования второго тонкопленочного электронного слоя на верхней стороне тонкопленочного временного слоя и верхней поверхности активной матрицы,
нанесения нижнего электросмещаемого слоя на верхнюю сторону второго тонкопленочного электродного слоя, причем нижний электросмещаемый слой выполнен из материала, характеризуемого тем, что он является кристаллографически асимметричным, не обнаруживает гистерезиса и формируется при температуре в диапазоне 200-300^oС,
формирования промежуточного электродного слоя на верхней стороне нижнего электросмещаемого слоя,
конфигурирования промежуточного электродного слоя в направлении столбцов для получения М конфигурированных промежуточных электродных слоев, причем каждый из конфигурированных промежуточных электродных слоев отделен один от другого и покрывает часть нижнего электросмещаемого слоя таким образом, что эта часть окружает соединительные выводы в одном и том же столбце,
нанесения верхнего электросмещаемого слоя из того же материала, что и нижний электросмещаемый слой, на верхнюю сторону нижнего электросмещаемого слоя, с расположенными между ними конфигурированными промежуточными электродными слоями,
конфигурирования верхнего и нижнего электросмещаемых слоев в направлении столбцов до вскрытия второго тонкопленочного электродного слоя для создания конфигурированной структуры, включающей в себя М конфигурированных слоев и соответствующего количества вскрытых вторых тонкопленочных электродных слоев для формирования тем самым возбуждающей части и светоотражающей части в каждом из тонкопленочных возбуждаемых зеркал, при этом каждый из конфигурированных слоев соответствует возбуждающей части в каждом из тонкопленочных возбуждаемых зеркал, отделен один от другого посредством одного из вскрытых вторых тонкопленочных электродных слоев и окружает каждый из конфигурированных промежуточных электродных слоев, а каждый из вскрытых вторых тонкопленочных слоев соответствует светоотражающей части в каждом из тонкопленочных возбуждаемых зеркал,
формирования первого тонкопленочного электродного слоя, выполненного из электрически проводящего и светоотражающего материала на верхней стороне конфигурированной структуры для создания полузавершенной возбуждаемой структуры,
конфигурирования полузавершенной возбуждаемой структуры в направлении строк, до вскрытия тонкопленочного временного слоя, в виде матрицы из М•N полузавершенных возбуждаемых зеркал, в которой каждое из полузавершенных возбуждаемых зеркал включает в себя первый тонкопленочный электрод, верхний электросмещаемый элемент, промежуточный электрод, нижний электросмещаемый элемент и второй тонкопленочный электрод, и
удаления тонкопленочного временного слоя для получения матрицы из М•N тонкопленочных возбуждаемых зеркал.

6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что тонкопленочный временный слой выполнен из окиси или полимера.

7. Способ по п. 5, отличающийся тем, что тонкопленочный слой формируют посредством распыления или испарения в вакууме, если тонкопленочный временный слой изготавливают из окиси, или методом центрифугирования, если тонкопленочный временный слой изготавливают из полимера.

8. Способ по п. 5, отличающийся тем, что второй тонкопленочный и промежуточный слои выполняют толщиной 0,1-2 мкм.

9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что второй тонкопленочный и промежуточный электродные слои формируют посредством распыления или испарения в вакууме.

10. Способ по п. 5, отличающийся тем, что верхний и нижний электросмещаемые слои формируют посредством испарения или распыления.

11. Способ по п. 10, отличающийся тем, что верхний и нижний электросмещаемые слои формируют толщиной 0,1-2 мкм.

12. Способ по п. 5, отличающийся тем, что первый тонкопленочный электродный слой формируют толщиной 500-2000 ангстрем (5•10^-8-2•10^-7 м).

13. Способ по п. 12, отличающийся тем, что первый тонкопленочный электродный слой формируют посредством распыления или испарения в вакууме.

14. Способ по п. 5, отличающийся тем, что верхний и нижний электросмещаемые слои конфигурируют в направлении столбцов таким образом, что слой электросмещаемого материала остается на верхней стороне второго тонкопленочного электродного слоя в светоотражающей части.