JPH09504387A - Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、光投射システムで用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイに関するものであって、このアレイは能動マトリックス（５２）と、各々が少なくとも、電気的に変形可能な物質からなる薄膜層（６４）、この電気的に変形可能な薄膜層（６４）の上面及び下面に各々位置する一対の電極（６９，７０）、上面及び下面を有し、各薄膜駆動構造体（５４）を片持構造で支持すると共に、各薄膜駆動構造体（５４）と能動マトリックスとを電気的に接続するＭ×Ｎ個の支持部材のアレイ（５６）、及び各薄膜駆動構造体の上面に設けられており、入射する光ビームを反射させるＭ×Ｎ個のミラーのアレイ（５１）を備えるＭ×Ｎ個の薄駆動構造体とを含む。電気信号が、各駆動構造体の一対の電極の間に設けられた電気的に変形可能な物質からなる薄膜層に供給される場合、この薄膜層は変形することによって、その上に設けられたミラーも変形することになる。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法発明の分野 本発明は、光投射システムに関し、特に、このシステムで用いるＭ×Ｎ個の薄 膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法に関する。従来の技術 従来の多様な映像表示システムの中で、光投射システムは大画面で高画質の映 像を表示できるものとして知られている。このような光投射システムにおいては 、ランプから発する光は、例えば、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーよりな るアレイ（以下、「Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ」と称する ）上に一様に照射される。ここで、各ミラーは各アクチュエータに接続されてい る。このアクチュエータは印加される電界に応じて、構造的に変形する圧電材料 または電歪材料のような電気的に変形可能な物質でできている。 各ミラーから 反射された光ビーム（以下、「反射光ビーム」と称する）は、例えば、光バッフ ルの開口に入射する。電気信号を各アクチュエータに供給することによって、各 ミラーからの反射光ビームの光路が偏向される。各反射光ビームの光路が偏向さ れる場合、各ミラーから反射され開口を通過する光の量が変化することによって 、光の強さが調節できる。開口を通じて光量が調節された光ビームは、投射レン ズのような適切な光学デバイスを通じて投射スクリーン上に投影され、スクリー ン上に画像が表示される。 図１には、光投射システムで用いるＭ×Ｎ個の電気的に変形可能なアクチュエ ーテッドミラーアレイ１０の断面図が示されている。このアレイ１０は、本特許 出願と出願人を同じくする係属中の米国特許出願第−−号明細書に、「ＥＬＥＣ ＴＲＯＤＩＳＰＬＡＣＩＶＥ ＡＣＴＵＡＴＥＤ ＭＩＲＲＯＲ ＡＲＲＡＹ」 との名称で開示されており、基板１２及びＭ×Ｎ個のトランジスタｋアレイを有 する能動マトリックス１１と、一対の駆動部材１４及び１５、一対のバイアス電 極１６及び１７、共通信号電極１８を有するＭ×Ｎ個の電気的に変形可能なアク チュエータ３０よりなるアレイ１３と、この電気的に変形可能なアクチュエータ ３０にそれぞれ嵌められたＭ×Ｎ個のヒンジ３１のアレイ１９と、能動マトリッ クス１１と各共通信号電極１８とを電気的に接続するのに用いられるＭ×Ｎ個の 接続端子２２のアレイ２０と、Ｍ×Ｎ個のヒンジ３１の上部に設けられたＭ×Ｎ 個のミラー２３のアレイ２１とから構成されている。 また、本願に適用される上記引用例においては、３０〜５０μｍの厚さを有す るセラミックウェーハを採用するＭ×Ｎ個の電気的に変形可能なアクチュエーテ ッドミラーアレイの製造方法も開示されている。 しかしながら、上記のＭ×Ｎ個の電気的に変形可能なアクチュエータの製造方 法に関して、幾つかの問題点がある。第一、３０〜５０μｍの厚さのセラミック ウェーハを得ることが大変困難であり、更に、セラミックウェーハの厚さを３０ 〜５０μｍに減らすとしても、その特性が劣化され製造プロセスを行うに困難さ がある。 更に、製造の時間が相当にかかり、制御が難しく、且つ面倒なプロセスによっ て所要の再現性、信頼性及び生産性が低下し、且つその大きさを縮小するのが大 変困難であるという不都合がある。発明の概要 従って、本発明の目的は、電気的に変形可能な薄膜セラミックウェーハを用い ずに、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを製造する方法を提供す ることにある。 本発明の他の目的は、半導体製造に通常用いる薄膜技法を採用して、より高い 再現性、信頼性及び生産性を与え得るＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー アレイを製造する新規な方法を提供することにある。 本発明のさらに他の目的は、電気的に変形可能で、導電性で、且つ光反射性を 有する物質からなる複数の薄膜層が組み込まれた新規な構造を有するＭ×Ｎ個の アクチュエーテッドミラーアレイを提供することにある。 上記の目的を達成するために、本発明の一実施例によれば、光投射システムで 用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ（Ｍ及びＮは正の整 数）であって、基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ、及びＭ×Ｎ個の接続端 子のアレイを有する能動マトリックスと、上面及び下面、近位の部分及び遠位の 部分を有しており、各々が少なくとも、上面及び下面を有し電気的に変形可能な 物質から成る薄膜層と、各々が特定の厚さで前記薄膜層の前記上面に位置する第 １電極と、前記下面に位置する第２電極とを含み、電気信号が前記第１電極と前 記第２電極との間に設けられた前記薄膜層の両端に印加される場合、前記薄膜層 と共に変形されるＭ×Ｎ個の薄膜駆動構造体のアレイと、上面及び下面を有して おり、前記薄膜駆動構造体の各々を支持すると共に、前記薄膜駆動構造体と前記 能動マトリックスとを電気的に接続するＭ×Ｎ個の支持部材のアレイと、前記各 薄膜駆動構造体の変形に応じて、前記各薄膜駆動構造体の上面に設けられ、各々 が変形して入射した光ビームを反射させるＭ×Ｎ個のミラーのアレイとを含むこ とを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイが提供される。 本発明の他の実施例によれば、光投射システムで用いられるＭ×Ｎ個の薄膜ア クチュエーテッドミラーアレイの製造方法であって、上面及び下面を有し、基板 、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ及びＭ×Ｎ個の接続端子のアレイを備える能 動マトリックスを準備する第１工程と、前記能動マトリックスの上面に、前記Ｍ ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイのＭ×Ｎ個の支持部材のアレイに 対応するＭ×Ｎ個のペデスタルのアレイと犠牲エリアとを有する支持層を形成す る第２工程と、前記支持層の前記犠牲エリアを除去する第３工程と、第１薄膜電 極層を前記支持層に形成する第４工程と、第１薄膜電極層を前記変形可能な薄膜 層に形成する第５工程と、第２薄膜電極層を前記変形可能な薄膜層に形成する第 ６工程と、光反射性の物質からなるミラー層を、前記第２薄膜電極層に形成する 第７工程と、前記支持層の前記犠牲エリアを除去して、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アク チュエーテッドミラーアレイを形成する第８工程とを含むことを特徴とするＭ× Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法が提供される。図面の簡単な説明 図１は、従来のＭ×Ｎ個の電気的に変形可能なアクチュエーテッドミラーアレ イの断面図である。 図２は、本発明の第１実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー アレイの断面図である。 図３は、図２に示す薄膜アクチュエーテッドミラーの詳細な断面図である。 図４は、本発明の第１実施例に基づいて、ミラーと第１電極との間に弾性層を 設けた薄膜アクチュエーテッドミラーの断面図である。 図５は、第２電極の下に位置する弾性層を有する薄膜アクチュエーテッドミラ ーの詳細な断面図である。 図６は、本発明の第１実施例に基づいて、光反射性の物質からなり、第２電極 と相異なる厚さを有する第１電極を備える薄膜アクチュエーテッドミラーの断面 図である。 図７は、本発明の第１実施例に基づいて、光反射性の物質からなる第１電極と 、駆動構造体の下面に位置する弾性層とが設けられている薄膜アクチュエーテッ ドミラーの断面図である。 図８は、本発明の第１実施例に基づいて、光反射性の物質からなり、第１電極 の上に位置する弾性層を有する薄膜アクチュエーテッドミラーの断面図である。 図９Ａ及び９Ｂは、（Ａ）は本発明の第１実施例に基づいて、各駆動構造体に おける電気的に変形可能な薄膜層の上面が、第１電極を部分的に覆う図で、（Ｂ ）は薄膜層の下面が、第２電極を部分的に覆う薄膜アクチュエーテッドミラーの 断面図である。 図１０は、駆動の際に、本発明の第１実施例に基づく薄膜アクチュエーテッド ミラーアレイの断面図である。 図１１は、本発明の第２実施例に基づいて、バイモフ構造を有する薄膜アクチ ュエーテッドミラーの断面図である。 図１２は、本発明の第２実施例に基づいて、光反射性の物質からなる第１電極 を有する薄膜アクチュエーテッドミラーの断面図である。 図１３は、（Ａ）〜（Ｆ）よりなり、各図は本発明の第１実施例に基づいて、 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明するための断面図である 。発明の詳細な説明 以下、本発明の好適な実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。 図２〜図１３には、本発明の好ましい実施例に基づいて、光投射システムで用 いるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの概略的な断面図が示され ている。上記Ｍ及びＮは正の整数である。ここで、図２〜図１３に示されている 同一部材には同一符号を付して示すことに注目されたい。 図２には、本発明の第１実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ー５１よりなるアレイ５０の断面図が示されている。このアレイ５０は、能動マ トリックス５２と、Ｍ×Ｎ個の薄膜駆動構造体５４のアレイ５３と、Ｍ×Ｎ個の 支持部材５６のアレイ５５と、Ｍ×Ｎ個のミラー５８のアレイ５７とから構成さ れている。 図３には、図２に示す薄膜アクチュエーテッドミラー５１の詳細な断面図が示 されている。能動マトリックス５２は基板５９、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレ イ（図示せず）及びＭ×Ｎ個の接続端子６１のアレイ６０を有する。各薄膜駆動 構造体５４は、上面６２及び下面６３、近位の端６４及び遠位の端６５を有し、 少なくとも、上面６７及び下面６８を有する電気的に変形可能な物質でできてい る変形可能な薄膜層６６と、各々が特定の厚さを有し、例えば、銅（Ａｕ）ある いは銀（Ａｇ）のような金属からなる第１電極層６９及び第２電極層７０とを含 む。この第１電極層６９は変形可能な薄膜層６６の上面６７に、第２電極層７０ は変形可能な薄膜層６６の下面６８に各々設けられている。変形可能な薄膜層６ ６は圧電性セラミック、電歪セラミック、磁気電歪セラミック、または電歪ポリ マーで作られている。この変形可能な薄膜層６６が、電歪セラミックまたは電歪 ポリマーからなる場合には極性化されなければならない。 Ｍ×Ｎ個の支持部材５６の各々は上面７１及び下面７２を有し、各薄膜駆動構 造体５４を支持すると共に、各薄膜駆動構造体５４の第２電極層７０と能動マト リックス５２上の対応する接続端子６１とを電気的に接続するのに用いられる。 この接続端子６１の上には例えば、金属のような導電性の物質からなるコンジッ ト７３が設けられている。本発明のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー５ １のアレイ５０において、各薄膜駆動構造体５４は、その下面６３の一方の端（ 即ち、近位の端６４）に各支持部材５６の上面７１が接する型の片持構造で支持 され、各支持部材５６の下面７２は能動マトリックス５２の上に接続されている 。光ビームを反射するためのＭ×Ｎ個のミラー５８の各々は、各駆動構造体５４ の上面６２に位置する。電界は、各駆動構造体５４の第１電極層６９と第２電極 層７０との間に設けられた変形可能な薄膜層６６の両端に印加される。このよう な電界を印加することによって、変形可能な薄膜層６６、駆動構造体５４及びミ ラー５８が変形される。 Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー５１のアレイ５０の機能を適切に行 わせるため、各アクチュエーテッドミラー５１におけるミラー５８及び第１電極 層６９の全厚さは、その変形を引き起こすために第２電極層７０の厚さとは相異 しなければならない。 この全厚さと第２電極層７０の厚さとの間に差がない場合は、図４及び図５に 示すように、上面４０を有する弾性層８８を各アクチュエーテッドミラー５１に 設けられなければならない。この弾性層８８はミラー５８と第１電極層６９との 間に、または各アクチュエーテッドミラー５１の第２電極層７０の下側に位置し なければならない。 また、導電性の物質からなる第１電極層６９は、光反射性の物質（例えば、ア ルミニウム（Ａｌ））でも作られることによって、各アクチュエーテッドミラー ５１でミラー５８として働くことになる。この場合、各アクチュエーテッドミラ ー５１の機能を適切に行わせるため、第１電極層６９及び第２電極層７０は互い に相異した厚さを有するか、または図４及び図７に示すように、各アクチュエー テッドミラー５１に各駆動構造体の下側に弾性層８８が設けられなければならな い。更に、図８に示すように、この弾性層８８が光反射性の物質からなる場合は 、ミラーとしても機能する。 本発明のアクチュエーテッドミラー５１のアレイ５０は、第１電極層６９及び 第２電極層７０を完全に覆う各薄膜駆動構造体５４の変形可能な薄膜層６６の上 面６７及び下面６８の中の一つを有するか、第１電極層６９及び第２電極層７０ を部分的に覆う変形可能な薄膜層６６の上面６７及び下面６８の中の一つを有す ることによって、その機能を行うことができる。このような駆動構造体を有する アクチュエーテッドミラー５１の例が、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に各々示され ている。 本発明の第１実施例において、図８及び図１０には、Ｍ×Ｎ個の駆動構造体５ ４のアレイを含み、電歪セラミック（例えば、ＰＺＴ（ｌｅａｄ ｚｌｒｃｏｎ ｉｕｍ ｔｉｔａｎａｔｅ）からなるアクチュエーテッドミラー５１のアレイ５ ０が示されている。電界は、各駆動構造体５４の第１電極層６９と第２電極層７ ０との間に設けられた変形可能な薄膜層６６の両端に印加される。このような電 界を供給することによって、電歪材料の分極に対する電界の分極によって、電歪 セラミックは収縮されるか膨脹されるかする。即ち、電界の分極が電歪セラミッ クの分極に対応する場合、電歪セラミックは収縮することになり、電歪セラミッ クの分極と反対である場合は、電歪セラミックは膨脹することになる。 図８及び図１０を再度参照すると、印加された電界の分極に対応する電歪セラ ミックの分極によって、電歪セラミックが収縮されることが示されている。 図 １０に示すように、弾性層８８が収縮しないと、駆動構造体は下向けに曲がれる ことになる。図８及び図１０に示すように、図１０のアクチュエーテッドミラー ５１でミラーとして働く弾性層８８の上面４０に入射した光は、図８の駆動され ないアクチュエーテッドミラー５１から反射された光よりより大きい角度で偏向 されることを分かる。 また、電歪セラミックの分極と反対の分極を有する電界が変形可能な薄膜層６ ６の両端に加えられる場合、電歪セラミックは膨脹することになる。この例で、 弾性層８８が膨脹しないことによって、駆動構造体５４は下向けに曲がれる。下 向けに曲がれたアクチュエーテッドミラー５１のミラー５８に入射する光は、図 ８の駆動されないアクチュエーテッドミラー５１の弾性層８８の上側面４０から 反射された光より小さい角度で偏向される。 図１１には、本発明の第２実施例に基づくＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド ミラー１０１のアレイ１００の断面図が示されている。ここで、第２実施例は、 各駆動構造体５４が第１電極層６９と、第２電極層７０と、中間金属層８７と、 上側面９０及び下側面９１を有する電気的に変形可能な上部薄膜層（以下、「上 部変形可能層」と称する）８９と、上側面９３及び下側面９４を有する電気的に 変形可能な下部薄膜層（以下、「下部変形可能層」と称する）９２とを備えるバ イモフ構造（ｂｉｍｏｒｐｈ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）からなることを除いては、 上記の第１実施例と類似である。各駆動構造体５４において、上部変形可能層８ ９及び下部変形可能層９２は中間金属層８７、上部変形可能層８９の上側面９０ に位置する第１電極層６９及び下部変形可能層９２の下側面９４に位置する第２ 電極層７０により分離されている。 第１実施例と同一に、各駆動構造体５４の各変形可能層８９及び９２は、電歪 セラミック、圧電セラミック、磁気圧電セラミック、または電歪ポリマーで作ら れる。これらの変形可能層８９及び９２が電歪セラミックまたは電歪ポリマーで できている場合、各層８９及び９２は、上部変形可能層８９の電歪材料の分極方 向が下部変形可能層９２の電歪材料の分極方向と反対になるように分極されなけ ればならない。 図１２には、本発明の第２実施例に基づいて、アクチュエーテッドミラー１０ １のアレイ１００の断面図が示されている。ここで、第１電極層６９は光反射性 の物質からなることによって、その上面３９はミラーとして働く。 第２実施例 のアレイ１００の機能を説明するため、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ー１０１のアレイ１００の上部変形可能層８９及び下部変形可能層９２が、例え ば、ＰＺＴのような電歪セラミックからなっていることと仮定する。電界が駆動 構造体５４、上部変形可能層８９及び下部変形可能層９２の各々に印加される場 合、駆動構造体５４は電歪セラミックの分極及び電界の分極によって、上向きに または下向きに湾曲することになる。例えば、上部変形可能層８９の分極は収縮 を引き起こし、下部変形可能層９２の分極は膨脹を引き起こして駆動構造体５４ は上向けに曲がれることになる。この状態にて、駆動構造体５４から反射された 光は、駆動されない駆動構造体５４から反射された光より小さい角度で偏向され る。しかしながら、電歪セラミック及び電界の分極が上部変形可能層８９を膨脹 させ、下部変形可能層９２を収縮させると、駆動構造体５４は下向きに湾曲する ことになる。この状態にて、駆動構造体５４から反射された光ビームは、駆動さ れない駆動構造体５４から反射された光ビームより大きい角度で偏向される。 図１３（Ａ）〜図１３（Ｆ）には、本発明の第１実施例に基づく製造方法が示 されている。第１実施例に基づくＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー５１ のアレイ５０の製造は、図１３（Ａ）に示すように、上面７５及び下面７６を有 し、基板５９と、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず）とＭ×Ｎ個の接 続端子６１のアレイ６０とからなる能動マトリックス５２の準備から始まる。 その後、支持層８０が能動マトリックス５２の上面７５に形成される。この支 持層８０はＭ×Ｎ個の支持部材５６のアレイ５５に対応するＭ×Ｎ個のペデスタ ル８２のアレイ８１と、犠牲エリア８３とを有する。ここで、支持層８０は図１ ３（Ｂ）に示すように、犠牲層（図示せず）を能動マトリックス５２の上面７５ 全体に堆積する工程と、Ｍ×Ｎ個の接続端子６１の各周りに位置するＭ×Ｎ個の 空スロットのアレイ（図示せず）を形成することによって犠牲エリア８３が形成 される工程と、各空スロットにペデスタル８２を満たす工程とから形成される。 この犠牲層はスパッタリング法を用いて、空スロットのアレイはエッチング法を 用いて、ペデスタル８２はスパッタリング法または化学気相堆積法（ＣＶＤ）を 用いた後にエッチング法を用いてそれぞれ形成される。その後、支持層８０の犠 牲エリア８３は、エッチング法あるいは化学液を用いて除去される。 図１３（Ｃ）に示すように、例えば、導電性の物質ででき、各接続端子６１と 各第２電極層７０とを電気的に接続するためのコンジット７３が各ペデスタル８ ２に形成される。このコンジット７３は最初、エッチング法を用いて対応する接 続端子６１の上部まで延在する孔を生成し、その後、その孔に導電性の物質を満 たすことによって作られる。 続けて、図１３（Ｄ）に示すように、第１薄膜電極層８４は例えば、銅（Ａｕ ）のような導電性の物質から成り、支持層８０、コンジット７３及び犠牲エリア ８３の上に形成される。その後、例えば、ＰＺＴのような電気的に変形可能な物 質から成る変形可能層８５を、第１薄膜電極層８４上に形成する。 しかるのち、例えば、アルミニウム（Ａｌ）のような光反射性の物質からなる 薄膜層９９が、第２薄膜電極層９５の上に形成される。 図１３（Ｅ）に示すように、導電性で電気的に変形可能で、且つ光反射性の物 質からなる薄膜層９９は、公知の薄膜技法（例えば、スパッタリング法、ゾルー ゲル法、蒸着法、エッチング法及びマイクロマシニング法）を用いて形成されパ ターニングされる。 その後、図１３（Ｆ）に示すように、支持層８０の犠牲エリア８３は、化学液 を加えて除去されるか溶解されることによって、上記のアクチュエーテッドミラ ー５１のアレイ５０が形成される。 前述した工程から理解されるように、第２実施例は第１実施例とほぼ同一の方 法で製造される。支持層は能動マトリックスに形成される。この支持層はＭ×Ｎ 個の支持部材に対応するＭ×Ｎ個のペデスタルのアレイと、犠牲エリアとを有す る。その後、第１薄膜電極層、下部変形可能層、中間金属層、上部変形可能層、 第２薄膜電極層及び光反射層は、支持層の上に各々順次的に形成される。前述し たように、導電性で、電気的に変形可能で、且つ光反射性を有する物質からなる 薄膜層は、公知の薄膜技術を用いて形成されパターニングされる。その後、支持 層の犠牲エリアは、化学液を加えて溶解されるか除去されることによって、バイ モフ構造体のＭ×Ｎ個の薄膜駆動構造体５４のアレイ５３を有するアクチュエー テッドミラー１０１のアレイ１００を形成することになる。各駆動構造体５４は 、各支持部材５６により基板に片持構造体で支持されている。 本発明の好適な第１及び第２実施例において、他の薄膜層の形成方法と同様に 、弾性層８８を形成するプロセスを付加することができる。 上記において、本発明の好適な実施例について説明したが、本発明の特許請求 の範囲を逸脱することなく、種々の変更を加え得ることは勿論である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 １９９３／２５８７９ (32)優先日 1993年11月30日 (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (31)優先権主張番号 １９９３／３１７２０ (32)優先日 1993年12月30日 (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (81)指定国 ＡＵ，ＢＲ，ＣＡ，ＣＮ，ＣＺ， ＨＵ，ＪＰ，ＰＬ，ＲＵ，ＶＮ (72)発明者 リー ソク ウォン 大韓民国 ソウル 122―042 オンピョン ―ク プルカン ２―ドン 292―49

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレ イ（Ｍ及びＮは正の整数）であって、 基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ、及びＭ×Ｎ個の接続端子のアレイ を有する能動マトリックスと、 上面及び下面、近位の部分及び遠位の部分を有しており、各々が少なくとも 、上面及び下面を有し電気的に変形可能な物質から成る薄膜層と、各々が特定の 厚さで前記薄膜層の前記上面に位置する第１電極と、前記下面に位置する第２電 極とを含み、電気信号が前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた前記薄 膜層の両端に印加される場合、前記薄膜層と共に変形されるＭ×Ｎ個の薄膜駆動 構造体のアレイと、 上面及び下面を有し、前記薄膜駆動構造体の各々を支持すると共に、前記薄 膜駆動構造体と前記能動マトリックとを電気的に接続するＭ×Ｎ個の支持部材の アレイと、 前記各薄膜駆動構造体の上面に設けられ、前記各薄膜駆動構造体の変形に応 じて、各々が変形して入射した光ビームを反射するＭ×Ｎ個のミラーのアレイと を含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ２．前記薄膜駆動構造体の各々が、それらの下面の前記近位の部分において前記 各支持部材の上面に、片持構造で支持されていることを特徴とする請求項１に記 載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ３．前記各支持部材の下面が、前記能動マトリックス上に位置することを特徴と する請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ４．前記薄膜駆動構造体の各々が、バイモフ構造体からなり、第１電極層、第２ 電極層、中間金属層、及び上面及び下面を有する上部変形可能な薄膜層、上面及 び下面を有する下部変形可能な薄膜層を備え、前記上部変形可能な薄膜層と前記 下部変形可能な薄膜層とが前記中間金属層により分離され、前記第１電極層が、 前記上部変形可能な薄膜層の上面に位置し、前記第２電極層が前記第１電極層と 、前記下部変形可能な薄膜層の下面に位置することを特徴とする請求 項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ５．前記薄膜層が、圧電性セラミックまたは圧電性ポリマーからなることを特徴 とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ６．前記薄膜層が、極性化されていることを特徴とする請求項５に記載のＭ×Ｎ 個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ７．前記薄膜層が、電歪材料からなることを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ 個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ８．前記薄膜層が、磁気電歪材料からなることを特徴とする請求項１に記載のＭ ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ９．前記上部変形可能な薄膜層及び前記下部変形可能な薄膜層が、圧電性材料か らなることを特徴とする請求項４に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミ ラーアレイ。 10．前記上部変形可能な薄膜層の前記電歪材料が、前記下部変形可能な薄膜層の 前記電歪材料と反対向きに極性化されることを特徴とする請求項９に記載のＭ× Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 11．前記支持部材の各々が、前記各駆動構造体の前記第２電極と前記能動マトリ ックス上の対応する接続端子とを電気的に接続するためのコンジットを有するこ とを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレ イ。 12．前記Ｍ×Ｎ個のミラーの各々が、光反射性の物質からなることを特徴とする 請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 13．前記第１電極及び前記第２電極が、前記薄膜層の上面及び上面をそれぞれ完 全に覆うことを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド ミラーアレイ。 14．前記第１電極または前記第２電極が、前記薄膜層の上面または下面を部分的 に覆うことを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミ ラーアレイ。 15．前記第１電極及び第２電極が、導電性の物質からなることを特徴とする請求 項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 16．前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイが、前記各駆動構造体 の上面にＭ×Ｎ個の弾性層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のＭ ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 17．前記ミラーと前記各駆動構造体の第１電極との間に弾性層が設けられること を特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ 。 18．前記各駆動構造体の下面にＭ×Ｎ個の弾性層をさらに有することを特徴とす る請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 19．前記第１電極が、光反射性の物質からなり、前記各薄膜アクチュエーテッド ミラーのミラーとして機能することを特徴とする請求項１５に記載のＭ×Ｎ個の 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 20．前記第１電極が、前記各薄膜アクチュエーテッドミラーとして前記第２電極 と同一の厚さを有することを特徴とする請求項１９に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アク チュエーテッドミラーアレイ。 21．前記各駆動構造体の前記下面にＭ×Ｎ個の弾性層をさらに有することを特徴 とする請求項２０に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 22．前記第１電極が、前記各駆動構造体において前記第２電極と相異なる厚さを 有することを特徴とする請求項１９に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド ミラーアレイ。 23．請求項１乃至請求項２２のうちのいずれか一つに記載のＭ×Ｎ個の薄膜アク チュエーテッドミラーアレイを含むことを特徴とする光投射システム。 24．光投射システムで用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレ イの製造方法であって、 上面及び下面を有し、基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ及びＭ×Ｎ個 の接続端子のアレイを備える能動マトリックスを準備する第１工程と、 前記能動マトリックスの上面に、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミ ラーアレイのＭ×Ｎ個の支持部材のアレイに対応するＭ×Ｎ個のペデスタルのア レイと犠牲エリアとを有する支持層を形成する第２工程と、 前記支持層の前記犠牲エリアを除去する第３工程と、 第１薄膜電極層を前記支持層に形成する第４工程と、 前記第１薄膜電極層に変形可能な薄膜層を形成する第５工程と、 第２薄膜電極層を前記変形可能な薄膜層に形成する第６工程と、 光反射性の物質からなるミラー層を、前記第２薄膜電極層に形成する第７工 程と、 前記支持層の前記犠牲エリアを除去して、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエー テッドミラーアレイを形成する第８工程とを含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄 膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 25．前記第１薄膜電極層及び前記第２薄膜電極層が、スパッタリング法を用いて 形成されることを特徴とする請求項２４に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ ッドミラーアレイの製造方法。 26．前記変形可能な薄膜層が、スパッタリング法を用いて形成されることを特徴 とする請求項２４に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製 造方法。 27．前記変形可能な薄膜層が、化学気相堆積（ＣＶＤ）法を用いて形成されるこ とを特徴とする請求項２４に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア レイの製造方法。 28．前記変形可能な薄膜層が、ゾルーゲル法を用いて形成されることを特徴とす る請求項２４に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方 法。 29．前記ミラー層が、スパッタリング法を用いて形成されることを特徴とする請 求項２４に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 30．前記支持層が、前記能動マトリックスの前記上面に犠牲層を形成する工程と 、前記犠牲層に、前記Ｍ×Ｎ個の接続端子の各々の周りに位置するＭ×Ｎ個の空 スロットのアレイイを形成する工程と、前記各空スロットにペデスタルを満たす 工程とによって形成されることを特徴とする請求項２４に記載のＭ×Ｎ個の薄膜 アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 31．前記犠牲層が、スパッタリング法を用いて形成されることを特徴とする請求 項３０に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 32．前記Ｍ×Ｎ個の空スロットのアレイが、エッチング法を用いて形成されるこ とを特徴とする請求項３０に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア レイの製造方法。 33．前記ペデスタルが、スパッタリング法、エッチング法を順次的に用いて形成 されることを特徴とする請求項３０に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド ミラーアレイの製造方法。 34．前記ペデスタルが、化学気相堆積法、エッチング法を順次的に用いて形成さ れることを特徴とする請求項３０に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミ ラーアレイの製造方法。 35．請求項２４乃至請求項３４のうちのいずれか一つに記載の前記Ｍ×Ｎ個の薄 膜アクチュエーテッドミラーアレイを含むことを特徴とする光投射システム。 36．光投射システムで用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレ イの製造方法であって、 上面及び下面を有し、基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ及びＭ×Ｎ個 の接続端子のアレイを備える能動マトリックスを準備する第１工程と、 前記能動マトリックス上に、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー アレイのＭ×Ｎ個の支持部材のアレイに対応するＭ×Ｎ個のペデスタルのアレイ と犠牲エリアとを有する支持層を形成する第２工程と、 前記支持層の前記犠牲エリアを除去する第３工程と、 薄膜弾性層を前記支持層の上面に形成する第４工程と、 前記第１薄膜電極層に前記第２薄膜層を形成する第５工程と、 下部変形可能な薄膜層を前記第１薄膜電極層に形成する第６工程と、 第２薄膜電極層を前記下部変形可能な薄膜層に形成する第７工程と、 光反射性の物質からなるミラー層を前記第２薄膜電極層に形成する第８工程 と、 前記支持層の前記犠牲エリアを除去して、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエー テッドミラーアレイを形成する第９工程とを含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄 膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 37．前記薄膜弾性層が、前記ミラー層を形成する前に形成されることを特徴とす る請求項３６に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方 法。 38．請求項３６乃至請求項３７のうちのいずれか一つに記載の前記Ｍ×Ｎ個の薄 膜アクチュエーテッドミラーアレイを含むことを特徴とする光投射システム。 39．光投射システムで用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレ イの製造方法であって、 上面及び下面を有し、基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ及びＭ×Ｎ個 の接続端子のアレイを備える能動マトリックスを準備する第１工程と、 前記能動マトリックスの上面に、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミ ラーアレイのＭ×Ｎ個の支持部材のアレイに対応するＭ×Ｎ個のペデスタルのア レイと犠牲エリアとを有する支持層を形成する第２工程と、 前記支持層の前記犠牲エリアを除去する第３工程と、 第１薄膜電極層を前記支持層に形成する第４工程と、 下部変形可能な薄膜層を前記薄膜弾性層に形成する第５工程と、 中間金属層を前記下部変形可能な薄膜層の上に形成する第６工程と、 上部変形可能な薄膜層を前記中間金属層に形成する第７工程と、 第２薄膜電極層を前記上部変形可能な薄膜層に形成することによって、バイ モフ構造をなす第８工程と、 光反射性の物質からなるミラー層を前記第２薄膜電極層に形成する第９工程 と、 前記支持層の前記犠牲エリアを除去して、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエー テッドミラーアレイを形成する第１０工程とを含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 40．請求項３９に記載の方法によって形成された前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエ ーテッドミラーアレイを含むことを特徴とする光投射システム。