CZ288846B6 - Soustava ovládaných zrcadel tenkého filmu a způsob její výroby - Google Patents
Soustava ovládaných zrcadel tenkého filmu a způsob její výroby Download PDFInfo
- Publication number
- CZ288846B6 CZ288846B6 CZ19961180A CZ118096A CZ288846B6 CZ 288846 B6 CZ288846 B6 CZ 288846B6 CZ 19961180 A CZ19961180 A CZ 19961180A CZ 118096 A CZ118096 A CZ 118096A CZ 288846 B6 CZ288846 B6 CZ 288846B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- thin film
- layer
- electrode
- motion
- actuated
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract description 53
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S359/00—Optical: systems and elements
- Y10S359/904—Micromirror
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Mirrors, Picture Frames, Photograph Stands, And Related Fastening Devices (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
Soustava (50) M x N ovl dan²ch zrcadel tenk ho filmu (51), se pou v v syst mu optick projekce, kter² obsahuje aktivn matrici (52), soustavu M x N ovl dac ch struktur (54) tenk ho filmu, kde ka d ovl dac struktura (54) zahrnuje alespo vrstvu (66) tenk ho filmu vyvol vaj c pohyb, p r elektrod, kde ka d elektroda je um st na na horn a spodn vrstv (66) tenk ho filmu vyvol vaj c pohyb, soustavu (55) M x N podp rn²ch prvk (56), kter se pou vaj pro dr en ka d ovl dac struktury (54) na sv m m st tak, e ovl dac struktura (54) vy n v , a rovn pro elektrick spojen ka d ovl dac struktury (54) a aktivn matrice (52) a soustavu (50) M x N zrcadel (58) slou c k odrazu sv teln²ch paprsk , kde ka d zrcadlo (58) je um st no na vrchn stran ka d ovl dac struktury (54). Zp sob v²roby takov to soustavy zahrnuje kroky vytvo°en aktivn matrice (52), kde aktivn matrice (52) zahrnuje soustavu M x N tranzistor , vytvo°en podp rn vrstvy na horn m povrchu aktivn matrice (5\
Description
Oblast techniky
Vynález se týká optického projekčního systému a zvláště soustavy Μ x N ovládaného zrcadla tenkého filmu, která se v uvedeném systému používá.
Dosavadní stav techniky
Mezi různými zobrazovacími systémy, které jsou u dosavadního stavu techniky k dispozici, je znám projekční systém, který je schopen poskytovat vysoce kvalitní zobrazení v širokém měřítku. U tohoto optického projekčního systému osvětluje světlo lampy rovnoměrně soustavu 15 například MxN ovládaných zrcadel, a to tak, že každé zrcadlo je spojeno s každým akčním členem, Akční Členy mohou být zhotoveny z elektrovychylujícího materiálu, například z piezoelektrického nebo elektrostrikčního materiálu, který se působením elektrického pole deformuje.
Odražený paprsek světla od každého zrcadla dopadá na otvor v membráně. Způsobením elektrického signálu na každý akční člen se mění relativní poloha každého zrcadla vůči dopadajícímu světlu, čímž způsobuje odchylku optické dráhy odraženého paprsku od každého zrcadla. Jelikož se optická dráha každého odraženého paprsku mění, mění se i celkové množství světla odraženého od každého zrcadla a procházejícího zmíněným otvorem, čímž se moduluje 25 intenzita paprsku. Modulované paprsky procházející otvorem se přenáší na projekční plátno pomocí odpovídajících optických zařízení, například pomocí projekčních čoček, přičemž na plátně vytvoří obraz.
Na obr. 1 je znázorněn příčný řez soustavou MxN ovládaných zrcadel 10 s elektrickým 30 vychylováním, která se používá v optických projekčních systémech a která je uvedena v US patentové přihlášce podané pod názvem „Soustava ovládaných zrcadel s elektrickým vychylováním“, kde soustava zahrnuje aktivní matrici 11, která obsahuje podklad 12 a soustavu MxN tranzistorů, soustavu 13 MxN elektrovychylujících akčních členů 30. kde každý akční člen 30 zahrnuje pár spouštěcích členů 14, 15, pár předpěťových elektrod 16. 17 a běžnou 35 signální elektrodu 18, soustavu 19 Μ x N závěsů 31, kde každý závěs zapadá do každého z elektrovychylujících akčních členů 30, soustavu 20 Μ x N spojovacích terminálů 22, kde každý z terminálů 22 se používá pro elektrické spojení každé signální elektrody 18 s aktivní matricí 11 a dále soustavu 21 Μ x N zrcadel 23, kde každé zrcadlo 23 je namontováno na horní části MxN závěsů.
Ve zmíněné patentové přihlášce je rovněž uvedena metoda výroby soustavy MxN ovládaných zrcadel s elektrickým vychylováním a s keramickou membránou, která má tloušťku 30 až 50 pm. Existuje prostor pro další zlepšování výše popsaného způsobu výroby soustavy MxN akčního členu s el. vychylováním. V prvé řadě je obtížné získat keramickou membránu, která by měla 45 tloušťku 30 až 50 pm. Je-li tloušťka membrány zredukována na hodnotu rozsahu 30 až 50 pm, zhoršují se mechanické vlastnosti, což může ztížit výrobní proces.
Kromě toho tento způsob spotřebuje příliš mnoho času, je obtížné ho řídit a je to konec konců fádní způsob, což ztěžuje získání požadované reprodukovatelnosti, spolehlivosti a výnosu, 50 a kromě toho existuje omezení, týkající se zmenšování velikosti.
-1 CZ 288846 B6
Podstata vynálezu
Prvořadým cílem tohoto vynálezu je poskytnout způsob výroby soustavy Μ x N ovládaných zrcadel, který se obejde bez nutností použít tenkou elektrovychylující keramickou membránu.
Dalším cílem tohoto vynálezu je poskytnout zlepšenou a novou metodu výroby soustavy Μ x N ovládaných zrcadel, která zajistí lepší reprodukovatelnost, spolehlivost a výnosnost, použitím známé techniky tenkého filmu, která se obvykle používá při výrobě polovodičů.
Dalším cílem tohoto vynálezu je poskytovat soustavu ovládaných zrcadel, která mají novou strukturu, zahrnující množství vrstev tenkého filmu z materiálu, který vyvolává pohyb, je elektricky vodivý a odráží světlo.
Podle jednoho aspektu tohoto vynálezu se poskytuje soustava MxN ovládaných zrcadel tenkého filmu, která se používá v systému optické projekce, kde soustava zahrnuje: aktivní matrici sestávající ze základu, soustavu MxN tranzistorů a MxN spojovacích terminálů, soustavu MxN ovládacích struktur tenkého filmu, kde každá ovládací struktura má horní a spodní povrch, bližší a vzdálenější konec, kde každá ovládací struktura má alespoň tenkou vrstvu filmu z materiálu vyvolávajícího pohyb, která má horní a spodní povrch, a první a druhou elektrodu o specifické tloušťce, kde je první elektroda umístěna na horním povrchu vrstvy, kde elektrický signál, přivedený přes vrstvu vyvolávající pohyb mezi první a druhou elektrodu, způsobí deformaci vrstvy vyvolávající pohyb, a tím i ovládací struktury, dále soustava obsahuje soustavu MxN podpůrných prvků, kde každý podpůrný prvek má horní a spodní povrch a kdy každý podpůrný prvek je používán pro udržení ovládací struktury na svém místě a rovněž pro elektrické připojení každé ovládací struktury a aktivní matrice, dále zahrnuje soustavu MxN zrcadel, která odráží světelné paprsky, kde každé zrcadlo je umístěno na horní části ovládací struktury tak, že deformace každého zrcadla je odpovědí na deformaci ovládací struktury.
Podle jiného aspektu tohoto vynálezu se poskytuje nový způsob výroby soustavy MxN ovládaných zrcadel, která se používají u systému optické projekce, při použití známé techniky tenkého filmu, přičemž tento způsob zahrnuje následující kroky:
a) poskytuje aktivní matrici, která má horní a spodní povrch, kde aktivní matrice má podklad, soustavu MxN tranzistorů a soustavu MxN spojovacích terminálů,
b) vytváření podpůrné vrstvy na horním povrchu aktivní matrice, kde podpůrná vrstva má soustavu podstavců, které odpovídají soustavě MxN podpůrných prvků v soustavě MxN ovládaných zrcadel tenkého filmu a obětované oblasti (sacrificial area),
c) úprava obětované oblasti podpůrné vrstvy tak, aby se dala odstranit,
d) umístění první elektrody tenkého filmu na podpůrnou vrstvu,
e) poskytnutí vrstvy tenkého filmu vyvolávající pohyb,
f) vytvoření druhé elektrodové vrstvy tenkého filmu na tenké vrstvě vyvolávající pohyb,
g) umístění vrstvy zrcadel, zhotovených z materiálu odrážejícího světlo, na druhou elektrodovou vrstvu tenkého filmu,
h) odstranění obětní oblasti podpůrné vrstvy, aby se tím vytvořila zmíněná soustava MxN ovládaných zrcadel s tenkou vrstvou filmu.
-2CZ 288846 B6
Přehled obrázků na výkresech
Dříve uvedené a jiné cíle a znaky vynálezu budou jasnější pomocí následujícího popisu provedení, kterým se dává přednost, a to ve spojení s přiloženými výkresy, na kterých:
obr. 1 znázorňuje příčný řez soustavou Μ x N ovládaných zrcadel s elektrickým vychylováním, která již byla dříve uvedena, obr. 2 znázorňuje příčný řez soustavou M xN ovládaných zrcadel tenkého filmu v souladu s provedením podle tohoto vynálezu, obr. 3 znázorňuje podrobnější příčný řez ovládaným zrcadlem tenkého filmu prvního provedení z obr. 2, obr. 4 znázorňuje příčný řez ovládaným zrcadlem prvního provedení s pružnou vrstvou, která je vložena mezi zrcadlo a první elektrodu, obr. 5 znázorňuje příčný řez ovládaným zrcadlem prvního provedení s pružnou vrstvou, která je umístěna na spodní část druhé elektrody, obr. 6 znázorňuje příčný řez ovládaného zrcadla prvního provedení, které má první elektrodu zhotovenou z materiálu odrážejícího světlo a s první a druhou elektrodou, z nichž každá má různou tloušťku, obr. 7 znázorňuje příčný řez ovládaného zrcadla prvního provedení, které má první elektrodu z materiálu odrážejícího světlo a s pružnou vrstvou umístěnou na spodním povrchu ovládací struktury, obr. 8 zobrazuje příčný řez ovládaného zrcadla prvního provedení, které má pružnou vrstvu umístěnou na horní straně první elektrody, a která je zhotovena z materiálu odrážejícího světlo, obr. 9A a 9B znázorňuje příčný řez ovládaného zrcadla prvního provedení, které má horní a spodní povrch vrstvy vyvolávající pohyb ovládací struktury částečně pokryt první a druhou elektrodou, obr. 10 znázorňuje příčný řez ovládaným zrcadlem prvního provedení ve stavu, kdy je uvedeno v činnost, obr. 11 znázorňuje příčný řez ovládaného zrcadla druhého provedení, které má bimorfní strukturu, obr. 12 znázorňuje příčný řez ovládaného zrcadla druhého provedení, které má první elektrodu vyrobenou z materiálu odrážejícího světlo, obr. 13A až 13F reprodukuje schematický příčný řez, který ukazuje výrobní kroky prvního provedení podle tohoto vynálezu.
Příklady provedení vynálezu
Na obr. 2 až 13 jsou znázorněny příčné řezy vynálezecké soustavy MxN ovládaných zrcadel tenkého filmu, které se používají v systémech optické projekce, kde M a N jsou celá čísla, a která jsou v souladu s provedením tohoto vynálezu, kterému se dává přednost. Je nutné zaznamenat, že podobné součásti na obr. 2 až 13 jsou označeny stejnými referenčními čísly.
-3CZ 288846 B6
Na obr. 2 je znázorněn příčný řez prvním provedením soustavy 50 Μ x N ovládaného zrcadla tenkého filmu 51, která zahrnuje aktivní matrici 52, soustavu 53 M xN ovládacích struktur 54 s tenkým filmem, soustavu 55 Μ x N podpůrných prvků 56 a sestavu 57 Μ x N zrcadel 58.
Na obr. 3 je znázorněn podrobnější příčný řez ovládaným zrcadlem tenkého filmu 51 z obr. 2. Aktivní matrice 52 zahrnuje podklad 59, soustavu MxN tranzistorů (nejsou znázorněny) a soustavu 60 Μ x N spojovacích terminálů 61. Každá ovládací struktura 54 tenkého filmu má homí a spodní povrch 61 a 63, bližší a vzdálenější konec 64.65 a dále zahrnuje vrstvu 66 tenkého filmu vyvolávající pohyb, který má homí a spodní povrch 67, 68 a první a druhou elektrodu 69, 70, které mají specifickou tloušťku a jsou zhotoveny například z kovu, kterým může být zlato (Au) nebo stříbro (Ag), kde první elektroda 69 má homí povrch 39. První elektroda 69 je umístěna na homí povrch 67 vrstvy 66 tenkého filmu vyvolávající pohyb a druhá elektroda 70 na spodní povrch 68 této vrstvy. Vrstva 66 tenkého filmu vyvolávající pohyb je zhotovena z piezoelektrické keramické látky, z elektrostrikční keramické látky, magnetostrikční keramické látky nebo z piezoelektrického polymeru a musí být polarizována.
Každý MxN podpůrný prvek 56, který má homí a spodní povrch 71 a 72 se používá pro držení ovládací struktury 54 na místě a rovněž pro elektrické propojení druhé elektrody 70 v každé ovládací struktuře 54 s odpovídajícími spojovacími terminály 61 na aktivní matrici 52 a mají vedení 73 vyrobené z elektricky vodivého materiálu, například z kovu. U této vynálezecké soustavy 50 Μ x N ovládaných zrcadel s tenkým filmem 51, každá ovládací struktura 54 přečnívá vůči podpůrným prvkům 56 a je namontována na horním povrchu 71 každého podpůrného prvku 56 spodním povrchem 63 každé ovládací struktury 54 u bližšího konce 64 a spodní povrch 72 každého podpůrného prvku se nachází na homí části aktivní matrice 52. Na vrstvě 66 tenkého filmu vyvolávající pohyb je vytvořeno el. pole, a to mezi první a druhou elektrodou 69, 70 každé ovládací vrstvy 54. Vznik el. pole způsobí deformaci vrstvy 66 tenkého filmu vyvolávající pohyb, tím i ovládací struktury a zrcadla 58 umístěného na této struktuře.
Aby soustava MxN ovládaných zrcadel tenkého filmu 50 správně fungovala, musí být kombinovaná tloušťka zrcadla 58 a první elektrody 69 u každého ovládaného zrcadla 51 různá od kombinace tloušťky druhé elektrody 70 a zrcadla, aby se deformace uskutečnila.
Jestliže tomu tak není, musí být každé ovládané zrcadlo 51 opatřeno pružnou vrstvou 88, která má homí povrch 40. Pružná vrstva 88 se může vložit buďto přímo mezi zrcadlo 58 a první elektrodou, nebo na spodní část druhé elektrody 70 každého ovládaného zrcadla 51, tak jak je to znázorněno na obr. 4 a 5.
Elektrickým vodivým materiálem, ze kterého je zhotovena první elektroda (může rovněž odrážet světlo), může být například hliník (AI), který umožní, že homí povrch první elektrody může fungovat také jako zrcadlo 58 u každého ovládaného zrcadla 51. V tomto případě, aby každé ovládané zrcadlo tenkého filmu 51 pracovalo spolehlivě, musí být tloušťka první a druhé elektrody 69, 70 různá, nebo musí být každé ovládané zrcadlo s tenkým filmem 51 opatřeno pružnou vrstvou 88 umístěnou na spodním povrchu každé ovládací struktury, jak je to znázorněno na obr. 6 a 7. Kromě toho, je-li pružná vrstva vyrobena z materiálu odrážejícího světlo, může fungovat jako zrcadlo 58, jak je to znázorněno na obr. 8.
Stejně dobře bude soustava 50 ovládaných zrcadel s tenkým filmem fungovat, jestliže bude mít homí a spodní povrch 67, 68 vrstvy 66 tenkého filmu, vyvolávající pohyb v každé ovládací struktuře 54, zcela pokryt první a druhou elektrodou 69, 70, nebo bude-li mít jeden z horních a spodních povrchů 69, 70 vrstvy 66 tenkého filmu vyvolávající pohyb v každé ovládací struktuře 54 částečně pokryt první a druhou elektrodou 69, 70. Dva příklady ovládaného zrcadla 51, které mají takovou strukturu, jsou zobrazeny na obr. 9A a 9B.
Na obr. 8 a 9 je pomocí příkladů prvního provedení zobrazena soustava 50 M xN ovládaného zrcadla tenkého filmu 51, která má soustavu MxN ovládacích struktur 54, zhotovenou
-4CZ 288846 B6 z piezoelektrického keramického materiálu, například z titaničitanu zirkon olovnatého (PZT). Na piezoelektrickou vrstvu 66 tenkého filmu vyvolávající pohyb, umístěnou mezi první a druhou elektrodou 69, 70 v každé ovládací struktuře 54, je aplikováno elektrické pole. Toto pole způsobí, že se piezoelektrický keramický materiál smrští nebo roztáhne, což záleží na polaritě elektrického pole a polaritě piezoelektrického materiálu. Jestliže polarita elektrického pole odpovídá polaritě piezoelektrického keramického materiálu, tento materiál se smrští. Jestliže polarita el. pole je opačná k polaritě piezoelektrického keramického materiálu, tento materiál se roztáhne.
Podle obr. 8 a 10 polarita piezoelektrického materiálu odpovídá polaritě pole, takže materiál se smršťuje.
Jelikož pružná vrstva 88 se nesmršťuje, ohýbá se ovládací struktura směrem dolů, jak je to znázorněno na obr. 10. Na obr. 8 a 10 lze vidět, že světlo, dopadající na horní povrch 40 pružné vrstvy 88, která funguje jako zrcadlo 58 ovládaného zrcadla 51 znázorněného na obr. 10, je vychýleno pod velkým úhlem od světla dopadajícího z neovládaného ovládaného zrcadla 51 z obr. 8.
Podobně může být na piezoelektrické vrstvě 66 tenkého filmu vyvolávající pohyb, aplikováno el. pole s obrácenou polaritou, které způsobí roztažení piezoelektrického keramického materiálu. U tohoto příkladu se pružná vrstva 88 neroztahuje a výsledkem je to, že ovládací struktura 54 se ohne směrem nahoru (není znázorněno). Světlo dopadající na zrcadlo 58 nahoru ohnutého zrcadla 51, je vychýleno pod menším úhlem než světlo vychýlené z horního povrchu 40 pružné vrstvy 88 neovládaného ovládaného zrcadla 51 z obr. 8.
Na obr. 11 je znázorněn příčný řez druhým provedením soustavy 100 Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 101. přičemž druhé provedení je podrobné prvnímu provedení stou výjimkou, že každá z ovládacích struktur 54 je bimorfní strukturou, která zahrnuje první elektrodu 69, druhou elektrodu 70, střední kovovou vrstvu 89, která má horní a spodní povrch 90, 91 a spodní vrstvu 92 tenkého filmu vyvolávající pohyb, která má horní a spodní povrch 93, 94. V každé ovládací struktuře 54 je horní a spodní vrstva tenkého filmu vyvolávající pohyb oddělena střední kovovou vrstvou 87.. kde první elektroda 69 je umístěna na horním povrchu 90 horní vrstvy 89 vyvolávající pohyb a druhá elektroda 70 je umístěna na spodním povrchu vrstvy 92 vyvolávající pohyb.
Tak jako v případě prvního provedení je horní a spodní vrstva 89, 92 tenkého filmu vyvolávající pohyb, v každé ovládací struktuře 54, zhotovena z piezoelektrického keramického materiálu nebo piezoelektrického polymeru, přičemž horní a spodní vrstva 89, 92 vyvolávající pohyb musí být polarizována tak, že směr polarizace piezoelektrického materiálu v horní vrstvě 89 vyvolávající pohyb je opačný, než směr polarizace spodní vrstvy 92. Na obr. 12 je znázorněn příčný řez ovládaného zrcadla 101 druhého provedení, kde první elektroda 69 je zhotovena z materiálu odrážejícího světlo, což umožňuje, aby horní povrch rovněž fungoval jako zrcadlo 58.
Pro příklad toho jak funguje druhé provedení, předpokládejme, že horní a dolní vrstva 89, 90 vyvolávající pohyb v soustavě 100 Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 101 podle obr. 11, je zhotovena z piezoelektrického keramického materiálu, například z PZT. Aplikací el. pole na ovládací strukturu 54 se horní a dolní piezoelektrická vrstva 89, 92 vyvolávající pohyb ohne nahoru nebo dolů, což závisí na polaritě piezoelektrického keramického materiálu a polaritě el. pole. Tak například způsobí-li polarita, že se horní piezoelektrická vrstva 89 smrští a spodní vrstva 92 roztáhne, ovládací struktura 54 se ohne směrem nahoru. Dopadající světlo se vychýlí z ovládací struktury 54 pod menším úhlem než vychýlené světlo z neovládané ovládací struktury 54. Jestliže polarita piezoelektrického keramického materiálu a elektrického pole způsobí, že se horní piezoelektrická vrstva 89 tenkého filmu vyvolávající pohyb roztáhne a spodní piezoelektrická vrstva 92 se smrští, ohne se ovládací vrstva směrem dolů. Dopadající světlo se vychýlí z ovládací struktury 54 pod větším úhlem než vychýlené světlo z neovládané ovládací struktury 54.
-5CZ 288846 B6
Na obr. 13A až 13F jsou znázorněny výrobní kroky spojené s výrobou prvního provedení tohoto vynálezu. Způsob výroby prvního provedení, to je soustavy 50 MxN ovládaného zrcadla s tenkým filmem 51, kde M a N jsou celá čísly, začíná přípravou aktivní matrice 52, která má horní a spodní povrch 75 a 76, zahrnující podklad 59. soustavu MxN tranzistorů (nejsou znázorněny) a soustavu MxN spojovacích terminálů 61, jak je to znázorněno na obr. 13A.
V následujících krocích se vytváří na horním povrchu 75 aktivní matrice 52 podpůrná vrstva 80, zahrnující soustavu 81 Μ x N podstavců 82, odpovídají soustavě 55 Μ x N podpůrných prvků 56 a obětované oblasti 83. kde se vytváří podpůrná vrstva 80:
- umístění obětované vrstvy (není znázorněna) na celistvý horní povrch 75 aktivní matrice 52,
- vytvoření soustavy MxN prázdných štěrbin (není znázorněno) pro současné generování obětované oblasti 83, kde každá prázdná štěrbina je umístěna okolo každého MxN spojovacího terminálu 61.
- vytvoření podstavce 82 v každé prázdné štěrbině, jak je to znázorněno na obr. 13B.
Obětovaná vrstva je vytvořena pomocí rozprašovací metody, soustava prázdných štěrbin použitím metody leptání a podstavce použitím metody rozprašování nebo nanášením par chemických látek (CVD) a následným leptáním.
Obětovaná oblast 83 podpůrné vrstvy 80 je potom upravována tak aby se dala později odstranit použitím leptání nebo chemických látek.
Vedení 73 určené pro elektrické spojení každého spojovacího terminálu 61 s každou druhou elektrodou 70, vyrobenou z elektricky vodivého materiálu, například z wolframu (W), je vytvořeno v každém podstavci 82 tak, že se nejprve vytvoří otvor vystupující z horní části podstavce do horní části odpovídajícího spojovacího terminálu 61, a to pomocí metody leptání, kde dále následuje jeho vyplnění elektricky vodivým materiálem, jak je to znázorněno na obr. 13C.
V následujícím kroku, jak je to znázorněno na obr. 13D, je na podpůrnou vrstvu 80 umístěna první elektrodová vrstva tenkého filmu 84, která je zhotovena z vodivého materiálu, například z Au. Potom se na první elektrodové vrstvě tenkého filmu 84 vytváří vrstva 85 tenkého filmu vyvolávající pohyb, vyrobená z materiálu vyvolávajícího pohyb (např. zPZT) a druhá elektrodová vrstva 95 tenkého filmu.
Následně je horní část druhé elektrodové vrstvy 95 opatřena tenkou vrstvou filmu 99 z materiálu odrážejícího světlo, například z Al.
Tenká vrstva filmu z elektricky vodivého, pohyb vyvolávajícího z odrazového materiálu může být nanesena a vzorována pomocí známé techniky tenkého filmu, například rozprašováním, pomocí koloidního roztoku, odpařováním, leptáním a mikroopracováním, tak jak je to znázorněno na obr. 13E.
Obětovaná vrstva 83 podpůrné vrstvy 80 se potom odstraní nebo rozpustí pomocí chemických látek a tím se vytvoří zmíněná soustava 50 Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 51, jak je to znázorněno na obr. 13F.
Druhé provedení se zhotoví stejným způsobem jako první provedení. Podpůrná vrstva se aplikuje na aktivní matrici. Podpůrná vrstva rovněž zahrnuje soustavu MxN podstavců, která odpovídá soustavě MxN podpůrných prvků a obětované oblasti. První elektrodová vrstva tenkého filmu, spodní vrstva tenkého filmu vyvolávající pohyb, střední kovová vrstva, horní vrstva tenkého
-6CZ 288846 B6 filmu vyvolávající pohyb, druhá elektrodová vrstva tenkého filmu a vrstva odrážející světlo jsou pak naneseny na podpůrnou vrstvu. Elektrodová vrstva tenkého filmu z elektricky vodivého, pohyb vyvolávajícího a světlo odrážejícího materiálu může být nanesena a vzorována pomocí známé metody tenkého filmu, jak to již bylo uvedeno. Obětovaná oblast podpůrné vrstvy je potom rozpuštěna a odstraněna pomocí chemických látek a zůstává soustava ovládaných zrcadel tenkého filmu 101, která má soustavu 53 Μ x N ovládacích struktur 54 a bimorfní strukturou, kde každá ovládací struktura 54 je vysunuta z každého podpůrného prvku 56.
K shora popsaným způsobům výroby prvního a druhého provedení tohoto vynálezu se může přidat způsob vytváření pružné vrstvy 88, který by zahrnoval stejný způsob vytvoření jaký se používá u jiných tenkých vrstev filmu.
Zatímco byl tento vynález popsán s odkazem na jistá provedení, kterým se dává přednost, mohou se použít i jiné modifikace a variance, aniž by se opustil rozsah tohoto vynálezu, tak jak je to uvedeno v následujících nárocích.
PATENTOVÉ NÁROKY
Claims (36)
1. Soustava (50) ovládaných zrcadel tenkého filmu (51) pro použití v systémech optické projekce sestávající z Μ x N zrcadel, kde Μ x N jsou celá čísla, vyznačující se tím, že zahrnuje aktivní matrici (52) obsahující podklad (59), soustavu Μ x N tranzistorů a soustavu (60) M xN spojovacích terminálů (61), soustavu (53) M xN ovládacích struktur (54) tenkého filmu, kde každá ovládači struktura (54) má horní povrch (61) a spodní povrch (63), blízký kortec (64) a vzdálený konec (65), přičemž každá ovládací struktura (54) zahrnuje alespoň vrstvu (66) tenkého filmu vyvolávající pohyb, která má horní povrch (67) a spodní povrch (68), první elektrodu (69) a druhou elektrodu (70) o specifické tloušťce, přičemž na horním povrchu (67) vrstvy (66) tenkého filmu vyvolávající pohyb je umístěna první elektroda (69) a na spodním povrchu (68) této vrstvy je umístěna druhá elektroda (70) pro přivádění elektrického signálu na vrstvu (66) tenkého filmu vyvolávající pohyb mezi první elektrodu (69) a druhou elektrodu (70) způsobujícího deformaci vrstvy (66) tenkého filmu vyvolávající pohyb a ovládacích struktur (54), soustavu (55) Μ x N podpůrných prvků (56), kde každý podpůrný prvek (56) má horní povrch (71) a spodní povrch (72) a kde je tento prvek (56) použit pro držení každé ovládací struktuiy (54) na svém místě a rovněž pro elektrické spojení každé ovládací struktury (54) s aktivní matricí (52), soustavu (57) M xN zrcadel (58) pro odrážení světelného paprsku, kde každé zrcadlo (58) je umístěno na horní Části každé ovládací struktury (54) a každé zrcadlo (58) je deformovatelné podle deformace každé ovládací struktury (54).
2. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 1, vyznačující se tím, že každá ovládací struktura (54) je vysunuta z každého podpůrného prvku (56) tím, že je namontována na horním povrchu každého podpůrného prvku (56) spodního povrchu každé ovládací struktury (54), a to u bližšího konce.
3. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 1, vyznačující se tím, že spodní povrch každého podpůrného prvku (56) je umístěn na horní části aktivní matrice (52).
4. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 1, vyznačující se tím, že každá ovládací struktura (54) je bimorfní strukturou a zahrnuje první elektrodu (69), druhou elektrodu (70), střední kovovou vrstvu (87), horní vrstvu (89) tenkého filmu vyvolávající pohyb, která má horní povrch (90) a spodní povrch (91) a spodní vrstvu (92) tenkého filmu vyvolávající pohyb, která má rovněž horní povrch (93) a spodní povrch (94), kde obě tyto vrstvy jsou od sebe odděleny střední kovovou vrstvou (87), kde je první elektroda (69) umístěna na horním okraji na
-7CZ 288846 B6 horním povrchu (90) vrstvy (89) tenkého filmu vyvolávající pohyb a druhá elektroda (70) na spodním povrchu (94) spodní vrstvy (92) tenkého filmu vyvolávající pohyb.
5. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 1, vyznačující se tím, že vrstva (66) tenkého filmu vyvolávající pohyb je vyrobena z piezoelektrického keramického materiálu nebo piezoelektrického polymeru.
6. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 5, vyznačující se tím, že vrstva (66) tenkého filmu vyvolávající pohyb je polarizována.
7. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 1, vyznaču j ící se tí m , že vrstva (66) tenkého filmu vyvolávající pohyb je vyrobena z elektrostrikčního materiálu.
8. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 1, vyznačující se tím, že vrstva (66) tenkého filmu vyvolávající pohyb je vyrobena z magnetostrikčního materiálu.
9. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 4, vyznačující se tím, že horní vrstva (89) a spodní vrstva (92) tenkého filmu vyvolávající pohyb jsou vyrobeny z piezoelektrického materiálu.
10. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 9, vyznačující se tím, že piezoelektrický materiál horní vrstvy (89) tenkého filmu vyvolávající pohyb je polarizován v opačném směru než spodní vrstva (92) vyvolávající pohyb.
11. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 1, vyznačující se tím, že každý podpůrný prvek (56) má vedení (73) pro elektrické druhé elektrody (70) v každé ovládací struktuře (54) s odpovídajícím spojovacím terminálem na aktivní matrici (52).
12. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 1, vyznačující se tím, že každé M x N zrcadlo je vyrobeno z materiálu odrážejícího světlo.
13. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 1, vyznačující se tím, že první elektroda (69) resp. druhá elektroda (70) zcela pokrývá horní povrch (90) resp. spodní povrch (94) vrstvy (89) resp. (92) tenkého filmu vyvolávající pohyb.
14. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 1, vyznačující se tím, že první elektroda (69) resp. druhá elektroda (70) pokrývá částečně horní povrch (90) resp. spodní povrch (94) vrstvy (89) resp. (92) tenkého filmu vyvolávající pohyb.
15. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 1, vyznačující se tím, že první elektroda (69) a druhá elektroda (70) jsou vyrobeny z elektricky vodivého materiálu.
16. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 1, vyznačující se tím, že dále obsahuje Μ x N pružných vrstev (88), z nichž každá je umístěna na horním povrchu každé ovládací struktury (54).
17. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 16, vyznačující se tím, že každá pružná vrstva (88) je umístěna mezi zrcadlem a první elektrodou (69) v každé ovládací struktuře (54).
18. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 1, vyznačující se tím, že dále obsahuje Μ x N pružných vrstev (88), kde každá pružná vrstva (88) je umístěna na spodním povrchu každé ovládací struktury (54).
-8CZ 288846 B6
19. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 15, vyznačující se tím, že první elektroda (69) je vyrobena z materiálu odrážejícího světlo a je vytvořena jako zrcadlo v každé soustavě (50) ovládaných zrcadel tenkého filmu.
20. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 19, vyznačující se tím, že první elektroda (69) má stejnou tloušťku jako druhá elektroda (70) v každé soustavě (50) ovládaných zrcadel.
21. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 20, vyznačující se tím, že obsahuje MxN pružných vrstev (88), kde každá pružná vrstva (88) je umístěna na spodním okraji každé ovládací struktury (54).
22. Soustava (50) ovládaných zrcadel podle nároku 19, vyznačující se tím, že první elektroda (69) má jinou tloušťku než druhá elektroda (70) v každé ovládací struktuře (54).
23. Způsob výroby soustavy (50) ovládaných zrcadel tenkého filmu (51) pro použití v systémech optické projekce sestávající z MxN zrcadel, kde M a N jsou celá čísla, podle nároku 1, vy z n a č u j í c í se t í m, že se při něm vytvoří aktivní matrice (52), která má horní povrch (75) a spodní povrch (76), kde aktivní matrice (52) zahrnuje podklad (59), soustavu MxN tranzistorů a soustavu MxN spojovacích terminálů, vytvoří podpůrná vrstva na horním povrchu aktivní matrice (52), kde podpůrná vrstva (80) má soustavu (81) M x N podstavců (82), odpovídajících soustavě (55) MxN podpůrných prvků (56) v soustavě MxN ovládaných zrcadel tenkého filmu a obětované oblasti (83), která je vytvořena mezi ovládací strukturou (54) a aktivní matricí (52) za účelem vytvoření deformovatelného prostoru pro ovládané zrcadlo tenkého filmu, položí první elektrodová vrstva (84) tenkého filmu na podpůrnou vrstvu, vytvoří vrstva (85) tenkého filmu vyvolávající pohyb na první elektrodové vrstvě (84) tenkého filmu, vytvoří druhá elektrodová vrstva (95) tenkého filmu na první vrstvě (85) tenkého filmu vyvolávající pohyb, položí vrstva (99) zrcadla, vyrobená z materiálu odrážejícího světlo, na druhou elektrodovou vrstvu (95) tenkého filmu a že se odstraní obětovaná oblast (83) podpůrné vrstvy, a tím se vytvoří zmíněná soustava MxN ovládaných zrcadel tenkého filmu.
24. Způsob podle nároku 23, vyznačující se tím, že se první elektrodová vrstva (84) a druhá elektrodová vrstva (95) tenkého filmu vytvoří rozprašováním.
25. Způsob podle nároku 23, vyznačující se tím, že se vrstva (85) tenkého filmu vyvolávající pohyb vytvoří rozprašováním.
26. Způsob podle nároku 23, vyznačující se tím, že se vrstva (85) tenkého filmu vyvolávající pohyb vytvoří pomocí chemických par.
27. Způsob podle nároku 23, vyznačující se tím, že se vrstva (85) tenkého filmu vyvolávající pohyb vytvoří koloidním gelem (sol-gel).
-9CZ 288846 B6
28. Způsob podle nároku 23, vyznačující se tím, že se vrstva zrcadel vytvoří rozprašováním,
29. Způsob podle nároku 23, vyznačuj ící se t í m , že podpůrná vrstva se vytvoří položením obětované vrstvy na horní povrch aktivní matrice (53), vytvořením soustavy Μ x N prázdných štěrbin na obětované vrstvě, kde každá prázdná štěrbina je umístěna okolo každého z M xN spojovacího terminálu a vytvořením podstavce (82) v každé prázdné štěrbině.
30. Způsob podle nároku 29, vyznačující se tím, že se obětovaná vrstva vytvoří rozprašováním.
31. Způsob podle nároku 29, vyznačující se tím, že soustava ΜxN prázdných štěrbin vytvoří leptáním.
32. Způsob podle nároku 29, vyznačující se tím, že se podstavce (82) vytvoří rozprašováním a následně leptáním.
33. Způsob podle nároku 29, vyznačující se tím, že se podstavce (82) vytvoří pomocí chemických par a následně leptáním.
34. Způsob výroby soustavy Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu podle nároku 1 pro použití v systémech optické projekce, kde M a N jsou celá čísla, vyznačující se tím, že se při něm vytvoří aktivní matrice (52), která má horní povrch (75) a spodní povrch (76), kde aktivní matrice (52) zahrnuje podklad (59), soustavu Μ x N tranzistorů a soustavu Μ x N spojovacích terminálů, vytvoří podpůrná vrstva na horním povrchu aktivní matrice (52), kde podpůrná vrstva (80) má soustavu (81) M xN podstavců (82), odpovídajících soustavě (55) MxN podpůrných prvků (56) v soustavě M xN ovládaných zrcadel tenkého filmu a obětované oblasti (83), která je vytvořena mezi ovládací strukturou (54) a aktivní matrací (52) za účelem vytvoření deformovatelného prostoru pro ovládané zrcadlo tenkého filmu, vytvoří pružná vrstva (88) tenkého filmu na celém horním povrchu podpůrné vrstvy, položí první elektrodová vrstva (84) tenkého filmu na druhou vrstvu, vytvoří spodní vrstva (85) tenkého filmu vyvolávající pohyb na první elektrodové vrstvě (84) tenkého filmu, položí druhá elektrodová vrstva (95) tenkého filmu na vrstvu tenkého filmu vyvolávající pohyb, vytvoří vrstva (99) zrcadel, vyrobená z materiálu odrážejícího světlo, na druhé elektrodové vrstvě (95) tenkého filmu a že se odstraní obětovaná oblast (83) podpůrné vrstvy, a tím se vytvoří soustava Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu.
35. Způsob podle nároku 34, vyznačující se tím, že se pružná vrstva (88) tenkého filmu vytvoří těsně před vytvářením vrstvy zrcadla.
-10CZ 288846 B6
36. Způsob výroby soustavy MxN ovládaných zrcadel tenkého filmu podle nároku 1 pro použití v systémech optické projekce, kde M a N jsou celá čísla, vyznačující se tím, že při něm vytvoří aktivní matrice (52), která má horní povrch (75) a spodní povrch (76), kde aktivní matrice (52) zahrnuje podklad (59), soustavu MxN tranzistorů a soustavu MxN spojovacích terminálů, vytvoří podpůrná vrstva na horním povrchu aktivní matrice (52), kde podpůrná vrstva (80) má soustavu (81) M x N podstavců (82), odpovídajících soustavě (55) MxN podpůrných prvků (56) v soustavě MxN ovládaných zrcadel tenkého filmu a obětované oblasti (83), která je vytvořena mezi ovládací strukturou (54) a aktivní matricí (52) za účelem vytvoření deformovatelného prostoru pro ovládané zrcadlo tenkého filmu, položí první elektrodová vrstva (84) tenkého filmu na podpůrnou vrstvu, vytvoří vrstva (92) tenkého filmu vyvolávající pohyb na první elektrodové vrstvě (84) tenkého filmu, vytvoří druhá elektrodová vrstva (95) tenkého filmu na první vrstvě tenkého filmu vyvolávající pohyb, položí horní vrstva (85) tenkého filmu vyvolávající pohyb na střední kovovou vrstvu (87), vytvoří druhá elektrodová vrstva (95) tenkého filmu na horní vrstvě tenkého filmu vyvolávající pohyb, čímž se vytvoří bimorfní struktura, položí vrstva (99) zrcadla, vyrobená z materiálu odrážejícího světlo, na druhou elektrodovou vrstvu (95) tenkého filmu a že se odstraní obětovaná oblast (83) a tím se vytvoří zmíněná soustava MxN ovládaných zrcadel tenkého filmu.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930022798A KR970006685B1 (ko) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 광로조절장치 |
| KR93024398A KR970006694B1 (en) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | A manufacturing method of an optical path regulating apparatus |
| KR1019930025879A KR970006698B1 (ko) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 투사형 화상 표시 장치의 광로 조절 장치 구조 |
| KR1019930031720A KR970008404B1 (ko) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 투사형 화상표시장치의 광로 조절기 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ118096A3 CZ118096A3 (en) | 1996-09-11 |
| CZ288846B6 true CZ288846B6 (cs) | 2001-09-12 |
Family
ID=27483016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ19961180A CZ288846B6 (cs) | 1993-10-29 | 1994-10-25 | Soustava ovládaných zrcadel tenkého filmu a způsob její výroby |
Country Status (16)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5661611A (cs) |
| EP (1) | EP0651274B1 (cs) |
| JP (1) | JP3283881B2 (cs) |
| CN (1) | CN1047056C (cs) |
| AU (1) | AU693119B2 (cs) |
| BR (1) | BR9407923A (cs) |
| CA (1) | CA2175198A1 (cs) |
| CZ (1) | CZ288846B6 (cs) |
| DE (1) | DE69420666T2 (cs) |
| ES (1) | ES2140490T3 (cs) |
| HU (1) | HU220516B1 (cs) |
| MY (1) | MY113977A (cs) |
| PL (1) | PL176406B1 (cs) |
| RU (1) | RU2140722C1 (cs) |
| TW (1) | TW279930B (cs) |
| WO (1) | WO1995012287A1 (cs) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5936757A (en) * | 1993-10-29 | 1999-08-10 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array |
| BR9407923A (pt) * | 1993-10-29 | 1996-11-26 | Daewoo Electronics Co Ltd | Conjunto de M x N espelhos atuados de filme fino sistema de projeçao ótico e processo para fabricaçao de um conjunto de M x N espelhos atuados de filme fino |
| US6969635B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-11-29 | Reflectivity, Inc. | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
| TW348324B (en) * | 1996-01-31 | 1998-12-21 | Daewoo Electronics Co Ltd | Thin film actuated mirror array having dielectric layers |
| CA2257269A1 (en) * | 1996-06-05 | 1997-12-11 | Alistair Allen Miller | Large-area fiber optic display using piezoelectric shutters |
| BE1010327A7 (fr) * | 1996-06-05 | 1998-06-02 | Remote Source Lighting Int Inc | Dispositif de modulation de la lumiere electro-optique comprenant des bimorphes. |
| WO1998008127A1 (en) * | 1996-08-21 | 1998-02-26 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system |
| WO1998033327A1 (en) * | 1997-01-23 | 1998-07-30 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same |
| AU722024B2 (en) * | 1997-01-23 | 2000-07-20 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same |
| RU2180158C2 (ru) * | 1997-01-23 | 2002-02-27 | Дэу Электроникс Ко., Лтд. | Тонкопленочная матрица управляемых зеркал для оптической проекционной системы и способ ее изготовления |
| WO1998038801A1 (en) * | 1997-02-26 | 1998-09-03 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same |
| US5815305A (en) * | 1997-03-10 | 1998-09-29 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same |
| KR19990004774A (ko) * | 1997-06-30 | 1999-01-25 | 배순훈 | 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 |
| DE10031877C1 (de) * | 2000-06-30 | 2001-12-20 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur Ablenkung von optischen Strahlen |
| JP2002122809A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Canon Inc | 投射型表示装置 |
| US6647164B1 (en) | 2000-10-31 | 2003-11-11 | 3M Innovative Properties Company | Gimbaled micro-mirror positionable by thermal actuators |
| US6711318B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-03-23 | 3M Innovative Properties Company | Optical switch based on rotating vertical micro-mirror |
| US6624549B2 (en) * | 2001-03-02 | 2003-09-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive device and method of fabricating the same |
| US6721510B2 (en) * | 2001-06-26 | 2004-04-13 | Aoptix Technologies, Inc. | Atmospheric optical data transmission system |
| DE10150424B4 (de) * | 2001-10-11 | 2004-07-29 | Siemens Ag | Reflexionssystem und Verwendung des Reflexionssystems |
| US7281808B2 (en) * | 2003-06-21 | 2007-10-16 | Qortek, Inc. | Thin, nearly wireless adaptive optical device |
| US10816733B2 (en) * | 2016-04-01 | 2020-10-27 | Intel Corporation | Piezoelectrically actuated mirrors for optical communications |
| CN114779464A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-07-22 | 北京有竹居网络技术有限公司 | 光学信号调制器、控制方法及投影设备 |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2016962A (en) * | 1932-09-27 | 1935-10-08 | Du Pont | Process for producing glucamines and related products |
| US1985424A (en) * | 1933-03-23 | 1934-12-25 | Ici Ltd | Alkylene-oxide derivatives of polyhydroxyalkyl-alkylamides |
| US2290529A (en) * | 1941-08-23 | 1942-07-21 | Sr Frank J Black | Device for measuring rotating workpieces |
| US2703798A (en) * | 1950-05-25 | 1955-03-08 | Commercial Solvents Corp | Detergents from nu-monoalkyl-glucamines |
| US3614677A (en) * | 1966-04-29 | 1971-10-19 | Ibm | Electromechanical monolithic resonator |
| US3544201A (en) * | 1968-01-02 | 1970-12-01 | Gen Telephone & Elect | Optical beam deflector |
| US3758199A (en) * | 1971-11-22 | 1973-09-11 | Sperry Rand Corp | Piezoelectrically actuated light deflector |
| US4441791A (en) * | 1980-09-02 | 1984-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Deformable mirror light modulator |
| US4518976A (en) * | 1982-11-17 | 1985-05-21 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Recording apparatus |
| US4529620A (en) * | 1984-01-30 | 1985-07-16 | New York Institute Of Technology | Method of making deformable light modulator structure |
| DE3720469A1 (de) * | 1987-06-20 | 1988-12-29 | Bernd Dipl Ing Haastert | Fluessigkeitskristall - lichtventil |
| US4932119A (en) * | 1989-03-28 | 1990-06-12 | Litton Systems, Inc. | Method of making standard electrodisplacive transducers for deformable mirrors |
| US4947487A (en) * | 1989-05-04 | 1990-08-14 | The Jackson Laboratory | Laser beam protective gloves |
| US4979789A (en) * | 1989-06-02 | 1990-12-25 | Aura Systems, Inc. | Continuous source scene projector |
| US5032906A (en) * | 1989-07-12 | 1991-07-16 | Aura Systems, Inc. | Intensity calibration method for scene projector |
| US4954789A (en) * | 1989-09-28 | 1990-09-04 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
| US5185660A (en) * | 1989-11-01 | 1993-02-09 | Aura Systems, Inc. | Actuated mirror optical intensity modulation |
| US5245369A (en) * | 1989-11-01 | 1993-09-14 | Aura Systems, Inc. | Scene projector |
| US5126836A (en) * | 1989-11-01 | 1992-06-30 | Aura Systems, Inc. | Actuated mirror optical intensity modulation |
| US5150205A (en) * | 1989-11-01 | 1992-09-22 | Aura Systems, Inc. | Actuated mirror optical intensity modulation |
| US5260798A (en) * | 1989-11-01 | 1993-11-09 | Aura Systems, Inc. | Pixel intensity modulator |
| US5035475A (en) * | 1990-03-15 | 1991-07-30 | Aura Systems, Inc. | Unique modulation television |
| US5085497A (en) * | 1990-03-16 | 1992-02-04 | Aura Systems, Inc. | Method for fabricating mirror array for optical projection system |
| US5138309A (en) * | 1990-04-03 | 1992-08-11 | Aura Systems, Inc. | Electronic switch matrix for a video display system |
| US5159225A (en) * | 1991-10-18 | 1992-10-27 | Aura Systems, Inc. | Piezoelectric actuator |
| US5175465A (en) * | 1991-10-18 | 1992-12-29 | Aura Systems, Inc. | Piezoelectric and electrostrictive actuators |
| US5247222A (en) * | 1991-11-04 | 1993-09-21 | Engle Craig D | Constrained shear mode modulator |
| US5233456A (en) * | 1991-12-20 | 1993-08-03 | Texas Instruments Incorporated | Resonant mirror and method of manufacture |
| US5223971A (en) * | 1991-12-31 | 1993-06-29 | Texas Instruments Incorporated | Light beam steering with deformable membrane device |
| US5212582A (en) * | 1992-03-04 | 1993-05-18 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatically controlled beam steering device and method |
| US5488505A (en) * | 1992-10-01 | 1996-01-30 | Engle; Craig D. | Enhanced electrostatic shutter mosaic modulator |
| US5510824A (en) * | 1993-07-26 | 1996-04-23 | Texas Instruments, Inc. | Spatial light modulator array |
| BR9407923A (pt) * | 1993-10-29 | 1996-11-26 | Daewoo Electronics Co Ltd | Conjunto de M x N espelhos atuados de filme fino sistema de projeçao ótico e processo para fabricaçao de um conjunto de M x N espelhos atuados de filme fino |
| US5481396A (en) * | 1994-02-23 | 1996-01-02 | Aura Systems, Inc. | Thin film actuated mirror array |
-
1994
- 1994-10-25 BR BR9407923A patent/BR9407923A/pt not_active IP Right Cessation
- 1994-10-25 WO PCT/KR1994/000148 patent/WO1995012287A1/en active IP Right Grant
- 1994-10-25 RU RU96110182/09A patent/RU2140722C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1994-10-25 AU AU80052/94A patent/AU693119B2/en not_active Ceased
- 1994-10-25 HU HU9601094A patent/HU220516B1/hu not_active IP Right Cessation
- 1994-10-25 CN CN94193967A patent/CN1047056C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-25 JP JP51252995A patent/JP3283881B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-25 CA CA002175198A patent/CA2175198A1/en not_active Abandoned
- 1994-10-25 PL PL94314124A patent/PL176406B1/pl unknown
- 1994-10-25 CZ CZ19961180A patent/CZ288846B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1994-10-28 EP EP94117124A patent/EP0651274B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-28 US US08/331,399 patent/US5661611A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-28 DE DE69420666T patent/DE69420666T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-28 MY MYPI94002871A patent/MY113977A/en unknown
- 1994-10-28 ES ES94117124T patent/ES2140490T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1994-11-03 TW TW083110157A patent/TW279930B/zh active
-
1997
- 1997-06-17 US US08/877,084 patent/US5900998A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69420666D1 (de) | 1999-10-21 |
| AU8005294A (en) | 1995-05-22 |
| AU693119B2 (en) | 1998-06-25 |
| CA2175198A1 (en) | 1995-05-04 |
| BR9407923A (pt) | 1996-11-26 |
| WO1995012287A1 (en) | 1995-05-04 |
| US5661611A (en) | 1997-08-26 |
| CN1134208A (zh) | 1996-10-23 |
| RU2140722C1 (ru) | 1999-10-27 |
| EP0651274A1 (en) | 1995-05-03 |
| HU9601094D0 (en) | 1996-07-29 |
| DE69420666T2 (de) | 1999-12-30 |
| HU220516B1 (hu) | 2002-03-28 |
| CN1047056C (zh) | 1999-12-01 |
| PL314124A1 (en) | 1996-08-19 |
| ES2140490T3 (es) | 2000-03-01 |
| PL176406B1 (pl) | 1999-05-31 |
| HUT75803A (en) | 1997-05-28 |
| EP0651274B1 (en) | 1999-09-15 |
| JP3283881B2 (ja) | 2002-05-20 |
| TW279930B (cs) | 1996-07-01 |
| JPH09504387A (ja) | 1997-04-28 |
| MY113977A (en) | 2002-07-31 |
| CZ118096A3 (en) | 1996-09-11 |
| US5900998A (en) | 1999-05-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CZ288846B6 (cs) | Soustava ovládaných zrcadel tenkého filmu a způsob její výroby | |
| US5760947A (en) | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof | |
| US6030083A (en) | Array of thin film actuated mirrors for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof | |
| RU2166784C2 (ru) | Матрица тонкопленочных управляемых зеркал для использования в оптической проекционной системе | |
| CZ288251B6 (en) | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof | |
| WO1998008127A1 (en) | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system | |
| US5949568A (en) | Array of thin film actuated mirrors having a levelling member | |
| US5627673A (en) | Array of thin film actuated mirrors for use in an optical projection system | |
| US5936757A (en) | Thin film actuated mirror array | |
| US5610773A (en) | Actuated mirror array and method for the manufacture thereof | |
| AU716014B2 (en) | Thin film actuated mirror array and method for the manufacture thereof | |
| CN1195116A (zh) | 具有一组合层的薄膜致动镜 | |
| AU6756196A (en) | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD00 | Pending as of 2000-06-30 in czech republic | ||
| MM4A | Patent lapsed due to non-payment of fee |
Effective date: 20031025 |