CN1134208A - 薄膜致动反射镜阵列及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供有一种用于光学投影系统中的M×N薄膜致动反射镜的阵列,包括一有源矩阵;一M×N薄膜致动机构的阵列;各机构至少包括一运动感应材料的薄膜层、一对电极,各电极位于薄膜运动感应层的顶部及底部;一M×N支持元件的阵列;及一用于反射光束的M×N的反射镜的阵列,各反射镜位于各致动机构(54)的顶部上。在运动感应材料的薄膜层上施加一电信号,使发生变形,从而使位于它们顶部上的反射镜变形。

Description

薄膜致动反射镜阵列及其制造方法
本发明涉及一种光学投影系统,且更具体地,涉及一种用于该系统中的M×N薄膜致动反射镜阵列。
在现有技术的各种视频显示系统中,已知一种光学投影系统能够提供大幅度的高质量显示。在这样一光学投影系统中,来自一灯的光线被均匀地照射在例如一M×N致动反射镜阵列上以使各反射镜与各致动器相耦合。这些致动器可由响应施加于其的电场而变形的电致位移材料制成,例如为压电材料或电致伸缩材料。
来自各反射镜的反射光束入射在一反射体的孔径上。通过对各致动器施加一电信号,各反射镜与入射光束的相对位置被改变,从而导致来自各反射镜的反射光束的光路发生偏差。当各反射光束的光路变化时,自各反射镜反射的通过该孔径的光量被改变,从而调制光束的强度。通过该孔径被调制的光束经一适当的光学装置,例如一投影透镜被传送到一投影屏幕上,从而在其上显示一图象。
在图1中,示有用于一光学投影系统中的一M×N电致位移致动反射镜阵列10的截面视图,该阵列公开在题为“电致位移致动反射镜阵列”,美国序列号为-的共有未决且同时申请的专利申请中,其包括有:由一衬底12及其上的M×N晶体管阵列组成的有源矩阵11;M×N电致位移致动器30的阵列13,各电致位移致动器30包括一对致动元件14、15,一对偏置电极16,17,及一普通信号电极18;M×N铰链31的阵列19,各铰链31安装在各电致位移致动器30中;M×N连接端22的阵列20,各连接端用于将各信号电极18与有源矩阵进行电连接;及M×N反射镜23的阵列21,各反射镜23安装在各M×N铰链31的顶上。
在以上所述的共有未决的同时申请中,还公开有一种制造这样一采用厚度为30至50μm陶瓷片的M×N电致位移致动反射镜阵列的方法。
然而,对上述制造M×N电致位移致动器阵列的方法尚有改进的余地。首先,获得厚度为30至50μm的陶瓷片是相当困难的;再者,即使陶瓷片的厚度被减少到30至50μm的范围,其机械性能多半会降低,这又使其制造过程难以实现。
并且,上述方法涉及消耗时间多,难以控制,及处理过程冗长,从而使得难以获得所期望的再现性,可靠性及产量;且进而,可能会使其下一步的尺寸测量受到限制。
因此,本发明的主要目的是提供一种免除使用薄膜电致位移陶瓷片的M×N致动反射镜阵列的制造方法。
本发明的另一个目的是提供一种通过使用在制作半导体中通常采用的已知的薄膜技术来制造具有更高的再现性、可靠性及产量的M×N致动反射镜阵列的改进且新颖的方法。
本发明的再一个目的是提供一种具有一包含由运动感应、导电及光反射材料制成的多个薄膜层的新结构的M×N致动反射镜阵列。
根据本发明的一个方面,提供有一种用于光学投影系统中的M×N薄膜致动反射镜阵列,该阵列包括有:由一衬底、一M×N晶体管阵列及一M×N连接端阵列组成的有源矩阵;一M×N薄膜致动机构的阵列,各致动机构具有一顶表面和一底表面,一近端和一远端,各致动机构包括至少一由运动感应材料制成的,具有一顶表面及一底表面的薄膜层,和特定厚度的第一及第二电极,该第一电极位于该运动感应层的顶表面及该第二电极位于其底表面,其中在第一及第二电极之间的运动感应层上施加的电信号使该运动感应层发生变形,及因此使该致动机构发生变形;一M×N支持元件的阵列,各支持元件具有一顶表面及一底表面,其中各支持元件用于将各致动机构固定就位,并使各致动机构与该有源矩阵电连接;及一用于反射光束的M×N反射镜阵列,其中各反射镜位于各致动机构的顶部上,以使各反射镜响应各致动机构的变形而发生变形。
根据本发明的另一方面,提供有一种使用已知的薄膜技术,制造用于一光学投影系统中的M×N致动反射镜阵列的新的方法,该方法包括有以下步骤:(a)提供一具有一顶表面及一底表面的有源矩阵,该有源矩阵包括一衬底、一M×N晶体管阵列及一M×N连接端阵列;(b)在该有源矩阵的顶表面上形成一支持层,该支持层具有一对应于M×N薄膜致动反射镜阵列中的M×N支持元件阵列的M×N基座阵列及一待除区;(c)对支持层的该待除区进行处理以使可被去除;(d)在支持层上沉积第一薄膜电极层;(e)在第一薄膜电极层上提供一薄膜运动感应层;(f)在该薄膜运动感应层上形成第二薄膜电极层;(g)在第二薄膜电极层上沉积由反光材料制成的反射镜层;及(h)去除支持层的待除区,从而形成所述的M×N薄膜致动反射镜阵列。
从下面结合附图给出的较佳实施例的描述中,本发明的上述及其它目的与特征将是一目了然的,附图中:
图1示出了先前公开的M×N电致位移致动反射镜阵列的截面视图;
图2示出了根据本发明的优选实施例的M×N薄膜致动反射镜阵列的截面视图;
图3示出了图2中所示的第一实施例的薄膜致动反射镜阵列的详细截面视图;
图4示出了第一实施例的在反射镜及第一电极之间加有一弹性层的致动反射镜的截面视图;
图5示出了第一实施例的在第二电极的底部上置有一弹性层的致动反射镜的截面视图;
图6示出了第一实施例的具有由反光材料制成的第一电板并带有不同厚度的第一及第二电极的致动反射镜的截面视图;
图7示出了第一实施例的具有由反光材料制成的第一电极并带有在致动机构的顶表面上放置的弹性层的致动反射镜的截面视图;
图8示出了第一实施例的在第一电极的顶部上置有一弹性层并由反光材料制成的致动反射镜的截面视图;
图9A及9B示出了第一实施例的具有由第一及第二电极部分覆盖的各致动机构中的运动感应层的顶表面或底表面中任一个致动反射镜的截面视图;图10示出了致动状态中的第一实施例的致动反射镜的截面视图;
图11示出了具有双压电晶片结构的第二实施例的致动反射镜的截面视图;
图12示出了第二实施例的具有由反光材料制成的第一电极的致动反射镜的截面图;
图13A至13F再现了根据本发明的第一实施例的制造步骤的概略性截面视图。
现参照图2至13,提供有根据本发明的一优选实施例的用于一光学投影系统中的M×N薄膜致动反射镜阵列的概略性截面视图,其中M和N为整数。应当指出,图2至13中出现的相同部分用相同的参照数字表示。
在图2中,示有第一实施例的一M×N薄膜致动反射镜51的阵列50的截面视图,该阵列50包括一有源矩阵52,一M×N薄膜致动机构54的阵列53、一M×N支持元件56的阵列55及一M×N反射镜58的阵列57。
图3示出了图2中所示的薄膜致动反射镜51的详细截面视图。有源矩阵52包括一衬底59、一M×N晶体管阵列(未示出)及一M×N连接端61的阵列60。各薄膜致动机构54有一顶表面及一底表面61、63、一近端及一远端64、65,并至少包括一具有顶表面及一底表面67、68并由运动感应材料制成的薄膜层66,和特定厚度的由例如金(Au)或银(Ag)金属制成的第一及第二电极69.70。该第一电极69具有一顶表面39。第一电极69放置在运动感应薄膜层66的顶表面67上及第二电极70放置在运动感应薄膜层66的底表面68上。该运动感应薄膜层66由压电陶瓷,电致伸缩陶瓷、磁致伸缩陶瓷或压电聚合物制成。在运动感应薄膜层由压电陶瓷或压电聚合物制成的情况下,它必须被极化。
带有一顶表面及一底表面71、72的各M×N支持元件56被用于将致动机构54固定就位并与通过提供一由例如为金属的导电材料制成的导体73,使各致动结构54中的第二电极70与有源矩阵52上的相应的连接端61电连接。在本发明的M×N薄膜致动反射镜51的阵列50中,通过将各致动机构安装在各致动机构54的近端64上的该致动机构的底表面上的各支持元件56的顶表面上,各致动机构54自各支持元件56伸出悬臂,且各支持元件56的底表面72放置在有源矩阵52的顶部上。反射光束的各M×N反射镜58放置在各致动机构54的顶部上。将一电场施加在各致动机构54中的第一及第二电极69、70间的运动感应薄膜层66上。施加这样一电场将导致运动感应层66的变形,从而使得致动机构54及其顶部上放置的反射镜58变形。
为了使M×N薄膜致动反射镜51的阵列50正常地工作,各薄膜致动反射镜51中的反射镜58和第一电极69的组合厚度必须与其中的第二电极的厚度不同以使其产生变形。如果不是这样,就必须提供给各致动反射镜51一具有顶表面40的弹性层88。该弹性层88可以放置在各致动反射镜51中的反射镜58与第一电极69之间或在第二电极70的底部上,如图4及5所示。
制作第一电极69的导电材料可以是反光材料,例如铝(A1),以使得第一电极的顶表面39起到如各薄膜致动反射镜51中反射镜58的作用。在这种情况下,为使各薄膜致动反射镜51正常地工作,第一及第二电极69、70必须具有不同的厚度或各薄膜致动反射镜51必须被提供有位于其中各致动机构的底表面上的弹性层88,如图6及7所示。而且,如果该弹性层88由反光材料制成,它也能起到如反射镜58的作用,如图8所示。
当具有被第一及第二电极69、70完全覆盖的各致动机构54中的运动感应薄膜层66的顶表面及底表面67、68时或当具有被第一及第二电极69、70部分覆盖的各致动机构54中的运动感应薄膜层66的顶表面及底表面69、70之一时,可能使本发明的薄膜致动反射镜51的阵列50工作得一样好。具有这样结构的致动反射镜51的两个例子被图示在图9A及9B中。
通过第一实施例,图8及10说明了一M×N薄膜致动反射镜51的阵列50,该阵列50包括一由压电陶瓷,例如铅锆钛酸盐(PZT)制成的M×N致动机构54的阵列。将一电场施加在各致动机构54中的第一及第二电极69、70之间的运动感应薄膜压电层66上。根据对于压电材料极性的该电场的极性,施加的电场将使得该压电陶瓷收缩或扩张。如果该电场的极性对应于压电陶瓷的极性,该压电陶瓷将收缩。如果该电场的极性与压电陶瓷的极性相反,该压电陶瓷将扩张。
参照图8及10,压电陶瓷的极性对应于施加电场的极性,使该压电陶瓷收缩。
因为弹性层88不发生收缩,使得致动机构向下弯曲,如图10所示。现参照图8及10,照射到图10中所示的致动反射镜51的弹性层88(起到如反射镜58的作用)的顶表面40上的光线在大于自图8中所示的未被驱的致动反射镜51反射的光线的角度上被偏转。
另一方面,可将一相反极性的电场施加在运动感应薄膜压电层66上,使得压电陶瓷扩张。在该情况下,弹性层88不发生扩张,从而使致动机构54向上弯曲(未示出)。照射在被向上驱动的反射镜51的反射镜58上的光线在小于自图8中所示的未被驱动的致动反射51偏转的光线的角度上被偏转。
图11示有一第二实施例的M×N薄膜致动反射镜101的阵列100的截面视图,其中该第二实施例与第一实施例相类似,除各致动机构54为一双压电晶片结构外。该双压电晶片致动机构54包括一个第一电极69、一个第二电极70、一中间金属层87、一个具有一顶表面及一底表面90、91的上运动感应薄膜层89及一个具有一顶表面及一底表面93、94的下运动感应薄膜层92。在各致动机构54中,该上及下运动感应薄膜层89、92由中间金属层87、位于上运动感应薄膜层89的顶表面90上的第一电极69、及位于下运动感应薄膜层92的底表面94上的第二电极70所分开。
如在第一实施例的情况中一样,各致动机构54中的上及下运动感应薄膜层89、92由压电陶瓷,电致伸缩陶瓷,磁致伸缩陶瓷或压电聚合物制成。在上及下运动感应薄膜层89、92由压电陶瓷或压电聚合物制成的情况下,上及下运动感应薄膜层89、92必须以这样一种方式极化:上运动感应薄膜层89中的压电材料的极化方向与下运动感应薄膜层9.2中的压电材料的极化方向相反。图12说明了第二实施例的一致动反射镜101的截面视图,其中第一电极69由反光材料制成,从而使其顶表面39也起到如反射镜58的作用。
作为一个第二实施例如何工作的例子,假设图11所示的M×N薄膜致动反射镜101的阵列100中的上及下运动感应层89、90由例如PZT的压电陶瓷制成。当将一电场施加在各致动机构54的上及下运动感应薄膜压电层89、92上时,致动机构54将根据压电陶瓷的成极及电场的极性,向上弯曲或向下弯曲。例如,如果压电陶瓷及电场的极性使上运动感应薄膜压电层89收缩,且下运动感应薄膜压电层92扩张,致动机构54将向上弯曲。在这种情况下,入射光线在小于自未被驱动的致动机构54偏转的光线的角度上自致动机构54被偏转。然而,如果压电陶瓷及电场的极性使上运动感应薄膜压电层89扩张,且下运动感应薄膜压电层92收缩,致动机构54将向下弯曲。在这种情况下,入射光线自致动机构54被偏转,其所在角度大于自未被驱动的致动机构54偏转的光线的角度。
图13A至13F说明了本发明的第一实施例的制造所包含的制造步骤。制造第一实施例,即M×N薄膜致动反射镜51的阵列50(其中M×N为整数)的处理过程从准备具有一顶表面及一底表面75、76的有源矩阵52开始,该有源矩阵52包括一衬底59、M×N晶体管阵列(未示出)及M×N连接端61的阵列60,如图13A所示。
在接着的步骤中,在有源矩阵52的顶表面75上形成一支持层80,其包括一对应于M×N支持元件56的阵列55的M×N基座82的阵列81及一待除区83,其中该支持层80通过以下步骤形成:在有源矩阵52的整个顶表面75上沉积一待除层(未示出);形成一M×N空槽阵列(未示出),从而生成该待除区83,各空槽位于各M×N连接端61的周围;并在各空槽中置入一基座82,如图13B所示。待除层通过使用测射法形成,空槽阵列通过使用蚀刻法形成;及基座通过使用随后使用蚀刻法的溅射法或化学汽相淀积(CVD)法形成。然后对支持层80的待除区83进行处理使在以后使用蚀刻法或施加化学剂可被去除。
如图13C所示,通过首先使用蚀刻法形成一自各基座82的顶部延伸至对应连接端61的顶部的孔,随后在孔中填入导电材料,在各基座82中形成一将各连接端61与由导电材料,例如钨(w)制成的第二电极70电连接的导体73。
在接着的步骤中,如图13D所示,在支持层80上沉积由导电材料,例如Au制成的第一薄膜电极层84。然后,在第一薄膜电极层84上分别形成由运动感应材料,例如PZT制成的一薄膜运动感应层85及一个第二薄膜电极层95。
接着,在第二电极层95的顶部上提供一反光材料,例如Al的薄膜层99。
如图13E所示,使用例如溅射、Sol-gcl、蒸镀、蚀刻及微机械加工等已知的薄膜技术沉积并构型成导电的、运动感应的、及反光材料的薄膜层。
然后通过化学的方法去除或消除支持层80的待除区83,从而形成所述的M×N薄膜致动反射镜51的阵列50,如图13F所示。
第二实施例以与第一实施例相似的方式被制造。支持层被用于有源矩阵,该支持层也包括对应于M×N支持元件阵列的M×N基座阵列及待除区。然后在该支持层上分别沉积第一薄膜电极层、下薄膜运动感应层、中间金属层、上薄膜运动感应层、第二薄膜电极层、及反光层。用先前所述的已知的薄膜技术沉积并构型成导电的、运动感应的及反光材料的薄膜层。接着通过化学的方法消除或去除支持层的待除区,留下具有为双压电晶片结构的M×N致动机构54的阵列53的薄膜致动反射镜101的阵列100,各致动机构54从各支持元件56上伸出悬臂。
在上述本发明的制做第一及第二实施例的方法中,可加入一形成弹性层88的附加处理,其包括一种与形成其它薄膜层相似的处理。
虽然仅对于优选的实施例描述了本发明,但熟悉本技术的人员可以作出各种改型与变化,而不脱离下述权利要求书所定义的发明范围。

Claims (40)

1、一种用于一光学投影系统中的M×N薄膜致动反射镜阵列,其中M及N为整数,该阵列包括:
一有源矩阵,包括一衬底、一M×N晶体管阵列及一M×N连接端阵列;
一M×N薄膜致动机构阵列,各致动机构具有一顶表面及一底表面、一近端及一远端,各致动机构至少包括具有一顶表面及一底表面的运动感应材料的一个薄膜层,及一特定厚度的第一电极及第二电极,第一电极位于运动感应薄膜层的顶表面及第二电极位于该薄膜层的底表面,其中在第一及第二电极之间的运动感应薄膜层上施加的电信号使得运动感应层发生变形,并从而使致动机构发生变形;
一M×N支持元件阵列,各支持元件具有一顶表面及一底表面,其中各支持元件用于将各致动机构固定就位并将各致动机构与有源矩阵电连接;及
一M×N反射镜阵列,用于反射光束,其中各反射镜位于各致动机构的顶部上以使各反射镜响应于各致动机构的变形而发生变形。
2、根据权利要求1所述的致动反射镜阵列,其中通过将各致动机构安装在近端的各致动机构的底表面的各支持元件的顶表面上,各致动机构从各支持元件上伸出悬臂。
3、根据权利要求1所述的致动反射镜阵列,其中各支持元件的底表面位于有源矩阵的顶部上。
4、根据权利要求1所述的致动反射镜阵列,其中各致动机构为一双压电晶片结构且包括一个第一电极、一个第二电极、一中间金属层、一个具有一顶表面和一底表面的上运动感应薄膜层及一个具有一顶表面和一底表面的下运动感应薄膜层,其中该上及下运动感应薄膜层由中间金属层、位于上运动感应薄膜层顶表面上的第一电极及位于下运动感应薄膜层的底表面上的第二电极所分开。
5、根据权利要求1所述的致动反射镜阵列,其中运动感应薄膜层由压电陶瓷或压电聚合物制成。
6、根据权利要求1所述的致动反射镜阵列,其中运动感应薄膜层被极化。
7、根据权利要求5所述的致动反射镜阵列,其中运动感应薄膜层由电致伸缩材料制成。
8、根据权利要求5所述的致动反射镜阵列,其中运动感应薄膜层由磁致伸缩材料制成。
9、根据权利要求4所述的致动反射镜阵列,其中上及下运动感应薄膜层由压电材料制成。
10、根据权利要求9所述的致动反射镜阵列,其中上运动感应薄膜层的压电材料以与下运动感应薄膜层相反的极化方向被极化。
11、根据权利要求1所述的致动反射镜阵列,其中各支持元件被提供有一用于使各致动机构中的第二电极与相应的有源矩阵上的连接端电连接的导体。
12、根据权利要求1所述的致动反射镜阵列,其中各M×N反射镜由反光材料制成。
13、根据权利要求1所述的致动反射镜阵列,其中第一及第二电极分别完全覆盖了运动感应薄膜层的顶表面及底表面。
14、根据权利要求1所述的致动反射镜阵列,其中第一或第二电极部分覆盖运动感应薄膜层的顶表面及底表面。
15、根据权利要求1所述的致动反射镜阵列,其中第一及第二电极由导电材料制成。
16、根据权利要求1所述的致动反射镜阵列,还包括有M×N弹性层,各弹性层位于各致动机构的顶表面上。
17、根据权利要求16所述的致动反射镜阵列,其中各弹性层置于各致动机构中的反射镜与第一电极之间。
18、根据权利要求1所述的致动反射镜阵列,还包括有M×N弹性层,各弹性层位于各致动机构的底表面上。
19、根据权利要求15所述的致动反射镜阵列,其中第一电极由反光材料制成,从而使第一电极又起到如各薄膜致动反射镜中反射镜的作用。
20、根据权利要求19所述的致动反射镜阵列,其中各致动反射镜中的第一电极具有与第二电极相同的厚度。
21、根据权利要求20所述的致动反射镜阵列,还包括有M×N弹性层,各弹性层位于各致动机构的底表面上。
22、根据权利要求19所述的致动反射镜阵列,其中各致动机构中的第一电极具有与第二电极不同的厚度。
23、一种光学投影系统,包括具有权利要求1至22中任一项所述结构的M×N薄膜致动反射镜阵列。
24、一种制造用于一光学投影系统中的M×N薄膜致动反射镜阵列的方法,其中M及N为整数,该方法包括以下步骤:
(a)提供具有一顶表面及一底表面的有源矩阵,该有源矩阵包括一衬底、一M×N晶体管阵列及一M×N连接端阵列;
(b)在有源矩阵的顶表面上形成一支持层,该支持层具有一对应于M×N薄膜致动反射镜阵列中的M×N元件阵列的M×N基座阵列及一待除区;
(c)处理支持层的待除区以使可被去除;
(d)在支持层上沉积一个第一薄膜电极层;
(e)在第一薄膜电极层上提供一薄膜运动感应层;
(f)在薄膜运动感应层上形成一个第二薄膜电极层;
(g)在第二薄膜电极层上沉积一由反光材料制成的反射镜层;及
(h)去除支持层的待除区,从而形成所述M×N薄膜致动反射镜阵列。
25、根据权利要求24所述的方法,其中使用溅射法形成第一及第二薄膜电极层。
26、根据权利要求24所述的方法,其中使用溅射法形成薄膜运动感应层。
27、根据权利要求24所述的方法,其中使用化学气相淀积法形成薄膜运动感应层。
28、根据权利要求24所述的方法,其中使用sol-gel法形成薄膜运动感应层。
29、根据权利要求24所述的方法,其中使用溅射法形成反射镜层。
30、根据权利要求24所述的方法,其中通过以下步骤形成支持层:
(a)在有源矩阵的顶表面上沉积一待除层;
(b)在待除层上提供一个M×N空槽阵列,各空槽位于各M×N连接端的四周;及
(c)在各空槽中形成一基座。
31、根据权利要求30所述的方法,其中使用溅射法形成待除层。
32、根据权利要求30所述的方法,其中使用蚀刻法形成M×N空槽阵列。
33、根据权利要求30所述的方法,其中使用溅射法,随后使用蚀刻法形成基座。
34、根据权利要求30所述的方法,其中使用化学气相淀积法,随后使用蚀刻法形成基座。
35、一种光学投影系统,包括根据权利要求24至34任一项的方法所制造的M×N薄膜致动反射镜阵列。
36、一种制造用于一光学投影系统中的一个M×N薄膜致动反射镜阵列的方法,其中M及N为整数,该方法包括以下步骤:
(a)提供具有一顶表面及一底表面的有源矩阵,该有源矩阵包括一衬底、一M×N晶体管阵列及一M×N连接端阵列;
(b)在有源矩阵的顶表面上形成一支持层,其中该支持层具有一对应于M×N薄膜致动反射镜阵列中的M×N支持元件阵列的M×N基座阵列及一待除区;
(c)处理支持层的待除区以使可被去除;
(d)在支持层的整个顶表面上形成一弹性薄膜层;
(e)在第二层上沉积一个第一薄膜电极层;
(f)在第一薄膜电极层上提供一下薄膜运动感应层;
(g)在薄膜运动感应层上沉积一个第二薄膜电极层;
(h)在第二薄膜电极层上形成一由反光材料制成的反射镜层;及
(i)去除支持层的待除区,从而形成所述的M×N薄膜致动反射镜阵列。
37、根据权利要求36所述的方法,其中正好在形成反射镜层之前形成弹性薄膜层。
38、一种光学投影系统,包括根据权利要求36或37的方法所制造的M×N薄膜致动反射镜阵列。
39、一种制造用于一光学投影系统中的M×N薄膜致动反射镜阵列的方法,其中M及N为整数,该方法包括以下步骤:
(a)提供具有一顶表面及一底表面的有源矩阵,该有源矩阵包括一衬底、一M×N晶体管阵列及一M×N连接端阵列;
(b)在有源矩阵的顶表面上形成一支持层,该支持层具有一对应于M×N薄膜致动反射镜阵列中的M×N支持元件阵列的M×N基座阵列及一待除区;
(c)处理支持层的待除区以使可被去除;
(d)在支持层上沉积一个第一薄膜电极层,
(e)在第一薄膜电极层上提供一下薄膜运动感应层;
(f)在下薄膜运动感应层的顶部上形成中间金属层;
(g)在中间金属层上沉积一个上薄膜运动感应层;
(h)在上薄膜运动感应层上提供一个第二薄膜电极层,从而形成一双压电晶片结构;
(i)在第二薄膜电极层上沉积由反光材料制成的反射镜层;及
(j)去除支持层的待除区,从而形成所述M×N薄膜致动反射镜阵列。
40、一种光学投影系统,包括一个根据权利要求39的方法制造的M×N薄膜致动反射镜阵列。
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