PL179925B1

PL179925B1 - Uklad zwierciadel cienkowarstwowych ruchomych i sposób wytwarzania ukladu zwierciadel cienkowarstwowych ruchomych do optycznego urzadzenia projekcyjnego PL PL PL PL PL PL PL

Info

Publication number: PL179925B1
Application number: PL96322906A
Authority: PL
Inventors: Yong Ki Min
Original assignee: Daewoo Electronics Co Ltd; Daewoo Electronics Coltd
Priority date: 1995-04-21
Filing date: 1996-03-07
Publication date: 2000-11-30
Also published as: CZ328097A3; BR9608226A; EP0741310B1; JP3734271B2; AR001107A1; CN1182519A; EP0741310A1; US5757539A; HUP9801824A3; PL322906A1; WO1996033576A1; DE69621516D1; AU698094B2; JPH11503843A; TW305943B; CN1082770C; RU2166784C2; CA2218655A1; UY24183A1; HUP9801824A2

Abstract

1 . Uklad zwierciadel cienkowarstwowych ruchomych do optycznego urzadzenia projekcyjnego, w ilosci MxN, przy czym M i N sa liczbami calkowitymi, zawierajacy czynna matryce zawierajaca podloze, uklad Mx N tranzystorów i uklad M x N koncówek laczacych, z których kazda jest dolaczona elektrycznie do wlasciwego tranzystora w ukladzie tranzystorów, znamienny tym, ze zawiera warstwe pasywacyjna (220) wytworzona na gó- rze czynnej matrycy (210), warstwe zatrzymujaca (230) odczynnik do trawie- nia, wytworzona na górze warstwy pasywacyjnej (220) i uklad M xN struktur poruszajacych (200) wyposazonych w blizsze konce i dalsze konce, przy czym kazda ze struktur poruszajacych (200) zawiera pierwsza elektrode cien- kowarstwowa (285), cienkowarstwowy element elektroprzemieszczalny (275), druga elektrode cienkowarstwowa (265), element sprezysty (255) i przewodnik (295), przy czym pierwsza elektroda cienkowarstwowa (285)jest umieszczona na górze cienkowarstwowego elementu elektroprzemieszczal- nego (275) i jest podzielona na czesc poruszajaca (190) i czesc odbijajaca (195) swiatlo przez poziomy pasek, przy czym czesc poruszajaca (190) jest dolaczona elektrycznie do wlasciwego tranzystora przez przewodnik i kon- cówke laczaca, tworzac zwierciadlo i elektrode sygnalowa, cienkowarstwo- wy element elektroprzemieszczalny (275) jest umieszczony na górze drugiej elektrody cienkowarstwowej (265), która jest umieszczona na górze elementu sprezystego (255), druga elektroda cienkowarstwowa (265) jest dolaczona elektrycznie do masy i ma rowek zapobiegajacy przewodzeniu sygnalu ele- ktrycznego, wokól przewodnika (295), tworzac wspólna elektrode polary- zujaca, element sprezysty (255) jest umieszczony na dole drugiej elektrody cienkowarstwowej (265) i dolna czesc, przyjej blizszym koncu, jest zamoco- wana na górze czynnej matrycy (210), z warstwa zatrzymujaca (230) odczyn- nik do trawienia i warstwa pasywacyjna (220) czesciowo oddzialujacymi pomiedzy soba dla wspierania struktury poruszajacej (200), a przewodnik (290) rozciaga sie od góry pierwszej elektrody cienkowarstwowej (285) do góry wlasciwej koncówki laczacej (214), laczac elektrycznie pierwsza ele- ktrode cienkowarstwowa (285) z koncówka laczaca (214) Fig. 2 PL PL PL PL PL PL PL

Description

Przedmiotem wynalazku jest układ zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych i sposób wytwarzania układu zwierciadeł cienkowarstwowych, ruchomych do optycznego urządzenia projekcyjnego.

Znane są różne urządzenia wyświetlające obrazy, na przykład optyczne urządzenia projekcyjne zdolne do zapewniania obrazowania o wysokiej jakości na wielką skalę. W optycznym urządzeniu projekcyjnym światło lampy oświetla równomiernie układ na przykład Μ χ N zwierciadeł ruchomych, przy czym każde ze zwierciadeł jest połączone z jednym elementem poruszającym. Elementy poruszające są wykonane z materiału piezoelektrycznego lub materiału elektrostrykcyjnego, który odkształca się w odpowiedzi na przyłożone do niego pole elektryczne.

Wiązka światła odbita od każdego ze zwierciadeł pada na przykład na szczelinę przegrody optycznej. Poprzez podawanie sygnałów elektrycznych do każdego elementu poruszającego, położenie każdego ze zwierciadeł względem padającej wiązki światła zmienia się, co powoduje odchylenia drogi optycznej wiązki odbitej od każdego ze zwierciadeł. Ponieważ droga optyczna każdej z odbitych wiązek jest zmienna, ilość światła odbitego od każdego ze zwierciadeł, przechodzącego przez szczelinę zmienia się, co powoduje modulowanie natężenia wiązki. Zmodulowane wiązki przechodzące przez szczelinę padająna ekran projekcyjny poprzez układ optyczny, taki jak soczewki optyczne, i dzięki temu powstaje na ekranie obraz.

Znany jest z opisu patentowego USA nr 5172262 modulator światła i sposób wytwarzania modulatora światła, w którym wytwarza się układ adresowania na podłożu półprzewodnikowym, wytwarza się element nośny na tym układzie i podłożu, osadza się warstwę przegubową bezpośrednio lub pośrednio na elemencie nośnym, maskuje się część warstwy przegubowej, wytwarza się warstwę belki przynajmniej na odsłoniętych częściach warstwy przegubowej, wytwarza się maskę dla określenia co najmniej jednego przegubu, co najmniej jednej odchylanej elektrostatycznie belki i co najmniej jednego wytrawionego otworu kontrolnego, tak że przegub jest cieńszy niż odchylana belka, i trawi się część elementu nośnego pomiędzy odchylaną belką i układem adresowania. Modulator światła ma odchylaną elektrostatycznie belkę nośną złożoną z dwóch warstw stopu aluminiowego i przegub łączący belkę z pozostałym stopem utworzonym tylko z jednej z dwóch warstw. To zapewnia grubą, sztywnąbelkę i cienki, podatny przegub. Stop jest umieszczony na elemencie nośnym wykonanym z fotorezystora, któryjest z kolei na podłożu półprzewodnikowym. Podłoże zawiera układ adresowania.

Znany jest z opisu patentowego USA nr 5247222 modulator o własnościach określonych przez konfigurację układu. Układ modulatora zawiera wiele piezoelektrycznych elementów modulacyjnych i elektrycznie izolacyjną strukturę nośną, zawierającąpogrubione części, do których są zamocowane elementy układu. Do górnej pogrubionej części jest zamocowana szyna zbiorcza dostarczająca wspólny potencjał elektryczny do elementów. Pogrubione części są nanoszone lub osadzane na strukturze nośnej, która jest trawiona selektywnie, aby wytworzyć profil powierzchniowy. Zastosowań tego układu jest wiele i mająone wpływ na sposoby wytwarzania i wybór materiału. Dla przykładu, przy zastosowaniu elektrycznego układu adresowania z wiązką elektronów, ważna jest izolacja cieplna elementu modulacyjnego od struktury nośnej. Struktura nośna jest na przykład ze szkła światłoczułego, które jest trawione chemicznie, lub jest podłożem krzemowym, w którym mikrostruktury są wytwarzane przez anizotropowe trawienie chemiczne. Modulator ten służy do modulacji fazowej fali elektromagnetycznej i zawiera podłoże, element piezoelektryczny, spolaryzowany piezoelektrycznie wzdłuż pierwszej osi, powierzchnię odbijającą optycznie, zamocowaną do tego elementu i elementy dostarczające pole elektryczne do elementu piezoelektrycznego wzdłuż drugiej osi prostopadłej do pierwszej osi. Element ten ma ponadto pierwszą powierzchnię przecięcia z pierwszą osią, a pierwsza powierzchnia przecięcia ma normalną, która tworzy kąt ostry z pierwszą osią. Pierwsza powierzchnia przecięcia jest umieszczona na podłożu. Zmiana elementów dostarczających pole elektryczne reguluje ustawienie powierzchni odbijającej optycznie, zmieniającej fazę fali elektromagnetycznej padającej na powierzchnię odbijającą optycznie.

Układ według wynalazku zawiera warstwę pasywacyjną wytworzoną na górze czynnej matrycy, warstwę zatrzymującą odczynnik do trawienia, wytworzonąna górze warstwy pasywa

179 925 cyjnej i układ Μ χ N struktur poruszających wyposażonych w bliższe końce i dalsze końce. Każda ze struktur poruszających zawiera pierwszą elektrodę cienkowarstwową cienkowarstwowy element elektroprzemieszczalny, drugą elektrodę cienkowarstwowa, element sprężysty i przewodnik. Pieiwsza elektroda cienkowarstwowa jest umieszczona na górze cienkowarstwowego elementu elektroprzemieszczalnego i jest podzielona na część poruszającą i część odbijającą światło przez poziomy pasek. Część poruszająca jest dołączona elektrycznie do właściwego tranzystora przez przewodnik i końcówkę łączącą tworząc zwierciadło i elektrodę sygnałową. Cienkowarstwowy element elektroprzemieszczalny jest umieszczony na górze drugiej elektrody cienkowarstwowej, która jest umieszczona na górze elementu sprężystego. Druga elektroda cienkowarstwowa jest dołączona elektrycznie do masy i ma rowek zapobiegający przewodzeniu sygnału elektrycznego, wokół przewodnika, tworząc wspólną elektrodę polaryzującą. Element sprężysty jest umieszczony na dole drugiej elektrody cienkowarstwowej i dolna część przy jej bliższym końcu jest zamocowana na górze czynnej matrycy, z warstwą zatrzymującą odczynnik do trawienia i warstwę pasywacyjną częściowo oddziałującymi pomiędzy sobą dla wspierania struktury poruszającej. Przewodnik rozciąga się od góry pierwszej elektrody cienkowarstwowej do góry właściwej końcówki łączącej, łącząc elektrycznie pierwszą elektrodę cienkowarstwową z końcówką łączącą.

Korzystnie warstwa pasywacyjna jest wykonana ze szkliwa fosforowo-krzemowego lub azotku krzemowego.

Korzystnie warstwa zatrzymująca odczynnik do trawienia jest wykonana z azotku krzemowego.

Sposób według wynalazku polega na tym, że dostarcza się czynną matrycę zawierającą podłoże, układ Μ χ N końcówek łączących i układ Μ χ N tranzystorów, przy czym każdą z końcówek łączących dołącza się elektrycznie do właściwego tranzystora w układzie tranzystorów. Osadza się warstwę pasywacyjną na górze czynnej matrycy, osadza się warstwę zatrzymującą odczynnik do trawienia na górze warstwy pasywacyjnej, osadza się cienką warstwę protektorową na górze warstwy zatrzymującej odczynnik do trawienia. Spłaszcza się powierzchnię górną cienkiej warstwy protektorowej, wytwarza się układ Μ χ N par pustych wnęk w cienkiej warstwie protektorowej, w taki sposób, że przezjedną z pustych szczelin w każdej parze obejmuje się jedną z końcówek łączących. Osadza się kolejno warstwę sprężystą i drugą cienką warstwę na górze cienkiej warstwy protektorowej, zawierającej puste wnęki, wykonuje się izocięcic drugiej cienkiej warstwy na układ Μ χ N drugich elektrod cienkowarstwowych, przy czym każdą z drugich elektrod cienkowarstwowych odłącza się elektrycznie od innej. Osadza się kolejno cienką warstwę elektroprzemieszczalną i pierwszą cienką warstwę na górze układu Μ χ N drugich elektrod cienkowarstwowych i tworzy się przez to strukturę wielowarstwową. Wytwarża się wzór struktury wielowarstwowej jako układ Μ χ N ruchomych struktur zwierciadlanych, aż odsłoni się cienką warstwę protektorową, w taki sposób, że umieszcza się końcówkę każdej z ruchomych struktur zwierciadlanych przy dalszym jej końcu i tworzy się przechodzący przez nią otwór do trawienia. Stosuje się każdą z ruchomych struktur zwierciadlanych mającą pierwszą elektrodę cienkowarstwową cienkowarstwowy element elektroprzemieszczalny, drugą elektrodę cienkowarstwową i element sprężysty, przy czym pierwsza elektrodę cienkowarstwową dzieli się na część poruszającą i część odbijającą światło przez poziomy pasek, przez który odłącza się elektrycznie część poruszającą i część odbijającą światło. Część poruszającą dołącza się elektrycznie do masy, wytwarza się układ Μ χ N otworów rozciągających się od góry cienkowarstwowego elementu elektroprzemieszczalnego do góry właściwej końcówki łączącej, wypełnia się każdy z otworów metalem i tworzy się w nim przewodnik oraz wytwarza się układ Μ χ N półobrobionych zwierciadeł ruchomych. Dzieli się na pół czynną matrycę przez wykonanie nacięcia, pokrywa się całkowicie każde z półobrobionych zwierciadeł ruchomych przez cienką warstwę ochronną, usuwa się cienką warstwę protektorową przy zastosowaniu odczynnika do trawienia lub związku chemicznego, który wprowadza się do otworu do trawienia w każdym z półobrobionych zwierciadeł ruchomych i szczelin pomiędzy półobrobionymi zwierciadłami ru

179 925 chomymi, usuwa się cienką warstwę ochronną i tnie się całkowicie czynną matrycę do wymaganego kształtu i wytwarza się przez to układ M xN zwierciadeł cienkowarstowych ruchomych.

Korzystnie warstwę pasywacyjną wytwarza się ze szkliwa fosforowo-krzemowego lub azotku krzemowego.

Korzystnie warstwę pasywacyjną wytwarza się o grubości 0,1-2 pm.

Korzystnie warstwę pasywacyjną wytwarza się przy zastosowaniu metody osadzania chemicznego z pary lub powlekania spinowego.

Korzystnie warstwę zatrzymującąodczynnik do trawienia wytwarza się z azotku krzemowego.

Korzystnie warstwę zatrzymującą odczynniki do trawienia wytwarza się o grubości 0,1 -2 pm.

Korzystnie warstwę zatrzymującąodczynnik do trawienia wytwarza się przy zastosowaniu metody napylania katodowego lub osadzania chemicznego z pary.

Korzystnie górną powierzchnię cienkiej warstwy protektorowej spłaszcza się przy zastosowaniu metody spinowej na szkle lub metody polerowania chemiczno-mechanicznego, po których dokonuje się operacji przemywania.

Korzystnie układ pustych wnęk wytwarza się przy zastosowaniu metody trawienia na sucho lub na mokro.

Korzystnie druga cienką warstwę poddaje się izocięciu przy zastosowaniu metody trawienia na sucho.

Korzystnie cienką warstwę elektroprzemieszczalną obrabia się na gorąco przy zastosowaniu metody szybkiego wyżarzania cieplnego.

Korzystnie nacięcie czynnej matrycy wytwarza się na głębokość jednej trzeciej grubości czynnej matrycy.

Korzystnie nacięcie wytwarza się przy zastosowaniu metody fotolitograficznej.

Korzystnie czynną matrycę całkowicie dzieli się przy zastosowaniu metody fotolitograficznej lub trymowania laserowego.

Zaletą wynalazku zapewnienie układu Μ x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych, z których każde ma nowąstrukturę zapobiegąjącąprzyczepianiu się elementu sprężystego do podłoża podczas usuwania środka phiczącego w procesie wytwarzania układu. Ta nowa struktura zapewnia całkowite i bardzo skuteczne usunięcie cienkiej warstwy protektorowej w procesie wytwarzania układu. Uzyskany układ Μ x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych ma poprawioną wydajność optyczną.

Zaletą wynalazku jest także zapewnienie skutecznego sposobu wytwarzania układu Μ x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych.

Przedmiot wynalazku w przykładzie wykonania jest uwidoczniony na rysunku, na którym fig. 1A do 1G przedstawiają przekroje poprzeczne znanego układu Μ x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych w kolejnych etapach procesu wytwarzania, fig. 2 - przekrój poprzeczny przedstawiający układ Μ x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych według wynalazku, fig. 3 A do 3N - przekroje poprzeczne układu MxN zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych z fig. 2, w kolejnych etapach procesu wytwarzania według wynalazku, fig. 4A do 4D - widoki z góry cienkich warstw tworzących każde ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych z fig. 2.

Figura 1A do IG przedstawiają etapy wytwarzania układu 100 Μ x N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 101, przy czym Μ x N są liczbami całkowitymi.

Proces wytwarzania układu 100 zaczyna się przygotowaniem czynnej matrycy 10 zawierającej podłoże 12, układ Μ x N tranzystorów (nie pokazanych) i układ Μ x N końcówek łączących 14.

W następnym etapie, na górze czynnej matrycy 10 jest wytwarzana cienka warstwa protektorowa 24 przy zastosowaniu napylania katodowego lub naparowywania, jeżeli cienka warstwa protektorowa 24 jest wykonana z metalu, przy zastosowaniu osadzania chemicznego z pary, jeżeli cienka warstwa protektorowa 24 jest wykonana z polikrzemu, lub przy zastosowaniu powlekania spinowego, jeżeli cienka warstwa protektorowa 24 jest wykonana ze szkliwa fosforowokrzemowego.

179 925

Następnie jest wytwarzana warstwa nośna 20 zawierająca układ Μ χ N elementów nośnych 22 otoczonych przez cienką warstwę protektorową 24. Warstwa nośna 20 jest wytwarzana przez wytworzenie układu Μ χ N pustych szczelin, których nie pokazano na rysunku, na cienkiej warstwie protektorowej 24, przy zastosowaniu fotolitografii, a każda z pustych szczelin jest usytuowana wokół końcówek łączących 14. Następuje wytworzenie elementu nośnego 22 w każdej z pustych szczelin usytuowanych wokół końcówek łączących 14, przy zastosowaniu napylania katodowego łub metody osadzania chemicznego z pary, jak to pokazano na fig. 1 A. Elementy nośne 22 są wykonane z materiałem izolacyjnego.

W następnym etapie warstwa sprężysta 30 wykonana z tego samego materiału izolacyjnego, jak elementy nośne 22, jest wytwarzana na górnej powierzchni warstwy nośnej 20 przy zastosowaniu metody zol-żel, napylania katodowego lub osadzania chemicznego z pary.

Następnie przewodnik 26 wykonany z metalu jest wytwarzariy w każdym z elementów nośnych 22 najpierw przez wytworzenie układu Μ χ N otworów, których nie pokazano na rysunku, przy zastosowaniu metody trawienia i wypełnienie ich metalem, jak to pokazano na fig. 1B. Każdy z otworów biegnie od górnej powierzchni warstwy sprężystej 30 do górnej powierzchni końcówek łączących 14.

W następnym etapie jest wytwarzana druga cienka warstwa 40, wykonana z materiału przewodzącego elektrycznie, na górnej powierzchni warstwy sprężystej 30 zawierającej przewodniki 26, przy zastosowaniu metody napylania katodowego. Druga cienka warstwa 40 jest dołączona elektrycznie do tranzystorów przez przewody 26 utworzone w elementach nośnych 22.

Następnie cienka warstwa elektroprzemieszczalna 50 wykonana z materiału piezoelektrycznego, na przykład tytanianu ołowiowo-cyrkonowego, jest wytwarzana na górnej powierzchni drugiej cienkiej warstwy 40, przy zastosowaniu metody napylania katodowego, metody osadzania chemicznego z pary lub metody zol-żel, jak to pokazano na fig. 1C.

W następnym etapie jest wytwarzany z cienkiej warstwy elektroprzemieszczalnej 50, drugiej cienkiej warstwy 40 i warstwy sprężystej 30 wzór utworzony z układu Μ χ N cienkowarstwowych elementów elektroprzemieszczalnych 55, układu Μ χ N drugich elektrod cienkowarstwowych 45 i układu Μ χ N elementu sprężystych 35, przy zastosowaniu fotolitografii lub metody trymowania, aż zostanie odsłonięta cienka warstwa protektorowa 24 w warstwie nośnej 20, jak to pokazano na fig. 1D. Każda spośród drugich elektrod cienkowarstwowych 45 jest dołączona elektrycznie do właściwego tranzystora przez przewodnik 26 utworzony w każdym z elementów nośnych 22 i działa jako elektroda sygnałowa w zwierciadle cienkowarstwowym ruchomym 101.

Następnie każdy z cienkowarstwowych elementów elektroprzemieszczalnych 55 jest poddawany obróbce na gorąco w wysokiej temperaturze, na przykład tytanian ołowiowo-cyrkonowy w temperaturze 650°C, w celu umożliwienia przejścia fazowego, aby utworzyć układ Μ χ N struktur obrabianych cieplnie, których nie pokazano. Ponieważ każdy z obrabianych cieplnie, cienkowarstwowych elementów elektroprzemieszczalnych 55 jest wystarczająco cienki, nie ma potrzeby polaryzować go w przypadku, gdy jest wykonany z materiału piezoelektrycznego, ponieważ może być polaryzowany przez sygnał elektryczny dostarczany podczas działania zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 101.

Po powyższym etapie układ Μ χ N pierwszych elektrod cienkowarstwowych 65, wykonanych z materiału przewodzącego elektrycznie i odbijającego światło, jest wytwarzany na górnej powierzchni cienkowarstwowych elementów elektroprzemieszczalnych 55 w układzie Μ χ N struktur obrabianych cieplnie najpierw przez wytworzenie warstwy 60 wykonanej z materiału przewodzącego elektrycznie i odbijającego światło, całkowicie pokrywającego górną powierzchnię układu Μ χ N struktur obrabianych cieplnie, obejmując odsłoniętą cienką warstwę protektorową 24 w warstwie nośnej 20, stosując metodę napylania katodowego, jak to pokazano na fig. 1E, a następnie selektywne usuwanie warstwy 60, przy zastosowaniu trawienia, dając układ 110 Μ χ N ruchomych struktur zwierciadlanych 111. Każda z ruchomych struktur zwierciadlanych 111 ma powierzchnię górną i cztery powierzchnie boczne, jak to pokazano na fig. I E Każda

179 925 z pierwszych elektrod cienkowarstwowych 65 działa jako zwierciadło, jak również jako elektroda polaryzująca w zwierciadłach cienkowarstwowych ruchomych 101.

Po poprzednim etapie następuje całkowite pokrycie powierzchni górnej i czterech powierzchni bocznych w każdej z ruchomych struktur zwierciadlanych 111 z cienką warstwą ochronną której nie pokazano.

Cienka warstwa protektorowa 24 w warstwie nośnej 20 jest następnie usuwana przy zastosowaniu trawienia. W końcu jest usuwana cienka warstwa ochronna w celu utworzenia układu 100 Μ χ N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 101, jak to pokazano na fig. IG.

W opisanym powyżej sposobie wytwarzania układu 100 Μ χ N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 101, po usunięciu cienkiej warstwy protektorowej 24 następuje zwykle wypłukanie odczynnika do trawienia lub związku chemicznego stosowanego przy jej usuwaniu, przy zastosowaniu środka płuczącego, który z kolei jest usuwany przez odparowanie. Podczas usuwania środka płuczącego, napięcie powierzchniowe środka płuczącego może obniżyć element sprężysty 15 w kierunku czynnej matrycy 10, skutkiem czego następuje przyczepienie się elementu sprężystego 35 do czynnej matrycy 10, powodując uzyskanie poszczególnego zwierciadła cienkowarstwowego ruchomego 101.

Ponadto, aby usunąć cienką warstwę protektorowa 24 w warstwie nośnej 20 w celu utworzenia przestrzeni napędowej każdego ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 101 przy zastosowaniu trawienia, odczynnik do trawienia lub związek chemiczny jest wprowadzany przez szczeliny pomiędzy ruchomymi strukturami zwierciadlanymi 111 pokrytymi przez cienką warstwę ochronną. Jednak całkowite usunięcie cienkiej warstwy protektorowej 24 w warstwie nośnej 20 zajmuje bardzo dużo czasu, a poza tym cienka warstwa protektorowa 24 może nie zostać usunięta całkowicie, pozostawiając resztki w zamierzonej przestrzeni napędowej, co z kolei pogarsza jakość tak otrzymanego zwierciadła cienkowarstwowego ruchomego 101. Ponownie, gdy oddziałuje się w ten sposób na wystarczająco dużo zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 101, całkowita jakość układu 100 może także pogorszyć się.

Układ 100 tak przygotowany ma małącałkowitąwydajność optyczną. Wówczas gdy każde ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 101 odkształca się w odpowiedzi na pole elektryczne doprowadzane do cienkowarstwowego elementu elektroprzemieszczalnego 55, pierwsza zamocowana do niego elektroda cienkowarstwowa 65, która działa także jako zwierciadło, również odkształca się, skutkiem czego zamiast tworzenia płaskiej powierzchni górnej, tworzy zakrzywioną powierzchnię górną od której są odbijane wiązki światła. W wyniku tego całkowita wydajność optyczna układu 100 maleje.

Figury 2, 3A - 3N i 4A- 4D przedstawiająkolejno przekrój poprzeczny układu 300 Μ χ N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 301, gdzie Μ χ N są liczbami całkowitymi, do zastosowania w optycznym urządzeniu projekcyjnym przekroje poprzeczne układu 300 Μ χ N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 301 w kolejnych etapach procesu wytwarzania oraz widoki z góry cienkich warstw tworzących zwierciadła cienkowarstwowe ruchome 301 według wynalazku. Podobne części na fig. 2, 3A - 3N i 4 A - 4D są oznaczone podobnymi numerami.

Figura 2 pokazuje przekrój poprzeczny układu 300 Μ χ N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 301 według wynalazku. Układ 300 zawiera czynną matrycę 210, warstwę pasywacyjną 220, warstwę zatrzymującą 230 odczynnik do trawienia i układ Μ χ N struktur poruszających 200.

Czynna matryca 210 zawiera podłoże 212, układ Μ χ N tranzystorów (nie pokazanych) i układMxN końcówek łączących 214. Każda z końcówek łączących 214 jest dołączona elektrycznie do właściwego tranzystora w układzie tranzystorów.

Warstwa pasywacyjna 220, wykonana na przykład ze szkliwa fosforowo-krzemowego lub azotku krzemowego i mająca grubość 0, ł -2 pm, jest usytuowana na górze czynnej matrycy 210.

Warstwa zatrzymująca 230 odczynnik do trawienia, wykonana z azotku krzemowego i mająca grubość 0,1-2 pm, jest umieszczona na górze warstwy pasywacyjncj 220.

Każda ze struktur poruszających 200 ma koniec dalszy i koniec bliższy oraz ponadto ma końcówkę (nie pokazaną) przy końcu dalszym i przechodzący przez nią otwór do trawienia (nie

179 925 pokazany). Każda ze struktur poruszających 200 jest wyposażona w pierwszą elektrodę cienkowarstwową 285, cienkowarstwowy element elektroprzemieszczalny 275, drugą elektrodę cienkowarstwową 255 i przewodnik 295. Pierwsza elektroda cienkowarstwowa 285, wykonana z materiału przewodzącego elektrycznie i odbijającego światło, na przykład glinu lub srebra, jest umieszczona na górze cienkowarstwowego elementu elektroprzemieszczalnego 275 i jest podzielona na część poruszającą 190 i część odbijającą 195 światło przez poziomy pasek 287, który odłącza elektrycznie część poruszająca 190 i część odbijającą 195 światło. Część poruszająca 190 jest dołączona elektrycznie do masy, skutkiem czego działa jako zwierciadło, jak również jako wspólna elektroda polaryzująca. Część odbijająca 195 światło działa jako zwierciadło. Cienkowarstwowy element elektroprzemieszczalny 275, wykonany z materiału piezoelektrycznego, na przykład tytanianu ołowiowo-cyrkonowego lub materiału elektrostrykcyjnego, na przykład niobianu ołowiowo-magnezowego, jest umieszczony na górze drugiej elektrody cienkowarstwowej 265. Druga elektroda cienkowarstwowa 265, wykonana z materiału przewodzącego elektrycznie, na przykład platyny/tantalu Pt/Ta, jest umieszczona na górze elementu sprężystego 255 i jest dołączona elektrycznie do właściwego tranzystora przez przewodnik 295 i końcówkę łączącą 214 oraz jest odłączona elektrycznie od drugiej elektrody cienkowarstwowej 265 w innych zwierciadłach cienkowarstwowych ruchomych 301, skutkiem czego umożliwia jej działanie jako elektrody sygnałowej. Element sprężysty 255 wykonany z azotku, na przykład azotku krzemowego, jest umieszczony poniżej drugiej elektrody cienkowarstwowej 265. Dolna część przy jej bliższym końcu jest zamocowana do góry czynnej matrycy 210, z warstwami zatrzymującą 230 odczynnik do trawienia i pasywacyjną 220 częściowo oddziałującymi ze sobą skutkiem czego wspiera strukturę poruszającą 200. Przewodnik 295 wykonany z metalu, na przykład wolframu, rozciąga się od góry cienkowarstwowego elementu clektroprzemicszczalnego 275 do góry końcówki łączącej 214, skutkiem czego łączy elektrycznie druga elektrodę cienkowarstwową 265 z końcówką łączącą 214. Przewodnik 295 rozciągający się w dół od góry cienkowarstwowego elementu elektroprzemieszczalnego 275 i pierwsza elektroda cienkowarstwowa 285, umieszczona na górze cienkowarstwowego elementu elektroprzemieszczalnego 275 w każdym ze zwierciadeł cienkowarstwotvych ruchomych 301, nie są połączone elektrycznie ze sobą.

Figury 3 A do 3N przedstawiają przekroje układu 300 Μ χ N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 301 z fig. 2 w kolejnych etapach procesu wytwarzania.

Figura 3 A przedstawia układ 300, w pierwszym etapie rozpoczynającym się przygotowaniem czynnej matrycy 210 zawierającej podłoże 212, układu Μ χ N końcówek łączących 214 i układu Μ χ N tranzystorów (nie pokazanych). Podłoże 212 jest wykonane z materiału izolacyjnego, na przykład płytki krzemowej. Każda z końcówek łączących 214 jest dołączona elektrycznie do właściwego tranzystora w układzie tranzystorów.

Figura 3B pokazuje, że w następnym etapie jest wytwarzana warstwa pasywacyjna 220 wykonana na przykład ze szkliwa fosforowo-krzemowego lub azotku krzemowego i mająca grubość 0,1-2 pm, na górze cżynnej matrycy 210, przy zastosowaniu na przykład metody osadzania chemicznego z pary lub powlekania spinowego.

Figura 3C pokazuje, że następnie warstwa zatrzymująca 230 odczynnik do trawienia, wykonana z azotku krzemowego i mająca grubość 0,1-2 μηι, jest osadzana na górze warstwy pasywacyjnej 220, przy zastosowaniu na przykład metody napylania katodowego lub osadzania chemicznego z pary.

Figura 3D pokazuje, że potem jest wytwarzana cienka warstwa protektorowa 240 na górze warstwy zatrzymującej 230 odczynnik do trawienia. Cienka warstwa protektorowa 240 jest wytwarzana przy zastosowaniu metody napylania katodowego lub naparowania, jeżeli cienka warstwa protektorowa 240 jest wykonana z metalu, a metody osadzania chemicznego z pary lub powlekania spinowego, jeżeli cienka warstwa protektorowa 240 jest wykonana ze szkliwa fosforowo-krzemowego, lub metody osadzania chemicznego z pary, jeżeli cienka warstwa protektorowa 240 jest wykonana z polikrzemu.

179 925

Figura 3E pokazuje, że następnie powierzchnia górna cienkiej warstwy protektorowej 240 jest spłaszczana przy zastosowaniu metody spinowej na szkle lub metody polerowania chemiczno-mechanicznego, po której następuje metoda przemywania.

Figura 3F pokazuje, że potem jest wytwarzany układ Μ χ N par pustych wnęk 245 w cienkiej warstwie protektorowej 240 w taki sposób, że jedna z pustych wnęk 245 w każdej parze obejmuje jednąz końcówek łączących 214, przy zastosowaniu suchej lub mokrej metody trawienia.

Figura 3G pokazuje, że w następnym etapie warstwa sprężysta 250 wykonana z azotku, na przykład azotku krzemowego, i mająca grubość 0,1-2 pm, jest osadzana na górnej powierzchni cienkiej warstwy protektorowej 240 zawierającej puste wnęki 245, przy zastosowaniu metody osadzania chemicznego z pary. Podczas osadzania, naprężenia wewnątrz warstwy sprężystej 250 są regulowane przez zmianę współczynnika gazowego w funkcji czasu.

Później jest wytwarzana druga cienka warstwa (nie pokazana), wykonana z materiału przewodzącego elektrycznie, na przykład Pt/Ta, i mającego grubość 0,1 -2 pm, na górze warstwy sprężystej 250, przy zastosowaniu metody napylania katodowego lub naparowania próżniowego. Fig. 3H pokazuje, że następnie druga cienka warstwa jest poddawana izocięciu na układ Μ χ N drugich elektrod cienkowarstwowych 265, przy zastosowaniu metody trawienia na sucho. Każda z drugich elektrod cienkowarstwowych 265 jest odłączona elektrycznie od innych drugich elektrod cienkowarstwowych 265.

Figura 31 pokazuje, że potem cienka warstwa elektroprzemieszczalna 270, wykonana z materiału piezoelektrycznego, na przykład tytanianu ołowiowo-cyrkonowego, lub materiału elcktrostrykcyjnego, na przykład niobianu ołowiowego-magnezowego, i mająca grubość 0,1 -2 pm, jest osadzana na górze układu Μ χ N drugich elektrod cienkowarstwowych 265, przy zastosowaniu metody naparowania, zolu-żelu, napylania katodowego lub osadzania chemicznego z pary. Cienka warstwa elektroprzemieszczalna 270 jest następnie poddawana obróbce na gorąco dla umożliwienia przejścia fazowego przy zastosowaniu metody szybkiego wyżarzania cieplnego.

Jeżeli cienka warstwa elektroprzemieszczalna 270 jest wystarczająco cienka, nie ma potrzeby jej polaryzacji w przypadku, gdy jest wykonana z materiału piezoelektrycznego. Może być ona polaryzowana przez sygnał elektryczny dostarczany podczas działania zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 301.

Figura 3J pokazuje, że kolejno jest wytwarzana pierwsza cienka warstwa 280 wykonana z materiału przewodzącego elektrycznie i odbijającego światło, na przykład glinu lub srebra, mająca grubość 0,1-2 pm, na górze cienkiej warstwy elektroprzemieszczalnej 270, przy zastosowaniu metody napylania katodowego lub naparowania próżniowego, skutkiem czego powstaje wielowarstwowa struktura 350.

W następnym etapie, jak to pokazano na fig. 3K, wielowarstwowa struktura 350 tworzy wzór układu 340 Μ χ N ruchomych struktur zwierciadlanych 345, przy zastosowaniu metody fotolitografii lub trymowania laserowego, aż zostaje odsłonięta cienka warstwa protektorowa 240, w taki sposób, że każda z ruchomych struktur zwierciadlanych 345 ma końcówkę (nie pokazaną) przy dalszym końcu i przechodzący przez niąotwór do trawienia (nie pokazany). Każda z ruchomych struktur zwierciadlanych 345 zawiera pierwszą elektrodę cienkowarstwową 285, cienką warstwę elektroprzemieszczalną 275, drugą elektrodę cienkowarstwową 265 i element sprężysty 255. Pierwsza elektroda cienkowarstwowa 285 jest podzielona na część poruszającą 190 i część odbijającą 195 światło przez poziomy pasek 287, który odłącza elektrycznie część poruszającą 190 i część odbijającą 195 światło, a część poruszająca 190 jest dołączona elektrycznie do masy.

Figura 3L pokazuje, że w kolejnym etapie jest wytwarzany układ Μ χ N otworów 290, przy zastosowaniu metody trawienia, przy czym każdy z otworów rozciąga się od góry cienkiego elementu elektroprzemieszczalnego 275 do góry właściwej końcówki łączącej 214.

Figura 3M pokazuje, że w następnym etapie jest wytwarzany przewodnik 295 przez wypełnienie każdego z otworów 290 metalem, na przykład wolframem, przy zastosowaniu na przykład metody oderwania, skutkiem czego jest wytwarzany układ 300 Μ χ N półobrobionych zwierciadeł ruchomych 335.

179 925

Po powyższym etapie jest wykonywane nacięcie (nie pokazane) mające głębokość równą w przybliżeniu jednej trzeciej grubości czynnej matrycy 210, przy zastosowaniu fotolitografii. Ten etap jest także znany jako półcięcie.

Po poprzednim etapie następuje potem całkowite pokrycie każdego z półobrobionych zwierciadeł ruchomych 335, przez cienką warstwę ochronną (nie pokazaną).

Cienka warstwa protektorowa 240 jest następnie usuwana przy zastosowaniu metody trawienia na mokro, przy zastosowaniu odczynnika do trawienia lub związku chemicznego, na przykład pary fluorowodoru. Odczynnik do trawienia lub związek chemiczny jest wprowadzany przez otwór do trawienia w każdym z półobrobionych zwierciadeł ruchomych 335 i szczelinę pomiędzy półobrobionymi zwierciadłami ruchomymi 335, skutkiem czego zostaje utworzona przestrzeń zasilająca każdego ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 301.

Następnie jest usuwana cienka warstwa ochronna.

Figura 3N pokazuje, że w końcu czynna matryca 210 jest całkowicie cięta do wymaganego kształtu, przy zastosowaniu metody fotolitografii lub trymowania laserowego, skutkiem czego zostaje utworzony układ 300 Μ χ N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 301.

Figury 4A do 4D przedstawiająkolejno widoki z góry pierwszej elektrody cienkowarstwowej 285, cienkowarstwowego elementu elektroprzemieszczalnego 275, drugiej elektrody cienkowarstowej 265 i elementu sprężystego 255, tworzących zwierciadła cienkowarstwowe ruchome 301 według wynalazku. Każda z cienkich warstw ma końcówkę 205 przy dalszym końcu i otwór 289 do trawienia. Fig. 4C przedstawia, że druga elektroda cienkowarstwowa 265 jest odłączona elektrycznie od drugiej elektrody cienkowarstwowej 265 w innych zwierciadłach cienkowarstwowych ruchomych 301 w układzie 300.

W układzie 300 Μ χ N zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 301, pierwsze elektrody cienkowarstwowe 285 w każdym ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 301 sąpodzielone na część poruszającą 190 i część odbijającą 195 światło przez poziomy pasek 287 i podczas działania każdego ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 301, tylko części cienkowarstwowego elementu elektroprzemieszczalnego 275, drugiej elektrody cienkowarstwowej 265 i elementu sprężystego 255, umieszczone poniżej części poruszającej 190 pierwszej elektrody cienkowarstwowej 285, odkształcają się, podczas gdy pozostałe części pozostają płaskie, umożliwiając odbijanie przez część odbijająca 195 światło bardziej wydajnie, dzięki czemu zwiększa się wydajność optyczna układu 300.

Ponadto po usunięciu cienkiej warstwy protektorowej 240 zwykle następuje przepłukanie odczynnika do trawienia lub związku chemicznego stosowanego przy usuwaniu warstwy, przy zastosowaniu środka płuczącego, który jest z kolei usuwany przez odparowanie. Podczas usuwania środka płuczącego, zbiera się on przy końcówce 205 każdego ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 302, ułatwiając proste usunięcie, dzięki czemu zmniejsza się prawdopodobieństwo, że element sprężysty 255 przyczepi się do czynnej matrycy 210, co z kolei pomaga przy zachowaniu strukturalnej integralności i wydajności zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych 301, zwiększając całkowitą wydajność układu 300.

Poza tym, jeżeli odczynnik do trawienia lub związek chemiczny, stosowany w cienkiej warstwie protektorowej 240, jest wprowadzany przez otwory 289 do trawienia, jak również szczeliny pomiędzy strukturami poruszającymi 200, cienka warstwa protektorowa 240 jest usuwana w sposób bardziej wydajny i całkowity.

Chociaż zwierciadła cienkowarstwowe ruchome 301 i sposób ich wytwarzania są opisane w odniesieniu do przypadku, w którym każde ze zwierciadeł ma strukturę unimorficzną, wynalazek znajduje zastosowanie także w przypadku, w którym każde ze zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych ma strukturę bimorficzną i wówczas stosuje się dodatkowe warstwy elektroprzemieszczalne i elektrodowe.

179 925

12 14

Fig. 1A (Stan techniki)

Fig. 1B (Stan techniki )

Fig. 1D (Stan techniki )

179 925

(Stan techniki )

100

Fig. 1G (Stan techniki)

179 925

301

300

214

Fig. 2

214

Fig. 3A

214

Fig. 3B

179 925

Fig.3D

214

Fig. 3E

Fig. 3F

179 925

214

Fig. 3 Η

214

Fig. 3J

179 925

340

345

190 195

285 287 285

214 Fig. 3Κ

190 195

285 287 285

214

Fig. 3L

179 925

Fig. 3 Μ

300

301

190 195

295 285 287 285

214

Fig. 3N

179 925

275

Fig. 4 Β

179 925

Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 70 egz. Cena 4,00 zł.

Claims

Zastrzeżenia patentowe

1. Układ zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych do optycznego urządzenia projekcyjnego, w ilości M xN, przy czym M i N są liczbami całkowitymi, zawierający czynnąmatrycę zawierającą podłoże, układ Μ χ N tranzystorów i układ Μ χ N końcówek łączących, z których każda jest dołączona elektrycznie do właściwego tranzystora w układzie tranzystorów, znamienny tym, że zawiera warstwę pasywacyjną (220) wytworzoną na górze czynnej matrycy (210), warstwę zatrzymującą (230) odczynnik do trawienia, wytworzoną na górze warstwy pasywacyjnej (220) i układ Μ χ N struktur poruszających (200) wyposażonych w bliższe końce i dalsze końce, przy czym każda ze struktur poruszających (200) zawiera pierwszą elektrodę cienkowarstwową (285), cienkowarstwowy element elektroprzemieszczalny (275), drugą elektrodę cienkowarstwową (265), element sprężysty (255) i przewodnik (295), przy czym pierwsza elektroda cienkowarstwowa (285) jest umieszczona na górze cienkowarstwowego elementu elektroprzemieszczalnego (275) i jest podzielona na część poruszającą (190) i część odbijającą(195) światło przez poziomy pasek, przy czym część poruszająca (190) jest dołączona elektrycznie do właściwego tranzystora przez przewodnik i końcówkę łączącą, tworząc zwierciadło i elektrodę sygnałową, cienkowarstwowy element elektroprzemieszczalny (275) jest umieszczony na górze drugiej elektrody cienkowarstwowej (265), która jest umieszczona na górze elementu sprężystego (255), druga elektroda cienkowarstwowa (265) jest dołączona elektrycznie do masy i ma rowek zapobiegający przewodzeniu sygnału elektrycznego, wokół przewodnika (295), tworząc wspólną elektrodę polaryzującą, element sprężysty (255) jest umieszczony na dole drugiej elektrody cienkowarstwowej (265) i dolna część, przy jej bliższym końcu, jest zamocowana na górze czynnej matrycy (210), z warstwą zatrzymującą (230) odczynnik do trawienia i warstwąpasywacyjną (220) częściowo oddziałującymi pomiędzy sobą dla wspierania struktury poruszającej (200), a przewodnik (290) rozciąga się od góry pierwszej elektrody cienkowarstwowej (285) do góry właściwej końcówki łączącej (214), łącząc elektrycznie pierwszą elektrodę cienkowarstwową (285) z końcówką łączącą (214).
2. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że warstwa pasywacyjna (220) jest wykonana ze szkliwa fosforowo-krzemowego lub azotku krzemowego.
3. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że warstwa zatrzymująca (230) odczynnik do trawienia jest wykonana z azotku krzemowego.
4. Sposób wytwarzania układu zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych do optycznego urządzenia projekcyjnego, w ilości Μ χ N, przy czym M i N sąliczbami całkowitymi i każde ze zwierciadeł cienkowarstwowych, ruchomych odpowiada pikselowi, znamienny tym, że dostarcza się czynnąmatrycę zawierającą podłoże, układ Μ χ N końcówek łączących i układ Μ χ N tranzystorów, przy czym każdą z końcówek łączących dołącza się elektrycznie do właściwego tranzystora w układzie tranzystorów, osadza się warstwę pasywacyjnąna górze czynnej matrycy, osadza się warstwę zatrzymującą odczynnik do trawienia na górze warstwy pasywacyjnej, osadza się cienką warstwę protektorową na górze warstwy zatrzymującej odczynnik do trawienia, spłaszcza się powierzchnię górną cienkiej warstwy protektorowej, wytwarza się układ Μ χ N par pustych wnęk w cienkiej warstwie protektorowej, w taki sposób, że przez jedną z pustych szczelin w każdej parze obejmuje się jedną z końcówek łączących, osadza się kolejno warstwę sprężystą! drugącienkąwarstwę na górze cienkiej warstwy protektorowej, zawierającej puste wnęki, wykonuje się izocięcie drugiej cienkiej warstwy na układ Μ χ N drugich elektrod cienkowarstwowych, przy czym każdą z drugich elektrod cienkowarstwowych odłącza się elektrycznie od innej, osadza się kolejno cienką warstwę elektroprzemieszczalną i pierwszą cienką warstwę na

179 925 górze układu Μ χ N drugich elektrod cienkowarstwowych i tworzy się przez to strukturę wielowarstwową wytwarza się wzór struktury wielowarstwowej jako układ Μ χ N ruchomych struktur zwierciadlanych, aż odsłoni się cienką warstwę protektorową w taki sposób, że umieszcza się końcówkę każdej z ruchomych struktur zwierciadlanych przy dalszym jej końcu i tworzy się przechodzący przez nią otwór do trawienia, przy czym stosuje się każdą z ruchomych struktur zwierciadlanych mającą pierwszą elektrodę cienkowarstwową cienkowarstwowy element elektroprzemieszczalny, drugą elektrodę cienkowarstwową i element sprężysty, przy czym pierwszą elektrodę cienkowarstwową dzieli się na część poruszającą i część odbijającą światło przez poziomy pasek, przez który odłącza się elektrycznie część poruszającą i część odbijającą światło, a część poruszającą dołącza się elektrycznie do masy, wytwarza się układ Μ χ N otworów rozciągających się od góry cienkowarstwowego elementu elektroprzemieszczalnego do góry właściwej końcówki łączącej, wypełnia się każdy z otworów metalem i tworzy się w nim przewodnik oraz wytwarza się układ Μ χ N półobrobionych zwierciadeł ruchomych, dzieli się na pół czynną matrycę przez wykonanie nacięcia, pokrywa się całkowicie każde z półobrobionych zwierciadeł ruchomych przez cienką warstwę ochronną usuwa się cienką warstwę protektorową przy zastosowaniu odczynnika do trawienia lub związku chemicznego, który wprowadza się do otworu do trawienia w każdym z półobrobionych zwierciadeł ruchomych i szczelin pomiędzy półobrobionymi zwierciadłami ruchomymi, usuwa się cienką warstwę ochronną i tnie się całkowicie czynną matrycę do wymaganego kształtu i wytwarza się przez to układ Μ χ N zwierciadeł cienkowarstwowych, ruchomych.
5. Sposób według zastrz. 4, znamienny tym, że warstwę pasywacyjną wytwarza się ze szkliwa fosforowokrzemowego lub azotku krzemowego.
6. Sposób według zastrz. 5, znamienny tym, że warstwę pasywacyjną wytwarza się o grubości 0,1-2 pm.
7. Sposób według zastrz. 6, znamienny tym, że warstwę pasywacyjną wytwarza się przy zastosowaniu metody osadzania chemicznego z pary lub powlekania spinowego.
8. Sposób według zastrz. 4, znamienny tym, że warstwę zatrzymującą odczynnik do trawienia wytwarza się z azotku krzemowego.
9. Sposób według zastrz. 8, znamienny tym, że warstwę zatrzymującą odczynnik do trawienia wytwarza się o grubości 0,1-2 pm.
10. Sposób według zastrz. 9, znamienny tym, że warstwę zatrzymującą odczynnik do trawienia wytwarza się przy zastosowaniu metody napylania katodowego lub osadzania chemicznego z pary.
11. Sposób według zastrz. 4, znamienny tym, że górną powierzchnię cienkiej warstwy protektorowej spłaszcza się przy zastosowaniu metody spinowej na szkle lub metody polerowania chemiczno-mechanicznego, po których dokonuje się operacji przemywania.
12. Sposób według zastrz. 4, znamienny tym, że układ pustych wnęk wytwarza się przy zastosowaniu metody trwania na sucho lub na mokro.
13. Sposób według zastrz. 4, znamienny tym, że drugą cienką warstwę poddaje się izocięciu przy zastosowaniu metody trawienia na sucho.
14. Sposób według zastrz. 8, znamienny tym, że cienką warstwę elektroprzemicszczalną obrabia się na gorąco przy zastosowaniu metody szybkiego wyżarzania cieplnego.
15. Sposób według zastrz. 4, znamienny tym, że nacięcie czynnej matrycy wytwarza się na głębokość jednej trzeciej grubości czynnej matrycy.
16. Sposób według zastrz. 4. znamienny tym, że nacięcie wytwarza się przy zastosowaniu metody fotolitograficznej.
17. Sposób według zastrz. 4, znamienny tym, że czynnąmatrycę całkowicie dzieli się przy zastosowaniu metody fotolitograficznej lub trymowania laserowego.

179 925