JPH09184988A - 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法 - Google Patents
薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法Info
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- JPH09184988A JPH09184988A JP8338108A JP33810896A JPH09184988A JP H09184988 A JPH09184988 A JP H09184988A JP 8338108 A JP8338108 A JP 8338108A JP 33810896 A JP33810896 A JP 33810896A JP H09184988 A JPH09184988 A JP H09184988A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 その製造際、熱処理の効果を最小化し得る、
光投射システム用のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド
ミラーの製造方法を提供する。 【解決手段】 接続端子２１４からなるアレイを有する
能動マトリックス２１０を準備し、各接続端子２１４の
上部に接触部２１６を形成し、能動マトリックス２１０
の上部に薄膜犠牲層２２０を形成し、薄膜犠牲層２２０
の上部に第１薄膜電極２６５、変形可能薄膜部２５５、
第２薄膜電極２４５及び接触孔２３７を有する弾性部２
３５を備える駆動構造２００からなるアレイを形成し、
薄膜犠牲層２２０を取り除いて、薄膜アクチュエーテッ
ドミラー３０１からなるアレイ３００を形成する。
光投射システム用のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド
ミラーの製造方法を提供する。 【解決手段】 接続端子２１４からなるアレイを有する
能動マトリックス２１０を準備し、各接続端子２１４の
上部に接触部２１６を形成し、能動マトリックス２１０
の上部に薄膜犠牲層２２０を形成し、薄膜犠牲層２２０
の上部に第１薄膜電極２６５、変形可能薄膜部２５５、
第２薄膜電極２４５及び接触孔２３７を有する弾性部２
３５を備える駆動構造２００からなるアレイを形成し、
薄膜犠牲層２２０を取り除いて、薄膜アクチュエーテッ
ドミラー３０１からなるアレイ３００を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光投射システムに関
し、特に光投射システムで用いるＭ×Ｎ個の薄膜アクチ
ュエーテッドミラーからなるアレイの改善された製造方
法に関する。
し、特に光投射システムで用いるＭ×Ｎ個の薄膜アクチ
ュエーテッドミラーからなるアレイの改善された製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多様なビデオディスプレーシステ
ムのうち、光投射システムは大画面で高画質の映像を表
示し得るものとして知られている。そのような光投射シ
ステムにおいて、ランプから発せられる光線は、例え
ば、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーからなるアレ
イ（以下、「アクチュエーテッドミラーアレイ」と称
す）に向かって一様に入射される。ここで、各ミラーは
各アクチュエータに接続されている。このアクチュエー
タは、印加された電界信号に応じて変形を起こす圧電物
質または電歪物質のような電気的に変形可能な物質でで
きている。
ムのうち、光投射システムは大画面で高画質の映像を表
示し得るものとして知られている。そのような光投射シ
ステムにおいて、ランプから発せられる光線は、例え
ば、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーからなるアレ
イ（以下、「アクチュエーテッドミラーアレイ」と称
す）に向かって一様に入射される。ここで、各ミラーは
各アクチュエータに接続されている。このアクチュエー
タは、印加された電界信号に応じて変形を起こす圧電物
質または電歪物質のような電気的に変形可能な物質でで
きている。
【０００３】各ミラーから反射された光線（以下、「反
射光線」と称す）は開口（例えば、光学バッフル）へ入
射される。入射光線に対する各ミラーの相対的な位置は
電気信号を各アクチュエータへ供給することによって変
更され、よって、各ミラーからの反射光線の光路が偏向
される。このために、各反射光線の光路が変更されるた
め、開口を通じて各ミラーから反射された光線の量が変
化することによって、その光線の強さが調節される。開
口を通じた調節光線は適切な光学デバイス（例えば、投
射レンズ）を介して投射スクリーンに入射されて、その
上に像をディスプレイする。
射光線」と称す）は開口（例えば、光学バッフル）へ入
射される。入射光線に対する各ミラーの相対的な位置は
電気信号を各アクチュエータへ供給することによって変
更され、よって、各ミラーからの反射光線の光路が偏向
される。このために、各反射光線の光路が変更されるた
め、開口を通じて各ミラーから反射された光線の量が変
化することによって、その光線の強さが調節される。開
口を通じた調節光線は適切な光学デバイス（例えば、投
射レンズ）を介して投射スクリーンに入射されて、その
上に像をディスプレイする。
【０００４】図１〜図６には、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュ
エーテッドミラー１０１からなるアレイ１００の製造方
法を説明するための断面図が各々示されている。ここ
で、Ｍ及びＮは正の整数である。この製造方法は、本特
許出願と出願人を同じくする係属中の日本特許出願平成
８−８４６２０号明細書に、「薄膜アクチュエーテッド
ミラーアレイの製造方法」との名称で開示されている。
エーテッドミラー１０１からなるアレイ１００の製造方
法を説明するための断面図が各々示されている。ここ
で、Ｍ及びＮは正の整数である。この製造方法は、本特
許出願と出願人を同じくする係属中の日本特許出願平成
８−８４６２０号明細書に、「薄膜アクチュエーテッド
ミラーアレイの製造方法」との名称で開示されている。
【０００５】アレイ１００の製造プロセスは、Ｍ×Ｎ個
の接続端子１４のアレイ及びＭ×Ｎ個のトランジスタの
アレイ（図示せず）が設けられている基板１２を有する
能動マトリックス１０の準備から始まる。ここで、各接
続端子１４はトランジスタのアレイでの対応するトラン
ジスタに電気的に接続されている。
の接続端子１４のアレイ及びＭ×Ｎ個のトランジスタの
アレイ（図示せず）が設けられている基板１２を有する
能動マトリックス１０の準備から始まる。ここで、各接
続端子１４はトランジスタのアレイでの対応するトラン
ジスタに電気的に接続されている。
【０００６】その後、０．１〜２μｍの厚さを有し、例
えば、リン珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）または窒化ケイ素で
できるパッシベーション層７０が、例えば、化学気相成
長法（ＣＶＤ）またはスピンコティング法を用いて能動
マトリックス１０の上部に被着される。
えば、リン珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）または窒化ケイ素で
できるパッシベーション層７０が、例えば、化学気相成
長法（ＣＶＤ）またはスピンコティング法を用いて能動
マトリックス１０の上部に被着される。
【０００７】続いて、０．１〜２μｍの厚さを有し、窒
素でできるエッチング液遮断層８０が例えば、スパッタ
リング法またはＣＶＤ法を用いてパッシベーション層７
０の上部に被着される。
素でできるエッチング液遮断層８０が例えば、スパッタ
リング法またはＣＶＤ法を用いてパッシベーション層７
０の上部に被着される。
【０００８】しかる後、０．１〜２μｍの厚さを有し、
例えば、銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ））のような
金属、ＰＳＧまたはポリシリコンでできる薄膜犠牲層２
０がエッチング液遮断層８０の上部に被着される。この
薄膜犠牲層２０は、薄膜犠牲層２０が金属からなる場合
はスパッタリング法または蒸着法を、ＰＳＧからなる場
合はＣＶＤ法またはスピンコーティング法を、またはポ
リシリコンからなる場合はＣＶＤ法を用いることによっ
て形成される。
例えば、銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ））のような
金属、ＰＳＧまたはポリシリコンでできる薄膜犠牲層２
０がエッチング液遮断層８０の上部に被着される。この
薄膜犠牲層２０は、薄膜犠牲層２０が金属からなる場合
はスパッタリング法または蒸着法を、ＰＳＧからなる場
合はＣＶＤ法またはスピンコーティング法を、またはポ
リシリコンからなる場合はＣＶＤ法を用いることによっ
て形成される。
【０００９】その後、図１に示したように、エッチング
法を用いて薄膜犠牲層２０上にＭ×Ｎ対の空スロットの
アレイ（図示せず）が形成される。各対における１つの
空スロットは１つの接続端子１４を取り囲む。
法を用いて薄膜犠牲層２０上にＭ×Ｎ対の空スロットの
アレイ（図示せず）が形成される。各対における１つの
空スロットは１つの接続端子１４を取り囲む。
【００１０】続いて、絶縁性物質ででき、０．１〜２μ
ｍの厚さを有する弾性層３０がＣＶＤ法を用いて、空ス
ロットを有する薄膜犠牲層２０の上部に被着される。
ｍの厚さを有する弾性層３０がＣＶＤ法を用いて、空ス
ロットを有する薄膜犠牲層２０の上部に被着される。
【００１１】その後は、エッチング法を用いて弾性層３
０上にＭ×Ｎ個の接触孔３７からなるアレイが形成され
る。図２に示したように、各接触孔３７は接続端子１４
の１つの上部を露出させ、内面（図示せず）を有する。
０上にＭ×Ｎ個の接触孔３７からなるアレイが形成され
る。図２に示したように、各接触孔３７は接続端子１４
の１つの上部を露出させ、内面（図示せず）を有する。
【００１２】次に、図３に示したように、導電性物質で
でき、０．１〜２μｍの厚さを有する第２薄膜層４０が
スッパタリング法または真空蒸着法を用いて、各接触孔
３７の内面を有する弾性層３０の上部に被着される。
でき、０．１〜２μｍの厚さを有する第２薄膜層４０が
スッパタリング法または真空蒸着法を用いて、各接触孔
３７の内面を有する弾性層３０の上部に被着される。
【００１３】続いて、圧電物質または電歪物質ででき、
０．１〜２μｍの厚さを有する電気的に変形可能な薄膜
層（以下、「変形可能薄膜層」と称す）５０がＣＶＤ
法、蒸着法、ゾルーゲル法またはスパッタリング法を用
いて、第２薄膜層４０の上部に被着される。しかる後、
変形可能薄膜層５０は、相転位を起こすように熱処理さ
れる。
０．１〜２μｍの厚さを有する電気的に変形可能な薄膜
層（以下、「変形可能薄膜層」と称す）５０がＣＶＤ
法、蒸着法、ゾルーゲル法またはスパッタリング法を用
いて、第２薄膜層４０の上部に被着される。しかる後、
変形可能薄膜層５０は、相転位を起こすように熱処理さ
れる。
【００１４】その後、導電性及び光反射性物質ででき、
０．１〜２μｍの厚さを有する第１薄膜層６０が図４に
示したように、スパッタリング法または真空蒸着法を用
いて変形可能薄膜層５０の上部に被着される。
０．１〜２μｍの厚さを有する第１薄膜層６０が図４に
示したように、スパッタリング法または真空蒸着法を用
いて変形可能薄膜層５０の上部に被着される。
【００１５】しかる後、第１薄膜層６０、変形可能薄膜
層５０、第２薄膜層４０及び弾性層３０が、薄膜犠牲層
２０の上部が露出されるまで、エッチング法（例えば、
フォトリソグラフィ法またはレーザ切断法）を用いて各
々パターニングされることによって、Ｍ×Ｎ個の駆動構
造９０からなるアレイが形成される。ここで、各駆動構
造９０は図５に示したように、第１薄膜電極６５、電気
的に変更可能な薄膜部（以下、「変形可能薄膜部」と称
す）５５、第２薄膜電極４５及び弾性部３５から構成さ
れる。第２薄膜電極４５の各々は対応する接続端子１４
に電気的に接続されることによって、各駆動構造９０に
おいて信号電極としての機能をする。各第１薄膜電極６
５は接地に電気的に接続されることによって、各駆動構
造９０においてミラーだけでなく共通バイアス電極とし
ても働きを果たす。
層５０、第２薄膜層４０及び弾性層３０が、薄膜犠牲層
２０の上部が露出されるまで、エッチング法（例えば、
フォトリソグラフィ法またはレーザ切断法）を用いて各
々パターニングされることによって、Ｍ×Ｎ個の駆動構
造９０からなるアレイが形成される。ここで、各駆動構
造９０は図５に示したように、第１薄膜電極６５、電気
的に変更可能な薄膜部（以下、「変形可能薄膜部」と称
す）５５、第２薄膜電極４５及び弾性部３５から構成さ
れる。第２薄膜電極４５の各々は対応する接続端子１４
に電気的に接続されることによって、各駆動構造９０に
おいて信号電極としての機能をする。各第１薄膜電極６
５は接地に電気的に接続されることによって、各駆動構
造９０においてミラーだけでなく共通バイアス電極とし
ても働きを果たす。
【００１６】ここで、各変形可能薄膜部５５の厚さが十
分に薄いため、各薄膜部５５が圧電物質でできる場合に
は別に分極される必要がなくなる。これは、薄膜アクチ
ュエーテッドミラー３０１の作動の際、供給された電気
信号に応じて分極され得るためである。
分に薄いため、各薄膜部５５が圧電物質でできる場合に
は別に分極される必要がなくなる。これは、薄膜アクチ
ュエーテッドミラー３０１の作動の際、供給された電気
信号に応じて分極され得るためである。
【００１７】続いて、各駆動構造９０は薄膜保護層（図
示せず）で完全に覆われる。
示せず）で完全に覆われる。
【００１８】次に、図６に示したように、薄膜犠牲層２
０はエッチング法によって取り除かれる。最後に、薄膜
保護層が取り除かれることによって、Ｍ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラー１０１のアレイ１００が形成さ
れる。
０はエッチング法によって取り除かれる。最後に、薄膜
保護層が取り除かれることによって、Ｍ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラー１０１のアレイ１００が形成さ
れる。
【００１９】しかしながら、図３に示したように、従来
の製造方法は接触孔３７に係われる多くの短所を有す
る。その中の１つは、変形可能薄膜層における割れ目５
７の形成である。熱処理の後、変形可能薄膜層５０を急
速冷却することによって、接触孔３７の上部に被着され
た変形可能薄膜層５０一部分で割れ目５７が形成され
る。このようにして形成された割れ目５７は、変形可能
薄膜層５０の上部に順に形成されるべき第１薄膜電極６
５と第２薄膜電極４５との間に電気的接触（短絡）をも
たらし得る。各駆動構造９０における第１薄膜電極６５
は、アレイ１００の同列または同行で他の第１薄膜電極
（図示せず）と相互接触されているため、上記の理由
（即ち、短絡）のため、駆動構造９０の中の何れか１つ
が作動し得ない恐れがあり、よって、アレイ１００の同
列または同行で他の全ての駆動構造９０が作動し得なく
なる。
の製造方法は接触孔３７に係われる多くの短所を有す
る。その中の１つは、変形可能薄膜層における割れ目５
７の形成である。熱処理の後、変形可能薄膜層５０を急
速冷却することによって、接触孔３７の上部に被着され
た変形可能薄膜層５０一部分で割れ目５７が形成され
る。このようにして形成された割れ目５７は、変形可能
薄膜層５０の上部に順に形成されるべき第１薄膜電極６
５と第２薄膜電極４５との間に電気的接触（短絡）をも
たらし得る。各駆動構造９０における第１薄膜電極６５
は、アレイ１００の同列または同行で他の第１薄膜電極
（図示せず）と相互接触されているため、上記の理由
（即ち、短絡）のため、駆動構造９０の中の何れか１つ
が作動し得ない恐れがあり、よって、アレイ１００の同
列または同行で他の全ての駆動構造９０が作動し得なく
なる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、光投射システムに用いられ、製造プロセスの際
の熱処理の効果を最小化し得るＭ×Ｎ個の薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレイの製造方法を提供することにあ
る。
目的は、光投射システムに用いられ、製造プロセスの際
の熱処理の効果を最小化し得るＭ×Ｎ個の薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレイの製造方法を提供することにあ
る。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によれば、薄膜アクチュエーテッドミラー
からなるアレイの製造方法であって、接続端子からなる
アレイを有する能動マトリックスを準備する第１過程
と、前記各接続端子の上部に接触部を形成する第２過程
と、前記能動マトリックスの上部に薄膜犠牲層を形成す
る第３過程と、前記薄膜犠牲層の上部に第１薄膜電極、
変形可能薄膜部、第２薄膜電極及び接触孔を有する弾性
部を備える駆動構造からなるアレイを形成する第４過程
と、前記薄膜犠牲層を取り除いて、前記薄膜アクチュエ
ーテッドミラーからなるアレイを形成する第５過程とを
含むことを特徴とする薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイの製造方法が提供される。
めに、本発明によれば、薄膜アクチュエーテッドミラー
からなるアレイの製造方法であって、接続端子からなる
アレイを有する能動マトリックスを準備する第１過程
と、前記各接続端子の上部に接触部を形成する第２過程
と、前記能動マトリックスの上部に薄膜犠牲層を形成す
る第３過程と、前記薄膜犠牲層の上部に第１薄膜電極、
変形可能薄膜部、第２薄膜電極及び接触孔を有する弾性
部を備える駆動構造からなるアレイを形成する第４過程
と、前記薄膜犠牲層を取り除いて、前記薄膜アクチュエ
ーテッドミラーからなるアレイを形成する第５過程とを
含むことを特徴とする薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイの製造方法が提供される。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適実施例につい
て図面を参照しながらより詳しく説明する。図７〜図１
２には、本発明による、光投射システムに用いられるＭ
×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１からなる
アレイ３００の製造方法を説明するための概略的な断面
図が各々示されている。ここで、Ｍ及びＮは正の整数で
ある。図７〜図１２中で、同一部分は同一の参照符号を
付して表示したことに注意されたい。
て図面を参照しながらより詳しく説明する。図７〜図１
２には、本発明による、光投射システムに用いられるＭ
×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１からなる
アレイ３００の製造方法を説明するための概略的な断面
図が各々示されている。ここで、Ｍ及びＮは正の整数で
ある。図７〜図１２中で、同一部分は同一の参照符号を
付して表示したことに注意されたい。
【００２３】アレイ３００の製造プロセスは、Ｍ×Ｎ個
の接続端子２１４からなるアレイ及びＭ×Ｎ個のトラン
ジスタ（図示せず）からなるアレイが設けられている基
板２１２を備える能動マトリックス２１０の準備から始
まる。ここで、各接続端子２１４はトランジスタのアレ
イでの対応するトランジスタに電気的に接続されてい
る。
の接続端子２１４からなるアレイ及びＭ×Ｎ個のトラン
ジスタ（図示せず）からなるアレイが設けられている基
板２１２を備える能動マトリックス２１０の準備から始
まる。ここで、各接続端子２１４はトランジスタのアレ
イでの対応するトランジスタに電気的に接続されてい
る。
【００２４】しかる後、図７に示したように、導電性物
質(例えば、タングステン（Ｗ））からなる接触部２１
６は、最初、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ法
を用いて、能動マトリックス２１０の上部に、導電性物
質でできた導電層（図示せず）を被着した後、エッチン
グ法（例えば、反応イオンエッチング（ＲＩＥ）法また
はイオンミリング法）を用いて導電層を選択的に取り除
いて、各接続端子２１４の上部に形成される。接触部２
１６は上面を有する。
質(例えば、タングステン（Ｗ））からなる接触部２１
６は、最初、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ法
を用いて、能動マトリックス２１０の上部に、導電性物
質でできた導電層（図示せず）を被着した後、エッチン
グ法（例えば、反応イオンエッチング（ＲＩＥ）法また
はイオンミリング法）を用いて導電層を選択的に取り除
いて、各接続端子２１４の上部に形成される。接触部２
１６は上面を有する。
【００２５】しかる後、例えばＰＳＧまたは窒化ケイ素
からなり、０．１〜２μｍの厚さを有するパッシベーシ
ョン層２７０が、例えば、ＣＶＤ法またはスピンコーテ
ィング法を用いて能動マトリックス２１０の上部に形成
される。ここで、パッシベーション層２７０は上面を有
する。
からなり、０．１〜２μｍの厚さを有するパッシベーシ
ョン層２７０が、例えば、ＣＶＤ法またはスピンコーテ
ィング法を用いて能動マトリックス２１０の上部に形成
される。ここで、パッシベーション層２７０は上面を有
する。
【００２６】続いて、パッシベーション層２７０の上面
は、化学機械的研摩法（ＣＭＰ）を用いて接触部２１６
の上面が露出されるまで平坦化されることによって、平
坦な上面を有するパッシベーション層７０及び接触部２
１６が形成される。
は、化学機械的研摩法（ＣＭＰ）を用いて接触部２１６
の上面が露出されるまで平坦化されることによって、平
坦な上面を有するパッシベーション層７０及び接触部２
１６が形成される。
【００２７】その後、窒素からなり、０．１〜２μｍの
厚さを有するエッチング液遮断層２８０が、例えば、ス
パッタリング法またはＣＶＤ法を用いてパッシベーショ
ン層２７０及び接触部２１６の平坦な上面に被着され
る。
厚さを有するエッチング液遮断層２８０が、例えば、ス
パッタリング法またはＣＶＤ法を用いてパッシベーショ
ン層２７０及び接触部２１６の平坦な上面に被着され
る。
【００２８】次に、例えば、銅（Ｃｕ）またはニッケル
（Ｎｉ）のような金属、ＰＳＧまたはポリシリコンから
なり、０．１〜２μｍの厚さを有する薄膜犠牲層２２０
がエッチング液遮断層２８０上部に被着される。この薄
膜犠牲層２２０は、薄膜犠牲層２２０が金属からなる場
合はスパッタリング法または蒸着法を、ＰＳＧからなる
場合は、ＣＶＤ法またはスピンコティング法を、または
ポリシリコンからなる場合にはＣＶＤ法を各々用いて被
着される。
（Ｎｉ）のような金属、ＰＳＧまたはポリシリコンから
なり、０．１〜２μｍの厚さを有する薄膜犠牲層２２０
がエッチング液遮断層２８０上部に被着される。この薄
膜犠牲層２２０は、薄膜犠牲層２２０が金属からなる場
合はスパッタリング法または蒸着法を、ＰＳＧからなる
場合は、ＣＶＤ法またはスピンコティング法を、または
ポリシリコンからなる場合にはＣＶＤ法を各々用いて被
着される。
【００２９】続いて、図８に示したように、Ｍ×Ｎ対の
空スロットのアレイ（図示せず）が、エッチング法を用
いて薄膜犠牲層２２０の上に形成される。各対における
各空スロットは接続端子２１４の上部に形成された接触
部２１６中のいずれか一つを取り囲む。
空スロットのアレイ（図示せず）が、エッチング法を用
いて薄膜犠牲層２２０の上に形成される。各対における
各空スロットは接続端子２１４の上部に形成された接触
部２１６中のいずれか一つを取り囲む。
【００３０】続いて、絶縁性物質（例えば、窒化ケイ
素）からなり、０．１〜２μｍの厚さを有する弾性層２
３０が、ＣＶＤ法を用いて空スロットを備える薄膜犠牲
層２２０の上部に被着される。
素）からなり、０．１〜２μｍの厚さを有する弾性層２
３０が、ＣＶＤ法を用いて空スロットを備える薄膜犠牲
層２２０の上部に被着される。
【００３１】しかる後、図９に示したように、Ｍ×Ｎ個
の接触孔２３７からなるアレイがエッチング法を用いて
弾性層２３０の上に形成される。ここで、各接触孔２３
７は接触部２１６の１つの上部を露出させ、内面（図示
せず）を有する。
の接触孔２３７からなるアレイがエッチング法を用いて
弾性層２３０の上に形成される。ここで、各接触孔２３
７は接触部２１６の１つの上部を露出させ、内面（図示
せず）を有する。
【００３２】しかる後、導電性物質（例えば、Ｐｔ／Ｔ
ａ）ででき、０．１〜２μｍの厚さを有する第２薄膜層
２４０が、スパッタリング法または真空蒸着法を用い
て、各接触孔２３７の内面を備える弾性層２３０の上部
に被着される。
ａ）ででき、０．１〜２μｍの厚さを有する第２薄膜層
２４０が、スパッタリング法または真空蒸着法を用い
て、各接触孔２３７の内面を備える弾性層２３０の上部
に被着される。
【００３３】次に、圧電物質（例えば、ＰＺＴ）または
電歪物質（例えば、ＰＭＮ）ででき、０．１〜２μｍの
厚さを有する変形可能薄膜層２５０がＣＶＤ法、蒸着
法、ゾルーゲル法またはスパッタリング法を用いて第２
薄膜層２４０の上部に被着される。その後、変形可能薄
膜層２５０は相転位を起こすように熱処理される。
電歪物質（例えば、ＰＭＮ）ででき、０．１〜２μｍの
厚さを有する変形可能薄膜層２５０がＣＶＤ法、蒸着
法、ゾルーゲル法またはスパッタリング法を用いて第２
薄膜層２４０の上部に被着される。その後、変形可能薄
膜層２５０は相転位を起こすように熱処理される。
【００３４】続いて、図１０に示したように、導電性及
び光反射性物質（例えば、アルミニューム（Ａｌ）また
は銀（Ａｇ））からなる、０．１〜２μｍの厚さを有す
る第１薄膜層２６０が、スパッタリング法または真空蒸
着法を用いて変形可能薄膜層２５０の上部に被着され
る。
び光反射性物質（例えば、アルミニューム（Ａｌ）また
は銀（Ａｇ））からなる、０．１〜２μｍの厚さを有す
る第１薄膜層２６０が、スパッタリング法または真空蒸
着法を用いて変形可能薄膜層２５０の上部に被着され
る。
【００３５】しかる後に、第１薄膜層２６０、変形可能
薄膜層２５０、第２薄膜層２４０及び弾性層２３０が、
薄膜犠牲層２２０の上部が露出されるまで、フォトリソ
グラフィ法またはレーザ切断法を用いて各々パターニン
グされることによって、Ｍ×Ｎ個の駆動構造２００のア
レイが形成される。ここで、各駆動構造２００は、図１
１に示したように、第１薄膜電極２６５と、変形可能薄
膜部２５５と、第２薄膜電極２４５と、接触孔２３７を
有する弾性部２３５とを有する。第２薄膜電極２４５の
各々は接触部２１６を通じて対応する接続端子２１４に
電気的に接続されることによって、各駆動構造２００に
おいて信号電極としての機能を行う。また、各第１薄膜
電極２６５は接地に電気的に接続されることによって、
各駆動構造２００においてミラーの他に、共通バイアス
電極としても働きを果たす。
薄膜層２５０、第２薄膜層２４０及び弾性層２３０が、
薄膜犠牲層２２０の上部が露出されるまで、フォトリソ
グラフィ法またはレーザ切断法を用いて各々パターニン
グされることによって、Ｍ×Ｎ個の駆動構造２００のア
レイが形成される。ここで、各駆動構造２００は、図１
１に示したように、第１薄膜電極２６５と、変形可能薄
膜部２５５と、第２薄膜電極２４５と、接触孔２３７を
有する弾性部２３５とを有する。第２薄膜電極２４５の
各々は接触部２１６を通じて対応する接続端子２１４に
電気的に接続されることによって、各駆動構造２００に
おいて信号電極としての機能を行う。また、各第１薄膜
電極２６５は接地に電気的に接続されることによって、
各駆動構造２００においてミラーの他に、共通バイアス
電極としても働きを果たす。
【００３６】ここで、各変形可能薄膜部２５５の厚さが
十分に薄いため、各薄膜部２５５が圧電物質でできた場
合には別に分極される必要がなくなる。これは、薄膜ア
クチュエーテッドミラー３０１の作動の際に印加された
電気信号に応じて分極され得るためである。
十分に薄いため、各薄膜部２５５が圧電物質でできた場
合には別に分極される必要がなくなる。これは、薄膜ア
クチュエーテッドミラー３０１の作動の際に印加された
電気信号に応じて分極され得るためである。
【００３７】最後に、図１２に示したように、薄膜犠牲
層２２０が取り除かれることによって、Ｍ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００が形成
される。
層２２０が取り除かれることによって、Ｍ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００が形成
される。
【００３８】上記において、本発明の好適な実施の形態
について説明したが、本発明の請求範囲を逸脱すること
なく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
について説明したが、本発明の請求範囲を逸脱すること
なく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
【００３９】
【発明の効果】従って、本発明によれば、従来の製造方
法に比べて、接続端子２１４の上部に形成された接触部
２１６により接触孔２３７が薄く形成されるため、熱処
理の際、割れ目が変形可能薄膜層２５０上に形成されな
くなり、よって、各駆動構造２００における薄膜電極間
の電気的な接触を防止してそれら間の短絡発生を防ぐこ
とができる。
法に比べて、接続端子２１４の上部に形成された接触部
２１６により接触孔２３７が薄く形成されるため、熱処
理の際、割れ目が変形可能薄膜層２５０上に形成されな
くなり、よって、各駆動構造２００における薄膜電極間
の電気的な接触を防止してそれら間の短絡発生を防ぐこ
とができる。
【図１】従来技術によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
【図２】従来技術によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
【図３】Ａ及びＢからなり、Ａは、従来技術によるＭ×
Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法
を説明するための概略的な断面図、Ｂは、従来技術によ
るＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの拡
大断面図。
Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法
を説明するための概略的な断面図、Ｂは、従来技術によ
るＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの拡
大断面図。
【図４】従来技術によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
【図５】従来技術によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
【図６】従来技術によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
【図７】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な断
面図。
ドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な断
面図。
【図８】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な断
面図。
ドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な断
面図。
【図９】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な断
面図。
ドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な断
面図。
【図１０】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
【図１１】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
【図１２】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
１０ 能動マトリックス １２ 基板 １４ Ｍ×Ｎ個の接続端子からなるアレイ ２０ 薄膜犠牲層 ３０ 弾性層 ３５ 弾性部 ３７ Ｍ×Ｎ個の接触孔からなるアレイ ４０ 第２薄膜層 ４５ 第２薄膜電極 ５０ 変形可能薄膜層 ５５ 変形可能薄膜部 ５７ 割れ目 ６０ 第１薄膜層 ６５ 第１薄膜電極 ７０ パッシベーション層 ８０ エッチング液遮断層 ９０ Ｍ×Ｎ個の駆動構造 １０１ 薄膜アクチュエーテッドミラー ２００ Ｍ×Ｎ個の駆動構造 ２１０ 能動マトリックス ２１２ 基板 ２１４ Ｍ×Ｎ個の接続端子からなるアレイ ２１６ 接触部 ２２０ 薄膜犠牲層 ２３０ 弾性層 ２３５ 弾性部 ２３７ Ｍ×Ｎ個の接触孔からなるアレイ ２４０ 第２薄膜層 ２４５ 第２薄膜電極 ２５０ 変形可能薄膜層 ２５５ 変形可能薄膜部 ２６０ 第１薄膜層 ２６５ 第１薄膜電極 ２７０ パッシベーション層 ２８０ エッチング液遮断層 ３００ 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ ３０１ Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー
Claims (9)
- 【請求項１】 薄膜アクチュエーテッドミラーからな
るアレイの製造方法であって、 接続端子からなるアレイを有する能動マトリックスを準
備する第１過程と、 前記各接続端子の上部に接触部を形成する第２過程と、 前記能動マトリックスの上部に薄膜犠牲層を形成する第
３過程と、 前記薄膜犠牲層の上部に第１薄膜電極、変形可能薄膜
部、第２薄膜電極及び接触孔を有する弾性部を備える駆
動構造からなるアレイを形成する第４過程と、 前記薄膜犠牲層を取り除いて、前記薄膜アクチュエーテ
ッドミラーからなるアレイを形成する第５過程とを含む
ことを特徴とする薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ
の製造方法。 - 【請求項２】 前記接触部が、前記能動マトリックス
の上部に一つの層を被着した後、前記層を選択的に取り
除いて形成されることを特徴とする請求項１に記載の薄
膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項３】 前記層が、スパッタリング法または化
学気相成長（ＣＶＤ）法を用いて前記能動マトリックス
の上部に被着されることを特徴とする請求項２に記載の
薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項４】 前記能動マトリックスの上部に形成さ
れた前記層が、導電性物質からなることを特徴とする請
求項２に記載の薄膜アクチュエーテッドミラーからなる
アレイの製造方法。 - 【請求項５】 前記層が、反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）法またはイオンミリング法を用いて選択的に
取り除かれることを特徴とする請求項２に記載の薄膜ア
クチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項６】 前記接触部の形成の後、前記能動マト
リックスの上部にパッシベーション層を被着する過程
を、更に含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜ア
クチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項７】 前記パッシベーション層が被着された
後、平坦化されることを特徴とする請求項６に記載の薄
膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項８】 前記パッシベーション層が、化学機械
的研摩法（ＣＭＰ）を用いて平坦化されることを特徴と
する請求項７に記載の薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイの製造方法。 - 【請求項９】 前記パッシベーション層が平坦化され
た後、前記パッシベーション層の上部にエッチング液遮
断層を被着する過程を、更に含むことを特徴とする請求
項８に記載の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製
造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1995-54927 | 1995-12-22 | ||
| KR1019950054927A KR970054559A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 광로 조절 장치의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09184988A true JPH09184988A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=19443447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8338108A Pending JPH09184988A (ja) | 1995-12-22 | 1996-12-18 | 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5859724A (ja) |
| JP (1) | JPH09184988A (ja) |
| KR (1) | KR970054559A (ja) |
| CN (1) | CN1156831A (ja) |
| GB (1) | GB2308458B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6969635B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-11-29 | Reflectivity, Inc. | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
| KR100212539B1 (ko) * | 1996-06-29 | 1999-08-02 | 전주범 | 박막형 광로조절장치의 엑츄에이터 및 제조방법 |
| US5937271A (en) * | 1997-05-23 | 1999-08-10 | Daewoo Electronics Co., Inc. | Method for manufacturing a thin film actuated mirror array |
| KR100394020B1 (ko) * | 2001-10-18 | 2003-08-09 | 엘지전자 주식회사 | Ｄｍｄ 패널의 제조 방법 |
| US6906846B2 (en) * | 2002-08-14 | 2005-06-14 | Triquint Technology Holding Co. | Micro-electro-mechanical system device and method of making same |
| US6947201B2 (en) * | 2003-12-08 | 2005-09-20 | Xinetics, Inc. | Transverse electrodisplacive actuator array |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960018646A (ko) * | 1994-11-14 | 1996-06-17 | 배순훈 | 광로조절장치의 제조방법 |
-
1995
- 1995-12-22 KR KR1019950054927A patent/KR970054559A/ko not_active Application Discontinuation
-
1996
- 1996-12-16 US US08/767,439 patent/US5859724A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-18 JP JP8338108A patent/JPH09184988A/ja active Pending
- 1996-12-19 GB GB9626337A patent/GB2308458B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-23 CN CN96113902A patent/CN1156831A/zh active Pending
Also Published As
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| KR970054559A (ko) | 1997-07-31 |
| GB2308458A (en) | 1997-06-25 |
| CN1156831A (zh) | 1997-08-13 |
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061017 |