CZ328097A3 - Seskupení ovládaných zrcadel tenkého filmu, používané v optických projekčních systémech - Google Patents
Seskupení ovládaných zrcadel tenkého filmu, používané v optických projekčních systémech Download PDFInfo
- Publication number
- CZ328097A3 CZ328097A3 CZ973280A CZ328097A CZ328097A3 CZ 328097 A3 CZ328097 A3 CZ 328097A3 CZ 973280 A CZ973280 A CZ 973280A CZ 328097 A CZ328097 A CZ 328097A CZ 328097 A3 CZ328097 A3 CZ 328097A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- thin film
- layer
- array
- actuated
- electrode
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 186
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 133
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 4
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- OYLRFHLPEAGKJU-UHFFFAOYSA-N phosphane silicic acid Chemical compound P.[Si](O)(O)(O)O OYLRFHLPEAGKJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 2
- 241000447437 Gerreidae Species 0.000 claims 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVNRSQASUCMHGX-UHFFFAOYSA-N O[Si](O)(O)O.OP(O)(O)=O Chemical compound O[Si](O)(O)O.OP(O)(O)=O XVNRSQASUCMHGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- VJPLIHZPOJDHLB-UHFFFAOYSA-N lead titanium Chemical compound [Ti].[Pb] VJPLIHZPOJDHLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- -1 silicon nitride Chemical class 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S359/00—Optical: systems and elements
- Y10S359/904—Micromirror
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Lenses (AREA)
- Projection Apparatus (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
Seskupení ovládaných zrcadel tenkého filmu, používané v optických projekčních systémech
Oblast techniky
Vynález se týká optického projekčního systému, zejména seskupení Μ χ N ovládaných zrcadel tenkého filmu pro použití v tomto systému, kdy každý tenký film ovládaných zrcadel má bimorfní strukturu.
Dosavadní stav techniky
Mezi různými projekčními systémy existujícími v oboru, je dobře znám optický projekční systém schopný poskytnout obraz o vysoké kvalitě a ve velkém měřítku. U takového optického projekčního systému světlo z lampy rovnoměrně osvětluje seskupení například Μ χ N ovládaných zrcadel, kdy každé zrcadlo je spojeno s každým z akčních členů. Akční členy mohou být zhotoveny z elektrovychylujících materiálů, například z piezoelektrických nebo elektrostrikčních materiálů, které se vlivem použitého elektrického pole deformují.
Odražené světelné paprsky od každého zrcadla dopadají na otvor (štěrbinu) například optické přepážky. Přivedením elektrického signálu na každý akční člen se relativní poloha každého zrcadla k původnímu světelnému paprsku mění, čímž způsobuje odchýlení optické dráhy odraženého paprsku od každého zrcadla. Jelikož se optická dráha každého odraženého paprsku mění, mění se i množství světla odraženého od zrcadel a procházejícího štěrbinou, čímž dochází k modulování intenzity paprsku. Modulované paprsky procházející štěrbinou dopadají na projekční plochu prostřednictvím optického zařízení, jakým je například soustava projekčních čoček, a vytváří na projekční ploše obraz.
Na obr.lA až 1G jsou znázorněny jednotlivé výrobní kroky výroby seskupení 100 Μ χ N ovládaných zrcadel tenkého filmu 101, kde M a N jsou celá čísla určující sloupec a řadu v seskupení • · ···· • ·
100, jak je to uvedeno v dosud nevyřízené U.S. patentové přihlášce 08/430,628 pod názvem Seskupení ovládaných zrcadel tenkého filmu.
Výrobní proces seskupení 100 začíná přípravou aktivní matrice 10, která má horní povrch a obsahuje podkladovou vrstvu 12. seskupení Μ x N transistorů (nejsou zobrazeny) a seskupení Μ x N spojovacích terminálů 14.
V následujícím kroku se na horním povrchu aktivní matice 10 vytváří obětní (sacrificialní) vrstva tenkého filmu 24 pomocí metody rozprašování nebo naparování, je-li obětní vrstva tenkého filmu 24 vyrobena z kovu, chemickým nanášením páry (CVD) nebo odstředivým nanášením vrstvy, jestliže je obětní vrstva tenkého filmu 24 zhotovena z fosfor-silikátového skla (PSG), a pomocí metody CVD, jestliže je obětní vrstva tenkého filmu 24 vyrobena z Poly-Si.
Dále se vytváří podpůrná vrstva 20 zahrnující seskupení Μ x N podpůrných členů 22 obklopených obětní vrstvou tenkého filmu 24, kde podpůrná vrstva 20 je formována: vytvořením seskupení Μ x N prázdných míst (nejsou znázorněny) na obětní vrstvě tenkého filmu 28 pomocí fotolitografie, přičemž každé prázdné místo je umístěno okolo spojovacích terminálů 14; vytvořením podpůrných členů v každém prázdném místě umístěným okolo spojovacího terminálu 14 pomocí rozprašování nebo metodou CVD, jak je to znázorněno na obr.lA. Podpůrné členy 22 jsou zhotoveny z izolačního materiálu. V následujícím kroku je na horní straně podpůrné vrstvy 20 vytvořena, použitím Sol-Gel (koloidní gelový roztok), metody rozprášení, nebo metody CVD, pružná vrstva 60.
Následuje vytvoření kovového vedení 26 v každém podpůrném členu 22, a to : nejprve vytvořením seskupení Μ x N otvorů (nejsou znázorněny) technikou leptání, kde každý otvor vystupuje z horním části pružné vrstvy 30 směrem do horní části spojovacího terminálu 14, a dále vyplněním otvorů kovem, čímž se vytvoří vedení 22, jak je to znázorněno na obr.lB.
V dalším kroku se pokovením vytvoří, z elektricky vodivého materiálu, druhá vrstva tenkého filmu 40, a to na horní straně ·· ···· pružné vrstvy 30., včetně vedení 26,. Druhá vrstva tenkého filmu 40 je elektricky připojena k transistorům přes vedení 26 v podpůrném členu 22.
Následuje vytvoření elektrovychylující tenké vrstvy 50 z piezoelektrického materiálu, například ze slitiny olova, zirkonu a titanu (PZT), na horní straně druhé vrstvy tenkého filmu 40, použitím metody pokovování, CVD nebo Sol-Gel, tak jak je to znázorněno na obr.lC.
V následujícím kroku je elektrovychylujici vrstva tenkého filmu 50, druhá vrstva tenkého filmu 40 a pružná vrstva 30, upravena do seskupení Μ x N elektrovychylujících členů tenkého filmu 55, seskupení Μ x N elektrod druhého tenkého filmu 45 a seskupení Μ x N pružných členů 35, pomocí fotolitografické techniky nebo úpravou laserem, až do obnažení (exponování) obětní vrstvy 24 v podpůrné vrstvě 20., jak je to vidět na obr.ID. Každá z druhých elektrod tenkého filmu 45 je elektricky spojena s transistorem prostřednictvím vedení 26, vytvořeném v každém podpůrném členu 22, a funguje jako signální elektroda v ovládaných zrcadlech tenkého filmu 101.
Každý z elektrovychylujících členů tenkého filmu 55 je tepelně zpracováván při vysoké teplotě, to znamená okolo 650°C v případě použití PZT materiálu, aby se umožnilo vytvoření fázového přechodu a vytvoření seskupení Μ x N tepelně zpracovaných struktur (nejsou znázorněny). Jelikož je každý elektrovychylujicí člen 55 zpracovaný za tepla dostatečně silný, není nutné ho v případě, že je zhotoven z piezoelektrického materiálu, polovat, k polování dojde během zavedení elektrického signálu na ovládaná zrcadla tenkého filmu 101.
Po realizaci předchozího kroku se vytváří sestava Μ x N prvních elektrod tenkého filmu 65 zhotovených z elektricky vodivého a světlo odrážejícího materiálu, a to na horních částech elektrovychylujících členů tenkého filmu 55 v sestavě
M x N tepelně zpracovaných struktur, nejprve vytvořením vrstvy
60, zhotovené z elektricky vodivého a světlo odrážejícího materiálu, který zcela pokrývá horní stranu sestavy • · · ·
Μ x N tepelně zpracované struktury, včetně obnažené obětní vrstvy tenkého filmu 24 v podpůrné vrstvě 24, a to technikou rozprašování ve vakuu, jak je to znázorněno na obr. 1E, a dále selektivním odstraněním vrstvy 60 leptáním, což má za následek vytvoření seskupení 110 Μ x N ovládaných struktur zrcadel 111, kde každá ovládaná struktura zrcadel 111 zahrnuje horní povrch a čtyři boční povrchy, jak je to znázorněno na obr.lF. Každá první elektroda tenkého filmu 65 funguje jako zrcadlo a jako elektroda s předpětím v ovládaných zrcadlech tenkého filmu 101.
Předchozí krok je následován úplným pokrytím horního povrchu a čtyř bočních povrchů, v každé struktuře ovládaných zrcadel 111, tenkou ochrannou vrstvou (není zobrazena).
Obětní vrstva tenkého filmu 24 v podpůrné vrstvě 20 je odstraněna leptáním. Nakonec se odstraní ochranná vrstva tenkého filmu, čímž se vytvoří seskupení 100 Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 101, jak to lze vidět na obr.lG.
Vyskytují se jisté nedostatky spojené se způsobem výroby seskupení 100 Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 101. Po odstranění obětní vrstvy 24 tenkého filmu obvykle následuje oplachování leptadla nebo chemikálie použité při odstraňování vrstvy, a to použitím oplachovací látky, která se dále a dále odstraní párou. Během odstraňování oplachovací látky může povrchové napětí táhnout pružný člen 35 směrem dolů k aktivní matrici 10., přičemž dojde k přilepení pružného členu 35 k aktivní matrici 10, což ovlivní výkonnost příslušného ovládaného zrcadla tenkého filmu 101. Jestliže bylo ovládané zrcadlo takto postiženo, může to ovlivnit celkovou výkonnost seskupení 100. Při odstraňování obětní vrstvy tenkého filmu 24 v podpůrné vrstvě 20, aby se leptáním vytvořil pracovní prostor každého ovládaného zrcadla tenkého filmu 101, vloží se leptadlo nebo jiná chemikálie přes mezeru mezi ovládanými strukturami zrcadel 111, které jsou pokryty ochrannou vrstvou tenkého filmu. Úplné odstranění obětní vrstvy 24 v podpůrné vrstvě 20 trvá velmi dlouho. Kromě toho se obětní vrstva 24 nedá zcela odstranit, ale zanechává v pracovním prostoru zbytky, které • · · ·
- 5 snižují výkonnost ovládaných zrcadel tenkého filmu 101. Pokud je takto nepříznivě ovlivněno více ovládaných zrcadel tenkého filmu
101, je ovlivněna celkový výkonnost seskupení 100.
Kromě shora uvedených nedostatků ve způsobu výroby, má takto připravené seskupení hlavní nedostatek, a tím je celková optická účinnost. Když se každé z ovládaných zrcadel tenkého filmu 101 deformuje vlivem elektrického pole zavedeného na elektrovychylujicí člen tenkého filmu 55, deformuje se rovněž připojená první elektroda tenkého filmu, která působí rovněž jako zrcadlo, a namísto toho, aby vytvořila rovinný horní povrch, vytváří zakřivený horní povrch, od kterého se světelný paprsek odráží. Výsledkem je, že se celkový optický účinek seskupení 100 snižuje.
Podstata vynálezu
Prvotním cílem tohoto vynálezu je poskytnou způsob výroby seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu, kde každé ovládané zrcadlo má novou strukturu podle tohoto vynálezu, která usnadní ochranu před výskytem možností přilnutí pružného členu k aktivní matrici, ke kterému by v průběhu výrobního procesu mohlo dojít během odstraňování oplachovací látky.
Dalším cílem tohoto vynálezu je poskytnout seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu, kde každé ovládané zrcadlo má novou strukturu, která během výrobního procesu usnadňuje úplné a efektivní odstranění obětní vrstvy tenkého filmu.
Dalším cílem tohoto vynálezu je poskytnout seskupení M x N ovládaných zrcadel tenkého filmu, které se může použít v optických projekčních systémech se zlepšenou optickou výkonností.
Dalším cílem tohoto vynálezu je poskytnout způsob výroby seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu.
V souladu s jedním aspektem tohoto vynálezu se poskytuje způsob výroby seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu, kde M a N jsou celá čísla, pro použití v optickém projekčním
......... .·····:
: · · ί .· · ··: : ί .....
- 6 systému, kde seskupení zahrnuje: aktivní matrici včetně podkladové vrstvy, seskupení Μ x N tranzistorů a seskupení Μ x N spojovacích terminálů, kde každý spojovací terminál je elektricky spojen s odpovídajícím tranzistorem v seskupení tranzistorů; pasivační vrstvu vytvořenou na horní straně aktivní matrice; vrstvu zastavující leptadlo, vytvořenou na horní straně pasivační vrstvy; seskupení Μ x N ovládacích vrstev, která mají vzdálenější konce, přičemž každá ovládací struktura má na vzdálenějším konci hrot a leptací otvor táhnoucí se v příčném směru,, kde každá ovládací struktura zahrnuje první elektrodu tenkého filmu, elektrovychylujicí člen tenkého filmu, druhou elektrodu tenkého filmu, pružný člen a vedení, kde první elektroda tenkého filmu je umístěna na horní straně elektrovychylujícího členu a je pomocí vodorovného proužku rozdělena na ovládací část a na část odrážející světlo, kde tento proužek od sebe elektricky rozpojuje ovládací a světlo odrážející části, kde ovládací část je elektricky spojena se zemí, což ovládací vrstvě a světlo odrážející vrstvě umožňuje fungovat jako zrcadlo a elektroda s předpětím, a jako zrcadlo, kde elektrovychylujicí člen tenkého filmu je umístěn na horní straně druhé elektrody tenkého filmu, kde je druhá elektroda tenkého filmu vytvořena na horní straně pružného členu, kde je druhá elektroda tenkého filmu elektricky spojena přes vedení a spojovací terminál s odpovídajícím tranzistorem, a je od druhé elektrody tenkého filmu v jiném ovládaném zrcadle tenkého filmu odpojena, čímž je jí umožněno fungovat jako signální elektroda, kde je pružný člen, umístěný u spodní části druhé elektrody tenkého filmu a u spodní části bližšího konce druhé elektrody, upevněn na horní straně aktivní matrice, s vrstvou zastavující leptadlo a pasivační vrstvou, které částečně leží mezi nimi, a tím vytváří vetknutý prvek v ovládací vrstvě, kde vedení vystupuje z horní strany elektrovychylujícího členu tenkého filmu do horní strany odpovídajícího spojovacího terminálu, čímž se elektricky spojuje druhá elektroda tenkého filmu se spojovacím terminálem.
- 7 V souladu s jiným aspektem tohoto vynálezu se poskytuje způsob výroby seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu, kde M a N jsou celá čísla, a kde každé seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu odpovídá obrazovému prvku používanému v optických projekčních systémech, kde tento způsob zahrnuje kroky: poskytnutí aktivní matrice včetně podkladové vrstvy, seskupení Μ x N spojovacích terminálů a seskupení M x N transistorů, kde každý spojovací terminál je elektricky spojený s odpovídajícím transistorem; nanesení pasivační vrstvy na horní části aktivní matrice; nanesení vrstvy zastavující leptadlo na horní stranu pasivační vrstvy, nanesení obětní vrstvy tenkého filmu na horní stranu vrstvy zastavující leptadlo, kde obětní vrstva tenkého filmu má horní povrch, který uvádí této vrstvě poskytuje plochý povrch; vytváření seskupení M x N párů prázdných dutin v obětní vrstvě tenkého filmu tak, že jedna prázdná dutiny v každém párů obklopuje jeden spojovací terminál; nanesení pružné vrstvy a druhé tenké vrstvy na horní stranu obětní vrstvy tenkého filmu zahrnující prázdné dutiny; rozdělení druhé vrstvy tenkého filmu na na stejné části, a to na seskupení Μ x N druhých elektrod tenkého filmu, kde je každá druhá elektroda tenkého filmu elektricky odpojena od jiné druhé elektrody; nanesení elektrovychylující vrstvy tenkého filmu a první vrstvy tenkého filmu na horní stranu seskupení
M x N druhých elektrod tenkého filmu, čímž se vytváří vícevrstvá struktura; vzorování této vícevrstvé struktury do seskupení M x N struktur ovládaných zrcadel až do exponování (odstranění) obětní vrstvy, a to tak, že každá struktura ovládaných zrcadel má na vzdálenějším hrot a otvor leptadla , který se táhne příčným směrem, kde každá struktura ovládaných zrcadel zahrnuje první elektrodu tenkého filmu, elektrovychylujicí člen tenkého filmu, druhou elektrodu tenkého filmu a pružný člen, kde je první elektroda tenkého filmu rozdělena na ovládací a světlo odrážející část pomocí vodorovného proužku, kde tento proužek rozpojuje ovládací a světlo odrážející část, kde je ovládací část elektricky spojena se zemí; vytvoření seskupení Μ x N děr, : . . · .’···:: .:. : ·· ·
- 8 kdy každá díra vystupuje z horní strany odpovídajícího spojovacího terminálu; vyplnění každé díry kovem k vytvoření vedení, čímž se vytvoří seskupení polotovaru ovládaných zrcadel; vytvoření zářezů na aktivní matrici, čímž vznikne polokostkovaný vzor; úplné pokrytí každého polotovaru ovládaného zrcadla s po1okostkováným vzorem ochrannou vrstvou tenkého filmu; odstranění obětní vrstvy tenkého filmu pomocí leptadla nebo chemikálie, kde je leptadlo, nebo chemikálie, vloženo do otvoru leptadla v každém polotovaru ovládaného zrcadla a do mezery mezi ovládanými zrcadly; odstranění ochranné vrstvy; úplné vytvoření kostek zamyšleného tvaru z aktivní matrice, aby se tak vytvořilo seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu.
Přehled obrázků na výkrese
Dříve uvedené, ale i další cíle a znaky tohoto vynálezu budou zřejmé z následujícího popisu provedení, kterému se dává přednost, a z připojených výkresů na kterých:
obr.lA až 1G schematicky znázorňuje příčný řez, zobrazující již uvedený způsob výroby seskupení Μ x N ovládaných zrcadel obr.2 znázorňujme příčný řez seskupením Μ x N ovládaných zrcadel, podle tohoto vynálezu, obr.3A až 3N schematicky znázorňuje způsob výroby seskupení M x N ovládaných zrcadel, podle tohoto vynálezu, zobrazeného na obr.2, obr.4A až 4D znázorňuje půdorys vrstev tenkého filmu, které vytváří každé ovládané zrcadlo z obr.2.
Příklady provedení vynálezu
Na obr.2 a 3A až 3N a 4A až 4D je zobrazen příčný řez seskupením 200 Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 301. kde M a N jsou celá čísla, kdy toto seskupení se dá použít v optickém projekčním systému, a kde schematický příčný řez ·· · · · ·
seskupením zobrazuje způsob výroby seskupení 300
M x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 301 a půdorys vrstev tenkého filmu vytvářejících každé ovládané zrcadlo tenkého filmu 301. a to v souladu s tímto vynálezem. Podobné díly, které se objevují na obr.2, 3A až 3N a 4A až 4D jsou označeny stejnými referenčními číslicemi.
Na obr.2 je znázorněn příčný řez seskupením 300 Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 301 jednoho provedení, podle tohoto vynálezu. Seskupení 300 zahrnuje aktivní matrici 210, pasivační vrstvu 220, vrstvu zastavující leptadlo 230 a seskupení Μ x N ovládacích struktur 200.
Aktivní matrice 210 zahrnuje podkladovou vrstvu 212, seskupení Μ x N spojovacích terminálů 214 a seskupením Μ x N transistorů ( nejsou znázorněny). Každý spojovací terminál 214 je elektricky spojen s odpovídajícím tranzistorem v seskupení tranzistorů.
Pasivační vrstva 220 zhotovená z fosfor-silikátového skla (PSG) nebo nitridu křemíku, má tloušťku 0,1 - 2^m a je umístěna na horní straně aktivní matrice 210.
Vrstva zastavující leptadlo 230 je vyrobena z nitridu křemíku a má tloušťku 0,1 - 2//m, a je umístěna na horní straně pasivační vrstvy 220.
Každá ovládací struktura 200 má vzdálený a bližší konec, a dále zahrnuje u vzdáleného konce hrot (není znázorněn) a otvor leptadla (není znázorněn), umístěný v příčném směru. Každá ovládací struktura 200 zahrnuje první elektrodu tenkého filmu 285, elektrovychylijicí člen tenkého filmu275, druhou elektrodu tenkého filmu 265, pružný prvek 255 a vedení 295. První elektroda tenkého filmu285 vyrobená s elektricky vodivého a světlo odrážejícího materiálu, například hliníku (Al) a stříbra (Ag), je umístěna na horní straně elektrovychylujícího členu tenkého filmu 275, a je rozdělena na ovládací a světlo odrážející část 190, 195 vodorovným proužkem 287, přičemž tento proužek 287 elektricky rozpojuje ovládací a světlo odrážející části 190. 195. Ovládací část 190 je elektricky
- 10 spojena se zemí, což ji umožňuje fungovat jako zrcadlo a jako společná elektroda s předpětím. Světlo odrážející část 195 funguje jako zrcadlo. Elektrovychylujicí člen 275 vyrobený z piezoelektrického materiálu, například titanu olova a zirkonu (PZT), nebo z elektrorestriktivního materiálu, například niobičnanu olova a hořčíku (PMN), je umístěn na horní části druhé elektrody tenkého filmu 265. Druhá elektroda tenkého filmu 265 vyrobená z elektricky vodivého materiálu, například platiny/tantalu (Pt/Ta) je umístěna na horní části pružného členu 255 a je elektricky připojena k odpovídajícímu tranzistoru prostřednictvím vedení 295 a spojovacího terminálu 214 a je elektricky odpojena od druhé elektrody 265 v jiném ovládaném zrcadle tenkého filmu 301, což ji umožňuje fungovat jako signální elektroda. Pružný člen 255 zhotovený z nitridu, například nitridu křemíku, je umístěn pod druhou elektrodou tenkého filmu 265. Spodní část u jeho nejbližšího konce je upevněna k horní straně aktivní matrice 210, s vrstvou zastavující leptadlo 230 a pasivační vrstvou 220, které jsou částečně umístěny mezi nimi a jsou tak vetknuty do ovládací struktury 200. Vedení 295 vyrobené z kovu, například wolframu (W), vybíhá z horní části elektrovychylujícího členu tenkého filmu 275 do horní části odpovídajícího spojovacího terminálu 214, čímž elektricky spojuje druhou elektrodu tenkého filmu 265 se spojovacím terminálem 214. Vedení 295 vystupující směrem dolů z horní části elektrovychylujícího členu 275 a první elektroda tenkého filmu 285 umístěná na horní části elektrovychylujicího členu 275 v každém ovládaném zrcadle tenkého filmu 301, nejsou navzájem propojeny.
Na obr.3A až 3N je schematicky znázorněn příčný řez, na kterém je zobrazen způsob výroby seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 301 z obr.2.
Výrobní proces seskupení 300 začíná přípravou aktivní matrice 210 včetně podkladové vrstvy 212, seskupení
M x N spojovacích terminálů 214 a seskupení Μ x N transistorů (není znázorněno), jak je to znázorněno na obr.3A. Podkladová • · · ·
- 11 vrstva 212 je vyrobena z izolačního materiálu, například z plátku Si. každý spojovací terminál je elektricky spojen s odpovídajícím tranzistorem v seskupení tranzistorů.
V následujícím kroku je na horní části aktivní matrice 210 vytvořena pasivační vrstva 220 z PSG nebo nitridu křemíku, která má tloušťku 0,1 - 2^m, a to pomocí CVD nebo odstředivého nanášením povlaku, jak je to znázorněno na obr.3B.
Následuje vytvoření vrstvy zastavující leptadlo 230 z nitridu křemíku o tloušťce 0,1-2 /tm, která je umístěna na horní straně pasivační vrstvy 220 rozprašováním nebo metodou CVD, jak je to znázorněno na obr. 3C.
Dále se vytvoří obětní vrstva tenkého filmu 240 na horní straně vrstvy zastavující leptadlo 230 (obr.3D). Obětní vrstva 240 se vyrábí rozprašováním nebo odpařováním, jestliže je tato vrstva zhotovena z kovu, nebo pomocí CVD nebo odstředivým nanášením, je-li vyrobena z PSG, nebo pomocí CVD, jestliže je obětní vrstva tenkého filmu vyrobena z poly-Si. Obětní vrstva tenkého filmu 240 má horní povrch.
Dále se horní povrch obětní vrstvy 240 upraví tak, aby byl plochý, a to pomocí metody SOG nebo chemickým a mechanickým leštěním (CMP), a následujícím leštěním za mokra, jak je to znázorněno na obr.3E.
Následuje vytvoření seskupení Μ x N párů prázdných dutin 245 v obětní vrstvě tenkého filmu 240, a to pomocí leptání za sucha a za mokra tak, že jedna z prázdných dutin 245. v každém páru, obklopuje jeden spojovací terminál 214, jak je to znázorněno na obr.3F.
V následujícím kroku je pružná vrstva 250. vyrobená z nitridu, například z nitridu křemíku, a má tloušťku 0,1 - ž^m, nanesena na horní stranu obětní vrstvy tenkého filmu 240, která má prázdné dutiny 245 vytvořené metodou CVD, jak je to znázorněno na obr.3G. Během umísťování je napětí uvnitř pružné vrstvy 250 ovládáno změnou poměru plynu jako funkce času.
Druhá vrstva tenkého filmu (není znázorněna) z elektricky vodivého materiálu, například z Pt/Ta, která má tloušťku • · ··
- 12 0,1 - 2^m, je vytvořena na horní straně pružné vrstvy 250 pomocí rozprašování nebo naparováním ve vákuu. Druhá vrstva tenkého filmu se potom rovnoměrně nařeže na seskupení Μ x N elektrod tenkého filmu 265 metodou suchého leptu, kde je každá druhá elektroda tenkého filmu 265 elektricky odpojena od jiné druhé elektrody tenkého filmu 265, jak je to znázorněno na obr.3H.
Potom se elektrovychylujicí vrstva tenkého filmu 270. vyrobená z piezoelektrického materiálu, například z PTT, nebo z elektrostriktívního materiálu, například z PMN, a která má tloušťku 0,1-2 (4(m, nanese na horní stranu seskupení Μ x N druhých elektrod tenkého filmu 265, pomocí naparování ,metodou Sol-Gel, rozprašováním nebo pomocí CVD, jak je to znázorněno na obr. 31. Elektrovychylujicí vrstva 270 je dále upravována za tepla, aby se umožnil fázový přenos, a to rychlým tepelným žíháním (RTA).
Jelikož je elektrovychylujicí vrstva tenkého filmu 270 dostatečně tenká, není nutné ji polovat, jestliže je vyrobena z piezoelektrického materiálu, protože se může polovat elektrickým signálem během činnosti ovládaného zrcadla tenkého filmu 301.
První vrstva tenkého filmu 280. zhotovená z elektricky vodivého a světlo vychylujícího materiálu, například z Al, nebo Ag, a která má tloušťku 0,1 - 12 /<m, se vytvoří na horní straně elektrovychylujicí vrstvy 270. a to rozprašováním nebo naparováním ve vakuu, čímž se vytvoří vícevrstvá struktura 350. jak je to znázorněno na obr.3J.
V následujícím kroku (obr.3K) je vícevrstvá struktura 350 vzorována do seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 345 použitím fotolitografické metody nebo laserového lemování, a to až do exponování obětní vrstvy tenkého filmu 240, a to tak, že každá struktura ovládaných zrcadel 345 má u vzdálenějšího konce hrot (není znázorněn) a otvor leptadla (není znázorněn) vybíhající příčným směrem. Každá struktura ovládaných zrcadel zahrnuje první elektrodu tenkého filmu 285, elektrovychylujicí člen tenkého filmu 275, druhou elektrodu tenkého filmu 265 a
9999
pružný člen 255. První elektroda tenkého filmu 285 je rozdělena vodorovným proužkem 287 na ovládací a světlo odrážející část 190, 195, kde vodorovný proužek 287 od sebe elektricky odpojuje ovládací a světlo odrážející část 190 , 195, přičemž ovládací struktura 190 je elektricky spojena se zemí.
V následujícím kroku se leptáním vytváří seskupení MxN děr 290 , kde zmíněné díry vystupují z horní části elektrovychylujícího členu tenkého filmu 275 do horní části odpovídajícího spojovacího terminálu 214, jak je to znázorněno na obr.3L.
V následujícím kroku se vytváří vedení 295 tak, že se zaplní každá díra 290 kovem, například wolframem, a to pomocí metody vyzdvižení (lift off), čímž se vytvoří seskupení MxN polotovarů ovládaných zrcadel tenkého filmu 335, jak je to znázorněno na obr.3M.
Po tomto kroku se vytvoří zářez (není znázorněn) o hloubce, která má hodnotu přibližně jedné třetiny tloušťky aktivní matrice 210. a to pomocí fotolitografické metody. Tento krok se rovněž nazývá vytváření polokostek.
Po předchozím kroku následuje úplné pokrytí polotovaru ovládaného zrcadla 335 ochrannou vrstvou tenkého filmu není znázorněna).
Následuje odstranění obětní vrstvy 240 leptáním za mokra pomocí leptadla nebo chemikálie, například parami fluorovodíku (HF), kdy se leptadlo nebo chemikálie vpustí otvorem leptadla v každém polotovaru ovládaného zrcadla 335 a mezerami mezi polotovarem ovládaného zrcadla 335, čímž se vytvoří ovládací prostor každého ovládaného zrcadla tenkého filmu 301.
Potom se odstraní ochranná vrstva tenkého filmu.
Nakonec se aktivní matrice 210 fotolitografíčky, nebo pomocí laserového lemování zcela rozčlení na kostky stanoveného tvaru, a tím se vytvoří seskupení 300 MxN ovládaných zrcadel tenkého filmu 301, jak je to znázorněno na obr.3N.
Na obr.4A až 4D je znázorněn půdorys první elektrody tenkého filmu 285, elektrovychylujícího členu 275, druhé elektrody «· ···« • · · ·
- 14 tenkého filmu 265 a pružného členu 255, vytvářející, v souladu s tímto vynálezem, každé ovládané zrcadlo tenkého filmu 301. Každá vrstva tenkého filmu má na vzdálenějším konci hrot 205 a otvor leptání 289. Podle obr.4C, je druhá elektroda tenkého filmu elektricky odpojena od druhé elektrody tenkého filmu v jiném ovládaném zrcadle 301 v seskupení 300.
V seskupení 300 Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu 301 podle tohoto vynálezu a podle způsobu jeho výroby, je první elektroda tenkého filmu 285, v každém ovládaném zrcadle tenkého filmu 301, rozdělena vodorovným proužkem 287 na ovládací a světlo odrážející část 190, 195, přičemž během činnosti každého ovládaného zrcadla tenkého filmu 301 se pouze část elektrovychylujícího členu tenkého filmu 275, druhá elektroda tenkého filmu 265 a pružný člen 255 umístěný pod ovládací strukturou deformují, zatímco ostatní části zůstávají v rovinném stavu, což umožňuje části odrážející světlo 195 odrážet dopadající paprsek mnohem efektivněji, což zvyšuje optickou účinnost seskupení 300.
Kromě toho následuje po odstranění obětní vrstvy tenkého filmu 240, oplachování leptadla (nebo chemikálie), které bylo použito při odstraňování vrstvy, přičemž použitý prostředek je odstraněn pomocí páry. Prostředek se během odstraňování hromadí u hrotu 205 ovládaného zrcadla tenkého filmu 301, což usnadňuje jeho odstraňování, a přitom se snižuje možnost přilepení elastického členu 255 k aktivní matrici 210, což na druhou stranu pomáhá uchovat strukturální integritu a výkonnost ovládaného zrcadla tenkého filmu 301, a tím celého seskupení 300. Jelikož použité leptadlo nebo chemikálie při odstraňování obětní vrstvy tenkého filmu 240 je vkládáno přes otvor leptadla 289 a přes mezery mezi ovládacími strukturami 200, může se obětní vrstva tenkého filmu odstraňovat mnohem efektivnějším a komplexnějším způsobem.
Je nutné poznamenat, že i když jsou ovládaná zrcadla tenkého filmu 301 a způsob jejich výroby popsána na příkladu kde každé ovládané zrcadlo má unimorfní strukturu, mohou se myšlenky
tohoto vynálezu stejně dobře aplikovat na případ ovládaných zrcadel s bimorfní strukturou, což u posledně uvedeného případu zahrnuje další elektrovychylující a elektrodové vrstvy.
Tento vynález byl popsán pomocí jistých provedení, kterým se dává přednost, ale je jistě možné použít i jiné modifikace a variace, aniž by došlo k vzdálení se od rozsahu tohoto vynálezu, jak to bude vyjádřeno v následujících nárocích.
Claims (17)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Seskupení Μ χ Ν ovládaných zrcadel tenkého filmu, kde M a N jsou celá čísla, které se používá v optických projekčních systémech, přičemž seskupení zahrnuje:aktivní matrici včetně podkladové vrstvy, seskupení Μ x N tranzistorů a seskupení Μ x N spojovacích terminálů, kde každý spojovací terminál je elektricky připojen k odpovídajícímu tranzistoru v seskupení tranzistoru, pasivační vrstvu vytvořenou na horní straně aktivní matrice, vrstvu zastavující leptadlo vytvořenou na horní straně pasivační vrstvy, seskupení Μ x N ovládacích struktur, kde každá ovládací struktura má bližší a vzdálenější konec, kde každá ovládací struktura má u vzdálenějšího konce hrot a otvor leptadla táhnoucí se v příčném směru, kde každá ovládací struktura zahrnuje první elektrodu tenkého filmu, elektrovychylujicí člen tenkého filmu, druhou elektrodu tenkého filmu, pružný člen a vedení, kde je první elektroda tenkého filmu umístěna na horní straně elektrovychylujícího členu a je vodorovným proužkem rozdělena na ovládací část a světlo odrážející část, kde vodorovný proužek elektricky odpojuje ovládací část od světlo odrážející části, přičemž ovládací část je elektricky spojena se zemí, čímž je ovládací části a světlo odrážející části umožněno fungovat jako zrcadlo a elektroda s předpětím a jako zrcadlo, kde je elektrovychylujicí člen tenkého filmu umístěn na horní straně druhé elektrody tenkého filmu, kde je druhá elektroda vytvořena na horní straně pružného členu, kde je druhá elektroda tenkého filmu přes vedení a spojovací terminál elektricky připojena k odpovídajícímu tranzistoru a je elektricky odpojena odTť J2W -279 99 99999999 9 9 9 9 ·9 9 9 9 99 9 999999 9 ··999 9999 ··· druhé elektrody tenkého filmu jiného ovládaného zrcadla tenkého filmu, což ji umožňuje fungovat jako signální elektroda, kde je pružný člen umístěn u spodní části druhé elektrody tenkého filmu, a spodní část u bližšího konce je upevněna k horní části aktivní matrice s vrstvou zastavující leptadlo a pasivační vrstvou vloženými mezi ně tak, že jsou vetknuty do ovládací struktury, a kde vedení vystupuje z horní části elektrovychylujícího členu tenkého filmu do odpovídajícího spojovacího terminálu a tak elektricky spojuje druhou elektrodu tenkého filmu se spojovacím terminálem.
- 2. Seskupeni podle nároku 1,vyznačující se tím, že pasivační vrstva je vyrobena z fosfor- křemičitého skla (PSG) nebo ze nitridu křemíku.
- 3. Seskupeni podle nároku 1,vyznačující se tím, že vrstva zastavující leptadlo je vyrobena z nitridu křemíku.
- 4. Způsob výroby seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu, kde M a N jsou celá čísla a každé ovládané zrcadlo tenkého filmu odpovídá obrazovému prvku pro použití v optickém projekčním systému, přičemž způsob zahrnuje kroky:poskytnutí aktivní matrice včetně podkladové vrstvy, seskupení Μ x N spojovacích terminálů a seskupení Μ x N tranzistorů, kde každý spojovací terminál je připojen k odpovídajícímu tranzistoru v seskupení tranzistorů, nanášení pasivační vrstvy na horní stranu aktivní matrice, nanášení vrstvy zastavující leptadlo na horní stranu pasivační vrstvy, ····- 18 nanášení obětní vrstvy tenkého filmu na horní stranu vrstvy zastavující leptadlo, kde obětní vrstva tenkého filmu má horní povrch, úpravu horního povrchu obětní vrstvy tenkého filmu do roviny, vytvoření seskupení Μ x N párů prázdných dutin v obětní vrstvě tenkého filmu tak, že jedno z prázdných míst v každém páru obklopuje jeden ze spojovacích terminálů, nanášení pružné vrstvy a druhé vrstvy tenkého filmu na horní stranu obětní vrstvy tenkého filmu zahrnující prázdné dutiny, zaříznutí druhé vrstvy tenkého filmu do seskupení Μ x N druhých elektrod tenkého filmu, kde každá druhá elektroda tenkého filmu je elektricky odpojena od jiné druhé elektrody, nanášení elektrovychylujicí vrstvy tenkého filmu na horní stranu seskupení druhých elektrod tenkého filmu, čímž se vytváří vícevrstvá struktura, vzorování vícevrstvé struktury do seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu do okamžiku, kdy je obětní vrstva exponována, a to tak, že každé ovládané zrcadlo tenkého filmu má na vzdálenějším konci hrot a otvor leptadla v příčném směru, kde každá struktura ovládaného zrcadla zahrnuje první elektrodu tenkého filmu, elektrovychylujicí člen tenkého filmu, druhou elektrodu tenkého filmu a pružný člen, kde je první elektroda tenkého filmu je vodorovným proužkem rozdělena na ovládací a světlo odrážející část, kde vodorovný proužek elektricky rozpojuje ovládací a světlo odrážející část, přičemž ovládací část je elektricky spojena se zemí, vytvoření seskupení Μ x N děr, kde každá díra vychází z horní části elektrovychylujícího členu do horní části • · · ·- 19 odpovídajícího spojovacího terminálu, vyplnění každé díry kovem a tím vytvoření vedení, přičemž se vytváří seskupení Μ x N polotovarů ovládaných zrcadel, vytváření polokostkované aktivní matrice tím, že se u aktivní matrice vytvoří zářezy, úplné pokrytí každého polotovaru ovládaného zrcadla ochrannou vrstvou tenkého filmu, odstranění obětní vrstvy tenkého filmu použitím leptadla nebo chemikálie, kde se leptadlo nebo chemikálie vkládá do otvoru pro leptadlo v každém polotovaru ovládaného zrcadla a mezer mezi polotovary ovládaných zrcadel, odstranění ochranné vrstvy a úplné rozčlenění aktivní matrice na kostky požadovaného tvaru, a tím vytvoření seskupení Μ x N ovládaných zrcadel tenkého filmu.
- 5. Způsob podle nároku 4,vyznačující se tím, že pasivační vrstva je zhotovena z fosfor-křemičitého skla (PSG) nebo z nitridu křemíku.
- 6. Způsob podle nároku 5,vyznačující se tím, že pasivační vrtva má tloušťku 0,1 - ž^m.
- 7. Způsob podle nároku 6,vyznačující se tím, že pasivační vrstva je vytvářena způsobem CVD nebo odstředivým nanášením.
- 8. Způsob podle nároku 4,vyznačující se tím, že vrstva zastavující leptadlo je zhotovena z nitridu křemíku.• ·
- 9. Způsob podle nároku 8,vyznačující se tím, že vrstva zastavující leptadlo má tloušťku 0,1 - 2^m.
- 10. Způsob podle nároku 9, vyznačující se tím, že vrstva zastavující leptadlo je vyráběna rozprašováním nebo způsobem CVD.
- 11. Způsob podle nároku 4,vyznačující se tím, že horní povrch obětní vrstvy tenkého filmu je upravován do roviny metodou SOG (spin on glass) nebo chemickým a mechanickým leštěním (CMP) a dále škrabáním.
- 12. Způsob podle nároku 4,vyznačující se tím, že seskupení prázdných dutin se vytváří suchým nebo mokrým leptáním.
- 13. Způsob podle nároku 4,vyznačující se tím, že druhá vrstva tenkého filmu je stejnoměrně naříznuta suchým leptáním.
- 14. Způsob podle nároku 8,vyznačující se tím, že elektrovychylujici vrstva je tepelně upravována rychlým tepelným žíháním (RTA).
- 15. Způsob podle nároku 4,vyznačující se tím, že zářezy na aktivní matrici mají hloubku, která se rovná hodnotě jedné třetiny tloušťky aktivní matrice.
- 16. Způsob podle nároku 4,vyznačující se tím, že zářezy se vytváří fotolitografickým způsobem.
- 17. Způsob podle nároku 4,vyznačující se tím, že aktivní matrice je do kostek upravena fotolitografickým způsobem nebo laserovým přiříznutím.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950009394A KR0154923B1 (ko) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | 광로 조절 장치의 제조방법 |
| KR1019950009398A KR0177250B1 (ko) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | 광로 조절 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ328097A3 true CZ328097A3 (cs) | 1998-04-15 |
Family
ID=36955856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ973280A CZ328097A3 (cs) | 1995-04-21 | 1996-03-07 | Seskupení ovládaných zrcadel tenkého filmu, používané v optických projekčních systémech |
Country Status (16)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5757539A (cs) |
| EP (1) | EP0741310B1 (cs) |
| JP (1) | JP3734271B2 (cs) |
| CN (1) | CN1082770C (cs) |
| AR (1) | AR001107A1 (cs) |
| AU (1) | AU698094B2 (cs) |
| BR (1) | BR9608226A (cs) |
| CA (1) | CA2218655A1 (cs) |
| CZ (1) | CZ328097A3 (cs) |
| DE (1) | DE69621516T2 (cs) |
| HU (1) | HUP9801824A3 (cs) |
| PL (1) | PL179925B1 (cs) |
| RU (1) | RU2166784C2 (cs) |
| TW (1) | TW305943B (cs) |
| UY (1) | UY24183A1 (cs) |
| WO (1) | WO1996033576A1 (cs) |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6849471B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
| US6969635B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-11-29 | Reflectivity, Inc. | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
| GB2313451A (en) * | 1996-05-23 | 1997-11-26 | Daewoo Electronics Co Ltd | Method for manufacturing a thin film actuated mirror array |
| US5991064A (en) * | 1996-06-29 | 1999-11-23 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array and a method for the manufacture thereof |
| KR100212539B1 (ko) * | 1996-06-29 | 1999-08-02 | 전주범 | 박막형 광로조절장치의 엑츄에이터 및 제조방법 |
| WO1998008127A1 (en) * | 1996-08-21 | 1998-02-26 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system |
| US6136390A (en) * | 1996-12-11 | 2000-10-24 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film actuatable mirror array having an enhanced structural integrity |
| US5949568A (en) * | 1996-12-30 | 1999-09-07 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Array of thin film actuated mirrors having a levelling member |
| WO1998038801A1 (en) * | 1997-02-26 | 1998-09-03 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same |
| EP0962101A1 (en) * | 1997-02-26 | 1999-12-08 | Daewoo Electronics Co., Ltd | Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same |
| AU741296B2 (en) * | 1997-03-05 | 2001-11-29 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same |
| US5815305A (en) * | 1997-03-10 | 1998-09-29 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same |
| US5917645A (en) * | 1997-03-28 | 1999-06-29 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same |
| GB2324882B (en) * | 1997-04-29 | 2001-05-23 | Daewoo Electronics Co Ltd | Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof |
| US5937271A (en) * | 1997-05-23 | 1999-08-10 | Daewoo Electronics Co., Inc. | Method for manufacturing a thin film actuated mirror array |
| GB2341693B (en) * | 1997-05-27 | 2001-11-14 | Daewoo Electronics Co Ltd | Method for manufacturing a thin film actuated mirror array |
| WO1999000989A1 (en) * | 1997-06-30 | 1999-01-07 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror including a seeding member and an electrodisplacive member made of materials having the same crystal structure and growth direction |
| KR19990004774A (ko) * | 1997-06-30 | 1999-01-25 | 배순훈 | 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 |
| KR19990004787A (ko) * | 1997-06-30 | 1999-01-25 | 배순훈 | 박막형 광로 조절 장치 |
| EP1025711A1 (en) | 1997-10-31 | 2000-08-09 | Daewoo Electronics Co., Ltd | Method for manufacturing thin film actuated mirror array in an optical projection system |
| US5920421A (en) * | 1997-12-10 | 1999-07-06 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same |
| GB2332750B (en) * | 1997-12-23 | 2000-02-23 | Daewoo Electronics Co Ltd | Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same |
| US6523961B2 (en) | 2000-08-30 | 2003-02-25 | Reflectivity, Inc. | Projection system and mirror elements for improved contrast ratio in spatial light modulators |
| US7167297B2 (en) * | 2000-08-30 | 2007-01-23 | Reflectivity, Inc | Micromirror array |
| US7027418B2 (en) | 2001-01-25 | 2006-04-11 | Bandspeed, Inc. | Approach for selecting communications channels based on performance |
| US7023606B2 (en) * | 2001-08-03 | 2006-04-04 | Reflectivity, Inc | Micromirror array for projection TV |
| KR100394020B1 (ko) * | 2001-10-18 | 2003-08-09 | 엘지전자 주식회사 | Ｄｍｄ 패널의 제조 방법 |
| US6965468B2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-11-15 | Reflectivity, Inc | Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array |
| US20040006490A1 (en) * | 2002-07-08 | 2004-01-08 | Gingrich Mark A. | Prescription data exchange system |
| US7042622B2 (en) * | 2003-10-30 | 2006-05-09 | Reflectivity, Inc | Micromirror and post arrangements on substrates |
| US7281808B2 (en) * | 2003-06-21 | 2007-10-16 | Qortek, Inc. | Thin, nearly wireless adaptive optical device |
| US20050070049A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-03-31 | Cheng S. J. | Method for fabricating wafer-level chip scale packages |
| CN101038582B (zh) * | 2007-04-02 | 2010-05-12 | 中国科学院光电技术研究所 | 用于自适应光学波前复原运算的脉动阵列处理方法及电路 |
| US8849213B2 (en) * | 2009-01-21 | 2014-09-30 | Bandspeed, Inc. | Integrated circuit for signal analysis |
| US8447252B2 (en) * | 2009-01-21 | 2013-05-21 | Bandspeed, Inc. | Adaptive channel scanning for detection and classification of RF signals |
| CN102640203B (zh) * | 2009-12-01 | 2014-09-10 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板和显示装置 |
| JP6613593B2 (ja) | 2015-04-01 | 2019-12-04 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4441791A (en) * | 1980-09-02 | 1984-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Deformable mirror light modulator |
| US4662746A (en) * | 1985-10-30 | 1987-05-05 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
| US5172262A (en) * | 1985-10-30 | 1992-12-15 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
| US5099353A (en) * | 1990-06-29 | 1992-03-24 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
| US5247222A (en) * | 1991-11-04 | 1993-09-21 | Engle Craig D | Constrained shear mode modulator |
| US5481396A (en) * | 1994-02-23 | 1996-01-02 | Aura Systems, Inc. | Thin film actuated mirror array |
| CN1062664C (zh) * | 1994-06-22 | 2001-02-28 | 大宇电子株式会社 | 改进的制造薄膜可致动反射镜阵列的方法 |
-
1996
- 1996-02-15 TW TW085101898A patent/TW305943B/zh active
- 1996-02-16 US US08/602,928 patent/US5757539A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-02-23 DE DE69621516T patent/DE69621516T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-23 EP EP96102744A patent/EP0741310B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-02-28 AR AR33557696A patent/AR001107A1/es not_active Application Discontinuation
- 1996-03-07 CA CA002218655A patent/CA2218655A1/en not_active Abandoned
- 1996-03-07 JP JP53163696A patent/JP3734271B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-07 PL PL96322906A patent/PL179925B1/pl unknown
- 1996-03-07 RU RU97119085/28A patent/RU2166784C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1996-03-07 CZ CZ973280A patent/CZ328097A3/cs unknown
- 1996-03-07 BR BR9608226A patent/BR9608226A/pt not_active IP Right Cessation
- 1996-03-07 CN CN96193409A patent/CN1082770C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-07 AU AU49570/96A patent/AU698094B2/en not_active Ceased
- 1996-03-07 WO PCT/KR1996/000033 patent/WO1996033576A1/en not_active Application Discontinuation
- 1996-03-07 HU HU9801824A patent/HUP9801824A3/hu unknown
- 1996-03-18 UY UY24183A patent/UY24183A1/es not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1182519A (zh) | 1998-05-20 |
| EP0741310A1 (en) | 1996-11-06 |
| UY24183A1 (es) | 1996-06-21 |
| TW305943B (cs) | 1997-05-21 |
| AU4957096A (en) | 1996-11-07 |
| RU2166784C2 (ru) | 2001-05-10 |
| DE69621516T2 (de) | 2003-01-16 |
| WO1996033576A1 (en) | 1996-10-24 |
| CN1082770C (zh) | 2002-04-10 |
| JPH11503843A (ja) | 1999-03-30 |
| BR9608226A (pt) | 1998-12-29 |
| EP0741310B1 (en) | 2002-06-05 |
| CA2218655A1 (en) | 1996-10-24 |
| AR001107A1 (es) | 1997-09-24 |
| US5757539A (en) | 1998-05-26 |
| JP3734271B2 (ja) | 2006-01-11 |
| DE69621516D1 (de) | 2002-07-11 |
| AU698094B2 (en) | 1998-10-22 |
| HUP9801824A3 (en) | 2002-07-29 |
| PL179925B1 (pl) | 2000-11-30 |
| PL322906A1 (en) | 1998-03-02 |
| HUP9801824A2 (hu) | 1998-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CZ328097A3 (cs) | Seskupení ovládaných zrcadel tenkého filmu, používané v optických projekčních systémech | |
| US5690839A (en) | Method for forming an array of thin film actuated mirrors | |
| US5636070A (en) | Thin film actuated mirror array | |
| US5579179A (en) | Method for manufacturing an array of thin film actuated mirrors | |
| CZ288251B6 (en) | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof | |
| US5677785A (en) | Method for forming an array of thin film actuated mirrors | |
| CZ148797A3 (en) | System of controlled mirrors with thin layers and process for producing thereof | |
| US5637517A (en) | Method for forming array of thin film actuated mirrors | |
| US5627673A (en) | Array of thin film actuated mirrors for use in an optical projection system | |
| JPH1062614A (ja) | Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法 | |
| EP0814357B1 (en) | Thin film actuated mirror array and method for the manufacture thereof | |
| US6136390A (en) | Method for manufacturing a thin film actuatable mirror array having an enhanced structural integrity | |
| CZ188297A3 (cs) | Seskupení ovládaných zrcadel tenkého filmu, vytvářené při nízkých teplotách a způsob jeho výroby | |
| JPH08248333A (ja) | Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法 | |
| US5706122A (en) | Method for the formation of a thin film actuated mirror array | |
| GB2314939A (en) | Thin film actuated mirror array having an increased tilt angle. | |
| US5701192A (en) | Thin film actuated mirror array and method of manufacturing the same | |
| US5683593A (en) | Method for manufacturing a thin film actuated mirror array | |
| CZ304197A3 (cs) | Seskupení ovládaných zrcadel tenkého filmu s dielektrickými vrstvami | |
| AU716242B2 (en) | Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof | |
| EP0810458B1 (en) | Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof | |
| KR100207430B1 (ko) | 투사형 화상 표시 장치용 박막형 광로 조절 장치 | |
| MXPA97007869A (en) | Lighted movie set of delgadapara mirror for use in an opt projection system | |
| MXPA97004519A (en) | Formation of mirrors accessed by peliculelelade formed to low temperat |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD00 | Pending as of 2000-06-30 in czech republic |