JPH07301755A - Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー及びその製造方法 - Google Patents
Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー及びその製造方法Info
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- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バイアス電圧がアクチュエーテッドミラー
に各々加えられる薄膜アクチュエーテッドミラーアレー
及びその製造方法を提供すること。 【構成】 本発明のアレーは、能動マトリックス、Ｍ
×Ｎ個の支持部のアレー、第１、第２及び第３コンジッ
トのＭ×Ｎ個のトリニティ及びＭ×Ｎ個の薄膜駆動構造
のアレーを含み、各駆動構造は、第１層、電気的に変形
可能な層及び第２層を含み、第１層及び第２層は、電気
的に変形可能な層の上下面に各々位置する。各アクチュ
エーテッドミラーにおいて、第１層は第２及び第３コン
ジットを通じて電導性ラインパターンに電気的に接続さ
れてバイアス電極として働き、第２層は第１コンジット
を通じてトランジスタに電気的に接続されて、信号電極
として働く。
に各々加えられる薄膜アクチュエーテッドミラーアレー
及びその製造方法を提供すること。 【構成】 本発明のアレーは、能動マトリックス、Ｍ
×Ｎ個の支持部のアレー、第１、第２及び第３コンジッ
トのＭ×Ｎ個のトリニティ及びＭ×Ｎ個の薄膜駆動構造
のアレーを含み、各駆動構造は、第１層、電気的に変形
可能な層及び第２層を含み、第１層及び第２層は、電気
的に変形可能な層の上下面に各々位置する。各アクチュ
エーテッドミラーにおいて、第１層は第２及び第３コン
ジットを通じて電導性ラインパターンに電気的に接続さ
れてバイアス電極として働き、第２層は第１コンジット
を通じてトランジスタに電気的に接続されて、信号電極
として働く。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光投射型システムに関
するものであって、特に、そのシステムに用いられるＭ
×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーからなるアレー
（Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー）及
びその製造方法に関する。
するものであって、特に、そのシステムに用いられるＭ
×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーからなるアレー
（Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー）及
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来における利用可能な様々なビデオ表
示システムの内、光投射型システムは大画面において高
精細度を与えることができるものとして知られている。
このような光投射型システムにおいて、ランプからの光
が一様に、例えばＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー
アレー上に照射されるが、ここで、各々のミラーは各々
のアクチュエータに結合されている。これらのアクチュ
エータは加えられる電界に応じて変形を起こす電歪また
は圧電物質のような電気的に変形可能な物質（ｅｌｅｃ
ｔｒｏｄｉｓｐｌａｃｉｖｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）から
なっている。
示システムの内、光投射型システムは大画面において高
精細度を与えることができるものとして知られている。
このような光投射型システムにおいて、ランプからの光
が一様に、例えばＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー
アレー上に照射されるが、ここで、各々のミラーは各々
のアクチュエータに結合されている。これらのアクチュ
エータは加えられる電界に応じて変形を起こす電歪また
は圧電物質のような電気的に変形可能な物質（ｅｌｅｃ
ｔｒｏｄｉｓｐｌａｃｉｖｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）から
なっている。
【０００３】各ミラーからの反射光ビームは、例えば、
光バッフルの開口上に入射される。各アクチュエータに
電気信号が与えられると、入射光ビームに対して各ミラ
ーの相対的な位置が変わって、これによって、各ミラー
からの反射光ビームの光路が変わるようになる。各反射
光ビームの光路が変わることによって、開口を通した各
ミラーから反射された光量が変り、よって、光の強さが
調節される。開口を通過した調節された光ビームは投射
レンズのような適当な光学デバイスを介して、投射スク
リーン上に送られることによって、その上に像を表示す
る。
光バッフルの開口上に入射される。各アクチュエータに
電気信号が与えられると、入射光ビームに対して各ミラ
ーの相対的な位置が変わって、これによって、各ミラー
からの反射光ビームの光路が変わるようになる。各反射
光ビームの光路が変わることによって、開口を通した各
ミラーから反射された光量が変り、よって、光の強さが
調節される。開口を通過した調節された光ビームは投射
レンズのような適当な光学デバイスを介して、投射スク
リーン上に送られることによって、その上に像を表示す
る。
【０００４】図１は、光投射型システムで用いられるＭ
×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー１１からなるア
レー１０の断面図を表すものであって、「THIN FILM AC
TUATED MIRROR ARRAY AND METHOD FOR THE MANUFACTURE
THEREOF」という名称として同時係属中の米国特許出願
第０８／３３１，３９９号明細書に開示されている。こ
のアクチュエーテッドミラーアレーは能動マトリックス
（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）１２、Ｍ×Ｎ個の薄膜
駆動構造１４からなるアレー１３、Ｍ×Ｎ個の支持部１
６からなるアレー１５、及びＭ×Ｎ個のミラー１８から
なるアレー１７を含む。
×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー１１からなるア
レー１０の断面図を表すものであって、「THIN FILM AC
TUATED MIRROR ARRAY AND METHOD FOR THE MANUFACTURE
THEREOF」という名称として同時係属中の米国特許出願
第０８／３３１，３９９号明細書に開示されている。こ
のアクチュエーテッドミラーアレーは能動マトリックス
（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）１２、Ｍ×Ｎ個の薄膜
駆動構造１４からなるアレー１３、Ｍ×Ｎ個の支持部１
６からなるアレー１５、及びＭ×Ｎ個のミラー１８から
なるアレー１７を含む。
【０００５】能動マトリックス１２は、基板１９、Ｍ×
Ｎ個のトランジスタのアレー（図示せず）及びＭ×Ｎ個
の接続端子２１からなるアレー２０を備える。アレー１
０における各駆動構造１４は、例えば、ジルコン酸チタ
ン酸鉛（ＰＺＴ）のような圧電物質あるいはマグネシウ
ム酸ニオベード（niobate）酸鉛（ＰＭＮ）のような電
歪物質のような電気的に変形可能な物質（ｅｌｅｃｔｒ
ｏｄｉｓｐｌａｃｉｖｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）からなる
薄膜層２２、第１電極２３、第２電極２４及びセラミッ
クスからなる弾性層２５を備えており、ここで第１及び
第２電極２３，２４は、電気的に変形可能な層２２の上
面及び下面に、弾性層２５は第２電極２４の下面に各々
位置する。各支持部１６は各駆動構造１４によって片持
ち梁式に駆動構造１４を適当な位置に固定させるととも
に、例えば、タングステン（Ｗ）のような金属からなる
コンジット２６が設けられているので、各駆動構造１４
及び能動マトリックス１２を電気的に接続するのに用い
られる。さらに、アルミニウム（Ａｌ）のような光反射
物質からなる各ミラー１８が各駆動構造１４の上面に置
かれている。
Ｎ個のトランジスタのアレー（図示せず）及びＭ×Ｎ個
の接続端子２１からなるアレー２０を備える。アレー１
０における各駆動構造１４は、例えば、ジルコン酸チタ
ン酸鉛（ＰＺＴ）のような圧電物質あるいはマグネシウ
ム酸ニオベード（niobate）酸鉛（ＰＭＮ）のような電
歪物質のような電気的に変形可能な物質（ｅｌｅｃｔｒ
ｏｄｉｓｐｌａｃｉｖｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）からなる
薄膜層２２、第１電極２３、第２電極２４及びセラミッ
クスからなる弾性層２５を備えており、ここで第１及び
第２電極２３，２４は、電気的に変形可能な層２２の上
面及び下面に、弾性層２５は第２電極２４の下面に各々
位置する。各支持部１６は各駆動構造１４によって片持
ち梁式に駆動構造１４を適当な位置に固定させるととも
に、例えば、タングステン（Ｗ）のような金属からなる
コンジット２６が設けられているので、各駆動構造１４
及び能動マトリックス１２を電気的に接続するのに用い
られる。さらに、アルミニウム（Ａｌ）のような光反射
物質からなる各ミラー１８が各駆動構造１４の上面に置
かれている。
【０００６】薄膜アクチュエーテッドミラーアレー１０
において、各駆動構造１４において第１及び第２電極２
３，２４の間に置かれる電気的に変形可能な層２２に電
気信号が加えられると、変形が起こり、それによってそ
の上部に位置するミラー１８が変形を起こすことによっ
て、入射光ビームの光路が変わる。しかし、上述した薄
膜のアクチュエーテッドミラー１１からなるアレー１０
に関連する多くの問題点がある。各駆動構造１４におけ
る第１電極２３がアレー１０において同列または同行の
他の駆動構造１４の第１電極２３と内部接続されている
ために、駆動構造１４の一つが例えば短絡などによって
作動不能となると、アレー１０における同列または同行
において他の全ての駆動構造１４が作動不能になるとい
う問題点がある。さらに、各駆動薄膜構造１４にセラミ
ックスからなる弾性体２５が存在するために、ただでさ
えこみ入った全製造工程をさらに複雑にする付加的な薄
膜製造工程を必要とするという問題点がある。
において、各駆動構造１４において第１及び第２電極２
３，２４の間に置かれる電気的に変形可能な層２２に電
気信号が加えられると、変形が起こり、それによってそ
の上部に位置するミラー１８が変形を起こすことによっ
て、入射光ビームの光路が変わる。しかし、上述した薄
膜のアクチュエーテッドミラー１１からなるアレー１０
に関連する多くの問題点がある。各駆動構造１４におけ
る第１電極２３がアレー１０において同列または同行の
他の駆動構造１４の第１電極２３と内部接続されている
ために、駆動構造１４の一つが例えば短絡などによって
作動不能となると、アレー１０における同列または同行
において他の全ての駆動構造１４が作動不能になるとい
う問題点がある。さらに、各駆動薄膜構造１４にセラミ
ックスからなる弾性体２５が存在するために、ただでさ
えこみ入った全製造工程をさらに複雑にする付加的な薄
膜製造工程を必要とするという問題点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、光投射型システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アク
チュエーテッドミラーアレーであって、各アクチュエー
テッドミラーにおける第１電極が、そのアレーにおい
て、同列あるいは同行の他のアクチュエーテッドミラー
の第１電極と連結されないようにすることによって、バ
イアス電圧が各アクチュエーテッドミラーに各々別々に
加えられるような薄膜アクチュエーテッドミラーアレー
を提供することにある。
は、光投射型システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アク
チュエーテッドミラーアレーであって、各アクチュエー
テッドミラーにおける第１電極が、そのアレーにおい
て、同列あるいは同行の他のアクチュエーテッドミラー
の第１電極と連結されないようにすることによって、バ
イアス電圧が各アクチュエーテッドミラーに各々別々に
加えられるような薄膜アクチュエーテッドミラーアレー
を提供することにある。
【０００８】また、本発明の他の目的は、そのようなＭ
×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方
法を提供することにある。
×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方
法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために、本発明の一側面によれば、光投射型システ
ムに用いられる入射光ビームの光路にずれを起こすこと
ができるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーのア
レーであって、基板と、各薄膜アクチュエーテッドミラ
ーに対してバイアス電圧を送る電気伝導性ラインパター
ンと、各々が各薄膜アクチュエーテッドミラーに対して
電気信号を与えることができるＭ×Ｎ個のトランジスタ
のアレーと、各対に於いて一方の接続端子は前記トラン
ジスタの一つに電気的に接続されており、他方の接続端
子は前記電気伝導性ラインパターンに電気的に接続され
ているＭ×Ｎ対の接続端子アレーとからなる能動マトリ
ックスと、第１、第２及び第３コンジットのＭ×Ｎ個の
トリニティ（trinity）であって、前記第１コンジット
はトランジスタに接続された接続端子に、前記第２コン
ジットは電気伝導性ラインパターンに電気的に接続され
ている該Ｍ×Ｎ個のトリニティと、各々前記第１及び第
２コンジットを含むＭ×Ｎ個の支持部のアレーと、Ｍ×
Ｎ個の薄膜駆動構造からなるアレーであって、該薄膜駆
動構造の各々は電気伝導性でかつ光反射性を有する物質
からなる第１層、上下面を有する電気的に変形可能な層
及び電気伝導性物質からなる第２層を備えており、該第
１及び第２層は、前記電気的に変形可能な層の上下面に
それぞれ配置されており、前記各駆動構造は近位端部及
び遠位端部を備え、前記各駆動構造の近位端部は前記各
支持部の上部に固着され、前記第３コンジットが前記第
１及び第２層の間に形成され、前記各駆動構造の第１層
は第２及び第３コンジットを通して前記電気伝導性ライ
ンパターンに接続された接続端子に電気的に接続され
て、光ビームを反射するためのミラーとしてのみならず
バイアス電極としても働き、また前記第２層は第１コン
ジットを通して前記トランジスタに接続された接続端子
に電気的に接続されて信号電極として働き、前記第１及
び第２層の間の電気的に変形可能な層に加えられる電気
信号によって該電気的に変形可能な層が変形し、その結
果、ミラーとして機能する前記第１層を含む前記各駆動
構造も変形されることによって、入射光ビームの光路を
変化させることができる該アレーとを備えることを特徴
とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー
が提供される。
するために、本発明の一側面によれば、光投射型システ
ムに用いられる入射光ビームの光路にずれを起こすこと
ができるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーのア
レーであって、基板と、各薄膜アクチュエーテッドミラ
ーに対してバイアス電圧を送る電気伝導性ラインパター
ンと、各々が各薄膜アクチュエーテッドミラーに対して
電気信号を与えることができるＭ×Ｎ個のトランジスタ
のアレーと、各対に於いて一方の接続端子は前記トラン
ジスタの一つに電気的に接続されており、他方の接続端
子は前記電気伝導性ラインパターンに電気的に接続され
ているＭ×Ｎ対の接続端子アレーとからなる能動マトリ
ックスと、第１、第２及び第３コンジットのＭ×Ｎ個の
トリニティ（trinity）であって、前記第１コンジット
はトランジスタに接続された接続端子に、前記第２コン
ジットは電気伝導性ラインパターンに電気的に接続され
ている該Ｍ×Ｎ個のトリニティと、各々前記第１及び第
２コンジットを含むＭ×Ｎ個の支持部のアレーと、Ｍ×
Ｎ個の薄膜駆動構造からなるアレーであって、該薄膜駆
動構造の各々は電気伝導性でかつ光反射性を有する物質
からなる第１層、上下面を有する電気的に変形可能な層
及び電気伝導性物質からなる第２層を備えており、該第
１及び第２層は、前記電気的に変形可能な層の上下面に
それぞれ配置されており、前記各駆動構造は近位端部及
び遠位端部を備え、前記各駆動構造の近位端部は前記各
支持部の上部に固着され、前記第３コンジットが前記第
１及び第２層の間に形成され、前記各駆動構造の第１層
は第２及び第３コンジットを通して前記電気伝導性ライ
ンパターンに接続された接続端子に電気的に接続され
て、光ビームを反射するためのミラーとしてのみならず
バイアス電極としても働き、また前記第２層は第１コン
ジットを通して前記トランジスタに接続された接続端子
に電気的に接続されて信号電極として働き、前記第１及
び第２層の間の電気的に変形可能な層に加えられる電気
信号によって該電気的に変形可能な層が変形し、その結
果、ミラーとして機能する前記第１層を含む前記各駆動
構造も変形されることによって、入射光ビームの光路を
変化させることができる該アレーとを備えることを特徴
とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー
が提供される。
【００１０】また、本発明の他の側面によれば、Ｍ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法で
あって、（ａ）上面を有する能動マトリックスを与える
過程であって、該能動マトリックスは、基板、Ｍ×Ｎ個
のトランジスタアレー、前記上面上に配置されたＭ×Ｎ
対の接続端子アレー及び電気伝導性ラインパターンを備
える該過程と、（ｂ）前記能動マトリックスの上面にＭ
×Ｎ対の接続端子を覆う犠牲層を形成する過程と、
（ｃ）接続端子の各対を取囲んでいる犠牲層の部分を除
去する過程と、（ｄ）前記除去された部分に絶縁物質を
満たして前記接続端子の各対の周りに支持部を形成する
過程と、（ｅ）前記各々の支持部に一対の第１及び第２
コンジットを形成する過程であって、各々のコンジット
は前記支持部の上部から各接続端子に伸びて、第１コン
ジットは前記トランジスタに、第２コンジットは前記電
気伝導性ラインパターンに電気的に接続される該過程
と、（ｆ）前記犠牲層と前記支持部の上部に電気伝導性
物質からなる第２薄膜層を沈積させる過程と、（ｇ）前
記第２コンジットの各々を取囲む第２薄膜層の一部分を
除去する過程と、（ｈ）前記除去された部分に絶縁物質
を満たして前記第１コンジットと前記第２コンジットと
を電気的に分離し、これによって前記第１接続端子と前
記第２接続端子とを分離する過程と、（ｉ）前記第２層
の上部に電気的に変形可能な薄膜層を形成する過程と、
（ｊ）前記電気的に変形可能な層中に電気的に変形可能
な物質の除去されたＭ×Ｎ個の除去部分アレーを形成す
る過程と、（ｋ）前記除去部分に電気伝導性物質を満た
してＭ×Ｎ個の第３コンジットアレーを形成する過程
と、（ｌ）電気伝導性でかつ光反射性を有する物質から
なる第１薄膜層を沈積してアクチュエーテッドミラー構
造を形成する過程と、（ｍ）前記アクチュエーテッドミ
ラー構造をＭ×Ｎ個の未完成アクチュエーテッドミラー
構造アレーにパターン付けする過程と、（ｎ）前記各未
完成アクチュエーテッドミラー構造における第１薄膜層
を近位端部及び遠位端部にパターン付けする過程であっ
て、該近位及び遠位端部は互いに物理的かつ電気的に分
離されるとともに、近位端部は第３コンジットと電気的
に接続される該過程と、（ｏ）前記犠牲層を全て除去し
て完成したＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア
レーを形成する過程とを含むことを特徴とするＭ×Ｎ個
の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法が提
供される。
個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法で
あって、（ａ）上面を有する能動マトリックスを与える
過程であって、該能動マトリックスは、基板、Ｍ×Ｎ個
のトランジスタアレー、前記上面上に配置されたＭ×Ｎ
対の接続端子アレー及び電気伝導性ラインパターンを備
える該過程と、（ｂ）前記能動マトリックスの上面にＭ
×Ｎ対の接続端子を覆う犠牲層を形成する過程と、
（ｃ）接続端子の各対を取囲んでいる犠牲層の部分を除
去する過程と、（ｄ）前記除去された部分に絶縁物質を
満たして前記接続端子の各対の周りに支持部を形成する
過程と、（ｅ）前記各々の支持部に一対の第１及び第２
コンジットを形成する過程であって、各々のコンジット
は前記支持部の上部から各接続端子に伸びて、第１コン
ジットは前記トランジスタに、第２コンジットは前記電
気伝導性ラインパターンに電気的に接続される該過程
と、（ｆ）前記犠牲層と前記支持部の上部に電気伝導性
物質からなる第２薄膜層を沈積させる過程と、（ｇ）前
記第２コンジットの各々を取囲む第２薄膜層の一部分を
除去する過程と、（ｈ）前記除去された部分に絶縁物質
を満たして前記第１コンジットと前記第２コンジットと
を電気的に分離し、これによって前記第１接続端子と前
記第２接続端子とを分離する過程と、（ｉ）前記第２層
の上部に電気的に変形可能な薄膜層を形成する過程と、
（ｊ）前記電気的に変形可能な層中に電気的に変形可能
な物質の除去されたＭ×Ｎ個の除去部分アレーを形成す
る過程と、（ｋ）前記除去部分に電気伝導性物質を満た
してＭ×Ｎ個の第３コンジットアレーを形成する過程
と、（ｌ）電気伝導性でかつ光反射性を有する物質から
なる第１薄膜層を沈積してアクチュエーテッドミラー構
造を形成する過程と、（ｍ）前記アクチュエーテッドミ
ラー構造をＭ×Ｎ個の未完成アクチュエーテッドミラー
構造アレーにパターン付けする過程と、（ｎ）前記各未
完成アクチュエーテッドミラー構造における第１薄膜層
を近位端部及び遠位端部にパターン付けする過程であっ
て、該近位及び遠位端部は互いに物理的かつ電気的に分
離されるとともに、近位端部は第３コンジットと電気的
に接続される該過程と、（ｏ）前記犠牲層を全て除去し
て完成したＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア
レーを形成する過程とを含むことを特徴とするＭ×Ｎ個
の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法が提
供される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の好的実施例について、図面を
参照しながらより詳しく説明する。
参照しながらより詳しく説明する。
【００１２】図２〜図１２に、本発明の好的実施例によ
る光投射型システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチ
ュエーテッドミラー２０１のアレー２００の断面図及び
平面図とその製造方法が概略的に示されている。ここで
Ｍ及びＮは正の整数である。図２〜図１２において同一
の部分は同一参照番号を付して使用したことに注意すべ
きである。
る光投射型システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチ
ュエーテッドミラー２０１のアレー２００の断面図及び
平面図とその製造方法が概略的に示されている。ここで
Ｍ及びＮは正の整数である。図２〜図１２において同一
の部分は同一参照番号を付して使用したことに注意すべ
きである。
【００１３】図２は、能動マトリックス２０２、Ｍ×Ｎ
個の支持部２０４からなるアレー２０３、第１，第２及
び第３コンジット１０４，１０５及び２０５からなるＭ
×Ｎ個のトリニティ（trinity）及びＭ×Ｎ個の薄膜駆
動構造２０７からなるアレー２０６を含むアレー２００
の断面図を示したものである。
個の支持部２０４からなるアレー２０３、第１，第２及
び第３コンジット１０４，１０５及び２０５からなるＭ
×Ｎ個のトリニティ（trinity）及びＭ×Ｎ個の薄膜駆
動構造２０７からなるアレー２０６を含むアレー２００
の断面図を示したものである。
【００１４】能動マトリックス２０２は、基板２０８、
Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレー（図示せず）、第１及
び第２接続端子２１０のＭ×Ｎ対のアレー２０９及び電
気伝導性ラインパターン（図示せず）を備えている。各
トランジスタは電気信号を各薄膜アクチュエーテッドミ
ラー２０１に与え、電気伝導性ラインパターンはそれに
バイアス電圧を与える役割をし、また各接続端子対の第
１及び第２接続端子２１０は、トランジスタ及び電気伝
導性ラインパターンに各々電気的に連結されている。
Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレー（図示せず）、第１及
び第２接続端子２１０のＭ×Ｎ対のアレー２０９及び電
気伝導性ラインパターン（図示せず）を備えている。各
トランジスタは電気信号を各薄膜アクチュエーテッドミ
ラー２０１に与え、電気伝導性ラインパターンはそれに
バイアス電圧を与える役割をし、また各接続端子対の第
１及び第２接続端子２１０は、トランジスタ及び電気伝
導性ラインパターンに各々電気的に連結されている。
【００１５】酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの絶縁物質
からなる各支持部２０４は、タングステン（Ｗ）などの
金属からなる第１コンジット１０４及び第２コンジット
１０５が設けられており、ここで第１コンジット１０４
及び第２コンジット１０５は、接続端子対の第１及び第
２接続端子２１０に各々電気的に連結されている。
からなる各支持部２０４は、タングステン（Ｗ）などの
金属からなる第１コンジット１０４及び第２コンジット
１０５が設けられており、ここで第１コンジット１０４
及び第２コンジット１０５は、接続端子対の第１及び第
２接続端子２１０に各々電気的に連結されている。
【００１６】各駆動構造２０７は第１層２１１、上下面
２１３，２１４を有する電気的に変形可能な層２１２、
第３コンジット２０５及び第２層２１５を備える。さら
に、各駆動構造２０７は近位端部２１６及び遠位端部２
１７に分けられている。第１層２１１は銀（Ａｇ）など
の電気伝導性でかつ光反射性を有する物質からなってお
り、かつ５００〜２０００オングストロームの厚さで形
成される。電気的に変形可能な層２１２はＰＺＴなどの
圧電物質またはＰＭＮなどの電歪物質からなっており、
かつ０．７〜２μｍの厚さで形成される。また、第２層
２１５は白金（Ｐｔ）などの電気伝導性物質からなって
おり、かつ０．７〜２μｍの厚さで形成される。
２１３，２１４を有する電気的に変形可能な層２１２、
第３コンジット２０５及び第２層２１５を備える。さら
に、各駆動構造２０７は近位端部２１６及び遠位端部２
１７に分けられている。第１層２１１は銀（Ａｇ）など
の電気伝導性でかつ光反射性を有する物質からなってお
り、かつ５００〜２０００オングストロームの厚さで形
成される。電気的に変形可能な層２１２はＰＺＴなどの
圧電物質またはＰＭＮなどの電歪物質からなっており、
かつ０．７〜２μｍの厚さで形成される。また、第２層
２１５は白金（Ｐｔ）などの電気伝導性物質からなって
おり、かつ０．７〜２μｍの厚さで形成される。
【００１７】各駆動構造２０７において、第１層２１１
及び第２層２１５は、電気的に変形可能な層２１２の上
面２１３及び下面２１４上に置かれており、その近位端
部２１６は各支持部２０４の上部に固着されている。さ
らに、第２層２１５の近位端部２１６の第２コンジット
１０５を囲みかつ電気的に連結している部分１０７が除
去され、その除去された部分に酸化シリコンなどの絶縁
物質が満たされ、第１コンジット１０４が第２コンジッ
ト１０５から電気的に分離され、第２層２１５が第１コ
ンジット１０４を通じてトランジスタに連結されて第２
層２１５が信号電極として機能するようになっている。
第３コンジット２０５は、第１層２１１と第２コンジッ
ト１０５に電気的に連結される第２層２１５の部分を電
気的に連結しており、第１層２１１が第２コンジット１
０５及び第３コンジット２０５を通じて電気伝導性ライ
ンパターンに電気的に連結されるようにすることによっ
て、第１層２１１が光ビームを反射するためのミラーと
しての機能の他に、バイアス電極としても機能するよう
になっている。
及び第２層２１５は、電気的に変形可能な層２１２の上
面２１３及び下面２１４上に置かれており、その近位端
部２１６は各支持部２０４の上部に固着されている。さ
らに、第２層２１５の近位端部２１６の第２コンジット
１０５を囲みかつ電気的に連結している部分１０７が除
去され、その除去された部分に酸化シリコンなどの絶縁
物質が満たされ、第１コンジット１０４が第２コンジッ
ト１０５から電気的に分離され、第２層２１５が第１コ
ンジット１０４を通じてトランジスタに連結されて第２
層２１５が信号電極として機能するようになっている。
第３コンジット２０５は、第１層２１１と第２コンジッ
ト１０５に電気的に連結される第２層２１５の部分を電
気的に連結しており、第１層２１１が第２コンジット１
０５及び第３コンジット２０５を通じて電気伝導性ライ
ンパターンに電気的に連結されるようにすることによっ
て、第１層２１１が光ビームを反射するためのミラーと
しての機能の他に、バイアス電極としても機能するよう
になっている。
【００１８】図３を参照すれば、第１層２１１は、近位
端部２１６及び遠位端部２１７に分けられていて、ここ
で第１層２１１の両端部２１６，２１７は互いに電気的
かつ物理的に分離されていて、また、近位端部２１６は
第３コンジット２０５に、即ち電気伝導性ラインパター
ンに電気的に連結されている。
端部２１６及び遠位端部２１７に分けられていて、ここ
で第１層２１１の両端部２１６，２１７は互いに電気的
かつ物理的に分離されていて、また、近位端部２１６は
第３コンジット２０５に、即ち電気伝導性ラインパター
ンに電気的に連結されている。
【００１９】電気信号が第１層及び第２層２１１，２１
５の間の電気的に変形可能な層２１２に加えらると、ミ
ラーとして作用する第１層２１１を含む駆動構造２０７
の変形が起こり、入射する光ビームの光路が変えられ
る。
５の間の電気的に変形可能な層２１２に加えらると、ミ
ラーとして作用する第１層２１１を含む駆動構造２０７
の変形が起こり、入射する光ビームの光路が変えられ
る。
【００２０】本発明のＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミ
ラー２０１のアレー２００において、従来技術のアレー
１０と違って、バイアス電圧が各アクチュエーテッドミ
ラー２０１各々に加えることによって、一つのアクチュ
エーテッドミラー２０１が駆動しなくでも同一の列また
は行における他のアクチュエーテッドミラー２０１は駆
動することができる。
ラー２０１のアレー２００において、従来技術のアレー
１０と違って、バイアス電圧が各アクチュエーテッドミ
ラー２０１各々に加えることによって、一つのアクチュ
エーテッドミラー２０１が駆動しなくでも同一の列また
は行における他のアクチュエーテッドミラー２０１は駆
動することができる。
【００２１】図４〜図１２は、本発明のよるＭ×Ｎ個の
薄膜アクチュエーテッドミラー２０１の２００の製造方
法を表す。図４に示したように、アクチュエーテッドミ
ラーアレー２０１のアレー２００の製造プロセスは、上
面２２０を有して、基板２０８、Ｍ×Ｎ個のトランジス
ター（図示せず）のアレー、電気伝導性ラインパターン
（図示せず）及びＭ×Ｎ対の第１及び第２接続端子２１
０のアレー２０９からなる能動マトリックス２０２を用
意することから始まる。
薄膜アクチュエーテッドミラー２０１の２００の製造方
法を表す。図４に示したように、アクチュエーテッドミ
ラーアレー２０１のアレー２００の製造プロセスは、上
面２２０を有して、基板２０８、Ｍ×Ｎ個のトランジス
ター（図示せず）のアレー、電気伝導性ラインパターン
（図示せず）及びＭ×Ｎ対の第１及び第２接続端子２１
０のアレー２０９からなる能動マトリックス２０２を用
意することから始まる。
【００２２】次の過程において、図５に示したように、
銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属、ＰＳＧ（ph
osphor-silicate glass）、またはポリ−シリコンから
なる犠牲層２２１が１〜２μｍの厚さで能動マトリック
ス２０２の上面２２０に形成されるが、層２２１が金属
からなる場合にはスパッタリング法で、ＰＳＧからなる
場合にはスピンコーティング法または化学蒸着法（ＣＶ
Ｄ）で、ポリ−シリコンからなる場合にはＣＶＤ法で形
成される。
銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属、ＰＳＧ（ph
osphor-silicate glass）、またはポリ−シリコンから
なる犠牲層２２１が１〜２μｍの厚さで能動マトリック
ス２０２の上面２２０に形成されるが、層２２１が金属
からなる場合にはスパッタリング法で、ＰＳＧからなる
場合にはスピンコーティング法または化学蒸着法（ＣＶ
Ｄ）で、ポリ−シリコンからなる場合にはＣＶＤ法で形
成される。
【００２３】次いで、図６に示したように、犠牲層２２
１とＭ×Ｎ個の支持部２０４のアレー２０３を含む第１
支持層２２２が形成されており、ここで第１支持層２２
２は、前記犠牲層２２１にフォトリソグラフィー法を用
いて接続端子２１０の各対の周りに位置するＭ×Ｎ個の
空スロット（図示せず）のアレーを形成し、さらにその
空スロットに酸化シリコンなどのセラミックスからなる
支持部２０４をＣＶＤ法あるいはスパッタリング法を用
いて形成することによって形成される。
１とＭ×Ｎ個の支持部２０４のアレー２０３を含む第１
支持層２２２が形成されており、ここで第１支持層２２
２は、前記犠牲層２２１にフォトリソグラフィー法を用
いて接続端子２１０の各対の周りに位置するＭ×Ｎ個の
空スロット（図示せず）のアレーを形成し、さらにその
空スロットに酸化シリコンなどのセラミックスからなる
支持部２０４をＣＶＤ法あるいはスパッタリング法を用
いて形成することによって形成される。
【００２４】その後、図７を参照すれば、第１層２１１
を電気伝導性ラインパターンと、第２層２１５をトラン
ジスタと各々電気的に連結するためのタングステンなど
の金属からなる第１コンジット１０４及び第２コンジッ
ト１０５が各支持部２０４において形成されるが、これ
は最初に、エッチング法を用いて支持部２０４の上部か
ら各接続端子２１０の上部までの一対の開口を作った
後、その開口にタングステンなどの金属を満たすことに
よって形成される。
を電気伝導性ラインパターンと、第２層２１５をトラン
ジスタと各々電気的に連結するためのタングステンなど
の金属からなる第１コンジット１０４及び第２コンジッ
ト１０５が各支持部２０４において形成されるが、これ
は最初に、エッチング法を用いて支持部２０４の上部か
ら各接続端子２１０の上部までの一対の開口を作った
後、その開口にタングステンなどの金属を満たすことに
よって形成される。
【００２５】次いで、図８に示したように、白金などの
電気伝導性物質からなり、０．７〜２μｍの厚さを有す
る第２薄膜層２２３がスパッタリング法を用いて第１支
持層２２２の上部に形成される。各アクチュエーテッド
ミラーにおける各第２層２１５は各支持部２０４に形成
される第１コンジット１０４を通じて対応するトランジ
スタに電気的に連結される。
電気伝導性物質からなり、０．７〜２μｍの厚さを有す
る第２薄膜層２２３がスパッタリング法を用いて第１支
持層２２２の上部に形成される。各アクチュエーテッド
ミラーにおける各第２層２１５は各支持部２０４に形成
される第１コンジット１０４を通じて対応するトランジ
スタに電気的に連結される。
【００２６】その後、各第２コンジット１０５の周りの
第２薄膜層２２３の部分を除去して、その除去された部
分に酸化シリコンなどの絶縁物質を満たし第１コンジッ
ト１０４と第２コンジット１０５とを、電気的に分離さ
せる。
第２薄膜層２２３の部分を除去して、その除去された部
分に酸化シリコンなどの絶縁物質を満たし第１コンジッ
ト１０４と第２コンジット１０５とを、電気的に分離さ
せる。
【００２７】その後、図９に示したように、ＰＺＴなど
の圧電物質またはＰＭＮなどの電歪物質からなる電気的
に変形可能な薄膜層２２５がゾル−ゲル（Sol-Gel）法
あるいはスパッタリング法を用いて、第２薄膜層２２３
の上部に形成されて、またその相転移（phase transiti
on）が起こるように熱処理される。この電気的に変形可
能な薄膜層２２５は充分に薄いので、別途分極する必要
はなく、対応するアクチュエーテッドミラー２０１の駆
動時に加えられる電気信号によって分極される。
の圧電物質またはＰＭＮなどの電歪物質からなる電気的
に変形可能な薄膜層２２５がゾル−ゲル（Sol-Gel）法
あるいはスパッタリング法を用いて、第２薄膜層２２３
の上部に形成されて、またその相転移（phase transiti
on）が起こるように熱処理される。この電気的に変形可
能な薄膜層２２５は充分に薄いので、別途分極する必要
はなく、対応するアクチュエーテッドミラー２０１の駆
動時に加えられる電気信号によって分極される。
【００２８】次いで、図１０を参照すれば、Ｍ×Ｎ個の
第３コンジット２０５のアレーが電気的に変形可能な薄
膜層２２５に形成されている。最初にフォトリソグラフ
ィー法を用いて電気的に変形可能な薄膜層２２５に、第
２薄膜層２２３の中の第２コンジット１０５を含み第１
コンジット１０４と電気的に分離された部分の上部に位
置するＭ×Ｎ個の除去部アレーを形成し、その除去部分
にタングステンなどの電気伝導性物質を満たすことによ
ってＭ×Ｎ個の第３コンジット２０５を形成する。
第３コンジット２０５のアレーが電気的に変形可能な薄
膜層２２５に形成されている。最初にフォトリソグラフ
ィー法を用いて電気的に変形可能な薄膜層２２５に、第
２薄膜層２２３の中の第２コンジット１０５を含み第１
コンジット１０４と電気的に分離された部分の上部に位
置するＭ×Ｎ個の除去部アレーを形成し、その除去部分
にタングステンなどの電気伝導性物質を満たすことによ
ってＭ×Ｎ個の第３コンジット２０５を形成する。
【００２９】その後、図１１を参照すれば、銀などの電
気伝導性でかつ光反射を有する物質からなる第１薄膜層
２２６が５００〜２０００オングストロームの厚さで、
スパッタリング法を用いて、Ｍ×Ｎ個の第３コンジット
２０５アレーを含む電気的に変形可能な薄膜層２２５の
上部に形成されてアクチュエーテッドミラー構造２２７
を作る。
気伝導性でかつ光反射を有する物質からなる第１薄膜層
２２６が５００〜２０００オングストロームの厚さで、
スパッタリング法を用いて、Ｍ×Ｎ個の第３コンジット
２０５アレーを含む電気的に変形可能な薄膜層２２５の
上部に形成されてアクチュエーテッドミラー構造２２７
を作る。
【００３０】このアクチュエーテッドミラー構造は、そ
の後、フォトリソグラフィー法またはレーザ切断法を用
いてＭ×Ｎ個の未完成アクチュエーテッドミラー構造の
アレーにパターン付けされる。各未完成アクチュエーテ
ッドミラー構造の第１薄膜層は、フォトリソグラフィー
法を用いて両端部に分けられてＭ×Ｎ個のアクチュエー
テッドミラーアレー構造を形成し、ここでその両端部は
互いに電気的かつ物理的に分けられており、その一端部
は第３コンジット２０５と電気的に接続され、さらに、
この第３コンジット２０５が、接続端子２１０と第２コ
ンジット１０５とを通して電気伝導性ラインパターンに
接続されているため、バイアス電極としての役割を果た
す。
の後、フォトリソグラフィー法またはレーザ切断法を用
いてＭ×Ｎ個の未完成アクチュエーテッドミラー構造の
アレーにパターン付けされる。各未完成アクチュエーテ
ッドミラー構造の第１薄膜層は、フォトリソグラフィー
法を用いて両端部に分けられてＭ×Ｎ個のアクチュエー
テッドミラーアレー構造を形成し、ここでその両端部は
互いに電気的かつ物理的に分けられており、その一端部
は第３コンジット２０５と電気的に接続され、さらに、
この第３コンジット２０５が、接続端子２１０と第２コ
ンジット１０５とを通して電気伝導性ラインパターンに
接続されているため、バイアス電極としての役割を果た
す。
【００３１】その後、図１２に示したように、各アクチ
ュエーテッドミラー構造における犠牲層２２１がエッチ
ング方法を用いて除去されてＭ×Ｎ個のアクチュエーテ
ッドミラー２０１のアレー２００が形成される。
ュエーテッドミラー構造における犠牲層２２１がエッチ
ング方法を用いて除去されてＭ×Ｎ個のアクチュエーテ
ッドミラー２０１のアレー２００が形成される。
【００３２】上記において、本発明の特定の実施例につ
いて説明したが、本発明の範囲を逸脱することなく当業
者は種々の改変をなし得るであろう。
いて説明したが、本発明の範囲を逸脱することなく当業
者は種々の改変をなし得るであろう。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、従来の技術と異なり、
バイアス電圧が各アクチュエーテッドミラーアレーに各
々加えられるので、一つのアクチュエーテッドミラーが
駆動しなくでも同一の列または行上の他のアクチュエー
テッドミラーを駆動することができ、さらに各薄膜駆動
構造にセラミックスからなる弾性体が存在しないために
製造工程が簡単になる。
バイアス電圧が各アクチュエーテッドミラーアレーに各
々加えられるので、一つのアクチュエーテッドミラーが
駆動しなくでも同一の列または行上の他のアクチュエー
テッドミラーを駆動することができ、さらに各薄膜駆動
構造にセラミックスからなる弾性体が存在しないために
製造工程が簡単になる。
【図１】従来のＭ×Ｎ個の薄膜型アクチュエーテッドミ
ラーアレーの断面図である。
ラーアレーの断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレーの断面図である。
アクチュエーテッドミラーアレーの断面図である。
【図３】図２に示したアレーの薄膜アクチュエーテッド
ミラーアレーの平面図である。
ミラーアレーの平面図である。
【図４】本発明の好ましい実施例による薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概略
断面図である。
ーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概略
断面図である。
【図５】本発明の好ましい実施例による薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概略
断面図である。
ーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概略
断面図である。
【図６】本発明の好ましい実施例による薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概略
断面図である。
ーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概略
断面図である。
【図７】本発明の好ましい実施例による薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概略
断面図である。
ーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概略
断面図である。
【図８】本発明の好ましい実施例による薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概略
断面図である。
ーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概略
断面図である。
【図９】本発明の好ましい実施例による薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概略
断面図である。
ーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概略
断面図である。
【図１０】本発明の好ましい実施例による薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概
略断面図である。
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概
略断面図である。
【図１１】本発明の好ましい実施例による薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概
略断面図である。
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概
略断面図である。
【図１２】本発明の好ましい実施例による薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概
略断面図である。
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明するための概
略断面図である。
１０４ 第１コンジット １０５ 第２コンジット ２００ 薄膜アクチュエーテッドミラーアレー ２０１ 薄膜アクチュエーテッドミラー ２０２ 能動マトリックス ２０３ 支持部のアレー ２０４ 支持部 ２０５ 第３コンジット ２０６ 薄膜駆動構造のアレー ２０７ 薄膜駆動構造 ２０８ 基板 ２０９ 接続端子対のアレー ２１０ 接続端子 ２１１ 第１層 ２１２ 電気的に変形可能な層 ２１３ 層２１２の上面 ２１４ 層２１２の下面 ２１５ 第２層 ２１６ 薄膜駆動構造の近位端部 ２１７ 薄膜駆動構造の遠位端部 ２２０ 能動マトリックスの上面 ２２１ 犠牲層 ２２２ 第１支持層 ２２３ 第２薄膜層 ２２５ 電気的に変形可能な薄膜層 ２２６ 第１薄膜層 ２２７ アクチュエーテッドミラー構造
Claims (18)
- 【請求項１】 光投射型システムに用いられる入射光
ビームの光路にずれを起こすことができるＭ×Ｎ個の薄
膜アクチュエーテッドミラーのアレーであって、 基板と、各薄膜アクチュエーテッドミラーに対してバイ
アス電圧を送る電気伝導性ラインパターンと、各々が各
薄膜アクチュエーテッドミラーに対して電気信号を与え
ることができるＭ×Ｎ個のトランジスタのアレーと、各
対に於いて一方の接続端子は前記トランジスタの一つに
電気的に接続されており、他方の接続端子は前記電気伝
導性ラインパターンに電気的に接続されているＭ×Ｎ対
の接続端子アレーとからなる能動マトリックスと、 第１、第２及び第３コンジットのＭ×Ｎ個のトリニティ
（trinity）であって、前記第１コンジットはトランジ
スタに接続された接続端子に、前記第２コンジットは電
気伝導性ラインパターンに電気的に接続されている該Ｍ
×Ｎ個のトリニティと、 各々前記第１及び第２コンジットを含むＭ×Ｎ個の支持
部のアレーと、 Ｍ×Ｎ個の薄膜駆動構造からなるアレーであって、該薄
膜駆動構造の各々は電気伝導性でかつ光反射性を有する
物質からなる第１層、上下面を有する電気的に変形可能
な層及び電気伝導性物質からなる第２層を備えており、
該第１及び第２層は、前記電気的に変形可能な層の上下
面にそれぞれ配置されており、前記各駆動構造は近位端
部及び遠位端部を備え、前記各駆動構造の近位端部は前
記各支持部の上部に固着され、前記第３コンジットが前
記第１及び第２層の間に形成され、前記各駆動構造の第
１層は第２及び第３コンジットを通して前記電気伝導性
ラインパターンに接続された接続端子に電気的に接続さ
れて、光ビームを反射するためのミラーとしてのみなら
ずバイアス電極としても働き、また前記第２層は第１コ
ンジットを通して前記トランジスタに接続された接続端
子に電気的に接続されて信号電極として働き、前記第１
及び第２層の間の電気的に変形可能な層に加えられる電
気信号によって該電気的に変形可能な層が変形し、その
結果、ミラーとして機能する前記第１層を含む前記各駆
動構造も変形されることによって、入射光ビームの光路
を変化させることができる該アレーとを備えることを特
徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレ
ー。 - 【請求項２】 前記各アクチュエーテッドミラーにお
ける前記第１層が物理的かつ電気的に分離されて近位端
部及び遠位端部に分けられており、該近位端部は第３コ
ンジットと電気的に接続されることによってバイアス電
極として働き、前記遠位端部は光ビームを反射するため
のミラーとして働くことを特徴とする請求項１に記載の
Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー。 - 【請求項３】 前記第２層の厚さが０．７〜２μｍで
あることを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレー。 - 【請求項４】 前記電気的に変形可能な層の厚さが
０．７〜２μｍであることを特徴とする請求項１に記載
のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー。 - 【請求項５】 前記第２層と電気的に接続された前記
第１コンジットと前記第２コンジットとが該第２層に於
いて絶縁物質によって互いに電気的に分離されており、
第１コンジットのみが第２層が信号電極としての働きを
するように前記トランジスタと前記第２層とに電気的に
接続されていることを特徴とする請求項１に記載のＭ×
Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー。 - 【請求項６】 前記第１層がバイアス電極として働く
ように、前記各アクチュエーテッドミラーにおける前記
第３コンジットが、前記第２コンジットのみでなく前記
第１層と電気的に連結された前記第２層の一部と電気的
に接続されていることを特徴とする請求項５に記載のＭ
×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー。 - 【請求項７】 前記各アクチュエーテッドミラーアレ
ーにおける前記第１層の厚さが５００〜２０００オング
ストロームであることを特徴とする請求項１に記載のＭ
×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー。 - 【請求項８】 前記電気的に変形可能な層が圧電物質
あるいは電歪物質からなることを特徴とする請求項１に
記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレ
ー。 - 【請求項９】 前記請求項１乃至請求項８のいずれか
一つの構造を有するＭ×Ｎ個の薄膜型アクチュエーテッ
ドミラーアレーを含む光投射型システム。 - 【請求項１０】 Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド
ミラーアレーの製造方法であって、 （ａ）上面を有する能動マトリックスを与える過程であ
って、該能動マトリックスは、基板、Ｍ×Ｎ個のトラン
ジスタアレー、前記上面上に配置されたＭ×Ｎ対の接続
端子アレー及び電気伝導性ラインパターンを備える該過
程と、 （ｂ）前記能動マトリックスの上面にＭ×Ｎ対の接続端
子を覆う犠牲層を形成する過程と、 （ｃ）接続端子の各対を取囲んでいる犠牲層の部分を除
去する過程と、 （ｄ）前記除去された部分に絶縁物質を満たして前記接
続端子の各対の周りに支持部を形成する過程と、 （ｅ）前記各々の支持部に一対の第１及び第２コンジッ
トを形成する過程であって、各々のコンジットは前記支
持部の上部から各接続端子に伸びて、第１コンジットは
前記トランジスタに、第２コンジットは前記電気伝導性
ラインパターンに電気的に接続される該過程と、 （ｆ）前記犠牲層と前記支持部の上部に電気伝導性物質
からなる第２薄膜層を沈積させる過程と、 （ｇ）前記第２コンジットの各々を取囲む第２薄膜層の
一部分を除去する過程と、 （ｈ）前記除去された部分に絶縁物質を満たして前記第
１コンジットと前記第２コンジットとを電気的に分離
し、これによって前記第１接続端子と前記第２接続端子
とを分離する過程と、 （ｉ）前記第２層の上部に電気的に変形可能な薄膜層を
形成する過程と、 （ｊ）前記電気的に変形可能な層中に電気的に変形可能
な物質の除去されたＭ×Ｎ個の除去部分アレーを形成す
る過程と、 （ｋ）前記除去部分に電気伝導性物質を満たしてＭ×Ｎ
個の第３コンジットアレーを形成する過程と、 （ｌ）電気伝導性でかつ光反射性を有する物質からなる
第１薄膜層を沈積してアクチュエーテッドミラー構造を
形成する過程と、 （ｍ）前記アクチュエーテッドミラー構造をＭ×Ｎ個の
未完成アクチュエーテッドミラー構造アレーにパターン
付けする過程と、 （ｎ）前記各未完成アクチュエーテッドミラー構造にお
ける第１薄膜層を近位端部及び遠位端部にパターン付け
する過程であって、該近位及び遠位端部は互いに物理的
かつ電気的に分離されるとともに、近位端部は第３コン
ジットと電気的に接続される該過程と、 （ｏ）前記犠牲層を全て除去して完成したＭ×Ｎ個の薄
膜アクチュエーテッドミラーアレーを形成する過程とを
含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレーの製造方法。 - 【請求項１１】 前記犠牲層が、金属からなる場合は
スパッタリング法を用いて、ＰＳＧ（Phosphor-silicat
e glass）からなる場合は化学蒸着法（ＣＶＤ）を用い
て、ポリ−シリコンからなる場合はスピンコーテング法
を用いて形成されることを特徴とする請求項１０に記載
のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製
造方法。 - 【請求項１２】 前記第２薄膜層がスパッタリング法
を用いて形成されることを特徴とする請求項１１に記載
のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製
造方法。 - 【請求項１３】 前記電気的に変形可能な薄膜層がゾ
ル−ゲル（Sol-Gel）法あるいはスパッタリング法を用
いて形成されることを特徴とする請求項１０に記載のＭ
×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方
法。 - 【請求項１４】 前記第１層がスパッタリング法ある
いは真空蒸着法を用いて形成されることを特徴とする請
求項１０に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミ
ラーアレーの製造方法。 - 【請求項１５】 前記第１、第２及び第３コンジット
がスパッタリング法とフォトリソグラフィー法とを用い
て形成されることを特徴とする請求項１０に記載のＭ×
Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方
法。 - 【請求項１６】 前記アクチュエーテッドミラー構造
がフォトリソグラフィー法あるいはレーザ切断法によっ
てパターン付けされることを特徴とする請求項１０に記
載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの
製造方法。 - 【請求項１７】 前記犠牲層がエッチング法によって
除去されることを特徴とする請求項１０に記載のＭ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法。 - 【請求項１８】 前記請求項１０乃至請求項１７のい
ずれか一つの方法によって与えられたＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーアレーを含む光投射型システ
ム。
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