JPH08114758A - M×n個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法 - Google Patents
M×n個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法Info
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- JPH08114758A JPH08114758A JP7134737A JP13473795A JPH08114758A JP H08114758 A JPH08114758 A JP H08114758A JP 7134737 A JP7134737 A JP 7134737A JP 13473795 A JP13473795 A JP 13473795A JP H08114758 A JPH08114758 A JP H08114758A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 能動マトリックスのトランジスタの熱によ
る損壊を最少化するための薄膜アクチュエーテッドミラ
ーアレーの製造方法を提供すること。 【構成】 本発明の製造方法は、ベースを提供する過
程と、ベースの上面に犠牲層を成膜する過程と、電気的
に変形可能な層、第2薄膜層、弾性層、及び犠牲層を分
離層の上に順に形成する過程と、コンジットを有するM
×N個の支持部のアレーを形成する過程と、多層アクチ
ュエーテッドミラー構造のアレーを形成するようにパタ
ーン付けする過程と、多層アクチュエーテッドミラーア
レーを形成するようにトランジスタのアレーを含む能動
マトリックスをマウントする過程と、薄膜アクチュエー
テッドミラーアレーを形成するようにベースを分離させ
る過程とを備える。
る損壊を最少化するための薄膜アクチュエーテッドミラ
ーアレーの製造方法を提供すること。 【構成】 本発明の製造方法は、ベースを提供する過
程と、ベースの上面に犠牲層を成膜する過程と、電気的
に変形可能な層、第2薄膜層、弾性層、及び犠牲層を分
離層の上に順に形成する過程と、コンジットを有するM
×N個の支持部のアレーを形成する過程と、多層アクチ
ュエーテッドミラー構造のアレーを形成するようにパタ
ーン付けする過程と、多層アクチュエーテッドミラーア
レーを形成するようにトランジスタのアレーを含む能動
マトリックスをマウントする過程と、薄膜アクチュエー
テッドミラーアレーを形成するようにベースを分離させ
る過程とを備える。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光投射型システムに関
し、特に、そのシステムに用いられるM×N個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーからなるアレー(M×N個の薄
膜アクチュエーテッドミラーアレー)の製造方法に関す
る。
し、特に、そのシステムに用いられるM×N個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーからなるアレー(M×N個の薄
膜アクチュエーテッドミラーアレー)の製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来における利用可能な様々なビデオ表
示システムの内、光投射型システムは大画面において高
精細度を与えることができるものとして知られている。
このような光投射型システムにおいて、ランプからの光
が一様に、例えばM×N個のアクチュエーテッドミラー
アレー上に照射されるが、ここで、各々のミラーは各々
のアクチュエータに結合されている。これらのアクチュ
エータは加えられる電界に応じて変形を起こす電歪また
は圧電物質のような電気的に変形可能な物質(elec
trodisplacive material)から
なっている。
示システムの内、光投射型システムは大画面において高
精細度を与えることができるものとして知られている。
このような光投射型システムにおいて、ランプからの光
が一様に、例えばM×N個のアクチュエーテッドミラー
アレー上に照射されるが、ここで、各々のミラーは各々
のアクチュエータに結合されている。これらのアクチュ
エータは加えられる電界に応じて変形を起こす電歪また
は圧電物質のような電気的に変形可能な物質(elec
trodisplacive material)から
なっている。
【0003】各ミラーからの反射光ビームは、例えば、
光バッフルの開口上に入射される。各アクチュエータに
電気信号が与えられると、入射光ビームに対して各ミラ
ーの相対的な位置が変わって、これによって、各ミラー
からの反射光ビームの光路が変わるようになる。各反射
光ビームの光路が変わることによって、開口を通した各
ミラーから反射された光量が変り、よって、光の強さが
調節される。開口を通過した調節された光ビームは投射
レンズのような適当な光学デバイスを介して、投射スク
リーン上に送られることによって、その上に像を表示す
る。
光バッフルの開口上に入射される。各アクチュエータに
電気信号が与えられると、入射光ビームに対して各ミラ
ーの相対的な位置が変わって、これによって、各ミラー
からの反射光ビームの光路が変わるようになる。各反射
光ビームの光路が変わることによって、開口を通した各
ミラーから反射された光量が変り、よって、光の強さが
調節される。開口を通過した調節された光ビームは投射
レンズのような適当な光学デバイスを介して、投射スク
リーン上に送られることによって、その上に像を表示す
る。
【0004】図1は、M×N個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラー11からなるアレー10の断面図を示したもの
であって、ここで、M及びNは正の整数である。この薄
膜アクチュエーテッドミラーアレー10は、能動マトリ
ックス(active matrix)12、M×N個
の薄膜駆動構造14からなるアレー13、M×N個の支
持部16からなるアレー15、及びM×N個のミラー1
8からなるアレー17を含んでいる。図2乃至図7は、
アクチュエーテッドミラー11のアレー10の製造方法
を説明した断面図であって、「THIN FILM ACTUATED MIR
ROR ARRAY ANDMETHOD FOR THE MANUFACTURE THEREOF」
の表題で同時係属中の米国特許出願第08/331,399号に開
示されている。
ドミラー11からなるアレー10の断面図を示したもの
であって、ここで、M及びNは正の整数である。この薄
膜アクチュエーテッドミラーアレー10は、能動マトリ
ックス(active matrix)12、M×N個
の薄膜駆動構造14からなるアレー13、M×N個の支
持部16からなるアレー15、及びM×N個のミラー1
8からなるアレー17を含んでいる。図2乃至図7は、
アクチュエーテッドミラー11のアレー10の製造方法
を説明した断面図であって、「THIN FILM ACTUATED MIR
ROR ARRAY ANDMETHOD FOR THE MANUFACTURE THEREOF」
の表題で同時係属中の米国特許出願第08/331,399号に開
示されている。
【0005】M×N個の薄膜アクチュエーテッドミラー
11のアレー10の製造工程は、図2に示したように、
基板59、M×N個のトランジスタアレー(図示せ
ず)、M×N個の接続端子61のアレー60を含む上下
面75、76を有する能動マトリックス12の用意から
始まる。
11のアレー10の製造工程は、図2に示したように、
基板59、M×N個のトランジスタアレー(図示せ
ず)、M×N個の接続端子61のアレー60を含む上下
面75、76を有する能動マトリックス12の用意から
始まる。
【0006】次の過程において、図3に示したように、
犠牲エリア83及びM×N個の支持部16のアレー15
に対応するM×N個のペデスタル82のアレー81を備
える支持層80を能動マトリックス12の上面75に形
成するが、該支持層80は、能動マトリックス12の上
面75全体に犠牲層(図示せず)を成膜する工程と、M
×N個の接続端子61の各々の周りに位置するM×N個
の空スロット(図示せず)のアレーを形成することによ
って犠牲エリア83を生成する工程と、各空スロットに
ペデスタル82を与える工程とによって形成される。犠
牲層はスパッタリング法を用いて、空スロットのアレー
はエッチング法を用いて、ペデスタルはスパッタリング
法あるいは化学蒸着方(CVD)とそれに続くエッチン
グ法とを用いて形成される。その後、支持層80の犠牲
エリア83はエッチング法あるいは化学的処理によって
除去されるように扱われる。
犠牲エリア83及びM×N個の支持部16のアレー15
に対応するM×N個のペデスタル82のアレー81を備
える支持層80を能動マトリックス12の上面75に形
成するが、該支持層80は、能動マトリックス12の上
面75全体に犠牲層(図示せず)を成膜する工程と、M
×N個の接続端子61の各々の周りに位置するM×N個
の空スロット(図示せず)のアレーを形成することによ
って犠牲エリア83を生成する工程と、各空スロットに
ペデスタル82を与える工程とによって形成される。犠
牲層はスパッタリング法を用いて、空スロットのアレー
はエッチング法を用いて、ペデスタルはスパッタリング
法あるいは化学蒸着方(CVD)とそれに続くエッチン
グ法とを用いて形成される。その後、支持層80の犠牲
エリア83はエッチング法あるいは化学的処理によって
除去されるように扱われる。
【0007】図4に示したように、エッチング法を用い
て最初にペデスタル82の上面から対応する接続端子6
1の上面まで孔を形成した後、電気伝導性物質を孔に満
たすことによって、各ペデスタル82に一つのコンジッ
ト73が形成される。
て最初にペデスタル82の上面から対応する接続端子6
1の上面まで孔を形成した後、電気伝導性物質を孔に満
たすことによって、各ペデスタル82に一つのコンジッ
ト73が形成される。
【0008】次いで、図5に示したように、白金(P
t)などの電気伝導性物質からなる第1電極層84が支
持層80の上に成膜されて、その後、ジルコン酸チタン
酸鉛(PZT)などの電気的に変形可能な物質からなる
電気的に変形可能な薄膜層85が第1薄膜電極層84の
上面に形成され、さらに第2薄膜電極層95が電気的に
変形可能な薄膜層85の上面に形成される。各コンジッ
ト73は各接続端子61と各薄膜アクチュエーテッドミ
ラー11における第1電極層84とを電気的に接続する
ために用いられる。その後、図5に示した構造は電気的
に変形可能な薄膜層85に相転移が起こるように熱処理
される。
t)などの電気伝導性物質からなる第1電極層84が支
持層80の上に成膜されて、その後、ジルコン酸チタン
酸鉛(PZT)などの電気的に変形可能な物質からなる
電気的に変形可能な薄膜層85が第1薄膜電極層84の
上面に形成され、さらに第2薄膜電極層95が電気的に
変形可能な薄膜層85の上面に形成される。各コンジッ
ト73は各接続端子61と各薄膜アクチュエーテッドミ
ラー11における第1電極層84とを電気的に接続する
ために用いられる。その後、図5に示した構造は電気的
に変形可能な薄膜層85に相転移が起こるように熱処理
される。
【0009】次いで、アルミニウム(Al)のような光
反射物質からなる薄膜層99が第2電極層95の上面に
形成されている。
反射物質からなる薄膜層99が第2電極層95の上面に
形成されている。
【0010】図6に示したように、電気伝導性物質、電
気的に変形可能な物質、及び光反射物質は、公知の薄膜
技術、例えば、スパッタリング法、ゾル−ゲル法、蒸着
法、エッチング法、及びマイクロマシーニング(micro-
machining)法のような技術によって成膜され、パター
ン付けされる。
気的に変形可能な物質、及び光反射物質は、公知の薄膜
技術、例えば、スパッタリング法、ゾル−ゲル法、蒸着
法、エッチング法、及びマイクロマシーニング(micro-
machining)法のような技術によって成膜され、パター
ン付けされる。
【0011】図7に示したように、支持層80の犠牲エ
リア83が化学処理によって除去または分離されること
によって、M×N個の薄膜アクチュエーテッドミラー1
1のアレー10が形成される。
リア83が化学処理によって除去または分離されること
によって、M×N個の薄膜アクチュエーテッドミラー1
1のアレー10が形成される。
【0012】前述したアクチュエーテッドミラー11の
アレー10の製造方法において、他の薄膜層形成過程と
同様なプロセスを含む弾性層を形成するための付加工程
を加えることができる。
アレー10の製造方法において、他の薄膜層形成過程と
同様なプロセスを含む弾性層を形成するための付加工程
を加えることができる。
【0013】しかし、上述した従来のアクチュエーテッ
ドミラー11のアレー10の製造方法は多くの問題点を
有している。その中の最も大きい問題点として、高温を
必要とする支持部16と電気的に変形可能な層の形成の
際、能動マトリックス12のトランジスタが熱により損
壊するということがある。
ドミラー11のアレー10の製造方法は多くの問題点を
有している。その中の最も大きい問題点として、高温を
必要とする支持部16と電気的に変形可能な層の形成の
際、能動マトリックス12のトランジスタが熱により損
壊するということがある。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、能動マトリックスのトランジスタの熱による損壊を
最少化するためのM×N個の薄膜アクチュエーテッドミ
ラーアレーの製造方法を提供することである。
は、能動マトリックスのトランジスタの熱による損壊を
最少化するためのM×N個の薄膜アクチュエーテッドミ
ラーアレーの製造方法を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明によると、光投射型システムに用いられるM×
N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法
(M及びNは、正の整数)であって、(a)上下面を有
し、絶縁物質からなるベースを提供する過程と、(b)
前記ベースの上面上に水溶性物質からなる分離層を形成
する過程と、(c)前記分離層の上面に電気伝導性でか
つ光反射性を有する物質からなる第1薄膜層を成膜する
過程と、(d)前記第1薄膜層の上面に電気的に変形可
能な物質からなる電気的に変形可能な薄膜層を成膜する
過程と、(e)前記電気的に変形可能な薄膜層の上面に
電気伝導性物質からなる第2薄膜層を形成する過程と、
(f)前記第2薄膜層の上面に第1絶縁物質からなる薄
膜弾性層を生成する過程と、(g)前記薄膜弾性層の上
面に犠牲層を成膜することによって、半完成多層構造を
形成する過程と、(h)前記多層構造上にM×N個の支
持部のアレーを形成する過程であって、各支持部が前記
薄膜弾性層の上面から犠牲層の上面まで形成されるよう
に犠牲層を部分的に除去し、そこに第2絶縁物質を満た
すことによって、各支持部を前記第2絶縁物質から形成
する該M×N個の支持部アレー形成過程と、(i)前記
各支持部内にコンジットを形成する過程であって、対応
する前記支持部と前記薄膜弾性層の部分を除去し、前記
支持部の上面から前記第2薄膜層の上面まで延在する該
除去部分に金属を満たして多層構造を形成することによ
って、各支持部内にコンジットを形成する過程と、
(j)前記多層構造の第1薄膜層、電気的に変形可能な
薄膜層、第2薄膜層、薄膜弾性層、及び犠牲層を、M×
N個の多層アクチュエーテッドミラー構造のアレーにパ
ターン付けする過程であって、前記多層アクチュエーテ
ッドミラー構造の各々は光反射性を有しかつ電気伝導性
の物質からなるバイアス電極層と、電気的に変形可能な
物質からなる電気的に変形可能な層と、電気伝導性物質
からなる信号電極層と、第1絶縁物質からなる弾性部
と、犠牲部と、第2絶縁物質からなる支持部とを備える
該パターン付け過程と、(k)基板と、M×N個のトラ
ンジスタのアレーと、各々が各トランジスタに電気的に
接続されているM×N個の接続端子のアレーとを含む能
動マトリックスを提供する過程と、(l)前記各支持部
の各コンジットが前記接続端子の各々と電気的に接続さ
れるように、前記能動マトリックスを前記M×N個の多
層アクチュエーテッドミラー構造のアレーの上面に固定
することによって、M×N個の半完成アクチュエーテッ
ドミラーアレーを形成する過程と、(m)前記分離層を
分解してM×N個の半完成アクチュエーテッドミラーア
レーから前記ベースを分離するとともに、各半完成アク
チュエーテッドミラーの犠牲部を除去することによっ
て、M×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーを
形成する過程とを含むことを特徴とするM×N個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法が提供され
る。
め本発明によると、光投射型システムに用いられるM×
N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法
(M及びNは、正の整数)であって、(a)上下面を有
し、絶縁物質からなるベースを提供する過程と、(b)
前記ベースの上面上に水溶性物質からなる分離層を形成
する過程と、(c)前記分離層の上面に電気伝導性でか
つ光反射性を有する物質からなる第1薄膜層を成膜する
過程と、(d)前記第1薄膜層の上面に電気的に変形可
能な物質からなる電気的に変形可能な薄膜層を成膜する
過程と、(e)前記電気的に変形可能な薄膜層の上面に
電気伝導性物質からなる第2薄膜層を形成する過程と、
(f)前記第2薄膜層の上面に第1絶縁物質からなる薄
膜弾性層を生成する過程と、(g)前記薄膜弾性層の上
面に犠牲層を成膜することによって、半完成多層構造を
形成する過程と、(h)前記多層構造上にM×N個の支
持部のアレーを形成する過程であって、各支持部が前記
薄膜弾性層の上面から犠牲層の上面まで形成されるよう
に犠牲層を部分的に除去し、そこに第2絶縁物質を満た
すことによって、各支持部を前記第2絶縁物質から形成
する該M×N個の支持部アレー形成過程と、(i)前記
各支持部内にコンジットを形成する過程であって、対応
する前記支持部と前記薄膜弾性層の部分を除去し、前記
支持部の上面から前記第2薄膜層の上面まで延在する該
除去部分に金属を満たして多層構造を形成することによ
って、各支持部内にコンジットを形成する過程と、
(j)前記多層構造の第1薄膜層、電気的に変形可能な
薄膜層、第2薄膜層、薄膜弾性層、及び犠牲層を、M×
N個の多層アクチュエーテッドミラー構造のアレーにパ
ターン付けする過程であって、前記多層アクチュエーテ
ッドミラー構造の各々は光反射性を有しかつ電気伝導性
の物質からなるバイアス電極層と、電気的に変形可能な
物質からなる電気的に変形可能な層と、電気伝導性物質
からなる信号電極層と、第1絶縁物質からなる弾性部
と、犠牲部と、第2絶縁物質からなる支持部とを備える
該パターン付け過程と、(k)基板と、M×N個のトラ
ンジスタのアレーと、各々が各トランジスタに電気的に
接続されているM×N個の接続端子のアレーとを含む能
動マトリックスを提供する過程と、(l)前記各支持部
の各コンジットが前記接続端子の各々と電気的に接続さ
れるように、前記能動マトリックスを前記M×N個の多
層アクチュエーテッドミラー構造のアレーの上面に固定
することによって、M×N個の半完成アクチュエーテッ
ドミラーアレーを形成する過程と、(m)前記分離層を
分解してM×N個の半完成アクチュエーテッドミラーア
レーから前記ベースを分離するとともに、各半完成アク
チュエーテッドミラーの犠牲部を除去することによっ
て、M×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーを
形成する過程とを含むことを特徴とするM×N個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法が提供され
る。
【0016】
【実施例】以下、本発明によるM×N個の薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレーの製造方法について図面を参照
しながらより詳しく説明する。
エーテッドミラーアレーの製造方法について図面を参照
しながらより詳しく説明する。
【0017】図8乃至図14に、M×N個の薄膜アクチ
ュエーテッドミラー201からなるアレー200を製造
する本発明の方法が示されている。
ュエーテッドミラー201からなるアレー200を製造
する本発明の方法が示されている。
【0018】図8に示されているように、アレー200
の製造方法は、平坦な上面203を有し、ガラスなどの
絶縁物質からなるベース202の準備から始まる。
の製造方法は、平坦な上面203を有し、ガラスなどの
絶縁物質からなるベース202の準備から始まる。
【0019】次に、図9に示したように、塩化ナトリウ
ム(NaCl)などの水溶性物質からなり、1000〜300
0Åの厚さを有する薄膜状の分離層204がスパッタリ
ング法あるいは真空蒸着法を用いてベース202の上面
203に形成される。
ム(NaCl)などの水溶性物質からなり、1000〜300
0Åの厚さを有する薄膜状の分離層204がスパッタリ
ング法あるいは真空蒸着法を用いてベース202の上面
203に形成される。
【0020】次に、図10に示したように、第1薄膜層
205、電気的に変形可能な薄膜層206、第2薄膜層
207、薄膜弾性層208、及び薄膜状の犠牲層209
が順に薄膜状分離層204の上に形成されて半完成多層
構造(semifinished multilaye
red structure)210が形成される。白
金などの光反射性を有しかつ電気伝導性の物質からなる
第1薄膜層205はスパッタリング法あるいは真空蒸着
法を用いて500〜1000Åの厚さで形成される。P
ZTなどの圧電物質あるいはPMNなどの電歪物質から
なる電気的に変形可能な薄膜層206はゾル−ゲル法、
スパッタリング法、または化学蒸着法を用いて0.7〜
2.0μmの厚さで形成される。白金などの電気伝導性
物質からなる第2薄膜層207は、スパッタリング法あ
るいは真空蒸着法を用いて500〜2000Åの厚さで
形成される。薄膜弾性層208は酸化シリコンなどの第
1絶縁物質からなる。銅またはニッケルのような金属、
PSG、またはポリ−シリコンなどからなる薄膜状の犠
牲層209は、1〜2μmの厚さで薄膜状の弾性層20
8の上面に形成されるが、金属から形成される場合はス
パッタリング法で、PSGから形成される場合はスピン
コーティング法あるいは化学蒸着法で、ポリ−シリコン
から形成される場合は化学蒸着法で形成される。
205、電気的に変形可能な薄膜層206、第2薄膜層
207、薄膜弾性層208、及び薄膜状の犠牲層209
が順に薄膜状分離層204の上に形成されて半完成多層
構造(semifinished multilaye
red structure)210が形成される。白
金などの光反射性を有しかつ電気伝導性の物質からなる
第1薄膜層205はスパッタリング法あるいは真空蒸着
法を用いて500〜1000Åの厚さで形成される。P
ZTなどの圧電物質あるいはPMNなどの電歪物質から
なる電気的に変形可能な薄膜層206はゾル−ゲル法、
スパッタリング法、または化学蒸着法を用いて0.7〜
2.0μmの厚さで形成される。白金などの電気伝導性
物質からなる第2薄膜層207は、スパッタリング法あ
るいは真空蒸着法を用いて500〜2000Åの厚さで
形成される。薄膜弾性層208は酸化シリコンなどの第
1絶縁物質からなる。銅またはニッケルのような金属、
PSG、またはポリ−シリコンなどからなる薄膜状の犠
牲層209は、1〜2μmの厚さで薄膜状の弾性層20
8の上面に形成されるが、金属から形成される場合はス
パッタリング法で、PSGから形成される場合はスピン
コーティング法あるいは化学蒸着法で、ポリ−シリコン
から形成される場合は化学蒸着法で形成される。
【0021】その次に、半完成多層構造210は、電気
的に変形可能な薄膜層206を形成する電気的に変形可
能な物質が相転移を起こすように熱処理される。この半
完成多層構造210の電気的に変形可能な層206は充
分に薄いため、アクチュエーテッドミラー201の駆動
の際、そこに加えられた電気信号によって分極される。
的に変形可能な薄膜層206を形成する電気的に変形可
能な物質が相転移を起こすように熱処理される。この半
完成多層構造210の電気的に変形可能な層206は充
分に薄いため、アクチュエーテッドミラー201の駆動
の際、そこに加えられた電気信号によって分極される。
【0022】次に、図11に示したように、M×N個の
支持部212のアレー211が半完成多層構造210の
上面に形成される。各支持部212は、窒化シリコンの
ような第2絶縁物質から形成されるが、これは、フォト
リソグラフィー法などを用いて犠牲層209を部分的に
除去した後、そこに前述の第2絶縁物質を満たすことに
よってなされる。ここで、各支持部212は、薄膜弾性
層208の上面から薄膜状の犠牲層209の上面まで形
成される。その次に、タングステンなどの金属からなる
コンジット213が各支持部212内に形成されるが、
これは、まず支持部212と薄膜弾性層208とを部分
的に除去して第2薄膜層207を露出させた後、その除
去部分に金属を満たして多層構造230を形成すること
によってなされる。ここで、前記除去部分、従ってそこ
に形成されたコンジット213は支持部212の上面か
ら第2薄膜層207の上面まで延在する。
支持部212のアレー211が半完成多層構造210の
上面に形成される。各支持部212は、窒化シリコンの
ような第2絶縁物質から形成されるが、これは、フォト
リソグラフィー法などを用いて犠牲層209を部分的に
除去した後、そこに前述の第2絶縁物質を満たすことに
よってなされる。ここで、各支持部212は、薄膜弾性
層208の上面から薄膜状の犠牲層209の上面まで形
成される。その次に、タングステンなどの金属からなる
コンジット213が各支持部212内に形成されるが、
これは、まず支持部212と薄膜弾性層208とを部分
的に除去して第2薄膜層207を露出させた後、その除
去部分に金属を満たして多層構造230を形成すること
によってなされる。ここで、前記除去部分、従ってそこ
に形成されたコンジット213は支持部212の上面か
ら第2薄膜層207の上面まで延在する。
【0023】その次に、図12に示したように、多層構
造230を構成する第1薄膜層205、電気的に変形可
能な薄膜層206、第2薄膜層207、弾性層208、
及び犠牲層209はフォトリソグラフィー法あるいはレ
ーザ切断法を用いてパターン付けされて、M×N個の多
層アクチュエーテッドミラー221のアレー220が形
成される。
造230を構成する第1薄膜層205、電気的に変形可
能な薄膜層206、第2薄膜層207、弾性層208、
及び犠牲層209はフォトリソグラフィー法あるいはレ
ーザ切断法を用いてパターン付けされて、M×N個の多
層アクチュエーテッドミラー221のアレー220が形
成される。
【0024】次に、図13に示したように、基板21
7、M×N個のトランジスタ(図示せず)のアレー、及
び各々が各トランジスタに電気的に接続されたM×N個
の接続端子219のアレー218を含む能動マトリック
ス216が、各支持部212の各コンジット213が各
接続端子219と電気的に接続されるようにM×N個の
多層アクチュエーテッドミラー構造221のアレー22
0にマウントされることよって、光反射性を有しかつ電
気伝導性の物質からなるバイアス電極241、電気的に
変形可能な物質からなる電気的に変形可能な層242、
電気伝導性物質からなる信号電極243、第1絶縁物質
からなる弾性部244、第2絶縁物質からなる支持部2
12、及び犠牲部245を含むM×N個の半完成アクチ
ュエーテッドミラー234のアレー233が形成され
る。
7、M×N個のトランジスタ(図示せず)のアレー、及
び各々が各トランジスタに電気的に接続されたM×N個
の接続端子219のアレー218を含む能動マトリック
ス216が、各支持部212の各コンジット213が各
接続端子219と電気的に接続されるようにM×N個の
多層アクチュエーテッドミラー構造221のアレー22
0にマウントされることよって、光反射性を有しかつ電
気伝導性の物質からなるバイアス電極241、電気的に
変形可能な物質からなる電気的に変形可能な層242、
電気伝導性物質からなる信号電極243、第1絶縁物質
からなる弾性部244、第2絶縁物質からなる支持部2
12、及び犠牲部245を含むM×N個の半完成アクチ
ュエーテッドミラー234のアレー233が形成され
る。
【0025】その次に、図14に示したように、ベース
202が、分離層204を分解することによって、M×
N個の半完成アクチュエーテッドミラー234のアレー
233から分離され、また各半完成アクチュエーテッド
ミラー234の犠牲部245がエッチング法を用いて除
去されることによって、M×N個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラー201のアレー200が形成される。
202が、分離層204を分解することによって、M×
N個の半完成アクチュエーテッドミラー234のアレー
233から分離され、また各半完成アクチュエーテッド
ミラー234の犠牲部245がエッチング法を用いて除
去されることによって、M×N個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラー201のアレー200が形成される。
【0026】電気的に変形可能な層206を構成する電
気的に変形可能な物質の相転移を起こすための熱処理が
能動マトリックス216がマウントされた後に実行され
る従来のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラー20
1のアレーを形成する方法とは異なり、本発明において
は、熱処理が能動マトリックス216がマウントされる
前に実行されるため熱による能動マトリックス216に
おけるトランジスタの熱による損壊を防ぐことができ
る。
気的に変形可能な物質の相転移を起こすための熱処理が
能動マトリックス216がマウントされた後に実行され
る従来のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラー20
1のアレーを形成する方法とは異なり、本発明において
は、熱処理が能動マトリックス216がマウントされる
前に実行されるため熱による能動マトリックス216に
おけるトランジスタの熱による損壊を防ぐことができ
る。
【0027】上記において、本発明の特定の実施例につ
いて説明したが、本発明の範囲を逸脱することなく当業
者は種々の改変をなし得るであろう。
いて説明したが、本発明の範囲を逸脱することなく当業
者は種々の改変をなし得るであろう。
【0028】
【発明の効果】従って、本発明によれば、従来のM×N
個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーを形成する方
法と異なり、能動マトリックスがマウントされる前に電
気的に変形可能な層の相転移のための熱処理が実行され
るため、それによる能動マトリックスのトランジスタの
熱による損壊を防ぐことができる。
個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーを形成する方
法と異なり、能動マトリックスがマウントされる前に電
気的に変形可能な層の相転移のための熱処理が実行され
るため、それによる能動マトリックスのトランジスタの
熱による損壊を防ぐことができる。
【図1】従来のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーアレーの断面図である。
ーアレーの断面図である。
【図2】図1に示したアレーの製造方法を説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図3】図1に示したアレーの製造方法を説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図4】図1に示したアレーの製造方法を説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図5】図1に示したアレーの製造方法を説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図6】図1に示したアレーの製造方法を説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図7】図1に示したアレーの製造方法を説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図8】本発明によるM×N個のアクチュエーテッドミ
ラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図であ
る。
ラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図であ
る。
【図9】本発明によるM×N個のアクチュエーテッドミ
ラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図であ
る。
ラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図であ
る。
【図8】本発明によるM×N個のアクチュエーテッドミ
ラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図であ
る。
ラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図であ
る。
【図9】本発明によるM×N個のアクチュエーテッドミ
ラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図であ
る。
ラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図であ
る。
【図10】本発明によるM×N個のアクチュエーテッド
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
【図11】本発明によるM×N個のアクチュエーテッド
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
【図12】本発明によるM×N個のアクチュエーテッド
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
【図13】本発明によるM×N個のアクチュエーテッド
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
【図14】本発明によるM×N個のアクチュエーテッド
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
10 薄膜アクチュエーテッドミラーアレー 11 薄膜アクチュエーテッドミラー 12 能動マトリックス 13 薄膜駆動構造のアレー 14 薄膜駆動構造 15 支持部のアレー 16 支持部 17 ミラーのアレー 18 ミラー 59 基板 60 接続端子のアレー 61 接続端子 73 コンジット 75 能動マトリックスの上面 76 能動マトリックスの下面 80 支持層 81 ペデスタルのアレー 82 ペデスタル 83 犠牲エリア 84 第1電極層 85 電気的に変形可能な薄膜層 95 第2薄膜電極層 99 光反射物質からなる薄膜層 200 薄膜アクチュエーテッドミラーのアレー 201 薄膜アクチュエーテッドミラー 202 ベース 203 ベースの上面 204 分離層 205 第1薄膜層 206 電気的に変形可能な薄膜層 207 第2薄膜層 208 薄膜弾性層 209 犠牲層 210 半完成多層構造 211 支持部のアレー 212 支持部 213 コンジット 216 能動マトリックス 217 基板 218 接続端子のアレー 219 接続端子 220 多層アクチュエーテッドミラーのアレー 221 多層アクチュエーテッドミラー 230 多層構造 233 半完成アクチュエーテッドミラーのアレー 234 半完成アクチュエーテッドミラー 241 バイアス電極 242 電気的に変形可能な層 243 信号電極 244 弾性部 245 犠牲部
【手続補正書】
【提出日】平成7年9月1日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーアレーの断面図である。
ーアレーの断面図である。
【図2】図1に示したアレーの製造方法を説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図3】図1に示したアレーの製造方法を説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図4】図1に示したアレーの製造方法を説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図5】図1に示したアレーの製造方法を説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図6】図1に示したアレーの製造方法を説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図7】図1に示したアレーの製造方法を説明する概略
断面図である。
断面図である。
【図8】本発明によるM×N個のアクチュエーテッドミ
ラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図であ
る。
ラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図であ
る。
【図9】本発明によるM×N個のアクチュエーテッドミ
ラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図であ
る。
ラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図であ
る。
【図10】本発明によるM×N個のアクチュエーテッド
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
【図11】本発明によるM×N個のアクチュエーテッド
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
【図12】本発明によるM×N個のアクチュエーテッド
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
【図13】本発明によるM×N個のアクチュエーテッド
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
【図14】本発明によるM×N個のアクチュエーテッド
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
ミラーアレーの製造方法を説明するための概略断面図で
ある。
【符号の説明】 10 薄膜アクチュエーテッドミラーアレー 11 薄膜アクチュエーテッドミラー 12 能動マトリックス 13 薄膜駆動構造のアレー 14 薄膜駆動構造 15 支持部のアレー 16 支持部 17 ミラーのアレー 18 ミラー 59 基板 60 接続端子のアレー 61 接続端子 73 コンジット 75 能動マトリックスの上面 76 能動マトリックスの下面 80 支持層 81 ペデスタルのアレー 82 ペデスタル 83 犠牲エリア 84 第1電極層 85 電気的に変形可能な薄膜層 95 第2薄膜電極層 99 光反射物質からなる薄膜層 200 薄膜アクチュエーテッドミラーのアレー 201 薄膜アクチュエーテッドミラー 202 ベース 203 ベースの上面 204 分離層 205 第1薄膜層 206 電気的に変形可能な薄膜層 207 第2薄膜層 208 薄膜弾性層 209 犠牲層 210 半完成多層構造 211 支持部のアレー 212 支持部 213 コンジット 216 能動マトリックス 217 基板 218 接続端子のアレー 219 接続端子 220 多層アクチュエーテッドミラーのアレー 221 多層アクチュエーテッドミラー 230 多層構造 233 半完成アクチュエーテッドミラーのアレー 234 半完成アクチュエーテッドミラー 241 バイアス電極 242 電気的に変形可能な層 243 信号電極 244 弾性部 245 犠牲部
Claims (10)
- 【請求項1】 光投射型システムに用いられるM×N
個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法
(M及びNは、正の整数)であって、 (a)上下面を有し、絶縁物質からなるベースを提供す
る過程と、 (b)前記ベースの上面上に水溶性物質からなる分離層
を形成する過程と、 (c)前記分離層の上面に電気伝導性でかつ光反射性を
有する物質からなる第1薄膜層を成膜する過程と、 (d)前記第1薄膜層の上面に電気的に変形可能な物質
からなる電気的に変形可能な薄膜層を成膜する過程と、 (e)前記電気的に変形可能な薄膜層の上面に電気伝導
性物質からなる第2薄膜層を形成する過程と、 (f)前記第2薄膜層の上面に第1絶縁物質からなる薄
膜弾性層を生成する過程と、 (g)前記薄膜弾性層の上面に犠牲層を成膜することに
よって、半完成多層構造を形成する過程と、 (h)前記多層構造上にM×N個の支持部のアレーを形
成する過程であって、各支持部が前記薄膜弾性層の上面
から犠牲層の上面まで形成されるように犠牲層を部分的
に除去し、そこに第2絶縁物質を満たすことによって、
各支持部を前記第2絶縁物質から形成する該M×N個の
支持部アレー形成過程と、 (i)前記各支持部内にコンジットを形成する過程であ
って、対応するする前記支持部と前記薄膜弾性層の部分
を除去し、前記支持部の上面から前記第2薄膜層の上面
まで延在する該除去部分に金属を満たして多層構造を形
成することによって、各支持部内にコンジットを形成す
る過程と、 (j)前記多層構造の第1薄膜層、電気的に変形可能な
薄膜層、第2薄膜層、薄膜弾性層、及び犠牲層を、M×
N個の多層アクチュエーテッドミラー構造のアレーにパ
ターン付けする過程であって、前記多層アクチュエーテ
ッドミラー構造の各々は光反射性を有しかつ電気伝導性
の物質からなるバイアス電極層と、電気的に変形可能な
物質からなる電気的に変形可能な層と、電気伝導性物質
からなる信号電極層と、第1絶縁物質からなる弾性部
と、犠牲部と、第2絶縁物質からなる支持部とを備える
該パターン付け過程と、 (k)基板と、M×N個のトランジスタのアレーと、各
々が各トランジスタに電気的に接続されているM×N個
の接続端子のアレーとを含む能動マトリックスを提供す
る過程と、 (l)前記各支持部の各コンジットが前記接続端子の各
々と電気的に接続されるように、前記能動マトリックス
を前記M×N個の多層アクチュエーテッドミラー構造の
アレーの上面に固定することによって、M×N個の半完
成アクチュエーテッドミラーアレーを形成する過程と、 (m)前記分離層を分解してM×N個の半完成アクチュ
エーテッドミラーアレーから前記ベースを分離するとと
もに、各半完成アクチュエーテッドミラーの犠牲部を除
去することによって、M×N個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレーを形成する過程とを含むことを特徴とす
るM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製
造方法。 - 【請求項2】 前記犠牲層が、金属からなる場合はス
パッタリング法によって、PSG(Phosphor-sillicate
glass)からなる場合は化学蒸着法によって、ポリ−シ
リコンからなる場合はスピンコーティング法を用いるこ
とによって形成されることを特徴とする請求項1に記載
のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製
造方法。 - 【請求項3】 前記第2薄膜層がスパッタリング法あ
るいは真空蒸着法を用いて形成されることを特徴とする
請求項1に記載のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミ
ラーの製造方法。 - 【請求項4】 前記電気的に変形可能な薄膜層がゾル
−ゲル(Sol-Gel)法、スパッタリング法、または化学
蒸着法を用いて形成されることを特徴とする請求項1に
記載のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーの製造
方法。 - 【請求項5】 前記第1薄膜層がスパッタリング法あ
るいは真空蒸着法を用いて形成されることを特徴とする
請求項1に記載のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミ
ラーの製造方法。 - 【請求項6】 前記多層構造がフォトリソグラフィー
法あるいはレーザ切断法によってパターン付けされるこ
とを特徴とする請求項1に記載のM×N個の薄膜アクチ
ュエーテッドミラーの製造方法。 - 【請求項7】 前記犠牲部がエッチング法によって除
去されることを特徴とする請求項1に記載のM×N個の
薄膜アクチュエーテッドミラーの製造方法。 - 【請求項8】 前記分離層がスパッタリング法あるい
は真空蒸着法を用いて形成されることを特徴とする請求
項1に記載のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラー
の製造方法。 - 【請求項9】 前記第1及び第2絶縁物質が同一の物
質であることを特徴とする請求項1に記載のM×N個の
薄膜アクチュエーテッドミラーの製造方法。 - 【請求項10】 前記第1及び第2絶縁物質が互いに
異なる物質であることを特徴とする請求項1に記載のM
×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーの製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940009768A KR0132004B1 (ko) | 1994-05-04 | 1994-05-04 | 광로조절장치의 제조방법 |
KR1994P9768 | 1994-06-22 | ||
KR1994P14154 | 1994-06-22 | ||
KR1019940014154A KR100229781B1 (ko) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 광로조절장치의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08114758A true JPH08114758A (ja) | 1996-05-07 |
Family
ID=26630341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7134737A Pending JPH08114758A (ja) | 1994-05-04 | 1995-05-08 | M×n個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5690839A (ja) |
JP (1) | JPH08114758A (ja) |
CN (1) | CN1065967C (ja) |
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