KR960012533A - 자기정렬 매몰 채널/접합 적층 게이트 플래시 메모리셀 - Google Patents
자기정렬 매몰 채널/접합 적층 게이트 플래시 메모리셀 Download PDFInfo
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Abstract
효과적으로 채널길이 치수가 적층게이트 구조와 임계치수와는 무관하도록 하기 위하여 개량된 단일 트랜지스터 플래시 EEPROM 셀구조와 이러한 셀구조를 제조하는 제조방법이 제공된다. 셀구조(210)는 터널산화막(226)과 적층게이트 구조(234)의 형성이전에 기판(212)에서 임플란트되는 n-매몰 채널/접합영역(216)을 포함한다. 적층게이트 구조를 형성하고 나서, p-타입 드레인영역(222)은 기판에서 큰 편향각을 가지고 임플란트된다. 따라서, n+드레인과 n+소오스영역(118,224)이 기판에 임플란트되어 적층게이트 구조로 자기정렬된다. 본 발명의 셀구조는 작은 크기로 비례축소가 용이하고 고집적 응용분야에서 사용할수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본발명에 따라서 구성된, 단일 트랜지스터 EEPROM 셀을 도시한 단면도.
Claims (18)
- 단일 트랜지스터 메모리 셀구조로서, 기판(212), 상기 기판에 배치된 n-매몰 채널/접합영역(216), 상기 기판과 소오스측부를 한정하는 상기 n-매몰채널/접합영역의 제1측부상에 배치된 n+─타입 드레인 영역(218), 상기 기판과 드레인측부를 한정하는 상기 n- 매몰 채널/접합영역의 제2측부상에 배치된 드레인구조(220), 상기 기판상에 배치된 터널 산화막(226) 및, 상기 터널 산화막에 배치된 적층게이트 구조(234)로 이루어지며, 상기 드레인구조는 제1p-타입 드레인영역(222)과 상기 제1p-타입 드레인영역에 배치된 제2n+-타입 드레인영역(224)을 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 메모리 셀구조.
- 제1항에 있어서, 상기 적층게이트 구조(134)는 상기 n+-타입 소오스영역(218)의 일부분(219), 상기 제1p-타입 드레인영역(222) 및, 상기 제2n+드레인영역(224)의 일부분(225)을 덮어씌우는 것을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 메모리 셀구조.
- 제2항에 있어서, 상기 n-매몰 채널/접합영역(216)은 두께가 1000내지 2000Å인것을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 메모리 셀구조.
- 제3항에 있어서, 상기 n-매몰 채널/접합영역(216)은 1×1013내지 3×1014이온/㎠의 범위내에 밀도를 가진 인이온을 임폴란트함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 메모리 셀구조.
- 제1항에 있어서, 상기 p-타입 드레인영역(222)은 5×1013내지 8×1014이온/㎠의 밀도를 가진 붕소이온을 임플란트함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 메모리 셀구조.
- 제1항에 있어서, 상기 터널 산화막(226)은 두께가 대략 100Å 미만인 것을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 메모리 셀구조.
- 제1항에 있어서, 상기 적층게이트 구조(234)는 부동게이트(228), 상기 부동게이트상에 배치된 인터-게이트 유전체(230) 및, 상기 인터-게이트 유전체상에 배치된 제어게이트(232)를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 메모리 셀구조.
- 제1항에 있어서, 상기 p-타입 드레인영역(222)은 상기 드레인측부에서 큰 평향각을 가지고 임플란트함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 메모리 셀구조.
- 제1항에 있어서, 상기 메모리셀의 상기 채널길이는 상기 드레인 측부상의 상기 p-타입 드레인영역(222)에 의해 세트되고, 상기 적층게이트 구조의 임계치수와는 무관하며, 이로써, 작은 크기로 비례축소를 할 수 있으며, 고집적 응용분야에 적합한 것을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 메모리 셀구조.
- 실리콘 반도체기판상에 자기정렬의 단일 트랜지스터 메모리 셀구조를 형성하는 형성방법으로서, 상기 방법은 상기 기판에 n-매몰 채널/접합영역(216)을 임플란트하는 임플란트단계, 상기 기판의 표면위에 터널 산화막구조(226)를 형성하는 형성단계, 상기 터널 산화막상에 적층게이트 구조(234)를 형성하는 형성단계, 소오스측부를 한정하는 상기 n-매몰 채널/접합영역의 제1측부를 마스킹하는 마스킹단계, 드레인측부를 한정하는 상기 n-매몰 채널/접합영역의 제2측부상에 p-타입 드레인영역(222)을 임플란트하는 임플란트단계 및, 상기 각각의 소오스 및 드레인측부상에 상기 기판에서 n+소오스 및 n+드레인영역(218,224)을 임플란트하는 임플란트단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기정렬 단일 트랜지스터 메모리 셀구조 형성방법.
- 제10항에 있어서, 상기 적층게이트 구조(2134)는 상기 n+-타입 소오스영역(218)의 일부분(219), 상기제1p-타입 드레인영역(222) 및, 상기 제2n+드레인영역(224)의 일부분(225)을 덮어씌우는 것을 특징으로 하는 자기정렬 단일 트랜지스터 메모리 셀구조 형성방법.
- 제11항에 있어서, 상기 n-매몰 채널/접합영역(216)은 두께가 1000내지 2000Å인 것을 특징으로 하는 자기정렬 단일 트랜지스터 메모리 셀구조 형성방법.
- 제12항에 있어서, 상기 n-매몰 채널/접합영역(216)은 1×1013내지 3×1014이온/㎠의 범위내에 밀도를 가진 인이온을 임폴란트함으로써 형성되는 것을 자기정렬 단일 트랜지스터 메모리 셀구조 형성방법.
- 제10항에 있어서, 상기 p-타입 드레인영역(222)은 5×1013내지 8×1014이온/㎠의 밀도를 가진 붕소이온을 임플란트함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 자기정렬 단일 트랜지스터 메모리 셀구조 형성방법.
- 제10항에 있어서, 상기 터널 산화막(226)은 두께가 대략 100Å 미만인 것을 특징으로 하는 자기정렬 단일 트랜지스터 메모리 셀구조 형성방법.
- 제10항에 있어서, 상기 적층게이트 구조(234)는 부동게이트(228), 상기 부동게이트상에 배치된 인터-게이트 유전체(230) 및, 상기 인터-게이트 유전체상에 배치된 제어게이트(232)를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기정렬 단일 트랜지스터 메모리 셀구조 형성방법.
- 제10항에 있어서, 상기 p-타입 드레인영역(222)은 상기 드레인측부에서 큰 편향각을 가지고 임플란트 함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 자기정렬 단일 트랜지스터 메모리 셀구조 형성방법.
- 제10항에 있어서, 상기 메모리셀의 상기 채널길이는 상기 드레인 측부상의 상기 p-타입 드레인영역(222)에 의해 세트되고, 상기 적층게이트 구조의 임계치수와는 무관하며, 이로써, 작은 크기로 비례축소를 할수 있으며, 고집적 응용분야에 적합한 것을 특징으로 하는 자기정렬 단일 트랜지스터 메모리 셀구조 형성방법.참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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JP2757814B2 (ja) * | 1995-03-30 | 1998-05-25 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
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JP2956549B2 (ja) * | 1995-09-14 | 1999-10-04 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置及びその製造方法とデータ消去方法 |
US5909502A (en) * | 1996-09-17 | 1999-06-01 | Cummins-Allison Corp. | Software loading system for a currency scanner |
EP0981806A4 (en) | 1997-05-07 | 2001-01-03 | Cummins Allison Corp | INTELLIGENT MONEY PROCESSING SYSTEM |
US6039645A (en) | 1997-06-24 | 2000-03-21 | Cummins-Allison Corp. | Software loading system for a coin sorter |
US5940623A (en) | 1997-08-01 | 1999-08-17 | Cummins-Allison Corp. | Software loading system for a coin wrapper |
US5822243A (en) * | 1997-09-09 | 1998-10-13 | Macronix International Co., Ltd. | Dual mode memory with embedded ROM |
US6046085A (en) * | 1997-12-08 | 2000-04-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Elimination of poly stringers with straight poly profile |
US6001688A (en) * | 1997-12-08 | 1999-12-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of eliminating poly stringer in a memory device |
US6023085A (en) | 1997-12-18 | 2000-02-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Core cell structure and corresponding process for NAND-type high performance flash memory device |
US5972749A (en) * | 1998-01-05 | 1999-10-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for preventing P1 punchthrough |
US6493461B1 (en) | 1998-03-17 | 2002-12-10 | Cummins-Allison Corp. | Customizable international note counter |
US5970353A (en) * | 1998-03-30 | 1999-10-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reduced channel length lightly doped drain transistor using a sub-amorphous large tilt angle implant to provide enhanced lateral diffusion |
US6159795A (en) * | 1998-07-02 | 2000-12-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low voltage junction and high voltage junction optimization for flash memory |
US6190968B1 (en) | 1998-11-04 | 2001-02-20 | National Semiconductor Corporation | Method for forming EPROM and flash memory cells with source-side injection |
US5982669A (en) * | 1998-11-04 | 1999-11-09 | National Semiconductor Corporation | EPROM and flash memory cells with source-side injection |
US6281089B1 (en) * | 1999-09-14 | 2001-08-28 | Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. | Method for fabricating an embedded flash memory cell |
US6272047B1 (en) | 1999-12-17 | 2001-08-07 | Micron Technology, Inc. | Flash memory cell |
DE10224956A1 (de) * | 2002-06-05 | 2004-01-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Einstellung der Einsatzspannung eines Feldeffekttansistors, Feldeffekttransistor sowie integrierte Schaltung |
US7244651B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-07-17 | Texas Instruments Incorporated | Fabrication of an OTP-EPROM having reduced leakage current |
US8288813B2 (en) * | 2004-08-13 | 2012-10-16 | Infineon Technologies Ag | Integrated memory device having columns having multiple bit lines |
US20080157170A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Atmel Corporation | Eeprom cell with adjustable barrier in the tunnel window region |
US8860124B2 (en) * | 2009-01-15 | 2014-10-14 | Macronix International Co., Ltd. | Depletion-mode charge-trapping flash device |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3059442B2 (ja) * | 1988-11-09 | 2000-07-04 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置 |
JPH02126498A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-05-15 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
US4958321A (en) * | 1988-09-22 | 1990-09-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | One transistor flash EPROM cell |
JP2814263B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1998-10-22 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体不揮発性メモリ |
US5021848A (en) * | 1990-03-13 | 1991-06-04 | Chiu Te Long | Electrically-erasable and electrically-programmable memory storage devices with self aligned tunnel dielectric area and the method of fabricating thereof |
JP2817393B2 (ja) * | 1990-11-14 | 1998-10-30 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
US5461249A (en) * | 1991-10-31 | 1995-10-24 | Rohm Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method therefor |
JPH05167078A (ja) * | 1991-12-13 | 1993-07-02 | Nippon Steel Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3124101B2 (ja) * | 1992-01-30 | 2001-01-15 | ローム株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
US5346842A (en) * | 1992-02-04 | 1994-09-13 | National Semiconductor Corporation | Method of making alternate metal/source virtual ground flash EPROM cell array |
US5396459A (en) * | 1992-02-24 | 1995-03-07 | Sony Corporation | Single transistor flash electrically programmable memory cell in which a negative voltage is applied to the nonselected word line |
US5345104A (en) * | 1992-05-15 | 1994-09-06 | Micron Technology, Inc. | Flash memory cell having antimony drain for reduced drain voltage during programming |
US5379253A (en) * | 1992-06-01 | 1995-01-03 | National Semiconductor Corporation | High density EEPROM cell array with novel programming scheme and method of manufacture |
US5378909A (en) * | 1993-10-18 | 1995-01-03 | Hughes Aircraft Company | Flash EEPROM cell having gap between floating gate and drain for high hot electron injection efficiency for programming |
KR970011161B1 (ko) * | 1993-10-20 | 1997-07-07 | 엘지반도체 주식회사 | 불휘발성 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 |
DE4340592C2 (de) * | 1993-11-29 | 2002-04-18 | Gold Star Electronics | Verfahren zum Herstellen eines nichtflüchtigen Halbleiterspeichers und einen nach diesem Verfahren hergestellten Halbleiterspeicher |
US5468981A (en) * | 1994-09-01 | 1995-11-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Self-aligned buried channel/junction stacked gate flash memory cell |
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