KR950023238A - 반도체 장치용 세라믹 배선기판 - Google Patents

반도체 장치용 세라믹 배선기판 Download PDF

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Abstract

Ag 로 이루어진 배선도체, 산화물로 이루어진 저항체, 배선도체와 저항체 사이에 위치하고 AgPd 나 AgPt 중에서 선택되는 재료로 이루어지는 장벽층을 포함하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판. 세라믹 배선기판은 배선도체와 저항체 사이에서 Ag 원자의 확산을 방지함으로써 안정된 내부저항을 제공한다.

Description

반도체 장치용 세라믹 배선기판
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 세라믹 배선기판의 구조도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 그린시트(green sheet) 2 : 배선도체
3 : 장벽층 3A : 제 2 장벽층
3B : 제 2 배선도체 4 : 저항층

Claims (17)

  1. Ag 로 이루어진 배선도체와, 산화물로 이루어진 저항체 및 상기 배선도체와 저항체 사이에 위치하고 AgPd와 AgPt 로 이루어진 군에서 선택되는 재료로 이루어지는 장벽층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 산화물은 RuO2, IrO2및 RhO2로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 장벽층은 SiO2막으로 코팅된 AgPd 나 AgPt 의 입자를 포함하는 페이스트층을 소성시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 SiO2막은 극히 얇은 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 장벽층은 상기 배선도체상에 AgPd 나 AgPt 의 페이스트를 스크린인쇄함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 장벽층은 상기 장벽층의 중량을 기준으로 60 중량% 내지 90 중량% 범위의 Ag를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 세라믹 배선기판은 다층구조인 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  8. AgPd 나 AgPt 로 이루어진 군에서 선택되는 재료로 이루어지는 배선도체와, 산화물로 이루어진 저항체 및, AgPd 나 AgPt 로 이루어진 군에서 선택되는 재료로 이루어지는 장벽층을 포함하고, 상기 장벽층은 상기 배선도체의 Ag 보다 적은 중량의 Ag 를 포함하고, 상기 장벽층은 상기 배선도체와 상기 저항체 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 배선도체는 상기 배선도체의 중량을 기준으로 5 중량% 이하의 범위인 Pd 나 Pt를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 산화물은 RuO2, IrO2및 RhO2로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 장벽층은 SiO2막으로 코팅된 AgPd 나 AgPt 입자를 포함하는 페이스트층을 소성함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 SiO2막은 극히 얇은 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  13. 제 8 항에 있어서, 상기 장벽층은 상기 배선도체상에 AgPd 나 AgPt 의 페이스트를 스크린인쇄함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  14. 제 8 항에 있어서, 상기 장벽층은 상기 장벽층을 기준으로 하여 60 중량%에서 90 중량%의 범위인 Ag를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  15. 제 8 항에 있어서, 상기 세라믹 배선기판은 다층구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  16. 다음에 언급되는 제 2 장벽층상에 배치되고 Ag 로 이루어진 배선도체와, 상기 배선도체상에 배치되고 AgPd 와 AgPt 로 이루어진 군에서 선택되는 재료로 이루어지는 제 1 장벽층과, 상기 제 1 장벽층에 배치되고 산화물로 이루어진 저항층 및, 상기 저항층상에 배치되고 AgPd 나 AgPt 로 이루어진 군에서 선택되는 재료로 이루어지는 제 2 장벽층을 포함하는 반복된 구조를 구비한 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
  17. 다음에 언급되는 제 2 장벽층상에 배치되고 AgPd 나 AgPt 로 이루어진 군에서 선택되는 재료로 이루어진 배선도체와, 상기 배선도체상에 배치되고 AgPd 나 AgPt 로 이루어진 군에서 선택되는 재료로 이루어지며 상기 배선도체의 Ag 보다 작은 중량퍼센트의 Ag 를 함유하는 제 1 장벽층과, 상기 제 1 장벽층에 배치되고 산화물로 이루어진 저항증 및, 상기 저항층상에 배치되고 AgPd 나 AgPt 로 이루어진 군에서 선택되는 재료로 이루어지는 제 2 장벽층을 포함하는 반복된 구조를 구비한 반도체 장치용 세라믹 배선기판.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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