JPH01136302A - 厚膜抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は厚膜抵抗器の構成上の改善に関するものである
。

〔従来の技術〕

厚膜抵抗器は、非導電性の基体上に厚膜導電ペーストで
電極を形成し、該電極上に一方の端部が位置するように
前記基体上に厚膜抵抗ペーストで抵抗体を形成したもの
である。

厚膜導電ペースト及び厚膜抵抗ペーストは導電粉末をガ
ラス粉末及び有機質ビヒクルと混練してペースト状とし
たもので、何れもスクリーン印刷法、転写法等により基
体上に塗布しこれを焼成するとガラスがバインダーとな
って基体上に電極、抵抗体が形成されるようになってい
る。このような厚膜ペーストにおいて、導電ペーストに
はＡｇ系が、抵抗ペーストにはＲｕＯ系が最も広く利用
されている。Ａｇ系電極の利点は空気中で焼成できるこ
ととコストが比較的安価な点にあり、ＲｕＯ２系抵抗体
の利点は耐候性に優れている点にある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、Ａｇには周知の通り電気的移行（エレクトロ
マイグレーション）があるが、上記抵抗器においてもこ
のＡｇの移行によると思われるいくつかの不都合な現象
が起こる。その一つは抵抗体の形状（長さ７幅比）によ
って抵抗温度係数（Ｔ、（１！Ｒ）が変わることであり
、他の一つは電圧印加の状態で放置Ｔると抵抗値が徐々
に低下していくことである。この現象は高抵抗の抵抗体
はど顕著である。このような現象はＡｕ系電極を用いた
場合は全く認められない。

上記Ａｇの移行を抑制するため一般にＡｇ系導電体には
Ｐｃｔが含有され、Ｐｄ含有率が高い程Ａｇの移行の抑
制効果は高い。しかしながらｐａはＡｇに比べて高価で
あり、Ｐｄ含有率の増加はそのま一導電体のコストを上
昇させる結果となる。

本発明の目的は、ｐａ含有率の低いＡｇ系電極を用いて
も抵抗体の形状によるＴＯＨの相違が殆ど無く、電圧印
加状態で長期間放置しても抵抗値が殆ど変わらない厚膜
抵抗器を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的を達成するため本発明は、非導電性の基体上に
Ａｇ系厚膜電極が形成され、該電極上に一方の端部が位
置するように前記基体上に形成されｙ：　ＲｕＯ系厚膜
抵抗体を有する厚膜抵抗器において為前記電極と抵抗体
との膜間に前記抵抗体の１０分の１以下の抵抗率の抵抗
被膜を介在せしめた点に特徴がある。

〔作用〕

電極と抵抗体との間に介在せしめる抵抗被膜の役割は電
極からのＡｇの拡散をこの抵抗被膜内で留めることにあ
る。この為該抵抗被膜にはＡｇを含まないもので且つ抵
抗率が抵抗体の１０分の１以下のものを用いる必要があ
る。抵抗被膜に抵抗率の低いものを用いる理由は、電極
近傍の電位差を緩和してＡｇ拡散の駆動力を低下させる
為である。一方、厚膜抵抗体の場合、抵抗値の調整は通
常ペースト中の導電粉末の含有率によって行なっており
低抵抗のものほど相対的にガラス粉末の含有率が低いた
め焼成膜の緻密さが高抵抗のものより低くなり、Ａｇが
拡散しゃ丁い。従って、抵抗被膜にあまり低抵抗のもの
ではなく、抵抗率が抵抗体の１０分の１ないし１００分
の１程度のものが良い。

この抵抗被膜の厚さはあまり薄いと拡散抑止め効果が薄
れるので５μｍ以上とするのが望ましいが、あまり厚く
するのも不経済であり１０〜２０μｍの範囲が適当であ
る。

本発明の抵抗器は基体が平板であっても円筒であっても
差支えない。

〔実施例〕

従来例 ２．５ｅ角のアルミナ基板上に２．５龍角の電極を０．
５鴎、１．ＯＮ及び１．５謂の間隔で合計３対と、１、
□ｍｓ間隔で１対形成し、前記３対の電極間にＩＭＷ口
のシート抵抗値を有するＲｕＯ系抵抗体を０．５謂幅で
、又他の１対には１．Ｑｍｓ幅で形成した。

電極材料として導電粉末がＡｕ１２０Ｐｄ−８０Ａｇ　
（導電粉末１００重量％中ｐａが２０重量部である意、
以下同じ）　、１１０Ｐｄ−９０Ａ又は３Ｐｔｌ−９７
Ａｇのものを用いた。この試料について次のような試験
を行った。

Ａ：抵抗温度係数（Ｔ　ＯＲ） 幅０．５朋、電極間隔０．５．１．０．１．５ｇｎ５の
抵抗体を用いて２５　ｔＺ’及び１２５Ｃの抵抗値を測
定し、ＴＯＲを算出した。

Ｂ：負荷寿命 幅ｌｌｌｌ１１１１電極間隔１ａｍの抵抗体を用い、電
極間に３００　Ｖを印加したま＼１００　Ｃの雰囲気中
に３００時間放置した。試験前後に抵抗値を測定し、上
記放置後の抵抗値変化率を算出した。

結果を第１表に示す。

第１表 第１表から、Ａｕ系電極によればＴＯＨの形状差が無く
負荷寿命も良好であるが、Ａｇ系電極の場合はＰｄ含有
率を２０％に丁ればＴｃＲの形状差をある程度小さくで
きるものの負荷寿命はまだ不充分であることが判る。

本発明例 ２．５（至）角のアルミナ基板上に２．５間幅、４ＩＩ
Ｉｍ長さの電極を１．１８１１．１．６ｔｍ及び２．１
謂の間隔で合計３対と、１．６謂間隔で１対形成し、次
いで前記３対の電極上に２．５鴎角の抵抗被膜を該被膜
間隔がそれぞれ０．５　龍、１．ＯｆｌｊＫ及び１．５
朋となるように形成し、一方、他の１対の電極上には被
膜間隔１．０１ｅｌＫとなるように形成し、前記３対の
電極及び抵抗被膜間に１Ｍ２７口のシート抵抗値を有す
る公知のＲｕＯ系抵抗体を０．５ｗ１１幅で、又他の１
対の電極及び抵抗被膜間には１．０謂幅で形成した。

電極材料として導電粉末が１１０Ｐｄ−９０Ａ又は３Ｆ
（１−９７Ａｇのものを用い、抵抗被膜材料として１０
シロ、１０に、１２／口又は１００にシロのシート抵抗
値を有するＡｇを含有しないＲｕＯ系抵抗体を用いた。

この試料について前記と同様の条件で抵抗温度係数と負
荷寿命を試験した。結果を第２表に示す。

第　　２　　表 第２表から抵抗被膜が抵抗体本体の１０分の１以下であ
ればｐａ含有率の低いＡｇ系電極を用いてもＴＯＨの形
状差が殆どなく、負荷寿命もＡｕ系電極に匹敵する抵抗
器が得られることが判る。

第２表において抵抗被膜の抵抗値が１０シロの場合、負
荷寿命が他の場合よりや＼劣っているが、これはこの抵
抗被膜の緻密さに寄因すると思われる。

〔発明の効果〕

本発明により電極に安価なＡｇ系を用いてＴＣＲの形状
差がなく、負荷寿命にも優れた抵抗器を提供できる。

出願人　　住友金属鉱山株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）非導電性の基体上にＡｇ系厚膜電極が形成され、
   該電極上に一方の端部が位置するように前記基体上に形
   成されたＲｕＯ＿２系厚膜抵抗体を有する厚膜抵抗器に
   おいて、前記電極と抵抗体との膜間に前記抵抗体の１０
   分の１以下の抵抗率のＡｇを含有しない抵抗被膜を介在
   せしめたことを特徴とする厚膜抵抗器。