CN218768923U - 一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器，包括陶瓷基体、相对设置在陶瓷基体两端的两电极、设置在两电极之间的电阻体、分别设置在两电极外侧的两镍层和分别设置在两镍层外侧的两锡层，电阻体厚度大于电极厚度，电阻体靠近两电极的两端部均设置有延伸部，两延伸部分别延伸至两电极上端，两电极与电阻体先后成型，电极由高钯含量的银钯浆料制成，电阻体由纯银浆料制成。本实用新型的电阻体与两电极分别由不同浆料制成，不再一体成型，能够满足零欧姆片式电阻器抗硫化且低阻抗的要求，且成本低，适合大规模推广应用。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器。
背景技术
随着5G、新能源、工业自动化等领域的高速发展，片式电阻器作为一种不可或缺的片式无源电子元件，使用量正呈现出爆发式增长的态势，而抗硫化零欧姆片式电阻器作为片式电阻器中的一种，因其具备可抵挡大气中硫及其化合物腐蚀，从而确保阻值稳定性的特殊作用，在一些户外设备上正得到越来越广泛的使用。
现有的普通零欧姆片式电阻器因电极与电阻体所用浆料相同，故通常采用电极与电阻体一体化成型的设计，一次性印刷电阻体和电极来形成最大阻抗不超过50mΩ的导电通路，其使用的浆料通常为纯银浆料或者钯含量少于1%的银钯浆料。但纯银或者钯含量少于1%的银钯合金不具备抗硫化功能，而作为高端工业用途或者军工航天用途的抗硫化零欧姆电阻，则采用高钯含量的银钯浆料一体化印刷烧成电阻体和电极的方案。但由于钯的电阻率（10.8x10-6Ω.cm）是银的电阻率（1.58 x10-6Ω.cm）的6.8倍，导致此方案生产的零欧姆电阻为了满足最大阻抗不超过50mΩ的要求，需要加大导电通路的横截面积，即加大浆料用量，而因钯是贵金属，导致此方案原材料成本畸高，不利于规模化使用。
实用新型内容
本实用新型提出一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器，电阻体与两电极分别由不同浆料制成，不再一体成型，能够满足零欧姆片式电阻器抗硫化且低阻抗的要求，且成本低，适合大规模推广应用。
本实用新型通过以下技术方案实现：
一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器，包括陶瓷基体、相对设置在陶瓷基体两端的两电极、设置在两电极之间的电阻体、分别设置在两电极外侧的两镍层和分别设置在两镍层外侧的两锡层，电阻体厚度大于电极厚度，电阻体靠近两电极的两端部均设置有延伸部，两延伸部分别延伸至两电极上端，两电极与电阻体先后成型，电极由高钯含量的银钯浆料制成，电阻体由纯银浆料制成。
进一步的，所述银钯浆料中钯含量为20%-30%。
进一步的，所述电极端部具有弧面，所述延伸部包括一端设置在所述电阻
体端部且与弧面匹配的弧形段和设置在弧形段另一端的水平段，水平段位于所述电极上端。
进一步的，还包括设置在电阻体上的绝缘保护层，绝缘保护层位于两电极外侧的两镍层之间。
进一步的，所述电极由所述银钯浆料印刷烧制形成，所述电阻体由所述纯银浆料印刷烧制形成。
进一步的，所述镍层和锡层均由电镀形成。
本实用新型具有如下有益效果：
1、本实用新型的电极由高钯含量的银钯浆料制成，具有优秀的抗硫化特性，电阻体则由纯银浆料制成，具有低阻抗特性，电极与电阻体因采用不同材料，故先后成型，电阻体两端的延伸部分别延伸至两电极上，以实现电阻体与两电极的导电连接，如此能够避免现有技术中电阻体与两电极一体成型而导致的无法同时满足抗硫化、低阻抗和低成本的缺陷，无需刻意加厚导电通路的横截面积，且使用价格较低的纯银作为电阻体，大大降低成本，更适合大规模推广应用。
附图说明
下面结合附图对本实用新型做进一步详细说明。
图1为本实用新型的结构示意图。
其中，1、陶瓷基体；2、电极；21、弧面；3、电阻体；31、弧形段；32、水平段；4、镍层；5、锡层；6、绝缘保护层。
具体实施方式
如图1所示，抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器包括陶瓷基体1、相对设置在陶瓷基体1两端的两电极2、设置在两电极2之间的电阻体3、分别设置在两电极2外侧的两镍层4、分别设置在两镍层4外侧的两锡层5和设置在电阻体3上的绝缘保护层6。绝缘保护层6位于两电极2外侧的两镍层4之间，也位于两锡层5之间。电阻体3厚度大于电极2厚度，电极2端部具有弧面21，延伸部包括一端设置在电阻体3端部且与弧面21匹配的弧形段31和设置在弧形段31另一端的水平段32，水平段32位于电极2上端，两电极2与电阻体3先后成型，电极2由高钯含量的银钯浆料制成，电阻体3由纯银浆料制成。
在本实施例中，银钯浆料中含钯量为20%-30%。电极2由银钯浆料印刷烧制形成，电阻体3由纯银浆料印刷烧制形成，镍层4和锡层5均电镀形成。其中，本实施例中采用的含钯量为20%-30%的银钯浆料和纯银浆料均为现有技术。绝缘保护层6为现有技术。电镀、印刷烧制具体工艺过程也为现有技术。
以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，故不能以此限定本实用新型实施的范围，即依本实用新型申请专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本实用新型专利涵盖的范围内。
Claims (5)
1.一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器，其特征在于：包括陶瓷基体、相对设置在陶瓷基体两端的两电极、设置在两电极之间的电阻体、分别设置在两电极外侧的两镍层和分别设置在两镍层外侧的两锡层，电阻体厚度大于电极厚度，电阻体靠近两电极的两端部均设置有延伸部，两延伸部分别延伸至两电极上端，两电极与电阻体先后成型，电极由高钯含量的银钯浆料制成，电阻体由纯银浆料制成。
2.根据权利要求1所述的一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器，其特征在于：所述电极端部具有弧面，所述延伸部包括一端设置在所述电阻体端部且与弧面匹配的弧形段和设置在弧形段另一端的水平段，水平段位于所述电极上端。
3.根据权利要求1或2所述的一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器，其特征在于：还包括设置在电阻体上的绝缘保护层，绝缘保护层位于两电极外侧的两镍层之间。
4.根据权利要求1或2所述的一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器，其特征在于：所述电极由所述银钯浆料印刷烧制形成，所述电阻体由所述纯银浆料印刷烧制形成。
5.根据权利要求1或2所述的一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器，其特征在于：所述镍层和锡层均由电镀形成。
Priority Applications (1)
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| CN202220510872.2U CN218768923U (zh) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | 一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器 |
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Publications (1)
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| CN218768923U true CN218768923U (zh) | 2023-03-28 |
Family
ID=85643932
Family Applications (1)
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| CN202220510872.2U Active CN218768923U (zh) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | 一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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2022
- 2022-03-10 CN CN202220510872.2U patent/CN218768923U/zh active Active
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