JPS5975603A - 印刷抵抗 - Google Patents
印刷抵抗Info
- Publication number
- JPS5975603A JPS5975603A JP57186477A JP18647782A JPS5975603A JP S5975603 A JPS5975603 A JP S5975603A JP 57186477 A JP57186477 A JP 57186477A JP 18647782 A JP18647782 A JP 18647782A JP S5975603 A JPS5975603 A JP S5975603A
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- Japan
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- resistor
- resistance value
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本弁明は印刷抵抗に関する。
従来例の構成とその問題点
従来の印刷抵抗は、第１図に示す様に、基板（］）にＡ
、Ｐｄ（銀パラジウム）ペース）？印Ｊｌｉｌｌして導
体（２１＋２） ？形成し、こ１ら導体（２） （２）
の端部に両端の接合部（３ａ）が重なる様にＲｕ０ｚＣ
岐化ルテニウム）ペーストを矩形平面状に印刷して抵抗
体（３）ｆ形成していた。そして、こｎら？ ｆ１１８
５０ ’Ｃで焼成することにより製品としている。と、
ころで、この焼成時に、導体（２）中の導体分子Ａ、が
抵抗体（３）のＲｕＯ２の中に拡散して行き、第２図に
示す様に導体分子が拡散さｆｌ−た層（４）が接合部（
３ａ）の近傍に形成される。
、Ｐｄ（銀パラジウム）ペース）？印Ｊｌｉｌｌして導
体（２１＋２） ？形成し、こ１ら導体（２） （２）
の端部に両端の接合部（３ａ）が重なる様にＲｕ０ｚＣ
岐化ルテニウム）ペーストを矩形平面状に印刷して抵抗
体（３）ｆ形成していた。そして、こｎら？ ｆ１１８
５０ ’Ｃで焼成することにより製品としている。と、
ころで、この焼成時に、導体（２）中の導体分子Ａ、が
抵抗体（３）のＲｕＯ２の中に拡散して行き、第２図に
示す様に導体分子が拡散さｆｌ−た層（４）が接合部（
３ａ）の近傍に形成される。
この拡散によって訟含肴抵抗体（３）の抵抗値は、Ａシ
がＲＩｊＯ２よりも比抵抗が小さいため単純に計算した
値よりも下ってしまい、かつこの拡散状態は焼成温度に
関係し、焼成ＦＱ温度の僅かなばらつきでも犬きく影ｖ
１１を受けるという問題がある。
がＲＩｊＯ２よりも比抵抗が小さいため単純に計算した
値よりも下ってしまい、かつこの拡散状態は焼成温度に
関係し、焼成ＦＱ温度の僅かなばらつきでも犬きく影ｖ
１１を受けるという問題がある。
発明の目的
本発明は導体分子が拡散しても抵抗値への彫りが少なく
て済み、従って焼成温度のほらつきの影響も受けにぐい
印刷抵抗の提供を目的とする。
て済み、従って焼成温度のほらつきの影響も受けにぐい
印刷抵抗の提供を目的とする。
発明の構成
本発明は、この目的を達成するため、平面状に印刷さｎ
る抵抗体を、その長手方向両端の導体との接合部近傍を
除く長手方向中間部全側縁からくほませた形状に形成し
、導体分子の拡散の影響を受けない中間部で抵抗値を犬
きくとる株にした印刷抵抗を提供する。
る抵抗体を、その長手方向両端の導体との接合部近傍を
除く長手方向中間部全側縁からくほませた形状に形成し
、導体分子の拡散の影響を受けない中間部で抵抗値を犬
きくとる株にした印刷抵抗を提供する。
実施例の祝明
以下、本発明の一実施例を第３因に基づいて説明する。
第１図と同様に基板αηにＡ、Ｐｄペーストにて導体ｔ
１２１１１力が印刷形成され、こｎ、ら導体ｔ１２１
（１２）の端部間にわたってＲｕＯ２ペーストにて抵抗
体ＱＢ＋が印刷形成さｎている。そして、この抵抗体（
ｍｌ ｌｄ導体ｔｍとの接合部（１３Ｌ）近傍の抵抗体
端部（１旬を除く長手方向中間部に両側縁からくぼみ（
１５）ＣＩＥ＋）が形成さ几、中間部（１６）の巾が狭
く形成さｎている。０ソ）は、広巾の抵抗体端部Ｑ４ａ
’にトリミングした抵抗値調整用の切欠溝である。
１２１１１力が印刷形成され、こｎ、ら導体ｔ１２１
（１２）の端部間にわたってＲｕＯ２ペーストにて抵抗
体ＱＢ＋が印刷形成さｎている。そして、この抵抗体（
ｍｌ ｌｄ導体ｔｍとの接合部（１３Ｌ）近傍の抵抗体
端部（１旬を除く長手方向中間部に両側縁からくぼみ（
１５）ＣＩＥ＋）が形成さ几、中間部（１６）の巾が狭
く形成さｎている。０ソ）は、広巾の抵抗体端部Ｑ４ａ
’にトリミングした抵抗値調整用の切欠溝である。
以上の構成において、抵抗体ＱＢ＋の抵抗値は拡散を無
視すると、抵抗値をＲ１抵抗体端部（１４１の長さを１
１．その巾をＷｌ、中間部α６）の長さを１２、その１
】で与えらｎる。
視すると、抵抗値をＲ１抵抗体端部（１４１の長さを１
１．その巾をＷｌ、中間部α６）の長さを１２、その１
】で与えらｎる。
一万、従来の印刷抵抗では、抵抗体（３）の長さをＩＱ
ｓその巾′ｆＷｏとすると、抵抗値Ｒｏは、Ｏ Ｒｏ” Ｐ ・・・・・・ （
２）０ で与えられる。
ｓその巾′ｆＷｏとすると、抵抗値Ｒｏは、Ｏ Ｒｏ” Ｐ ・・・・・・ （
２）０ で与えられる。
今、計Ｓを単純にするため抵抗体端部０句の巾Ｗ１を従
来の２倍にとってｗｌｘ ２ｗｖＩとし、長さを等しく
とってｌＯ＝ ２１１＋ １２とし、両方の抵抗値Ｒと
ＲＯを等しいと置くと、 で与えられる。ここで例えば１１＝１２とおいてｔｏ′
ｆ−３等分したとするとＷ２＝Ｗｏ／２となる。また、
抵抗値Ｒは、 で与えられ、右辺の第１項目は抵抗体端部（１４）によ
る抵抗値、第２項目は中間部の抵抗値を示す。ここで、
上記の様にＪ１＝ １．とおいてｔｏを３等分したとす
ると、ｚ１＝”７７３． （ｌｏ １１ ）−２１ｏ
／／３となるりで、 ０ Ｒ＝−ｐ（１＋２） ・・―・・・・・・（５）３
Ｗ。
来の２倍にとってｗｌｘ ２ｗｖＩとし、長さを等しく
とってｌＯ＝ ２１１＋ １２とし、両方の抵抗値Ｒと
ＲＯを等しいと置くと、 で与えられる。ここで例えば１１＝１２とおいてｔｏ′
ｆ−３等分したとするとＷ２＝Ｗｏ／２となる。また、
抵抗値Ｒは、 で与えられ、右辺の第１項目は抵抗体端部（１４）によ
る抵抗値、第２項目は中間部の抵抗値を示す。ここで、
上記の様にＪ１＝ １．とおいてｔｏを３等分したとす
ると、ｚ１＝”７７３． （ｌｏ １１ ）−２１ｏ
／／３となるりで、 ０ Ｒ＝−ｐ（１＋２） ・・―・・・・・・（５）３
Ｗ。
となり、抵抗体端部９句の抵抗値と中間部（１６）の抵
抗１（１の比は１：２となる◎ 次に拡散による影響を見てみると、抵抗体の長さが１０
の矩形状の抵抗体の場合に抵抗値の低下が一端当り１０
％であると仮定すると、従来の場合Ｒ０Ｘ （１０，２
） ＝０．８Ｒｏとなり、抵抗値が２０％低下すること
になる。
抗１（１の比は１：２となる◎ 次に拡散による影響を見てみると、抵抗体の長さが１０
の矩形状の抵抗体の場合に抵抗値の低下が一端当り１０
％であると仮定すると、従来の場合Ｒ０Ｘ （１０，２
） ＝０．８Ｒｏとなり、抵抗値が２０％低下すること
になる。
一万、上記実施例の場せ拡斂の惑書全覚けるのけ抵抗体
端部（１４１であるので、この処抗体￥’Ｊ ｆＪ ０
４１のｒｌ］Ｗｔ ＝ ２”ｏで長さが１０の矩形状の
抵抗体？考える。
端部（１４１であるので、この処抗体￥’Ｊ ｆＪ ０
４１のｒｌ］Ｗｔ ＝ ２”ｏで長さが１０の矩形状の
抵抗体？考える。
この抵抗体の抵抗値をｙとすると拡散の影響によ１
ってその抵抗損は０．８Ａとなり、抵抗１区か２０％低
下する。丁なわち０．２ Ｒ’が抵抗体端部Ｏ＠が拡散
によって支けた抵抗１［の低下率の絶対値で・ある。と
ころで、抵抗値Ｒ′は、ｗ、＝２ｗ、であるからＲ７／
２であり、かつ上記具体実施例の抵抗値ＲはＲｏと等し
いと置いているので、この場合抵抗値Ｒの拡散ニよる低
下は半分の１０％となる。この様に上記具体実施例では
従来と同じ抵抗値をもつものにおいて拡散による抵抗値
の低下率を２０％から１０％にすることができる。従っ
て、焼成炉の温度のばらつきの影響も著しく減少させる
ことができる。さらに、中間ｍ （１６１における抵抗
値のウェイト’を大きくす１ば、そｎだけ拡散による抵
抗値の低下率′ｆＬ−１１１ｊ、少さぜることができ、
例えば上記具体実施例において中間部α０）の巾をその
ま＼にして長さを２倍近く長くシ、抵抗体口Ｂ）の全体
の抵抗値を２倍にす１ば、当然拡散による抵抗値の低下
率は半分の５％となる。逆に抵抗体端部０４・）の巾Ｗ
ｌｆ ２Ｗｏより小さくとれば、拡散による抵抗値の低
下率が１０％より大きくなる。なお、面抵抗の抵抗値は
、長さと巾の比で決まるので、相思形で縮小又は拡大し
ても同じ抵抗値が得らｎ、したがって上記具体例１つい
ても各部分の寸法比を維持すｎば、寸法の絶対値は任意
を変えても結果は同じである。
下する。丁なわち０．２ Ｒ’が抵抗体端部Ｏ＠が拡散
によって支けた抵抗１［の低下率の絶対値で・ある。と
ころで、抵抗値Ｒ′は、ｗ、＝２ｗ、であるからＲ７／
２であり、かつ上記具体実施例の抵抗値ＲはＲｏと等し
いと置いているので、この場合抵抗値Ｒの拡散ニよる低
下は半分の１０％となる。この様に上記具体実施例では
従来と同じ抵抗値をもつものにおいて拡散による抵抗値
の低下率を２０％から１０％にすることができる。従っ
て、焼成炉の温度のばらつきの影響も著しく減少させる
ことができる。さらに、中間ｍ （１６１における抵抗
値のウェイト’を大きくす１ば、そｎだけ拡散による抵
抗値の低下率′ｆＬ−１１１ｊ、少さぜることができ、
例えば上記具体実施例において中間部α０）の巾をその
ま＼にして長さを２倍近く長くシ、抵抗体口Ｂ）の全体
の抵抗値を２倍にす１ば、当然拡散による抵抗値の低下
率は半分の５％となる。逆に抵抗体端部０４・）の巾Ｗ
ｌｆ ２Ｗｏより小さくとれば、拡散による抵抗値の低
下率が１０％より大きくなる。なお、面抵抗の抵抗値は
、長さと巾の比で決まるので、相思形で縮小又は拡大し
ても同じ抵抗値が得らｎ、したがって上記具体例１つい
ても各部分の寸法比を維持すｎば、寸法の絶対値は任意
を変えても結果は同じである。
なお、本発明に係る印刷抵抗においてはくぼみ（１５１
′ｆｔ形成するので、抵抗体端部０４）と中間部（１６
）の間で断面積が急激に変化し、そのため理論値よりも
抵抗値は大きくなり、設計に当ってはこの点を考慮する
ことが必要である。
′ｆｔ形成するので、抵抗体端部０４）と中間部（１６
）の間で断面積が急激に変化し、そのため理論値よりも
抵抗値は大きくなり、設計に当ってはこの点を考慮する
ことが必要である。
また、図示例の如く切欠溝（１７）を広巾の抵抗体端部
０番）にトリミングすることにより、切込量が少々ばら
ついても抵抗値が変わりにぐいため、抵抗値の調整を精
度良く行うことができる。
０番）にトリミングすることにより、切込量が少々ばら
ついても抵抗値が変わりにぐいため、抵抗値の調整を精
度良く行うことができる。
発明の効果
本発明の印刷抵抗によｎば、以上の説明から明らかな様
に、焼成時、に導体分子が拡散して抵抗値に影響を受け
る接合部近傍を広巾とし、中間部をくぼみによって狭山
としたことによって、拡散の影ｑｊｆｉを軽減でき、従
ってまた拡散に関係する焼成炉の温度コントロールの精
度も緩やかにでき、そｎだけ生腫能率が向上する等の効
果がある。
に、焼成時、に導体分子が拡散して抵抗値に影響を受け
る接合部近傍を広巾とし、中間部をくぼみによって狭山
としたことによって、拡散の影ｑｊｆｉを軽減でき、従
ってまた拡散に関係する焼成炉の温度コントロールの精
度も緩やかにでき、そｎだけ生腫能率が向上する等の効
果がある。
第１図及び第２図は従来例を示し、第１図は平面図、第
２図は拡散状態を説明する断面図、第３図は本発明の一
実施例の平面図である。 （ｉｌｌは基板、（１２１は導体、 （１８７は抵抗体
、（１３１）Ｈ接合部、（１４−１ｕ 抵抗体端ｍ、０
ｈ）Ｆｉ＜はみ、Ｑ６１は中間部、（１７１は切欠蒋。 第１図 第２図 第３図
２図は拡散状態を説明する断面図、第３図は本発明の一
実施例の平面図である。 （ｉｌｌは基板、（１２１は導体、 （１８７は抵抗体
、（１３１）Ｈ接合部、（１４−１ｕ 抵抗体端ｍ、０
ｈ）Ｆｉ＜はみ、Ｑ６１は中間部、（１７１は切欠蒋。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- （１）平面状に印刷さ几る抵抗体ケ、その長手方向中間
の導体との接合部近傍を除く長手方向中間＞３１ ？側
縁からくぼませた形状に形成してなる印刷抵抗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57186477A JPS5975603A (ja) | 1982-10-23 | 1982-10-23 | 印刷抵抗 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57186477A JPS5975603A (ja) | 1982-10-23 | 1982-10-23 | 印刷抵抗 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975603A true JPS5975603A (ja) | 1984-04-28 |
Family
ID=16189160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57186477A Pending JPS5975603A (ja) | 1982-10-23 | 1982-10-23 | 印刷抵抗 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5975603A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5757062A (en) * | 1993-12-16 | 1998-05-26 | Nec Corporation | Ceramic substrate for semiconductor device |
| JP2014204096A (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-27 | 日本カーバイド工業株式会社 | チップ抵抗器 |
| WO2021106676A1 (ja) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5346530B2 (ja) * | 1973-09-17 | 1978-12-14 | ||
| JPS58220402A (ja) * | 1982-06-17 | 1983-12-22 | 株式会社東芝 | 厚膜抵抗素子 |
-
1982
- 1982-10-23 JP JP57186477A patent/JPS5975603A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5346530B2 (ja) * | 1973-09-17 | 1978-12-14 | ||
| JPS58220402A (ja) * | 1982-06-17 | 1983-12-22 | 株式会社東芝 | 厚膜抵抗素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5757062A (en) * | 1993-12-16 | 1998-05-26 | Nec Corporation | Ceramic substrate for semiconductor device |
| JP2014204096A (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-27 | 日本カーバイド工業株式会社 | チップ抵抗器 |
| WO2021106676A1 (ja) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
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