KR950021667A - Tft부하를 갖는 반도체 스태틱 메모리장치 - Google Patents

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KR950021667A
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히데다까 나쯔메
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가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
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Abstract

SRAM의 각 메모리셀은 구동 MOSFET의 게이트 전극이 제1도전막에 의해 형성되며, 부하 TFT의 게이트 전극은 제3도전층으로 형성되며, 제2도전막은 두개의 게이트 전극이 서로 중첩하지 않는 영역에서 존재하지 않는 이러한 구조를 갖는다. 제2도전막이 패터닝될 후에, 제1층간 절연막은 동일한 사진식각 마스크로 연속하여 제거된다. 메모리셀의 메모리 노드에서의 기생 용량은 두개의 게이트 전극이 전극간의 얇음에 의해서 증가하기 때문에, SRAM은 소프트 에라에 우수한 내성을 갖는다.

Description

TFT부하를 갖는 반도체 스태틱 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시에에 따른 SRAM의 메모리 셀 및 제1도에 도시한 메모리 셀의 물리적 구조를 도시한 평면도,
제3도는 A-A′라인을 따라 취한 제2도에 도시한 메모리 셀의 단면도,
제4도는 메모리 셀에서 제1도의 메모리 노드(N2)의 전위를 도시한 타임 챠트,
제5도는 메모리 셀에서 소프트 에라 메카니즘을 설명하는데 사용된 제1도의 부분 등가 회로.

Claims (6)

  1. 주 표면을 갖는 반도체 기판; 상기 주 표면상에 연속하여 놓이며 각각이 한 패턴으로 형성되는 제1도전막, 제1층간 절연막, 제2도전막, 제2층간 절연막, 제3도전막, 제3층간 절연막, 및 제4도전막; 상기 주 표면상의 벌크 활성 영역과 상기 제1도전막의 일부로서 형성된 게이트 전극을 각각 갖는 벌크 MOSFET; 및 상기 제3도전막의 일부로서 형성된 게이트 전극과 상기 제4도전막의 일부로서 박막 활성 영역을 각각 갖는 박막 MOSFET를 포함하며, 상기 제1도전막은 상기 제2층간 절연막과 직접 접촉하는 확장 부분을 가지며, 상기 확장 부분은 상기 제3도전막에 병렬로 확장하는 것을 특징으로 하는 스태틱 랜덤 엑세스 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 박막 MOSFET각각은 상기 벌크 MOSFET중 하나에 대응하는 부하 소자인 것을 특징으로 하는 스태틱 랜덤 억세스 메모리.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2도전막은 접지 라인인 것을 특징으로 하는 스태틱 랜덤 억세스 메모리.
  4. 주 표면을 갖는 반도체 기판; 상기 주 표면상에 연속하여 놓이며 각각이 한 패턴으로 형성되는 제1도전막, 제1층간 절연막, 제2도전막, 제2층간 절연막, 제3도전막, 제3층간 절연막, 및 제4도전막; 상기 주 표면상의 벌크 활성 영역과 상기 제1도전막의 일부로서 형성된 게이트 전극을 각각 갖는 벌크 MOSFET; 및 상기 제3도전막의 일부로서 형성된 게이트 전극과 상기 제4도전막의 일부로서 박막 활성 영역을 각각 갖는 박막 MOSFET를 포함하며, 상기 제1층간 절연막은 상기 제1층간 절연막의 다른 부분의 두께보다 얇은 두께를 갖는 제1부분을 포함하며, 상기 제1도전막은 상기 제1부분과 상기 제2층간 절연막이 개재되어 상기 제3도전막에 대향하는 제2부분을 갖는 것을 특징으로 하는 스태틱 랜덤 엑세스 메모리.
  5. 제4항에 있어서, 상기 박막 MOSFET각각은 상기 벌크 MOSFET중 하나에 대응하는 부하 소자인 것을 특징으로 하는 스태틱 랜덤 억세스 메모리.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제2도전막은 접지 라인인 것을 특징으로 하는 스태틱 랜덤 억세스 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940034834A 1993-12-17 1994-12-17 Tft 부하를 갖는 반도체 스태틱 메모리 장치 KR0155182B1 (ko)

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