JP2004207282A - 不揮発性半導体記憶装置、及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による不揮発性SRAMは、シリコン基板1に設けられ、互いに襷接続される2つのCMOSインバータc1,c2と、該2つのCMOSインバータのうちの対応する1つに含まれるドレイン拡散領域にそれぞれ接続される下部電極BEL1,BEL2、強誘電体膜FER1,FER2及び上部電極TEL1,TEL2から形成される強誘電体キャパシタの対fc1,fc2とを備えている。特に、該強誘電体キャパシタの対は、シリコン基板1よりも上の層であって、ビット線BL,BLX又はプレート線PLが形成される金属配線層よりも下の層に設けられる。
【選択図】 図17
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、不揮発性半導体記憶装置に関し、より詳細には、強誘電体キャパシタが保持データのバックアップ用に設けられる不揮発性SRAMセルの積層構造又はその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のラッチ回路は、揮発性の回路であるため、電源を遮断した後に保持されているデータが失われる。近年、不揮発SRAM(Nonvolatile Static Random Access Memory)が提案されている(たとえば、非特許文献1、非特許文献2参照)。この不揮発性SRAMでは、強誘電体膜(PZT: Pb(Zr,Ti)O3, SBT: SrBi2Ta2O9)が可変容量キャパシタとして付加されたラッチ回路がメモリセルに使用される。
【0003】
この不揮発性SRAMにおいて、電源を遮断する前に強誘電体キャパシタの残留分極として不揮発化される記憶保持データは、電源を投入した時に、メモリセルのラッチ回路の相補データとして読み出される。従来の不揮発性SRAMの積層構造では、強誘電体キャパシタは、ビット線等をなす金属配線が形成される層よりも上の層に形成されている。この積層順序により、SRAMセルと同等の面積を実現している。
【0004】
【非特許文献1】
Proceeding of IEEE2000 Custom Integrated Circuits Conference pp65-68 2000年5月
【0005】
【非特許文献2】
信学技報,TECHNICAL REPORT OF IEICE. SDM2001-128,ICD2001-51, 2000年5月
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
PZT等の強誘電体膜を安定に成膜する方法は、現状ではスピンコーティング又はスパッタリングであり、安定に成膜する温度は600℃以上が好ましいとされている。したがって、強誘電体の成膜工程は、該強誘電体の成膜温度よりも融点の低いアルミニウム(Al)又は銅(Cu)等からなる金属配線が形成される工程の前に行われることが望ましい。
【0007】
一方、ラッチ回路は、2つのインバータ回路が襷接続(クロスカップリング)される構成である。この襷接続は、金属配線リソースを使用して、一方のインバータ回路のゲート端子が他方のインバータ回路のドレイン端子に接続されることにより形成される。このとき、2つのインバータ回路の真上には、ゲート端子又はドレイン端子等のコンタクト部と金属配線との相互接続が形成される。このため、インバータ回路が形成される層と金属配線が形成される層の間に、強誘電体キャパシタを形成することが困難となっている。
【0008】
また、従来の不揮発性SRAMでは、金属配線を形成する工程の後に、MOCVD(有機金属CVD)法により強誘電体膜を低温成膜(約450℃)することにより、上記した構造上の問題に対処している。この低温成膜による膜質は、高温成膜(約650℃)による膜質と比較して、一般的に膜質が安定しない。これにより、電極間でのリーク電流の増加、及び強誘電体のヒステリシス分極特性の劣化といった新たな問題に対処する必要が生じる。
【0009】
本発明の目的は、ラッチ回路の襷接続を考慮しつつ、強誘電体の安定な成膜を実現することができる不揮発性半導体記憶装置の積層構造、及び該積層構造の製造方法を提供することにある。
【0010】
また、本発明の別の目的は、ラッチ回路の襷接続を考慮しつつ、強誘電体の安定な成膜に加えて、不揮発性SRAMセルの小面積化を実現することができる不揮発性半導体記憶装置の積層構造、及び該積層構造の製造方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明による不揮発性半導体記憶装置は、基板に設けられ、互いに襷接続される2つのインバータと、該2つのインバータのうちの対応する1つに含まれるドレイン拡散領域に接続される下部電極、強誘電体膜及び上部電極から形成されるキャパシタの対とを備えている。該キャパシタの対は、基板よりも上の層であって、該ドレイン拡散領域に選択的に接続されるビット線、又は該上部電極に接続されるプレート線等が形成される金属配線層よりも下の層に設けられている。
【0012】
本発明による不揮発性半導体装置では、大きく2つのタイプの積層構造が提供される。第1のタイプでは、強誘電体キャパシタの下部電極は、ラッチ回路を構成する2つのインバータのそれぞれに含まれる2つのドレイン拡散領域のうちのいずれか1つが延出された領域にそれぞれ接続される。この概念は、後述する第1実施の形態で説明される。
【0013】
第2のタイプでは、強誘電体キャパシタの下部電極は、2つのインバータのそれぞれのドレイン拡散を互いに接続する局所的な配線にそれぞれ接続される。このケースは、後述する第2実施の形態から第6実施の形態にわたり説明され、この局所的な配線を形成する各種材料が提案される。
【0014】
この第1のタイプの積層構造は、強誘電体の安定な成膜に特に注目する構造であって、第2のタイプの積層構造は、強誘電体の安定な成膜に加えて、不揮発性SRAMセルの小面積化にも寄与することができる構造である。なお、第1及び第2のタイプのそれぞれの積層構造を実現する、両タイプに特化したラッチ回路の襷接続も提供される。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面と対応して詳細に説明する。
【0016】
図1は、本発明において実現される不揮発性SRAMセルの構造を例示する回路図である。この不揮発性SRAMセルは、一対のCMOSインバータc1,c2、2つの転送用のn型MOSトランジスタsw1,sw2、及び2つの強誘電体キャパシタfc1,fc2から構成されている。
【0017】
図1に示される不揮発性SRAMセルは、中心線Z−Z’に関して左側と右側の回路構成が対称的に構成されている。以下、この対称性を利用して、回路構成を説明する。なお、この対称的な回路構成は、図2以降で説明される設計レイアウトにおける素子の配置にも反映される。
【0018】
CMOSインバータc1,c2は、ラッチ回路を構成するために互いに襷接続されている。具体的には、CMOSインバータc1(c2)のゲートgp1(gp2)(ここでは説明上、点で図示される)は、CMOSインバータc2(c1)のドレインdp2(dp1),dn2(dn1)に接続されている。
【0019】
CMOSインバータc1(c2)は、p型MOSトランジスタcp1(cp2)と、n型MOSトランジスタcn1(cn2)により構成されている。p型MOSトランジスタcp1(cp2)のソースsp1(sp2)は、電源電圧VDDに接続されており、n型MOSトランジスタcn1(cn2)のソースsn1(sn2)は、接地電圧VSSに接続されている。
【0020】
n型MOSトランジスタsw1(sw2)は、データ書込み・読み出しのために、ラッチ回路の相補ノードN,NXのそれぞれをビット線BL(BLX)に接続する。このn型MOSトランジスタsw1,sw2のゲートg1,g2は、ワード線WLと接続されている。
【0021】
n型MOSトランジスタsw1(sw2)のソース(又はドレイン)sd11(sd21)は、ビット線BL(BLX)に接続されている。また、ドレイン(又はソース)sd12(sd21)は、記憶ノードN(NX)(説明上、点で図示される)を介して、強誘電キャパシタfc1(fc2)の下部電極BEL1(BEL2)、並びにCMOSインバータc1(c2)のドレインdp1,dn1(dp2,dn2)及びCMOSインバータc2(c1)のゲートgp2,gn2(gp1,gn1)に接続されている。
【0022】
強誘電キャパシタfc1(fc2)は、下部電極BEL1(BEL2)、強誘電体膜FER1(FER2)及び上部電極TEL1(TEL2)から形成されている。上部電極TEL1,TEL2は、プレート線PLに接続されている。
【0023】
なお、図1では、たとえば、記憶ノードN(NX)は、n型MOSトランジスタsw1(sw2)のドレイン(又はソース)sd12(sd22)、強誘電キャパシタfc1(fc2)の下部電極BEL1(BEL2)及びCMOSインバータc1(c2)のドレインdp1,dn1(dp2,dn2)の3つに分岐する点として便宜上示されている。
【0024】
本発明では、この記憶ノードN(NX)は、強誘電体キャパシタfc1(fc2)の下部電極BEL1(BEL2)が、ラッチ回路を構成する2つのインバータのそれぞれに接続される点又は該点を含む配線を示すものとする。
【0025】
図2〜図7は、本発明の第1実施の形態による不揮発性SRAMセルのレイアウトを示しており、図2から図7へと、素子が積層される経緯が示されている。
以下、図1に示される回路の接続と対比しながら、図2〜図7に示されるレイアウトを説明する。
【0026】
前提として、シリコン基板1には、本実施の形態による不揮発性SRAMセル3の領域がマトリクス状に規則配列して複数形成されている。図2のレイアウトは、そのうちの1つを例示している。
【0027】
はじめに、図2に示されるセルレイアウトでは、CMOSインバータc1のp型MOSトランジスタcp1及びn型MOSトランジスタcn1が形成されている。このp型MOSトランジスタcp1のドレイン拡散領域dp1及びソース拡散領域sp1は、セルの中心線Z−Z’と直交する方向に形成されている。この中心線Z−Z’から、ドレイン拡散領域dp1、ゲート電極gp1、更にはソース拡散領域sp1の順序で形成されている。
【0028】
また、n型MOSトランジスタcn1のドレイン領域dn1及びソース拡散領域sn1は、中心線Z−Z’と直交する方向に形成されている。この中心線Z−Z’から、ドレイン拡散領域dn1、ゲート電極gp1、更にはソース拡散領域sn1の順序で形成されている。ゲート電極gp1は、p型MOSトランジスタcp1及びn型MOSトランジスタcn1に共通する電極であり、中心線Z−Z’に平行な方向に形成されている。
【0029】
同様に、CMOSインバータc2のp型MOSトランジスタcp2及びn型MOSトランジスタcn2が形成されている。このp型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2及びソース拡散領域sp2は、セルの中心線Z−Z’と直交する方向に形成されている。この中心線Z−Z’から、ドレイン拡散領域dp2、ゲート電極gp2、更にはソース拡散領域sp2の順序で形成されている。
【0030】
また、n型MOSトランジスタcn2のドレイン領域dn2及びソース拡散領域sn2は、中心線Z−Z’と直交する方向に形成されている。この中心線Z−Z’から、ドレイン拡散領域dn2、ゲート電極gp2、更にはソース拡散領域sn2の順に形成されている。ゲート電極gp2は、p型MOSトランジスタcp2及びn型MOSトランジスタcn2に共通する電極であり、中心線Z−Z’に平行な方向に形成されている。
【0031】
つぎに、n型MOSトランジスタsw1,sw2が形成されている。このn型MOSトランジスタsw1のソース又はドレイン拡散領域sd11,sd12は、中心線Z−Z’に平行に形成されている。また、ソース又はドレイン拡散領域sd12は、n型MOSトランジスタcn1のドレイン拡散領域dn1に連接して形成されている。
【0032】
n型MOSトランジスタsw1のソース又はドレイン拡散領域sd12と、ソース又はドレイン拡散領域sd11が形成される方向は、n型MOSトランジスタcn1のドレイン領域dn1とソース拡散領域sn1が形成される方向と直交している。ゲート電極g1は、n型MOSトランジスタsw1と、中心線Z−Z’に関して対称的に形成されるn型MOSトランジスタsw2に共通する電極であり、中心線Z−Z’に直交する方向に形成されている。
【0033】
同様に、n型MOSトランジスタsw2のソース又はドレイン領域sd22,sd21は、中心線Z−Z’に平行に形成されている。また、ソース又はドレイン拡散領域sd22は、n型MOSトランジスタcn2のドレイン拡散領域dn2に連接して形成されている。
【0034】
n型MOSトランジスタsw2のソース又はドレイン領域sd22とソース又はドレイン拡散領域sd21が形成される方向は、n型MOSトランジスタcn2のドレイン領域dn2とソース拡散領域sn2が形成される方向と直交している。上述したように、ゲート電極g1は、n型MOSトランジスタsw1,sw2で共有されている。本実施の形態では、このゲート電極g1は、隣接する複数の不揮発性SRAMセル単位(ビット単位)で駆動するために、ワード線WL(図1参照)としての機能を兼ねている。
【0035】
本実施の形態では、p型MOSトランジスタcp1のドレイン拡散領域dp1は、該ドレイン拡散領域dp1から延出される領域(ドレイン拡散領域dp1の一部)exdp1を有している。この領域exdp1は、次の工程で形成される強誘電体キャパシタfc1(図3参照)と層間接続される。
【0036】
同様に、p型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2は、該ドレイン拡散領域dp2から延出される領域(ドレイン拡散領域dp2の一部)exdp2を有している。この領域exdp2は、次の工程で形成される強誘電体キャパシタfc2と層間接続される。
【0037】
これらの層間接続を容易にするために、領域exdp1は、ドレイン拡散領域dp1から、該ドレイン拡散領域dp1とソース拡散領域sp1とが形成されている方向と実質的に直交する方向に形成されている。この領域exdp1は、強誘電体キャパシタfc1の実質的に真下に当たる領域exdp1’まで延出されている。
【0038】
同様に、領域exdp2は、ドレイン拡散領域dp2から、該ドレイン拡散領域dp2とソース拡散領域sp2とが形成されている方向と実質的に直交する方向に形成されている。この領域exdp2は、強誘電体キャパシタfc2の実質的に真下に当たる領域exdp2’まで延出されている。
【0039】
また、本実施の形態では、ゲート電極gp1は、該ゲート電極gp1から延出される領域(ゲート電極gp1の一部)exgp1を有している。この領域exgp1は、CMOSインバータc2のドレイン拡散領域dp2とドレイン拡散領域dn2とを接続する配線M1’(図5参照)と層間接続される。
【0040】
この層間接続を容易にするために、領域exgp1は、ゲート電極gp1が形成されている方向と実質的に直交する方向であって、対向するゲート電極gp2に向かって延出される。後述するが、この領域exgp1は、CMOSインバータc2のドレイン拡散領域dp2とドレイン拡散領域dn2とを接続する配線M1’の実質的に真下まで延出される。
【0041】
同様に、ゲート電極gp2は、該ゲート電極gp2から延出される領域(ゲート電極gp2の一部)exgp2を有している。この領域exgp2は、CMOSインバータc1のドレイン拡散領域dp1とドレイン拡散領域dn1とを接続する配線M1と層間接続される。
【0042】
この層間接続を容易にするために、領域exgp2は、ゲート電極gp2が形成されている方向と実質的に直交する方向であって、対向するゲート電極gp1に向かって延出される。後述するが、この領域exgp2は、CMOSインバータc1のドレイン拡散領域dp1とドレイン拡散領域dn1とを接続する配線M1の実質的に真下まで延出される。
【0043】
つぎに、図3に示されるレイアウトでは、コンタクトプラグCT1,CT1’が形成されている。これらのコンタクトプラグは、図2に示される領域exdp1,exdp2のうち、この後に形成される強誘電キャパシタfc1,fc2の実質的に真下に相当する領域exdp1’,exdp2’のそれぞれに対応して形成されている。
【0044】
強誘電体キャパシタfc1は、コンタクトプラグCT1の上に形成されている。強誘電体キャパシタfc1は、下部電極BEL1、強誘電体膜FER1及び上部電極TEL1(図示せず)から構成されている。同様に、強誘電体キャパシタfc2は、コンタクトプラグCT1’の上に形成されている。強誘電体キャパシタfc2は、下部電極BEL2、強誘電体膜FER2及び上部電極TEL2から構成されている(図8(A)参照)。
【0045】
つぎに、図4に示されるレイアウトでは、ビアプラグCT2,CT2’、並びにコンタクトプラグCT3〜CT8及びCT3’〜CT8’が形成されている。
ビアプラグCT2は、強誘電体キャパシタfc1の上部電極TEL1の上に形成されている。ビアプラグCT2は、強誘電体キャパシタfc1を介してコンタクトプラグCT1の実質的に真上に形成されている。
【0046】
同様に、ビアプラグCT2’は、強誘電体キャパシタfc2の上部電極TEL2の上に形成されている。ビアプラグCT2’は、強誘電体キャパシタfc2を介してコンタクトプラグCT1’の実質的に真上に形成されている(図8(A)参照)。
【0047】
コンタクトプラグCT3〜CT8及びCT3’〜CT8’は、シリコン基板1に形成されている各MOSトランジスタの電極又は拡散領域に接続される。具体的には、p型MOSトランジスタcp1のドレイン拡散領域dp1に対応して、コンタクトプラグCT3が形成されている。また、ソース拡散領域sp1に対応して、コンタクトプラグCT4が形成されている。
【0048】
同様に、p型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2に対応して、コンタクトプラグCT3’が形成されている。また、ソース拡散領域sp2に対応して、コンタクトプラグCT4’が形成されている。
【0049】
n型MOSトランジスタcn1のドレイン拡散領域dn1に対応して、コンタクトプラグCT6が形成されている。また、ソース拡散領域sn1に対応して、コンタクトプラグCT7が形成されている。同様に、n型MOSトランジスタcn2のドレイン拡散領域dn2に対応して、コンタクトプラグCT6’が形成されている。また、ソース拡散領域sn2に対応して、コンタクトプラグCT7’が形成されている。
【0050】
さらに、ゲート電極gp1から延出される領域exgp1に対応して、コンタクトプラグCT5が形成されている。同様に、ゲート電極gp2から延出される領域exgp2に対応して、コンタクトプラグCT5’が形成されている。また、n型MOSトランジスタsw1のソース又はドレイン拡散領域sd11に対応して、コンタクトプラグCT8が形成されている。同様に、n型MOSトランジスタsw2のソース又はドレイン拡散領域sd21に対応して、コンタクトプラグCT8’が形成されている。
【0051】
つぎに、図5に示されるレイアウトでは、プレート線PLが形成されている。
このプレート線は、図4に示されるビアプラグCT2,CT2’に接続される。
これにより、強誘電体キャパシタfc1の上部電極TEL1は、ビアプラグCT2を介してプレート電極PLに接続される。同様に、強誘電体キャパシタfc2の上部電極TEL2は、ビアプラグCT2’を介してプレート電極PLに接続される(図8参照)。
【0052】
また、金属配線M1が形成されている。この金属配線M1は、コンタクトプラグCT3とコンタクトプラグCT6とを接続すると共に、コンタクトプラグCT5’にも接続されている。同様に、金属配線M1’が形成されている。この金属配線M1’は、コンタクトプラグCT3’とコンタクトプラグCT6’とを接続すると共に、コンタクトプラグCT5にも接続されている。
【0053】
金属配線M1は、p型MOSトランジスタcp1のドレイン拡散領域dp1とn型MOSトランジスタcn1のドレイン拡散領域dn1とを接続している。また、金属配線M1は、該ドレイン拡散領域dp1,dn1とゲート電極gp2とを接続している。
【0054】
同様に、金属配線M1’は、p型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2とn型MOSトランジスタcn2のドレイン拡散領域dn2とを接続している。また、金属配線M1’は、該ドレイン拡散領域dp2,dn2とゲート電極gp1とを接続している。この金属配線M1,M1’と領域exgp2,exgp1とにより、ラッチ回路の襷接続(図1参照)が形成されている。
【0055】
さらに、プラグ間を電気的に接続するプラグコンタクトM2,M2’、M3,M3’及びM4,M4’が形成されている。プラグコンタクトM2は、この後に形成されるビアプラグCT9をコンタクトプラグCT4(図4参照)に接続する。同様に、プラグコンタクトM2’は、この後に形成されるビアプラグCT9’をコンタクトプラグCT4’(図8参照)に接続する。
【0056】
プラグコンタクトM3は、この後に形成されるビアプラグCT10をコンタクトプラグCT7に接続する。同様に、プラグコンタクトM3’は、この後に形成されるビアプラグCT10’をコンタクトプラグCT7’に接続する。さらに、プラグコンタクトM4は、後に形成されるビアプラグCT11(図6参照)をコンタクトプラグCT8に接続する。同様に、プラグコンタクトM4’は、後に形成されるビアプラグCT11’をコンタクトプラグCT8’に接続する。
【0057】
ここで、図4と図5とを参照して、本実施の形態では、p型MOSトランジスタcp1のドレイン拡散領域dp1とn型MOSトランジスタcn1のドレイン拡散領域dn1は、コンタクトプラグCT3,CT6を介して、強誘電体キャパシタfc1が形成される層よりも上の層で配線されている。
【0058】
同様に、p型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2とn型MOSトランジスタcn2のドレイン拡散領域dn2は、コンタクトプラグCT3’,CT6’を介して、強誘電体キャパシタfc2が形成される層よりも上の層で配線されている。
【0059】
また、本実施の形態では、一対のCMOSインバータc1,c2を構成しているトランジスタcp1,cn1,cp2及びcn2により画定される平面領域(たとえば、点A1,A2,A3及びA4を頂点とする長方形)の外側に、強誘電体キャパシタfc1,fc2が形成されている。これにより、強誘電体キャパシタfc1,fc2の膜質の安定化を図りつつ、該画定領域内での積層構造の設計及び実現が容易になる。
【0060】
つぎに、図6に示されるレイアウトでは、電源電圧VDDに接続される金属配線M5、及び接地電圧VSSに接続される金属配線M6が形成されている。金属配線M5は、ビアプラグCT9,CT9’(図5参照)に接続されている。これにより、p型MOSトランジスタcp1のソース拡散領域sp1とp型MOSトランジスタcp2のソース拡散領域sp2は、電源電圧VDDに接続される。
【0061】
また、金属配線M6は、ビアプラグCT10,CT10’(図5参照)に接続されている。これにより、n型MOSトランジスタcn1のソース拡散領域sn1とn型MOSトランジスタcn2のソース拡散領域sn2は、接地電圧VSSに接続される。さらに、ビアプラグCT11,CT11’が形成されている。このビアプラグCT11,CT11’は、プラグコンタクトM4,M4’(図5参照)を介してコンタクトプラグCT8,CT8’に接続されている。
【0062】
さらに、ワード線WLは、n型MOSトランジスタsw1,sw2のゲート電極g1に平行して形成されている。本実施の形態では、このワード線WLは、ゲート電極g1の抵抗を考慮して裏打ち配線として形成されており、数セル単位(数ビット単位)での駆動を可能にしている。
【0063】
つぎに、図7に示されるレイアウトでは、ビット線BL,BLXが形成されている。ビット線BLは、コンタクトプラグCT11に接続されている。これにより、ビット線BLは、n型MOSトランジスタsw1のソース又はドレイン拡散領域sd11に接続されている。同様に、ビット線BLXは、コンタクトプラグCT11’に接続されている。これにより、ビット線BLXは、n型MOSトランジスタsw2のソース又はドレイン拡散領域sd21に接続される。
【0064】
ここで、図2から図7にそれぞれ示される積層構造の製造工程を説明する。これらの工程は、公知のプロセス技術を使用して行うことができる。
【0065】
図2を参照して、はじめに、シリコン基板1にNウェル(図示せず)が形成される。このNウェルは、CMOSインバータc1,c2のp型MOSトランジスタcp1,cp2、及びドレイン拡散領域dp1,dp2から延出される領域exdp1,exdp2のそれぞれに対応して形成される。
【0066】
次いで、シリコン基板1にPウェル(図示せず)が形成される。このPウェルは、CMOSインバータc1,c2のn型MOSトランジスタcn1,cn2及びn型MOSトランジスタsw1,sw2のそれぞれに対応して形成される。これらNウェル及びPウェルは、フォトリソグラフィ、高エネルギーイオン注入及びRTA(Rapid Thermal Annealing)の組合せ等により実現される。
【0067】
次いで、素子分離絶縁膜D0(図8参照)が形成される。この工程は、まず、上記Pウェル及びNウェルにより画定される所定のトランジスタ形成領域の周囲に、フォトリソグラフィにより素子分離溝が形成される。次いで、この素子分離溝に酸化シリコン(SiO2)等が埋め込まれる。この素子分離絶縁膜D0は、STI(Shallow Trench Isolation)法の他に、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)法等により形成することができる。
【0068】
つぎに、CMOSインバータc1,c2のゲート電極gp1,gp2、及び延出される領域exgp1,exgp2、n型MOSトランジスタsw1,sw2のゲート電極g1が形成される。
【0069】
この工程では、はじめに、シリコン基板1の表面がダミー酸化膜(SiO2)で覆われる。つぎに、レジストパターン(図示せず)を用いて、まず、CMOSインバータc1,c2のp型MOSトランジスタcp1,cp2について、チャネルイオンP+等の注入が行われる。次いで、n型MOSトランジスタcn1,cn2及びn型MOSトランジスタsw1,sw2について、チャネルイオンB+等の注入が行われる。
【0070】
つぎに、ダミー絶縁膜がエッチングにより除去された後に、ゲート酸化膜が堆積される。本実施の形態では、ゲート電極材料としてポリシリコンが使用される。TiSi、CoSi等のシリサイドで低抵抗化されている。これらのゲート電極gp1,gp2(領域gxgp1,exgp2を含む)及びg1は、フォトリソグラフィにより、各ゲート電極の平面形状にパターニングされ、次いでエッチングを行うことにより形成される。
【0071】
さらに、これら形成されたゲート電極gp1,gp2(領域gxgp1,exgp2を含む)及びg1の上から、フォトリソグラフィとイオン注入により、P型,N型双方のトランジスタのLDD(Lightly Doped Drain)が注入されてもよい。また、LDDを熱処理で活性化する前に、CVD(Chemical Vapor Deposition)等でシリコン酸化膜が堆積され、エッチバックによりゲート電極面にサイドウォールが形成されてもよい。次いで、フォトリソグラフィとイオン注入を用いて、ソース・ドレインの不純物がシリコン基板1に導入される。LDDとソース・ドレインの拡散層は、一度の熱処理で同時に拡散される。
【0072】
図3を参照して、はじめに、第1層間絶縁膜D1(図8参照)が堆積される。
この工程は、図2の工程が完了されたシリコン基板1の上に、BPSG、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜が重ね合わされて堆積される。次いで、加熱処理を経て緻密化され、更に化学機械研磨(CMP)法による平坦化処理が行われる。
【0073】
つぎに、コンタクトホールCTH1,CTH1’が形成される。この工程は、フォトリソグラフィにより、これらコンタクトホールの平面形状にパターニングされ、その後第1層間絶縁膜D0をエッチングすることにより形成される。つぎに、コンタクトプラグCT1,CT1’が形成される。この工程は、まず、コンタクトホールCTH1,CTH1’にバリアメタル(Ti/TiN)がスパッタリングされる。次いで、CVD等によりプラグ材料としてのタングステンWが堆積され、CMP法による平坦化処理が行われる。
【0074】
つぎに、強誘電体キャパシタfc1,fc2が形成される。この工程は、はじめに、第1層間絶縁膜D1とコンタクトプラグCT1,CT1’上に、下部電極BEL1,BEL1’としての第1導電膜が形成される。この第1導電膜は、スパッタリングにより、たとえば、膜厚200nmを有するイリジウム(Ir)膜、膜厚23nmを有する酸化プラチナ(PtO)膜、及び膜厚50nmを有するプラチナ(Pt)膜が積層されて形成される。
【0075】
つぎに、この第1導電膜上に強誘電体膜FER1,FER2として、スパッタリングにより、たとえば、膜厚200nmを有するPZT膜が形成される。その後、このPZT膜は、酸素含有雰囲気中でのアニーリングにより結晶化される。
このアニーリングは、たとえば、アルゴン(Ar)と酸素(O2)の混合ガス雰囲気中で基板温度600℃、時間90秒の条件からなる第1ステップ、酸素雰囲気中で基板温度750℃、時間60秒の条件からなる第2ステップからなるRTA処理が採用される。
【0076】
つぎに、このPZT膜の上に、上部電極TEL1,TEL2としての第2導電膜が形成される。この第2導電膜は、スパッタリングにより、たとえば、膜厚200nmを有する酸化イリジウム(IrO2)が形成される。その後、この第2導電膜の上に、ハードマスク(図示せず)が形成される。
【0077】
ここで、フォトリソグラフィにより、強誘電体キャパシタの平面形状を有するパターンが形成される。次いで、第2導電膜、PZT膜及び第1導電膜のうち、ハードマスクに覆われない領域が順次エッチングされる。この場合、PZT膜は,ハロゲン元素を含む雰囲気中でスパッタ反応によりエッチングされる。
【0078】
このエッチング処理の後、ハードマスクは除去され、下部電極BEL1、強誘電体膜FER1及び上部電極TER1からなる強誘電体キャパシタfc1、及び下部電極BEL2、強誘電体膜FER2及び上部電極TEL2からなる強誘電体キャパシタfc2(図8(A)参照)が形成される。
【0079】
つぎに、第2層間絶縁膜D2(図8参照)が形成される。この形成工程は、第1層間絶縁膜D1と同様であり、強誘電体キャパシタfc1,fc2及び第1層間絶縁膜D1を覆うように堆積される。次いで、加熱処理を経て緻密化され、更にCMP法により平坦化処理が行われる。
【0080】
図4を参照して、はじめに、ビアホールCTH2,CTH2’が形成される。この工程は、まず、フォトリソグラフィにより、これらのホールの平面形状がパターニングされ、第2層間絶縁膜D2に対してエッチングを行うことにより形成される。
【0081】
次いで、ビアプラグCT2,CT2’が形成される。この工程は、まず、ビアホールCTH2,CTH2’にバリアメタル(Ti/TiN)がスパッタリングされる。次いで、CVD等によりプラグ材料としてのタングステンが堆積され、CMP法による平坦化処理が行われる。
【0082】
つぎに、コンタクトホールCTH3〜CTH8及びCTH3’〜CTH8’が形成される。この工程は、フォトリソグラフィによりこれらホールの平面形状にパターニングされ、第2層間絶縁膜D2をエッチングすることに形成される。次いで、コンタクトプラグCT3〜CT8及びCT3’〜CT8’が形成される。
【0083】
この工程は、まず、コンタクトホールCTH3〜CTH8及びCTH3’〜CTH8’にバリアメタル(Ti/TiN)がスパッタリングされる。次いで、CVD等によりプラグ材料としてのタングステンが堆積され、CMP法による平坦化処理が行われる。
【0084】
図5を参照して、はじめに、プレート線PL、金属配線M1,M1’並びにプラグコンタクトM2,M2’,M3,M3’及びM4,M4’が形成される。この工程は、はじめに、第2層間絶縁膜D2及びコンタクトプラグCT3〜CT8及びCT3’〜CT8’の上に、バリアメタル(Ti/TiN)、アルミニウム及びバリアメタルからなる層がスパッタリングにより順次形成される。次いで、フォトリソグラフィにより、これら配線の平面形状がパターニングされ、次いでエッチングを行うことにより形成される。
【0085】
つぎに、第3層間絶縁膜D3(図8参照)が形成される。この形成工程は、第1層間絶縁膜D1と同様であり、まず、プレート線PL、金属配線M1,M1’、プラグコンタクトM2及びM2’並びに第2層間絶縁膜D2を覆うように堆積される。次いで、加熱処理を経て緻密化され、更にCMP法により平坦化される。
【0086】
つぎに、ビアホールCTH9〜CTH10及びCTH9’〜CTH10’が形成される。この工程は、フォトリソグラフィにより、各ホールの平面形状がパターニングされ、次いで第3層間絶縁膜D3に対してエッチングすることからなる。
【0087】
つぎに、ビアプラグCT9〜10及びCT9’〜10’が形成される。この工程は、はじめに、ビアホールCTH9〜CTH10及びCTH9’〜CTH10’にバリアメタル(Ti/TiN)がスパッタリングされる。次いで、CVD等によりプラグ材料としてのタングステンが堆積され、CMP法による平坦化処理が行われる。
【0088】
図6を参照して、はじめに、金属配線M5,M6及びワード線WLが形成される。この工程は、まず、第3層間絶縁膜D3、及びビアプラグCT9〜10及びCT9’〜10’の上に、スパッタリングによりバリアメタル(Ti/TiN)、アルミニウム及びバリアメタルからなる層が順次形成される。次いで、フォトリソグラフィにより、各配線の平面形状にパターニングされ、その後エッチングが行われる。上述したように、ワード線WLは、裏打ち配線として形成される。
【0089】
つぎに、第4層間絶縁膜D4(図8参照)が形成される。この第4層間絶縁膜D4は、上述した第1層間絶縁膜D1と同様に堆積され、金属配線M5,M6及びワード線WL、更には第3層間絶縁膜D3を覆うように形成される。次いで、加熱処理を経て緻密化され、更にCMP法により平坦化されて形成される。
【0090】
つぎに、コンタクトホールCTH11,CTH11’が形成される。この工程は、フォトリソグラフィによりこれらのホールの平面形状がパターニングされ、第4層間絶縁膜D4に対してエッチングを行うことにより形成される。つぎに、コンタクトプラグCT11,CT11’が形成される。この工程は、はじめに、コンタクトホールCTH11〜CTH11’にバリアメタル(Ti/TiN)がスパッタリングされる。次いで、CVD等によりプラグ材料としてのタングステンが堆積され、CMP法による平坦化処理が行われる。
【0091】
図7を参照して、はじめに、ビット線BL,BLXが形成される。この工程は、第4層間絶縁膜D4及びコンタクトプラグCT11,CT11’の上に、バリアメタル(Ti/TiN)、アルミニウム及びバリアメタルからなる層が、スパッタリングにより順次形成される。次いで、フォトリソグラフィによりこれらの配線の平面形状がパターニングされ、その後エッチングが行われる。
【0092】
つぎに、第5層間絶縁膜D5(図8参照)が形成される。この第5層間絶縁膜D5は、上述した第1層間絶縁膜D1と同様に堆積され、第4層間絶縁膜D4及びビット線BL,BLXを覆うように形成される。次いで、加熱処理を経て緻密化され、更にCMP法により平坦化されて形成される。
【0093】
図8は、本発明の第1実施の形態による不揮発性SRAMセルの断面図を示している。図8(A)は、図7に示される位置Y−Y’での断面図を示している。
【0094】
この断面構造では、ドレイン拡散領域dp2の一部として延出される領域exdp2がシリコン基板1に形成されている。この領域exdp2は、コンタクトプラグCT1’を介して強誘電体キャパシタfc2の下部電極BEL2に接続されている。強誘電体キャパシタfc2の上部電極TEL2は、ビアプラグCT2’を介してプレート線PLに接続されている。
【0095】
また、ドレイン拡散領域dp2は、コンタクトプラグCT3’を介して金属配線M1’に接続されている。この金属配線M1’が形成される層の上の層には、電源電圧VDDに接続される金属配線M5が形成されている。この金属配線M5が形成される層の上には、ビット線BLXが形成されている。
【0096】
この積層構造では、強誘電体キャパシタfc1,fc2は、ビット線BL,BLX或いはプレート線PLが形成される層よりも下の層に形成されている。この積層順序により、600℃を超える高い成膜温度で強誘電体膜(PZT膜)FER1,FER2を形成することができ、安定した膜質を得ることができる。
【0097】
具体的には、ドレイン拡散領域dp1,dp2から延出される領域exdp1,exdp2を介して、ラッチ回路の襷配線と下部電極BEL1,BEL2を接続することにより、ビット線BL,BLX等の金属配線を行う工程の前に強誘電体膜を形成することができる。さらに、製造プロセス、更には回路動作の面でも安定な不揮発性メモリを実現することができる。
【0098】
図8(B)は、図7に示される位置X−X’での断面図を示している。この断面構造では、p型MOSトランジスタcp2がシリコン基板1に形成されている。このp型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2は、コンタクトプラグCT3’を介して金属配線M1’に接続されている。
【0099】
また、ソース拡散領域sp2は、コンタクトプラグCT4’、プラグコンタクトM2’及びビアプラグCT9’を介して電源電圧VDDに接続される金属配線M5に接続されている。この金属配線M5が形成される層の上の層には、ビット線BLXが形成されている。
【0100】
ここで、第1実施の形態に関連する他の形態について説明する。たとえば、上記実施の形態(図2参照)では、CMOSインバータc1,c2のp型MOSトランジスタcp1,cp2から延出される領域exdp1,exdp2を記憶ノードN,NX(図1参照)として設けている。
【0101】
他の形態として、CMOSインバータc1,c2のn型MOSトランジスタcn1,cn2から延出される領域(図示せず)を記憶ノードN,NXとして設けてもよい。この場合、該領域の上の層に強誘電体キャパシタfc1,fc2がそれぞれ形成される。
【0102】
更には、p型MOSトランジスタcp1のドレイン拡散領域dp1から延出される領域と、n型MOSインバータcn2のドレイン拡散領域dn2から延出される領域とを記憶ノードN,NXとして設けてもよい。同様に、n型MOSトランジスタcn1のドレイン拡散領域dn1から延出される領域と、p型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2から延出される領域とを記憶ノードN,NXとして設ける等してもよい。
【0103】
以上から、本実施の形態では、強誘電体キャパシタfc1,fc2の下部電極BEL1,BEL2は、ラッチ回路を構成する複数のトランジスタのそれぞれの不純物拡散領域のうち、電源電圧VDD又は接地電圧VSSに接続される不純物拡散領域(たとえば、sp1,sn1,sp2,sn2)とは異なる不純物拡散領域(たとえば、dp1,dn1,dp2,dn2)が延出される領域にそれぞれ接続される。
【0104】
特に、強誘電体キャパシタfc1,fc2の下部電極BEL1,BEL2は、2つのインバータc1,c2のそれぞれのドレイン拡散領域のうち、電源電圧VDD又は接地電圧VSSに接続されるドレイン拡散領域とは異なるドレイン拡散領域のうちの1つが延出された領域とそれぞれ接続される。
【0105】
具体的には、下部電極BEL1は、ドレイン拡散領域dp1又はdn1の一方が延出された領域に接続される。また、下部電極BEL2は、ドレイン拡散領域dp2又はdn2の一方が延出された領域に接続される。
【0106】
また、上記実施の形態では、CMOSインバータc1,c2のp型MOSトランジスタcp1,cp2から延出される領域exdp1,exdp2は、点A1,A2,A3及びA4により画定される領域(図5参照)の外側に形成されている。他の形態として、これら延出される領域を該画定領域の内部に設けることもできる。
【0107】
上述された他の形態を含めて、第1実施の形態による不揮発性SRAMセルは、強誘電体キャパシタfc1,fc2の強誘電体膜の安定、更には回路動作の安定を保証することができる積層構造として提供される。
【0108】
図9〜図16は、本発明の第2実施の形態による不揮発性SRAMセルのレイアウトを示しており、図9から図16へと、素子が積層される経緯が示されている。以下、図1に示される回路の接続と対比しながら、図9〜図16に示されるレイアウトを説明する。なお、前述した第1の実施の形態と同一の素子等には、同一の符号を付して配置及び機能的な説明を省略する。
【0109】
図9に示されるレイアウトは、第1実施の形態の図2に対応している。図9と図2の異なる点は、CMOSインバータc1,c2のp型MOSトランジスタcp1,cp2のそれぞれのドレイン拡散領域dp1,dp2から延出される領域がない点である。
【0110】
シリコン基板1上には、CMOSインバータc1,c2が設けられている。これらのCMOSインバータc1,c2は、両者のゲート電極gp1,gp2が形成される方向に平行な中心線Z−Z’に関して、互いに対称な位置に設けられている。
【0111】
ここで、CMOSインバータc1,c2の一方のゲート電極gp1(gp2)は、他方のゲート電極gp2(gp1)に向かって、該他方のゲート電極に接続される2つのドレイン拡散領域dp2,dn2(dp1,dn1)の間の位置まで延出される領域exgp1(exgp2)を有している。
【0112】
特に、第1実施の形態と同様に、この延出される領域exgp1は、CMOSインバータc2側の襷配線を形成するために、ドレイン拡散領域dp2,dn2とシリコン基板1上で直接接続されるものではない。この延出される領域exgp1には、ゲート電極gp1とドレイン拡散領域dp2,dn2とをシリコン基板1よりも上の層で電気的に接続するためのプラグCT14(図10参照)が形成される領域exgp1’が設けられている。
【0113】
同様に、延出される領域exgp2は、CMOSインバータc1側の襷配線を形成するために、ドレイン拡散領域dp1,dn1とシリコン基板1上で直接接続されるものではない。この延出される領域exgp2には、ゲート電極gp2とドレイン拡散領域dp1,dn1とをシリコン基板1よりも上の層で電気的に接続するためのプラグCT14’(図10参照)が形成される領域exgp2’が設けられている。
【0114】
これら延出される領域exgp1,exgp2の構成及び配置は、CMOSインバータc1,c2、強誘電体キャパシタfc1,fc2、次いでビット線等の金属配線の順序で積層される本発明の積層構造に特化した襷配線の形態を与えるものである。
【0115】
図10に示されるレイアウトでは、コンタクトプラグCT12〜CT14及びCT12’〜CT14’、及び局所配線M5,M5’が形成されている。これらのコンタクトプラグは、シリコン基板1に形成されている各MOSトランジスタの電極又は拡散領域に接続される。
【0116】
具体的には、p型MOSトランジスタcp1のドレイン拡散領域dp1に対応して、コンタクトプラグCT12が形成されている。また、n型MOSトランジスタcn1のドレイン拡散領域dn1に対応して、コンタクトプラグCT13が形成されている。
【0117】
同様に、p型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2に対応して、コンタクトプラグCT12’が形成されている。また、n型MOSトランジスタcn2のドレイン拡散領域dn2に対応して、コンタクトプラグCT13’が形成されている。
【0118】
さらに、ゲート電極gp1から延出される領域exgp1に対応して、コンタクトプラグCT14が形成されている。同様に、ゲート電極gp2から延出される領域exgp2に対応して、コンタクトプラグCT14’が形成されている。
【0119】
局所配線M5は、p型MOSトランジスタcp1のドレイン拡散領域dp1とn型MOSトランジスタcn1のドレイン拡散領域dn1とを接続している。また、この局所配線M5の実質的に真下には領域exgp2が延出されている。このため、コンタクトプラグCT14’を介して、該ドレイン拡散領域dp1,dn1とゲート電極gp2とが接続されている。
【0120】
同様に、局所配線M5’は、p型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2とn型MOSトランジスタcn2のドレイン拡散領域dn2とを接続している。また、この局所配線M5’の実質的に真下には領域exgp1が延出されている。
【0121】
このため、コンタクトプラグCT14’を介して、該ドレイン拡散領域dp2,dn2とゲート電極gp1とが接続されている。この局所配線M5,M5’と領域exgp2,exgp1とにより、ラッチ回路の襷接続(図1参照)が形成されている。
【0122】
本実施の形態では、ビット線又はプレート線をなす金属配線にアルミニウム又は銅が使用される場合、局所配線M5,M5’には、ポリシリコン、シリサイド(タングステンシリサイド、チタンシリサイド、コバルトシリサイド)等の材料を使用することができる。
【0123】
図11に示されるレイアウトでは、ビアプラグCT15,CT15’が形成されている。ビアプラグCT15は、局所配線M5を介してコンタクトプラグCT14に接続されている(図10参照)。ビアプラグCT15は、強誘電体キャパシタfc1の下部電極BEL1に接続されている。強誘電体キャパシタfc1は、下部電極BEL1、強誘電体膜FER1及び上部電極TEL1から構成されている(図17(A)参照)。
【0124】
同様に、ビアプラグCT15’は、局所配線M5’を介してコンタクトプラグCT14に接続されている。ビアプラグCT15’は、強誘電体キャパシタfc2の下部電極BEL2に接続されている。強誘電体キャパシタfc2は、下部電極BEL2、強誘電体膜FER2及び上部電極TEL2から構成されている。
【0125】
本実施の形態では、CMOSインバータc1のp型MOSトランジスタcp1のドレイン拡散領域dp1とn型MOSトランジスタcn1のドレイン拡散領域dn1は、強誘電体キャパシタfc1が形成される層よりも下の層で配線されている。同様に、CMOSインバータc2のp型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2とn型MOSトランジスタcn2のドレイン拡散領域dn2は、強誘電体キャパシタfc2が形成される層よりも下の層で配線されている。
【0126】
また、本実施の形態では、2つのCMOSインバータc1,c2を構成しているトランジスタcp1,cn1,cp2及びcn2により画定される平面領域(たとえば、点A1,A2,A3及びA4を頂点とする長方形)の内側に、強誘電体キャパシタfc1,fc2が形成されている。これにより、不揮発性SRAMセルの小面積化を実現することができる。
【0127】
図12に示されるレイアウトでは、ビアプラグCT16,CT16’及びコンタクトプラグCT17〜19,CT17’〜CT19’が形成されている。具体的には、ビアプラグCT16は、上部電極TEL1の上に形成されている(図17(A)参照)。
【0128】
ビアプラグCT16は、強誘電体キャパシタfc1を介して、コンタクトプラグCT15の実質的に真上に形成されている。さらに、ビアプラグCT16’は、上部電極TEL2の上に形成されている。ビアプラグCT16’は、強誘電体キャパシタfc2を介してコンタクトプラグCT15’の実質的に真上に形成されている。
【0129】
コンタクトプラグCT17〜19,CT17’〜CT19’は、シリコン基板1に形成されている各MOSトランジスタの電極又は拡散領域に接続される。具体的には、p型MOSトランジスタcp1のソース拡散領域sp1に対応して、コンタクトプラグCT17が形成されている。また、n型MOSトランジスタcn1のソース拡散領域sn1に対応して、コンタクトプラグCT18が形成されている。
【0130】
同様に、p型MOSトランジスタcp2のソース拡散領域sp2に対応して、コンタクトプラグCT17’が形成されている。また、n型MOSトランジスタcn2のソース拡散領域sn2に対応して、コンタクトプラグCT18’が形成されている。
【0131】
さらに、n型MOSトランジスタsw1のソース又はドレイン拡散領域sd11に対応して、コンタクトプラグCT19が形成されている。同様に、n型MOSトランジスタsw2のソース又はドレイン拡散領域sd21に対応して、コンタクトプラグCT19’が形成されている。
【0132】
図13に示されるレイアウトでは、プラグコンタクトM6〜M9、M6’〜M9’が形成されている。プラグコンタクトM6は、この後に形成されるビアプラグCT20をコンタクトプラグCT17(図12参照)に電気的に接続する。同様に、プラグコンタクトM6’は、この後に形成されるビアプラグCT20’をコンタクトプラグCT17’に電気的に接続する。
【0133】
プラグコンタクトM7は、この後に形成されるビアプラグCT22をコンタクトプラグCT18に電気的に接続する。同様に、プラグコンタクトM7’は、後に形成されるビアプラグCT22’をコンタクトプラグCT18’に電気的に接続する。
【0134】
プラグコンタクトM8は、この後に形成されるビアプラグCT23をコンタクトプラグCT19に電気的に接続する。同様に、プラグコンタクトM8’は、後に形成されるビアプラグCT23’をコンタクトプラグCT19’に電気的に接続する。
【0135】
プラグコンタクトM9は、この後に形成されるビアプラグCT21をコンタクトプラグCT16に電気的に接続する。同様に、プラグコンタクトM9’は、後に形成されるビアプラグCT21’をコンタクトプラグCT16’に電気的に接続する。
【0136】
図14に示されるレイアウトでは、電源電圧VDDに接続される金属配線10、接地電圧VSSに接続される金属配線11、プレート線PL、ワード線WL及びプラグコンタクトCT24,24’が形成されている。
【0137】
金属配線M10は、ビアプラグCT20,CT20’(図13参照)を接続する。これにより、p型MOSトランジスタcp1のソース拡散領域sp1とp型MOSトランジスタcp2のソース拡散領域sp2は、電源電圧VDDに接続される。
【0138】
また、金属配線M11は、ビアプラグCT22,CT22’(図13参照)を接続する。これにより、n型MOSトランジスタcn1のソース拡散領域sn1とn型MOSトランジスタcn2のソース拡散領域sn2は、接地電圧VSSに接続される。
【0139】
また、プレート線PLは、コンタクトCT21,21’(図13参照)に接続される。これにより、プレート線PLは、コンタクトCT21,CT21’を介して、強誘電体キャパシタfc1,fc2の上部電極TEL1,TEL2に接続される。
【0140】
プラグコンタクトM12は、この後に形成されるビアプラグCT24をコンタクトプラグCT23(図13参照)に電気的に接続する。同様に、プラグコンタクトM12’は,この後に形成されるビアプラグCT24’をビアプラグCT23’に電気的に接続する。
【0141】
さらに、ワード線WLは、n型MOSトランジスタsw1,sw2のゲート電極g1に平行して形成されている。第1実施の形態と同様に、このワード線WLは、ゲート電極g1の抵抗を考慮して裏打ち配線として形成されており、数セル単位(数ビット単位)での動作を可能にしている。
【0142】
図15に示されるレイアウトでは、ビット線BL,BLXが形成されている。
ビット線BLは、ビアプラグCT24に接続されており、ビット線BLXは、ビアプラグCT24’に接続されている。これにより、ビット線BLは、n型MOSトランジスタsw1のソース又はドレイン拡散領域sd11に接続される。同様に、ビット線BLXは、n型MOSトランジスタsw2のソース又はドレイン拡散領域sd21に接続される。
【0143】
ここで、図9から図15にそれぞれ示される積層構造の製造工程を説明する。
図9を参照して、上述したように、図9に示される素子の構造は、図2に示される構造から領域exdp1,exdp2を除いた構造である。このため、図9に示される構造の製造工程は、これらの領域をゲート電極形成と同時に形成する工程を除いたものであり、その他の工程は全く同じである。
【0144】
図10〜図11を参照して、はじめに、第1層間絶縁膜D1’(図17参照)が形成される。この工程は、図9に示されるシリコン基板1の上に、BPSG、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜が重ね合わされて堆積される。次いで、加熱処理を経て緻密化され、更にCMP法による平坦化処理が行われる。
【0145】
つぎに、コンタクトホールCTH12〜CTH14,CTH12’〜CTH14’が形成される。この工程は、フォトリソグラフィにより各ホールの平面形状がパターニングされ、次いで第1層間絶縁膜D1’に対してエッチングが行われる。
【0146】
次いで、コンタクトプラグCT12〜CT14,CT12’〜CT14’が形成される。この工程は、まず、コンタクトホールCTH12〜CTH14,CTH12’〜CTH14’にバリアメタル(Ti/TiN)がスパッタリングされる。次いで、CVD等によりプラグ材料としてのタングステンWが堆積され、CMP法による平坦化処理が行われる。
【0147】
つぎに、局所配線M5,M5’が形成される。この工程は、まず、ポリシリコン等の材料がCVD法により堆積される。次いで、フォトリソグラフィにより局所配線M5,M5’の平面形状がパターニングされ、次いでエッチングが行われる。
【0148】
つぎに、第1層間絶縁膜D1’’(図17参照)が形成される。この工程は、第1層間絶縁膜D1’の堆積工程と同じであり、第1層間絶縁膜D1’及び局所配線M5,M5’を覆うように形成される。次いで、加熱処理を経て緻密化され、更にCMP法による平坦化処理が行われる。
【0149】
つぎに、ビアホールCTH15,CTH15’が形成される。この工程は、フォトリソグラフィにより各ホールの平面形状がパターニングされ、第1層間絶縁膜D1’に対してエッチングが行われる。つぎに、ビアプラグCT15,CT15’が形成される。この工程は、まず、ビアホールCTH15,CTH15’にバリアメタル(Ti/TiN)がスパッタリングされる。次いで、CVD等によりプラグ材料としてのタングステンWが堆積され、CMP法による平坦化処理が行われる。
【0150】
つぎに、強誘電体キャパシタfc1,fc2が形成される。この形成工程は、上述した第1実施の形態と同じである。この工程の後、第2層間絶縁膜D2が形成される。この工程は、第1の層間絶縁膜D1’の堆積工程と同様であり、強誘電体キャパシタfc1,fc2及び第1層間絶縁膜D’’を覆うように形成される。次いで、加熱処理を経て緻密化され、更にCMP法による平坦化処理が行われる。
【0151】
図12を参照して、はじめに、ビアホールCTH16,CTH16’が形成される。この工程は、まず、フォトリソグラフィのよりビアホールCT16,CT16’の平面形状がパターニングされ、次いで、第2層間絶縁膜D2に対してエッチングが行われる。
【0152】
つぎに、ビアプラグCT16,CT16’が形成される。この工程は、まず、ビアホールCTH16,CTH16’にバリアメタル(Ti/TiN)がスパッタリングされる。次いで、CVD等によりプラグ材料としてのタングステンWが堆積され、CMP法による平坦化処理が行われる。
【0153】
つぎに、コンタクトホールCTH17〜CTH19,CTH17’〜CTH19’が形成される。この工程は、はじめに、フォトリソグラフィにより各ホールの平面形状がパターニングされる。次いで、第2層間絶縁膜D2及び第1層間絶縁膜D1’,D1’’に対してエッチングが行われる。
【0154】
つぎに、コンタクトホールCT17〜CT19,CT17’〜CT19’が形成される。この工程は、まず、コンタクトホールCTH17〜CTH19,CTH17’〜CTH19’にバリアメタル(Ti/TiN)がスパッタリングされる。次いで、CVD等によりプラグ材料としてのタングステンWが堆積され、CMP法による平坦化処理が行われる。
【0155】
図13を参照して、はじめに、プラグコンタクトM6〜M9、M6’〜M9’が形成されている。この工程は、はじめに、第2層間絶縁膜D2及びビアプラグCT16,CT16’及びコンタクトプラグCT17〜19,CT17’〜CT19’の上に、バリアメタル(Ti/TiN)、アルミニウム及びバリアメタルからなる層がスパッタリングにより順次形成される。次いで、フォトリソグラフィにより、各プラグコンタクトの平面形状がパターニングされ、次いで、エッチングが行われる。
【0156】
つぎに、第3層間絶縁膜D3が形成される。この工程は、第1の層間絶縁膜D1の堆積工程と同様であり、プラグコンタクトM6〜M9、M6’〜M9’及び第2層間絶縁膜D2を覆うように形成される。次いで、加熱処理を経て緻密化され、更にCMP法により平坦化されて形成される。
【0157】
つぎに、ビアホールCTH20〜CTH23,CTH20’〜CTH23’が形成される。この工程は、フォトリソグラフィにより各ビアホールの平面形状がパターニングされ、第3層間絶縁膜D3に対してエッチングが行われる。
【0158】
つぎに、ビアプラグCT20〜CT23,CT20’〜CTH20’〜23’が形成される。この工程は、まず、ビアホールCTH20〜CTH23,CT20’〜CT23’にバリアメタル(Ti/TiN)がスパッタリングされる。次いで、CVD等によりプラグ材料としてのタングステンWが堆積され、CMP法による平坦化処理が行われる。
【0159】
図14を参照して、はじめに、金属配線10,11、プレート線PL、ワード線WL及びプラグコンタクト12,12’が形成される。この工程は、第3層間絶縁膜D3、及びビアプラグCT20〜CT23,CT20’〜CT23’の上に、バリアメタル(Ti/TiN)、アルミニウム及びバリアメタルからなる層が、スパッタリングにより順次形成される。その後、フォトリソグラフィにより各配線及びプラグコンタクトの平面形状がパターニングされ、次いで、エッチングが行われる。上述したように、ワード線WLは、裏打ち配線として形成される。
【0160】
つぎに、第4層間絶縁膜D4(図17参照)が形成される。この工程は、第1の層間絶縁膜D1の堆積と同様であり、金属配線10,11、プレート線PL、ワード線WL及びプラグコンタクト12,12’及び第3層間絶縁膜D3を覆うように形成される。次いで、加熱処理を経て緻密化され、更にCMP法による平坦化処理が行われる。
【0161】
つぎに、ビアホールCTH24,CTH24’が形成される。この工程は、はじめに、フォトリソグラフィによりビアホールCTH24,CTH24’の平面形状がパターニングされ、次いで、第4層間絶縁膜D4に対してエッチングが行われる。
【0162】
つぎに、ビアプラグCT24,CT24’が形成される。この工程は、ビアホールCTH24,CTH24’にバリアメタル(Ti/TiN)がスパッタリングされる。次いで、CVD等によりプラグ材料としてのタングステンWが堆積され、CMP法による平坦化処理が行われる。
【0163】
図15を参照して、はじめに、ビット線BL,BLXが形成される。この工程は、第4層間絶縁膜D3、及びCT24,CT24’の上に、バリアメタル(Ti/TiN)、アルミニウム及びバリアメタルからなる層が、スパッタリングにより順次形成される。次いで、フォトリソグラフィにより、ビット線BL,BLXの平面形状がパターニングされ、エッチングが行われる。
【0164】
つぎに、第5層間絶縁膜D5が形成される。この工程は、第1の層間絶縁膜D1の堆積と同様であり、ビット線BL,BLX及び第4層間絶縁膜D4を覆うように堆積される。次いで、加熱処理を経て緻密化され、更にCMP法による平坦化処理が行われる。
【0165】
図16は、本実施の形態による不揮発性SRAMセルを示すレイアウトである。図16には、積層構造を調べるための縦方向のグリッドa〜f、及び横方向のグリッドg〜mが示されている。
【0166】
図17は、本実施の形態による不揮発性SRAMセルの断面図を示している。
図17(A)は、図16に示される位置X−X’での断面図に対応しており、図17(B)は、位置Y−Y’での断面図に対応している。
【0167】
はじめに、図17(A)では、CMOSインバータc2のゲート電極gp2から延出される領域exgp2は、コンタクトプラグCT14’を介して、局所配線M5に接続されている。この局所配線M5は、ビアプラグCT15を介して、強誘電体キャパシタfc1の下部電極BEL1に接続されている。
【0168】
強誘電体キャパシタfc1の上部電極TEL1は、ビアプラグCT16、プラグコンタクトM9及びビアプラグCT21を介して、プレート線PLに接続されている。ビット線BLは、第4層間絶縁膜D4を介してプレート線PLに直交する方向に形成されている。
【0169】
同様に、CMOSインバータc1のゲート電極gp1から延出される領域exgp1は、コンタクトプラグCT14を介して、局所配線M5’に接続されている。この局所配線M5’は、ビアプラグCT15’を介して、強誘電体キャパシタfc2の下部電極BEL2に接続されている。
【0170】
強誘電体キャパシタfc2の上部電極TEL2は、ビアプラグCT16’、プラグコンタクトM9’及びビアプラグCT21’を介して、プレート線PLに接続されている。ビット線BLXは、第4層間絶縁膜D4を介してプレート線PLに直交する方向に形成されている。
【0171】
つぎに、図17(B)では、CMOSインバータc2のp型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2と、n型MOSトランジスタcn2のドレイン拡散領域dn2は、コンタクトプラグCT12’,CT13’を介して局所配線M5’に接続されている。この局所配線M5’は、コンタクトプラグCT14を介して、ゲート電極gp1から延出される領域exgp1に接続されている。
【0172】
この局所配線M5’は、ビアプラグCT15’を介して強誘電体キャパシタfc2の下部電極BEL2に接続されている。強誘電体キャパシタfc2の上部電極TEL2は、ビアプラグCT16’、プラグコンタクトM9’及びビアプラグ21’を介してプレート線PLに接続されている。プレート線PLが形成されている層には、該プレート線PLが形成される方向と平行な方向に、金属配線M10’,M11’、ワード線WLが形成されている。
【0173】
また、n型MOSトランジスタsw2のソース又はドレイン拡散領域sd21は、コンタクトプラグCT19’、プラグコンタクトM8’、ビアプラグCT23’、プラグコンタクトM12’及びビアプラグCT24’を介して、ビット線BLXに接続されている。このビット線BLXは、プレート線PL、金属配線M10’,M11’及びワード線WLが形成されている方向と直交する方向に形成されている。
【0174】
本実施の形態による不揮発性SRAMセルは、強誘電体キャパシタfc1,fc2は、ビット線BL,BLX及びプレート線をなす金属配線が形成される層よりも下の層に形成される。さらに、強誘電体キャパシタfc1,fc2は、点A1,A2,A3及びA4で例示的に画定される領域(図11参照)の内部に形成される。これにより、強誘電体膜の安定及び回路動作の安定を確保させることができると共に、不揮発性SRAMセルの小面積化にも寄与することができる。
【0175】
以下、本実施の形態に関連する他の形態として、第3〜第6実施の形態をそれぞれ示す。なお、前述される実施の形態において示された構成要素と同じ構成要素には、同一の符号が付されて説明が省略される。
図18〜図19は、本発明の第3実施の形態による不揮発性SRAMセルのレイアウトを示している。図18及び図19は、第2実施の形態における図9〜図11に対応している。
【0176】
図18に示されるレイアウトでは、図9に示される構造に加えて、コンタクトプラグCT12〜CT14及びCT12’〜CT14’(図10参照)が形成されている。
【0177】
図19に示されるレイアウトでは、局所配線BEL1’が形成されている。この局所配線BEL1’は、CMOSインバータc1のp型MOSトランジスタcp1のドレイン拡散領域dp1とn型MOSトランジスタcn1のドレイン拡散領域dn1に接続されると共に、コンタクトプラグCT14’(図18参照)を介してゲート電極gp2から延出される領域exgp2にも接続されている。
【0178】
本実施の形態では、局所配線BEL1’は、強誘電体キャパシタfc1の下部電極BEL1(図20参照)の役割も果たしている。これにより、強誘電体キャパシタfc1は、ラッチ回路の襷配線の一方(局所配線BEL1’、コンタクトプラグCT14’及び延出される領域exgp2)にダイレクトに接続される。この局所配線BEL1’(BEL1)には、強誘電体膜FER1及び上部電極TEL1が形成されている。上部電極TEL1には、ビアプラグCT16(図12参照)が形成されることになる。
【0179】
同様に、局所配線BEL2’は、CMOSインバータc2のp型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2とn型MOSトランジスタcn2のドレイン拡散領域dn2に接続されると共に、コンタクトプラグCT14を介してゲート電極gp1から延出される領域exgp1にも接続される。
【0180】
また、局所配線BEL2’は、強誘電体キャパシタfc2の下部電極BEL2(図21参照)を兼ねている。これにより、強誘電体キャパシタfc2は、ラッチ回路の襷配線の他方(局所配線BEL2’、コンタクトプラグCT14及び延出される領域exgp1)にダイレクトに接続される。この局所配線BEL2’(BEL2)には、強誘電体膜FER2及び上部電極TEL2が形成されている。上部電極TEL2には、ビアプラグCT16’(図12参照)が形成されることになる。
【0181】
本実施の形態では、局所配線BEL1’,BEL2’は、強誘電体キャパシタfc1,fc2の下部電極BEL1,BEL2と、ラッチ回路を形成する襷配線の2つの役割をはたす。下部電極BEL1,BEL2が複数の層から形成される場合(たとえば、Pt/IrO2/Ir等の場合)、この複数層のうち幾つかの層により局所配線を形成することができる。
【0182】
以下、図18及び図19に示される積層構造の製造プロセスについて説明する。図18を参照して、図9に示される構造に加えて、はじめに、第1層間絶縁膜D1(図20参照)が形成される。この工程は、図9の工程が完了されたシリコン基板1の上に、BPSG、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜が重ね合わされて堆積される。次いで、加熱処理を経て緻密化され、更にCMP法による平坦化処理が行われる。
【0183】
つぎに、コンタクトホールCTH12〜CTH14,CTH12’〜CTH14’が形成される。この工程は、まず、フォトリソグラフィにより各ホールの平面形状がパターニングされ、次いで、第1層間絶縁膜D1に対してエッチングが行われる。
【0184】
つぎに、コンタクトプラグCT12〜CT14,CT12’〜CT14’が形成される。この工程は、まず、コンタクトホールCTH12〜CTH14,CTH12’〜CTH14’にバリアメタル(Ti/TiN)がスパッタリングされる。次いで、CVD等によりプラグ材料としてのタングステンWが堆積され、CMP法による平坦化処理が行われる。
【0185】
図19を参照して、はじめに、第1層間絶縁膜D1とコンタクトプラグCT12〜CT14,CT12’〜CT14’の上に、下部電極BEL1,BEL1’としての第1導電膜(図示せず)が堆積される。つぎに、この第1導電膜上に強誘電体膜FER1,FER2としてのPZT膜(図示せず)が堆積され、その後、酸素含有雰囲気中でのアニーリングにより結晶化される。さらに、上部電極TEL1,TEL2としての第2導電膜(図示せず)が形成される。これらの工程は、第1実施の形態と同じである。
【0186】
つぎに、第2導電膜の上に、はじめに、第1のハードマスク(図示せず)が形成される。この第1のハードマスクを用いて、フォトリソグラフィにより、局所配線BEL1’(下部電極BEL1を含む)、及び局所配線BEL2’(下部電極BEL2含む)(図20参照)の平面形状を有するようにパターンニングされる。次いで、第2導電膜、PZT膜及び第1導電膜のうち、第1のハードマスクに覆われない領域が順次エッチングされる。このエッチング処理の後、第1のハードマスクは除去される。
【0187】
つぎに、第2導電膜の上に、第2のハードマスク(図示せず)が形成される。
この第2のハードマスクを用いて、フォトリソグラフィにより強誘電体キャパシタfc1,fc2の平面形状を有するようにパターニングされる。次いで、第2導電膜、PZT膜のうち、第2のハードマスクに覆われない領域が順次エッチングされる。このエッチング処理の後、第2のハードマスクは除去される。
【0188】
これにより、下部電極BEL1を兼ねる局所配線BEL1’、強誘電体膜FER1及び上部電極TER1からなる強誘電体キャパシタfc1、及び下部電極BEL2を兼ねる局所配線BEL2’、強誘電体膜FER2及び上部電極TEL2からなる強誘電体キャパシタfc2(図20参照)が形成される。
なお、強誘電体キャパシタfc1,fc2の形成後に行われる工程は、第2実施の形態で示された図12以降の製造工程と全く同じである。
【0189】
図20は、本実施の形態による不揮発性SRAMセルの断面図を示している。
図20(A)は、第2実施の形態で示された図16と同じ位置X−X’での断面図に対応しており、縦方向のグリッドa〜fが示されている。図20(B)は、図16と同じ位置Y−Y’での断面図に対応しており、横方向のグリッドg〜mが示されている。
【0190】
はじめに、図20(A)では、CMOSインバータc2のゲート電極gp2から延出される領域exgp2は、コンタクトプラグCT14’を介して、局所配線BEL1’に接続されている。この局所配線BEL1’(下部電極BEL1を含む)には、強誘電体膜FER1及び上部電極TEL1が形成されている。
【0191】
同様に、CMOSインバータc1のゲート電極gp1から延出される領域exgp1は、コンタクトプラグCT14を介して、局所配線BER2’に接続されている。この局所配線BER2’(下部電極BEL2を含む)には、強誘電体膜FER2及び上部電極TEL2が形成されている。
【0192】
つぎに、図20(B)では、CMOSインバータc2のp型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2と、n型MOSトランジスタcn2のドレイン拡散領域dn2とは、コンタクトプラグCT12’,CT13’を介して局所配線BEL2’に接続されている。この局所配線BEL2’のうち強誘電体キャパシタfc2の下部電極BEL2の部分には、強誘電体膜FER2及び上部電極TEL2が形成されている。
【0193】
なお、図20(A)及び図20(B)の断面構造に関して、強誘電体キャパシタfc1,fc2が形成された後の積層構造は、第2実施の形態で示された構造(図17参照)と全く同じであり、説明を省略する。
【0194】
図21は、本発明の第4実施の形態による不揮発性SRAMセルのレイアウトを示している。図21は、第3実施の形態における図18に示されるレイアウトの後に積層される過程を示している。
【0195】
図21に示されるレイアウトでは、局所配線M13が形成されている。この局所配線M13は、CMOSインバータc1のp型MOSトランジスタcp1のドレイン拡散領域dp1とn型MOSトランジスタcn1のドレイン拡散領域dn1に接続されると共に、コンタクトプラグCT14’を介して、ゲート電極gp2から延出される領域exgp2にも接続されている。
【0196】
同様に、局所配線M13’が形成されている。この局所配線M13’は、CMOSインバータc2のp型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2とn型MOSトランジスタcn2のドレイン拡散領域dn2に接続されると共に、コンタクトプラグCT14を介して、ゲート電極gp1から延出される領域exgp1にも接続されている。
【0197】
本実施の形態では、局所配線M13,M13’は、酸化防止膜(たとえば、イリジウム)である。この酸化防止膜は、強誘電体膜FER1,FER2(図22参照)の形成工程、又はこの形成工程に前後する工程で酸素を含有するアニーリング工程等がある場合に、コンタクトホールに埋め込まれる導電性の材料(たとえば、タングステン、この場合、タングステンプラグと呼ばれる)の酸化を防止する膜として敷設される。本実施の形態では、この酸化防止膜を有効に利用して、ラッチ回路の襷配線の一部を形成している。
【0198】
金属配線M13の上には、強誘電体キャパシタfc1が直接形成されている。
金属配線M13の上には、下部電極BEL1、強誘電体膜FER1及び上部電極TEL1の順に積層されている(図22参照)。さらに、上部電極TEL1の上には、ビアプラグCT16が形成されることになる(図12参照)。
【0199】
同様に、金属配線M13’の上には、強誘電体キャパシタfc2が直接形成されている。金属配線M13’の上には、下部電極BEL2、強誘電体膜FER2及び上部電極TEL2の順に積層されている。さらに、上部電極TEL2の上には、ビアプラグCT16’が形成されることになる。
【0200】
以下、図21に示される積層構造の製造プロセスについて説明する。前提として、第1層間絶縁膜D1、コンタクトプラグCT12〜CT14,CT12’〜CT14’が形成されている(図20参照)。
【0201】
図21を参照して、はじめに、酸化防止膜としての局所配線M13,13’が形成される。この工程は、はじめに、フォトリソグラフィにより局所配線M13,13’の平面形状がパターニングされ、コンタクトプラグCT12〜CT14,CT12’〜CT14’を含めて、第1層間絶縁膜D1に配線溝がエッチングにより形成される。
【0202】
つぎに、この配線溝には、スパッタリングによりイリジウムが堆積される。このイリジウムに対して、まず、フォトリソグラフィにより配線の平面形状がパターニングされ、次いでエッチングが行われる。その後、イリジウムからなる配線と第1層間絶縁膜D1を覆うように酸化防止膜が堆積される。次いで、この酸化防止膜に対して、CMP処理による表面平坦化処理が行われる。
なお、強誘電体キャパシタfc1,fc2の形成後に行われる工程は、第2実施の形態で示された図12以降に行われる製造工程と全く同じである。
【0203】
図22は、本実施の形態による不揮発性SRAMセルの断面図を示している。
図22(A)は、第2実施の形態で示された図16と同じ位置X−X’での断面図に対応しており、縦方向のグリッドa〜fが示されている。図22(B)は、図16と同じ位置Y−Y’での断面図に対応しており、横方向のグリッドg〜mが示されている。
【0204】
はじめに、図22(A)では、CMOSインバータc2のゲート電極gp2から延出される領域exgp2は、コンタクトプラグCT14’を介して、局所配線M13に接続されている。この局所配線M13は、強誘電体キャパシタfc1の下部電極BEL1に接続されており、この下部電極BEL1には、強誘電体膜FER1及び上部電極TEL1が形成されている。
【0205】
同様に、CMOSインバータc1のゲート電極gp1から延出される領域exgp1は、コンタクトプラグCT14を介して、局所配線M13’に接続されている。この局所配線M13’は、強誘電体キャパシタfc2の下部電極BEL2に接続されており、この下部電極BEL2には、強誘電体膜FER2及び上部電極TEL2が形成されている。
【0206】
つぎに、図22(B)では、CMOSインバータc2のp型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2と、n型MOSトランジスタcn2のドレイン拡散領域dn2とは、コンタクトプラグCT12’,CT13’を介して局所配線M13’に接続されている。この局所配線M13’は、強誘電体キャパシタfc2の下部電極BEL2に直接接続されており、この下部電極BEL2には、強誘電体膜FER2及び上部電極TEL2が形成されている。
【0207】
なお、図22(A)及び図22(B)の断面構造に関して、強誘電体キャパシタfc1,fc2が形成された後の積層構造は、第2実施の形態で示された構造(図17参照)と全く同じであり、説明を省略する。
【0208】
図23は、本発明の第5実施の形態による不揮発性SRAMセルの断面図を示している。図23(A)は、第2実施の形態で示された図16と同じ位置X−X’での断面図に対応しており、縦方向のグリッドa〜fが示されている。図23(B)は、図16と同じ位置Y−Y’での断面図に対応しており、横方向のグリッドg〜mが示されている。
【0209】
本実施の形態による不揮発性SRAMセルでは、局所配線M13,13’を形成する材料としてバリアメタルBMを使用している(図23(B)参照)。このバリアメタルBMは、第4実施の形態において示されたコンタクトプラグCT12,CT12’、CT13,CT13’ (たとえば、図22(B)参照)を形成する際にタングステンと共に堆積されるバリアメタルである。
【0210】
本実施の形態による不揮発性SRAMセルの製造方法について説明する。
【0211】
図23を参照して、前提として、第1層間絶縁膜D1が形成されている。はじめに、コンタクトホールCTH12〜CTH14,CTH12’〜CTH14’が形成される。この工程は、まず、フォトリソグラフィにより各コンタクトホールの平面形状がパターニングされ、次いで、第1層間絶縁膜D1に対してエッチングが行われる。
【0212】
つぎに、コンタクトプラグCT12〜CT14,CT12’〜CTH14’が形成される。この工程は、はじめに、コンタクトホールCTH12〜CTH14,CTH12’〜CTH14’にバリアメタル(Ti/TiN)BMがスパッタリングされる。次いで、CVD等によりプラグ材料としてのタングステンWが堆積される。
【0213】
これらバリアメタルBMとタングステンが積層されている状態で、まず、タングステンに対してCMP処理が行われ、バリアメタルが一様に残される。次いで、フォトリソグラフィにより局所配線M13,M13’の平面形状がパターニングされ、バリアメタルに対してエッチングが行われる。
【0214】
なお、強誘電体キャパシタfc1,fc2の形成からそれ以降の工程は、第4実施の形態における工程と同じである。
【0215】
図23(A)では、CMOSインバータc2のゲート電極gp2から延出される領域exgp2は、コンタクトプラグCT14’を介して、局所配線M13に接続されている。この局所配線M13は、強誘電体キャパシタfc1の下部電極BEL1に接続されており、この下部電極BEL1には、強誘電体膜FER1及び上部電極TEL1が形成されている。
【0216】
同様に、CMOSインバータc1のゲート電極gp1から延出される領域exgp1は、コンタクトプラグCT14を介して、局所配線M13’に接続されている。この局所配線M13’は、強誘電体キャパシタfc2の下部電極BEL2に接続されており、この下部電極BEL2には、強誘電体膜FER2及び上部電極TEL2が形成されている。
【0217】
つぎに、図22(B)では、CMOSインバータc2のp型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2と、n型MOSトランジスタcn2のドレイン拡散領域dn2とは、コンタクトプラグCT12’,CT13’を介して局所配線M13’に接続されている。
【0218】
この局所配線M13’は、コンタクトプラグCT12’,CT13’の一部を形成しているバリアメタルBMがそのまま配線として機能している。局所配線M13’は、強誘電体キャパシタfc2の下部電極BEL2に直接接続されており、この下部電極BEL2には、強誘電体膜FER2及び上部電極TEL2が形成されている。
【0219】
なお、図23(A)及び図23(B)の断面構造に関して、強誘電体キャパシタfc1,fc2が形成された後の積層構造は、第2実施の形態で示された構造(図17参照)と全く同じである。
【0220】
図24は、本発明の第6実施の形態による不揮発性SRAMセルの断面図を示している。図24(A)は、第2実施の形態で示された図16と同じ位置X−X’での断面図に対応しており、縦方向のグリッドa〜fが示されている。図24(B)は、図16と同じ位置Y−Y’での断面図に対応しており、横方向のグリッドg〜mが示されている。
【0221】
本実施の形態による不揮発性SRAMセルでは、第3実施の形態において示される局所配線M15,15’として、コンタクトプラグが配線状に形成されている(図24(B)参照)。この配線状のコンタクトプラグは、第5実施の形態で示されたコンタクトプラグCT12〜CT14,CT12’〜CT14’と金属配線M13,M13’の両者の役割を果たしている。この配線状のコンタクトプラグから形成される局所配線M14,M14’は、タングステン等の導電性材料により形成される。
【0222】
本実施の形態による不揮発性SRAMセルの製造方法について説明する。
【0223】
図24を参照して、前提として第2実施の形態で示された図9の構造が形成されているものとする。はじめに、ゲート電極gp1,gp2、更には該ゲート電極gp1,gp2のそれぞれから延出される領域exgp1,exgp2の側壁にスペーサが形成され、全面にSi3N4膜5が堆積される(図24(A)参照)。
次いで、このスペーサに形成されたギャップは、SiO2膜により完全に埋め込まれる。
【0224】
つぎに、第1層間絶縁膜D1が堆積される。この工程は、まず、Si3N4膜5及びシリコン基板1上に、BPSG、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜が重ね合わされて堆積される。次いで、加熱処理を経て緻密化され、更にCMP法による平坦化処理が行われる。
【0225】
つぎに、配線状のコンタクトホールが形成される。この工程は、セルフ アライン コンタクト(SAC)技術を利用して形成される。まず、オーバサイズのマスクパターンを用いて、フォトリソグラフィにより局所配線M14,M14’の平面形状のパターニングが形成される。次いで、第1層間絶縁膜D0及びSi3N4膜5に対してドライエッチングが行われる。
【0226】
このとき、図24(A)及び図24(B)に示されるように、局所配線M14に対応して、ゲート電極g2から延出される領域exgp2を覆うSi3N4膜5の一部もエッチングされる。同様に、局所配線M14’に対応して、ゲート電極g1から延出される領域exgp1を覆うSi3N4膜5の一部もエッチングされる。
【0227】
つぎに、局所配線M14,M14’が形成される。この工程は、まず、先に形成された配線状のコンタクトホールにバリアメタル(Ti/TiN)がスパッタリングされる。次いで、CVD等により導電性材料としてのタングステンWが堆積され、CMP法による平坦化処理が行われる。
【0228】
このとき、局所配線M14と、領域exgp2のうちSi3N4膜5がエッチングされた部分との間で電気的な接続が実現されており、同様に、局所配線M14’と、領域exgp1のうちSi3N4膜5がエッチングされた部分との間で電気的な接続が実現されている。
なお、強誘電体キャパシタfc1,fc2の形成からそれ以降の工程は、第4実施の形態における工程と同じである。
【0229】
図24(A)では、CMOSインバータc2のゲート電極gp2から延出される領域exgp2は、局所配線M14に接続されている。この局所配線M14は、強誘電体キャパシタfc1の下部電極BEL1に接続されており、この下部電極BEL1には、強誘電体膜FER1及び上部電極TEL1が形成されている。
【0230】
同様に、CMOSインバータc1のゲート電極gp1から延出される領域exgp1は、局所配線M14’に接続されている。この局所配線M14’は、強誘電体キャパシタfc2の下部電極BEL2に接続されており、この下部電極BEL2には、強誘電体膜FER2及び上部電極TEL2が形成されている。
【0231】
つぎに、図24(B)では、局所配線M14’が配線状のコンタクトプラグとして形成されていることが示されている。CMOSインバータc2のp型MOSトランジスタcp2のドレイン拡散領域dp2と、n型MOSトランジスタcn2のドレイン拡散領域dn2とは、局所配線M13’により直接接続されている。この局所配線M14’は、強誘電体キャパシタfc2の下部電極BEL2に接続されており、この下部電極BEL2には、強誘電体膜FER2及び上部電極TEL2が形成されている。
【0232】
なお、図24(A)及び図24(B)の断面構造に関して、強誘電体キャパシタfc1,fc2が形成された後の積層構造は、第2実施の形態で示された構造(図17参照)と全く同じであり、説明を省略する。
【0233】
上述した第2実施の形態から第6実施の形態までの概念は、CMOSインバータc1(たとえば、図9参照)のそれぞれのp型MOSトランジスタcp1のドレイン拡散領域dp1とn型MOSトランジスタcn1のドレイン拡散領域dn1を接続する局所配線の様々な形態を示している。
【0234】
第2実施の形態から第6実施の形態を通して、強誘電体キャパシタfc1,fc2の下部電極BEL1,BEL2は、ラッチ回路を構成する複数のトランジスタの不純物拡散領域のうち、電源電圧VDD又は接地電圧VSSに接続される不純物拡散層(たとえば、sp1,sn1,sp2,sn2)とは異なる不純物拡散層(たとえば、dp1,dn1,dp2,dn2)を互いに接続する局所的な配線にそれぞれ接続されている。この場合、この局所的な配線は、金属配線を形成する金属の融点よりも高い融点を有する材料で形成される。
【0235】
特に、強誘電体キャパシタfc1,fc2の下部電極BEL1,BEL2は、2つのインバータc1,c2のそれぞれに含まれるドレイン拡散領域(dp1とdn1,dp2とdn2)を互いに接続する局所的な配線にそれぞれ接続されている。
【0236】
ここで、この局所配線は、第1実施の形態における配線M1,M1’(図5参照)と比較して、強誘電体キャパシタfc1、fc2のそれぞれが形成される層よりも下の層に形成されている。このとき、CMOSインバータc1,c2の襷接続は、強誘電体キャパシタfc1,fc2のそれぞれの実質的に真下にあたる位置で実現される。
【0237】
最後に、第1実施の形態から第6実施の形態を通して、本発明に適用される他の形態について説明する。
【0238】
はじめに、上記実施の形態では、互いに襷接続されるCMOSインバータc1,c2によりラッチ回路を形成している。本発明は、この構成に限定されず、複数のトランジスタを使用してラッチ回路を実現する構成であればよい。
【0239】
また、上記実施の形態では、強誘電体キャパシタfc1は、CMOSインバータc1に対応して形成され、強誘電体キャパシタfc2は、CMOSインバータc2に対応して形成されている。すなわち、1つの不揮発性SRAMセル3に対して2つの強誘電体キャパシタfc1,fc2が形成されている。本発明は、この対応関係に限定されず、たとえば、複数個の強誘電体キャパシタが1つのCMOSインバータに対応する構成とすることもできる。
【0240】
なお、上述した第1の実施の形態から第6の実施の形態では、本発明による構造の概念がSRAMセルに適用される場合を例示している。本発明による構造の概念は、SRAMセルへの適用に限定されず、たとえば、ラッチ回路又はフリップフロップ回路にも同様に適用することができる。この場合、2つのインバータ回路が襷接続されているノードに強誘電体キャパシタが形成される構造として実現される。
【0241】
本発明は、上述された実施の形態の内容を整理して、付記として開示される。
(付記1) 基板上に設けられ、ラッチを構成する複数のトランジスタと、
下部電極、強誘電体膜及び上部電極から形成されるキャパシタの対とを備え、前記キャパシタの対は、前記基板よりも上の層であって、プレート線が形成される金属配線層よりも下の層に設けられる、
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
(付記2) 前記キャパシタの対は、ビット線が形成される金属配線層よりも下の層に設けられる、
ことを特徴とする付記1記載の不揮発性半導体記憶装置
(付記3) 基板上に設けられ、互いに襷接続される2つのインバータと、
前記2つのインバータのうちの対応する1つに含まれるドレイン拡散領域に接続される下部電極、強誘電体膜及びプレート線に接続される上部電極から形成されるキャパシタの対とを備え、
前記キャパシタの対は、前記基板よりも上の層であって、前記プレート線が形成される金属配線層よりも下の層に設けられる、
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
(付記4) 前記キャパシタの対は、ビット線が形成される金属配線層よりも下の層に設けられる、
ことを特徴とする付記3記載の不揮発性半導体記憶装置
(付記5) 基板上に設けられ、ラッチを構成する複数のトランジスタと、
前記基板よりも上の層であって、プレート線が形成される金属配線層よりも下の層に設けられ、下部電極、強誘電体膜及び前記プレート線に接続される上部電極から形成されるキャパシタの対とを備え、
前記キャパシタの対の下部電極は、前記複数のトランジスタの不純物拡散領域のうち、第1又は第2の電圧源に接続される不純物拡散層とは異なる不純物拡散層が延出された領域にそれぞれ接続される、
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
(付記6) 前記キャパシタの対は、ビット線が形成される金属配線層よりも下の層に設けられる、
ことを特徴とする付記5記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記7) 前記複数のトランジスタは、2つのインバータであり、
前記キャパシタの対の下部電極は、前記2つのインバータのそれぞれのドレイン拡散領域のうちの1つが延出された領域とそれぞれ接続される、
ことを特徴とする付記5又は6記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記8) 前記キャパシタの対は、前記2つのインバータにより画定される平面領域の外部に設けられる、
ことを特徴とする付記7記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記9) 前記キャパシタの対の下部電極は、前記2つのインバータのそれぞれのp型トランジスタのドレイン拡散領域から、該ドレイン拡散領域が形成されている方向と実質的に直交する方向に延出された領域とそれぞれ接続される、
ことを特徴とする付記7記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記10) 前記2つのインバータのそれぞれのp型トランジスタのドレイン拡散領域とn型MOSトランジスタのドレイン拡散領域は、前記キャパシタの対が形成される層よりも上の層に設けられる配線を介して接続される、
ことを特徴とする付記7記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記11) 前記2つのインバータのそれぞれのゲート電極は、前記ゲート電極が形成される方向と実質的に直交する方向に延出されて、前記配線に接続される、
ことを特徴とする付記10記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記12) 基板上に設けられ、ラッチを構成する複数のトランジスタと、
前記基板よりも上の層であって、プレート線が形成される金属配線の層よりも下の層に設けられ、下部電極、強誘電体膜及び前記プレート線に接続される上部電極から形成されるキャパシタの対とを備え、
前記キャパシタの対の下部電極は、前記複数のトランジスタの不純物拡散領域のうち、第1又は第2の電圧源に接続される不純物拡散層とは異なる不純物拡散層を互いに接続する局所的な配線にそれぞれ接続され、前記局所的な配線は、前記金属配線を形成する金属の融点よりも高い融点を有する材料で形成される、
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
(付記13) 前記キャパシタの対は、ビット線が形成される金属配線層よりも下の層に設けられる、
ことを特徴とする付記12記載の不揮発性半導体記憶装置
(付記14) 前記複数のトランジスタは2つのインバータであり、
前記キャパシタの対の下部電極は、前記2つのインバータのそれぞれのドレイン拡散領域を互いに接続する前記局所的な配線にそれぞれ接続される、
ことを特徴とする付記12又は13記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記15) 前記キャパシタの対は、前記2つのインバータにより画定される平面領域の内部に設けられる、
ことを特徴とする付記14記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記16) 前記局所的な配線は、前記下部電極を形成する材料により形成される、
ことを特徴とする付記12乃至14のいずれか記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記17) 前記局所的な配線は、酸化防止膜により形成される、
ことを特徴とする付記12乃至14のいずれか記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記18) 前記局所的な配線は、バリアメタル材料により形成される、
ことを特徴とする付記12乃至14のいずれか記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記19) 前記局所的な配線は、導電性のプラグ材料により形成される、
ことを特徴とする付記12乃至14のいずれか記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記20) 前記局所的な配線は、前記2つのインバータのそれぞれのp型トランジスタのドレイン拡散領域とn型MOSトランジスタのドレイン拡散領域を接続する配線であって、前記キャパシタの対が形成される層よりも下の層に設けられる、
ことを特徴とする付記14乃至19のいずれか記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記21) 前記2つのインバータのそれぞれのゲート電極は、前記ゲート電極が形成される方向と実質的に直交する方向に延出されて、前記キャパシタの対が形成される層よりも下の層に設けられる前記局所的な配線と接続される、
ことを特徴とする付記14乃至20のいずれか記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記22) ラッチ回路を構成する複数のトランジスタを基板に形成するステップと、
下部電極、強誘電体膜及び上部電極から形成されるキャパシタの対を前記基板よりも上の層に形成するステップと、
前記キャパシタ対が形成される層よりも上の層に、プレート線をなす金属配線層を形成するステップと、
を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
(付記23) 前記強誘電体膜は、600℃以上の成膜温度により形成される、ことを特徴とする付記22記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
(付記24) 基板上に設けられる第1のインバータと、
前記基板上の前記第1のインバータ回路と対称な位置に設けられる第2のインバータとを備え、
前記第1及び第2のインバータの一方のゲート電極は、他方のゲート電極に向かって延出される領域を有し、前記延出される領域は、前記一方のゲート電極と前記他方のゲート電極に接続される2つのドレイン拡散領域とを前記基板よりも上の層で電気的に接続するプラグが形成される領域を有する、
ことを特徴とする半導体回路。
【0242】
【発明の効果】
本発明によれば、不揮発性SRAMセルに設けられる強誘電体キャパシタの膜質の安定化を図ることができると共に、セル面積の縮小化にも寄与する積層構造を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明において実現される不揮発性SRAMを例示する回路図である。
【図2】本発明の第1実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その1)である。
【図3】本発明の第1実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その2)である。
【図4】本発明の第1実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その3)である。
【図5】本発明の第1実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その4)である。
【図6】本発明の第1実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その5)である。
【図7】本発明の第1実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その6)である。
【図8】本発明の第1実施の形態による不揮発性半導体記憶装置の断面図である。図8(A)は、Y−Y’断面図、図8(B)は、X−X’断面図を示す。
【図9】本発明の第2実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その1)である。
【図10】本発明の第2実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その2)である。
【図11】本発明の第2実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その3)である。
【図12】本発明の第2実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その4)である。
【図13】本発明の第2実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その5)である。
【図14】本発明の第2実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その6)である。
【図15】本発明の第2実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その7)である。
【図16】本発明の第2実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その8)である。
【図17】本発明の第2実施の形態による不揮発性半導体記憶装置の断面図である。図17(A)は、図16に示されるX−X’断面図、図17(B)は、図16に示されるY−Y’断面図を示す。
【図18】本発明の第3実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その1)である。
【図19】本発明の第3実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウト(その2)である。
【図20】本発明の第3実施の形態による不揮発性半導体記憶装置の断面図である。図20(A)は、図16に示されるX−X’断面図、図20(B)は、図16に示されるY−Y’断面図を示す。
【図21】本発明の第4実施の形態による不揮発性半導体記憶装置のセルレイアウトである。
【図22】本発明の第4実施の形態による不揮発性半導体記憶装置の断面図である。図22(A)は、図16に示される位置X−X’での断面図、図22(B)は、図16に示される位置Y−Y’での断面図を示す。
【図23】本発明の第5実施の形態による不揮発性半導体記憶装置の断面図である。図23(A)は、図16に示される位置X−X’での断面図、図23(B)は、図16に示される位置Y−Y’での断面図を示す。
【図24】本発明の第6実施の形態による不揮発性半導体記憶装置の断面図である。図24(A)は、図16に示される位置X−X’での断面図、図24(B)は、図16に示される位置Y−Y’での断面図を示す。
【符号の説明】
1:シリコン基板
3:不揮発性SRAMセル
c1,c2:CMOSインバータ
cp1,cp2:p型MOSトランジスタ
cn1,cn2,sw1,sw2:n型MOSトランジスタ
gp1,gp2,g1,g2:ゲート電極
dp1,dp2,dn1,dn2:ドレイン拡散領域
sp1,sp2,sn1,sn2:ソース拡散領域
sd11,sd21,sd12,sd22:ソース又はドレイン拡散領域
exdp1,exdp2:(ドレイン拡散領域から)延出される領域
exgp1,exgp2:(ゲート電極から)延出される領域
BEL1’,BEL2’,M13,M13’,M14,M14’:局所配線
Claims (10)
- 基板に設けられ、ラッチを構成する複数のトランジスタと、下部電極、強誘電体膜及び上部電極から形成されるキャパシタの対とを備え、前記キャパシタの対は、前記基板よりも上の層であって、プレート線が形成される金属配線層よりも下の層に設けられる、
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 基板に設けられ、ラッチを構成する複数のトランジスタと、前記基板よりも上の層であって、プレート線が形成される金属配線層よりも下の層に設けられ、下部電極、強誘電体膜及び前記プレート線に接続される上部電極から形成されるキャパシタの対とを備え、
前記キャパシタの対の下部電極は、前記複数のトランジスタの不純物拡散領域のうち、第1又は第2の電圧源に接続される不純物拡散層とは異なる不純物拡散層が延出された領域にそれぞれ接続される、
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記複数のトランジスタは、2つのインバータであり、
前記キャパシタの対の下部電極は、前記2つのインバータのそれぞれに含まれるドレイン拡散領域のうちの1つが延出された領域とそれぞれ接続される、
ことを特徴とする請求項2記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 基板に設けられ、ラッチを構成する複数のトランジスタと、前記基板よりも上の層であって、プレート線が形成される金属配線の層よりも下の層に設けられ、下部電極、強誘電体膜及び前記プレート線に接続される上部電極から形成されるキャパシタの対とを備え、
前記キャパシタの対の下部電極は、前記複数のトランジスタの不純物拡散領域のうち、第1又は第2の電圧源に接続される不純物拡散層とは異なる不純物拡散層を互いに接続する局所的な配線にそれぞれ接続され、前記局所的な配線は、前記金属配線を形成する金属の融点よりも高い融点を有する材料で形成される、
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記複数のトランジスタは2つのインバータであり、
前記キャパシタの対の下部電極は、前記2つのインバータのそれぞれに含まれるドレイン拡散領域を互いに接続する前記局所的な配線にそれぞれ接続される、ことを特徴とする請求項4記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記局所的な配線は、前記下部電極を形成する材料により形成される、
ことを特徴とする請求項4又は5記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記局所的な配線は、酸化防止膜により形成される、
ことを特徴とする請求項4又は5記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記局所的な配線は、バリアメタル材料により形成される、ことを特徴とする請求項4又は5記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記局所的な配線は、導電性のプラグ材料により形成される、
ことを特徴とする請求項4又は5記載の不揮発性半導体記憶装置。 - ラッチを構成する複数のトランジスタを基板に形成するステップと、
下部電極、強誘電体膜及び上部電極から形成されるキャパシタの対を前記基板よりも上の層に形成するステップと、
前記キャパシタの対が形成される層よりも上の層に、プレート線をなす金属配線層を形成するステップと、
を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
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