KR950009710B1 - 무수프탈산 제조용 촉매와 그 촉매를 이용한 무수프탈산의 제조방법 - Google Patents

무수프탈산 제조용 촉매와 그 촉매를 이용한 무수프탈산의 제조방법 Download PDF

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Abstract

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Description

무수프탈산 제조용 촉매와 그 촉매를 이용한 무수프탈산의 제조방법
제1도는 본 발명 실시예 2에 의해 수득한 촉매 E에 대한 회절각 범위 10∼90°에서의 X선 회절 분석결과를 보여주는 도표.
제2도는 비교예 2에 의해 수득한 촉매 G의 회절각 범위 10∼90°에서의 X선 회절 분석결과를 보여주는 도표.
제3도는 바나듐과 티타늄만으로 구성된 촉매의 회절각 범위 26∼36°에서의 X선 회절 분석결과를 보여주는 도표.
제4도는 비교예 2에 의해 수득한 촉매 G의 회절각 범위 26∼36°에서의 X선 회절 분석의 결과를 보여주는 도표.
제5도는 본 발명 실시예 2로부터 수득한 촉매 E의 회절각 범위 26∼3''에서의 X선 회절 분석결과를 보여주는 도표.
본 발명은 무수프탈산을 생성하기 위한 촉매와 상기의 촉매를 이용한 무수프탈산의 제조방법에 관련된 것이다. 상세히 언급하면, 본 발명은 분자산소(molecular oxygen) 또는 분자산소를 포함하는 기체를 이용하여 o-크실렌 및/또는 나프탈렌의 증기상 촉매산화에 의한 무수프탈산 제조용 촉매와 그 촉매를 이용한 무수프탈산의 제조방법에 관한 것이다.
최근에, 분자산소 또는 분자산소를 포함하는 기체를 이용한 o-크실렌 및/또는 나프탈렌의 증기상 촉매산화에 의해 무수프탈산을 생성할 때, 우선 초기 생성물을 수득한 후, 열로 처리하고 증류함으로써 수득률을 증가시키는 것이 시도되어 왔다. 이 과정은 간단하고 실행하기 쉬우므로, 저렴한 가격으로 질이 좋은 생성물을 다량으로 생산할 수 있는 것과 같은 중요한 효과를 기대할 수 있다.
더욱이, 수득율을 향상하는 방법으로 반응 조건과 촉매활성을 유지하여 생산을 안정화시키는 것을 포함하는 과정이 있다.
이 과정의 예는 고농도의 출발물질기체와 같은 고부하(high load) 반응 조건하에서 수행되는 산화반응이다. 그런, o-크실렌 또는 나프탈렌으로부터 무수프탈산의 제조는 강렬한 열의 발생이 수반되며, 고농도 조건하에서 핫 스포트(hot spot) 부위의 온도가 극단적으로 상승하여 과다한 산화가 발생하여 무수프탈산의 수득률이 감소하고, 촉매의 열화(劣化)가 극단적으로 가속화된다. 이런 고부하 반응조건에서 저항할 수 있는 촉매가 미국특허 제4,356,112호에서 제안되어 있다.
이런 종류의 잘 알려진 촉매는 주 성분으로서 산화바나늄과 산화티타늄을 함유하는 불활성 담체에 담지된 촉매 활성물질을 갖는 무수프탈산 제조용 촉매이다. 이런 형의 촉매들은, 예를들어 영국특허 제1,203,321호, 미국특허 제4,046,780호, 일본국 특공소 49-41036호, 미국특허 제3,843,552호, 미국특허 제3,909,457호와 일본국 특개소 57-105241호에 공개되어 있다. 이런 촉매들은 그들 각각의 특징을 갖고 있으며 이중 몇개는 공업용으로 적용됨으로써 유용성이 입증되었다.
그러나, 아직 촉매의 성능을 향상시킬 수 있는 충분한 여지가 있다. 수득률에서 단지 1%의 증가라도 생산 규모를 고려할때 경제적으로 현저한 효과가 있는 것이다.
본 발명은 지금까지 알려진 종래의 촉매와 비교하여 촉매의 성능이 훨씬 향상된 촉매로서 무수프탈산 제조에 유용한 촉매를 제공한다.
따라서, 본 발명의 목적은 o-크실렌 및/또는 나프탈렌의 증기상 촉매 산화에 의한, 높은 선택성을 갖는 무수프탈산 제조용 촉매를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 o-크실렌 및/또는 나프탈렌의 증기상 촉매 산화에 의해 무수프탈산을 제조하기 위한 촉매로서, 고부하와 높은 온도 조건하에서도 높은 선택성으로 무수프탈산을 제조할 수 있고, 내구력이 우수하며, 장기간 동안 안정한 상태에서 무수프탈산을 생성할 수 있는 촉매를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 광범위한 연구를 통해, 특히 높은 온도 조건하에서 촉매 활성물질 성분으로서 바나듐-티타늄을 기본으로 하는 촉매에 안티몬을 도입함에 있어서 출발물질로 Sb2O3로 표시되는 종래의 3가 안티몬 화합물 대신 Sb2O5표시되는 5가의 안티몬 화합물을 이용함으로써 위에서 언급된 목적이 이루어짐을 발견하였다.
이 발견에 근거하여, 본 발명이 이루어졌다.
더욱이, 위에서 언급된 목적이 특히 높은 온도 조건하에서 은이 이미 첨가된 바나듐-티타늄을 기본으로 하는 용매에도 안티몬을 도입하기 위한 출발물질로서 Sb2O5로 표현되는 5가의 안티몬 화합물을 이용함으로써 달성됨을 발견되었다.
본 제1발명은 분자산소 또는 분자산소를 함유하는 기체를 이용한 o-크실렌 및/또는 나프탈렌의 증기상 촉매산화에 의해 무수프탈산을 생성하는 촉매로서 내열성 무기담체에 하기의 성분(A) 및 (B)를 함유하는 촉매 활성물질이 담지된 촉매를 제공한다 :
(A) V2O5환산 1∼20중량부의 산화바나듐과 TiO2환산 99∼80중량부의 비표면적이 10∼60㎡/g인 아나타제형(anatase type) 이산화티타늄 ; 및 (B) 상기 (A)의 총 100중량부당 Nb2O5환산 0.01∼1중량부의 니오브, 산화물 환산 0.05∼2중량부의 칼륨, 세슘, 루비듐과 탈륨중에서 선택되는 하나 이상의 원소, P2O5환산 0.2∼1.2중량부의 인 및 Sb2O5환산 0.55∼5.5중량부의 안티몬.
이때 촉매 활성물질의 제조시에 안티몬 급원으로서 5가 안티몬 화합물이 이용된다. 이하, 이와같이 얻어진 촉매는 촉매 1로 언급된다.
본 제2발명은 분자산소 또는 분자산소를 포함하는 기체를 이용한 o-크실렌 및/또는 나프탈렌의 증기상 촉매 산화에 의한 무수프탈산 제조용 촉매로서 내열성 무기담체에 담지되어 있는 하기의 성분 (A) 및 (B)를 함유하는 촉매 활성물질을 갖는 촉매를 제공한다 :
(A) V2O5환산 1∼20중량부의 산화바나듐, TiO2환산 99∼80중량부의 비표면적이 10∼60㎡/g인 아나타제형 이산화티타늄 ; 및 (B) 상기 (A)의 총 100중량부당 Nb2O5환산 0.01∼1중량부의 니오브, 산화물 환산 0.05∼2중량부의 칼륨, 세슘, 루비듐과 탈륨으로부터 선택되는 하나 이상의 원소, P2O5환산 0.2∼1.2중량부의 인, Ag2O 환산 0.05∼2중량부의 은 및 Sb2O5환산 0.05∼5.5중량부의 5가 안티몬 화합물.
상기의 5가 안티몬 화합물은 촉매활성 물질의 제조에 있어서 안티몬 급원으로서 사용된다.
이하, 이와 같이 얻어진 촉매는 촉매 2로 언급된다.
발명의 특징중의 하나는 비표면적이 10∼60㎡/g, 바람직하게 15∼40㎡/g인 아나타제형 이산화티타늄이 촉매 활성물질의 성분으로서 이용된다는 것이다. 아나타제형 이산화티타늄의 비표면적이 10㎡/g이하이면 얻어진 촉매의 활성도는 감소하며, 비표면적이 60㎡/g이상이면 촉매의 내구성이 감소하고 수득률이 급속히 감소하여 바람직하지 않다.(비표면적은 BET법으로 측정되어진다.)
아나타제형 이산화티타늄의 제조방법으로 소위 “용액법(solution method)”과 “고화법(solidifying method)”이 있으나 용액법이 사용하기에 바람직하다.
용액법에 따르면, 일메나이트(ilmenite)(FeOTiO2)를 70∼80%농도의 황산용액으로 처리하고 약 150℃에서 압력하에서 가수분해하고 하소하여 아나타제형의 이산화티타늄을 얻었다. 수득한 아나타제형 이산화티타늄은 다공성에도 불구하고 높은 기계적 강도를 갖는다. 이러한 이산화티타늄은 “일차입자(primary particle)”로 간주되는 강도를 갖는다. 즉, 일반적 볼밀(boll mill) 또는 그와 같은 것에 의한 기계적 분쇄에 의해 분쇄되지 않는다.
비록 이런 아니타제형 이산화티타늄이 0.4∼0.7㎛의 큰 평균 입자크기를 갖지만 10∼60㎡/g의 큰 비표면적을 가지며, 본질적으로 작은 직경을 갖는 일차입자들의 어셈블리이다(평균 입자크기는 투과 전자현미경으로 측정된다). 이 입자들중에 구형을 갖는 것들이 실제적인 사용에 바람직하다.
더욱이, 고화법은 실질적 사용에 다소 불편한데 이 방법은 용액법에 비해 높은 농도의 황산에서 실행되기 때문이다.
출발물질로서 사용되는 광석으로 인해 철, 아연, 알루미늄, 망간, 크롬, 칼슘, 납등이 이산화티타늄과 혼합되는 경우가 있으나, 이산화티타늄에 대해 산화물 환산 0.5중량% 또는 그 이하이면 촉매효능에는 문제가 없다.
본 발명에 사용되는 내열성 무기담체는 무수프탈산 생성시의 촉매의 온도에서는 물론 촉매-하소 온도보다 충분히 높은 온도에서 장기간 안정해야 하며 촉매 활성물질과 반응하지 않아야 한다. 이 종류의 바람직한 내열성 무기담체들은 실리콘 카바이드(SiC), 알루미나, 지르코늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드 등이 있다.
이들 담체중, 실리콘 카바이드 담체가 매우 바람직하고, 이 실리콘 카바이드중의 바람직한 알루미나(Al2O3) 함량은 20중량% 또는 그 이하이고 보다 바람직한 함량은 5중량% 또는 그 이하이다. 보다 바람직한 담체는 98% 또는 그 이상의 순도를 갖는 실리콘 카바이드 분말의 자기소결(self-sintering)에 의해 얻어지는 실리콘 카바이드 담채이다. 실리콘 카바이드 담체의 바람직한 겉보기 다공률은 10% 또는 그 이상이고, 보다 바람직하게는 15∼45%범위이다.
내열성 무기담체의 외형은 특별히 제한되지는 않지만 구형 또는 원기둥형이 다루기 쉽고 평균직경이 2∼15mm인 담체가 사용하기에 바람직하다.
본 발명과 관련된 촉매의 특성은 안티몬의 급원으로서 Sb2O5로 표시되는 것과 같은 5가 안티몬 화합물을 사용하는 것이다. 이것은 촉매 활성물질의 한 성분이고 안티몬 화합물은 Sb2O5이외에도 다양한 종류의 5가의 안티몬을 갖는 화합물중에서 선택되어진다. 사용되는 안티몬 화합물의 양은 산화바나듐과 아나타제형 이산화티타늄 성분의 합계 100중량부당 Sb2O5환산 0.55∼5.5중량부이다 : 바람직한 사용량은 Sb2O5환산 1.5∼3.5중량부이다. 안티몬의 함유량이 너무 많거나 적으면, 본 발명의 목적은 달성되지 않는다.
바람직한 5가의 안티몬 함유 화합물은 평균 입자크기가 1∼40㎛의 범위이고 보다 바람직하게는 5∼30㎛의 범위이다. 평균 입자크기가 40㎛보다 크면, 5가의 안티몬 함유 화합물의 다른 성분들을 갖는 촉매로 변화할때 활성도의 편차가 커진다. 이것은 가장 알맞은 온도를 일정하게 유지하기가 어렵기 때문이다. 이것은 아마 촉매 활성층의 안티몬 입자의 고르지 않은 분포때문이다. 또한, 평균 입자크기가 1㎛보다 작으면, 평균 입자크기가 1㎛ 또는 그 이상인 입자의 경우보다 촉매 활성도가 커지며 또한 첨가된 5가 안티몬의 효과가 감소한다. 이것은 아마 5가 안티몬 함유 화합물 자체의 표면에서의 반응 활성도가 높기 때문이다. (평균 입자크기는 촉매를 제조하기 전 투과 전자현미경으로 측정한다)
촉매제조에 이용된 바나듐, 니오브, 칼륨, 세슘, 루비듐, 탈륨 및 인의 출발 물질들은 U2O5, Nb2O5, K2O, Cs2O, Rb2O, Tl2O 및 P2O5와 같은 산화물 이외에 암모늄염, 질산염, 황산염, 할로겐화물, 유기산염과 개개의 원소들의 수산화물과 같이 가열하여 위와같은 산화물로 변하는 화합물로부터 선택되어진다.
칼륨, 세슘, 루비듐과 탈륨의 바람직한 총 사용량은, 바나듐 옥사이드와 아나타제형의 이산화티타늄의 총 100중량부당 위에서 언급된 각 산화물 환산 0.05∼2중량부이고, 바람직한 인의 사용량은 P2O5환산 0.2∼1.2중량부이고, 니오브의 사용량은 Nb2O5환산 0.01∼1중량부이다. 함유량이 너무 많거나 작으면 본 발명의 목적이 달성되지 않는다.
본 발명에 관계된 촉매 2는 촉매 1에서 제시된 촉매 활성물질 이외에 은이 추가된다.
은 성분으로서 Ag2O이외에 질산염, 할로겐화물, 암모늄염, 유기산염, 수산화물, 아민 착화합물, 인산염, 황화물등이 사용된다. 그것중 몇몇, 예를들어 할로겐화은과 인산은 등은 촉매의 생성시에 열에 의해 산화물로 변화하지 않으나, 모두 문제없이 본 발명에서 이용될 수 있다.
바람직한 은의 사용량은 산화바나듐과 아나타제형의 이산화티타늄의 총 100중량부당 Ag2O환산 0.05∼2중량부이다. 함유량이 너무 많거나 적으면, 본 발명의 목적은 달성되지 않는다.
인산은을 사용하는 경우에, 이 화합물은 인과 은으로 구성되어 있고 인 첨가물로서 기여하지 않으므로 인산은에 있는 은은 위에서 언급된 P2O5환산 0.2∼1.2중량부의 인 성분에 포함되지 않는다.
내열성 무기담체에 담지되는 촉매 활성물질의 양은 담체의 크기에 따라 변하지만 바람직한 양은 담체 100cc당 3∼20g이다. 담체에 촉매 활성물질을 담지하여 얻어진 촉매 활성물질층은 직경이 0.15∼0.45㎛인 세공(pore)에 의해 점유된 세공용적이 직경이 10㎛ 또는 그 이하인 세공으로 된 총 세공용적의 50% 또는 그 이상이다. (바람직하게는 75% 또는 그 이상)[세공용적은 수은 주입 다공계(mercury injection porosimeter)로 측정된 세공직경 분포로부터 얻어진다]. 본 발명의 목적은 위에서 언급된 것과 같은 표면특성을 갖는 촉매 활성물질층의 배열에 의해 더욱 효과적으로 달성된다.
본 발명의 촉매 제조시에 내열성 무기담체에 촉매 활성물질의 담지법은 특별히 제한되지 않으며 여러 알려진 방법들이 사용될 수 있다. 가장 간단한 방법은 특정한 양의 담체를 외부에서 가열할 수 있는 회전드럼에 넣고 200∼300℃의 온도에서 유지하는 동안 담체에 촉매 활성물질을 포함하는 현탁액을 분무하는 것이다.
위에서 언급된 표면 특성을 갖는 촉매 활성물질층을 배열하는 실질적 방법이 언급된다. 크기가 0.005∼0.05㎛인 일차입자를 가진 아나타제형의 이산화티타늄을 이용하여 현탁액을 제조할때, 현탁액의 농도는 5∼25중량%, 바람직하게는 10∼20중량%로 조절된다. 큰 일차입자를 갖는 아나타제형 이산화티타늄을 사용할때에는, 현탁액의 농도는 10∼40중량%, 바람직하게는 15∼20중량%에서 조절된다. 얻어진 현탁액은 유화기에 의해 충분히 균일하게 되고 내열성 무기담체는 200∼300℃ 온도로 유지되는 회전드럼에 놓여지며, 위에서 언급된 현탁액은 회전드럼에 분무되어 촉매 활성물질이 소정의 함량으로 담지될 수 있도록 하고, 촉매 활성물질을 담지한 담체는 450∼700℃, 바람직하게 500∼600℃온도에서 공기를 통과시켜 2∼10시간 동안 하소하여 본 발명의 촉매를 수득한다.
본 발명의 촉매를 이용한 o-크실렌 및/또는 나프탈렌의 산화반응은 보통의 반응조건에서 수행될 수 있다. 예를들면, 내부직경이 5∼40mm, 바람직하게는 15∼27mm인 반응관에 촉매를 1∼5m높이, 바람직하게 1.5∼3m 높이로 채우고 전열매체를 이용하여 340∼420℃, 바람직하게는 360∼400℃로 유지한다. 이 반응관에 공간속도 1,000∼6,000hr-1(STP), 바람직하게는 1,000∼4,000hr-1(STP)에서 5∼110g/N㎥의 5∼21부피%의 분자산소 함유 기체속도 또는 5∼70g/N㎥의 공기속도로 분자산소 함유 기체 또는 공기와 함께 o-크실렌 및/또는 나프탈렌을 불어 넣는다.
세번째와 네번째 본 발명은 매우 유리하게 촉매 1과 2를 사용하는 방법에 관련된 것이다. 본 발명에서 반응관의 촉매층은 다수의 반응존(zone)을 배열하기 위해 두개 또는 그 이상의 구역으로 나뉘어지고, 활성도가 조절된 다수의 촉매조각들을 반응존에 놓아 촉매 활성도는 반응관의 물질기체 입구에서 출구쪽으로 높아진다. 바람직하게, 반응관은 두 층으로 나뉘고 입구부분은 한정된 촉매(첫단계 촉매)로 총 촉매층 높이의 30∼70%의 층 높이로 채워지고, 반면에 출구쪽의 남은 층 높이는 첫 단께 촉매보다 고활동도의 촉매(두번째 단계촉매)로 채워지며, 이 촉매들은 o-크실렌 및/또는 나프탈렌의 산화를 위해 제공된다.
본 발명의 촉매 2의 제조예가 설명된다. 형태는 같으나 활동도가 다른 촉매들은 함유량, 예를들어, 인의 함유량을 변화시켜 쉽게 제조할 수 있다. 즉, 산화바나듐과 아나타제형 이산화티타늄의 총 100중량부당 촉매 활성물질중의 산화물 환산 0.2∼0.4중량부의 인을 사용하여 위의 첫단계 촉매가 제조되고, 0.4∼1.2중량부 사용하여 고활성도의 두번째 단계 촉매가 제조된다.
촉매 활성도는 칼륨, 세슘, 루비듐과 탈륨중 선택되는 하나 이상의 원소의 종류 및/또는 함유량을 변화시켜 조절할 수 있다. 더욱이, 조절된 활동도의 촉매 충진층은 촉매 1과 촉매 2의 병용에 의해 제조될 수 있다.
위에서 언급된 조건하에서 산화반응을 실행함으로써 촉매층의 핫 스포트의 열의 축적이 억제되고, 그 결과 열부담으로 인한 촉매열화(劣化)가 감소하여 공업적으로 오랫동안 안정한 작동이 가능하다. 핫 스포트에서의 과도 산화반응이 방지되고 선택성의 향상을 포함하여 여러 효과를 얻을 수 있다.
5가의 안티몬 함유 화합물이 촉매 활성물질의 성분인 안티몬의 급원으로 이용되면, 마지막 단계에서 촉매의 가장 안정한 반응온도는 3가 안티몬 함유 화합물이 사용되는 경우보다 높아진다.
이런 효과는 o-크실렌과 또는 나프탈렌의 고 기체 농도와 같은 고부하 반응 조건하에서 특히 현저하므로 생산성이 매우 강화된다.
본 발명의 촉매를 사용함으로써 무수프탈산을 o-크실렌 및/또는 무수프탈산 생성물을 수득하기 위한 열처리와 증류작용이 용이하며, 고품질의 생성물이 종래의 방법과 비교하여 저렴한 가격에서 얻어진다.
본 발명의 촉매는 내구성이 있고, 따라서 공업적으로 장기적으로 안정한 조업을 가능하게 한다. 고농도의 물질 기체흐름과 같은 고부하 반응 조건하에서와 380℃ 또는 그 이상의 높은 온도 조건하에서도 무수프탈산은 고선택성을 갖고 생산되고, 촉매가 오랜시간동안 사용되어도 내구성이 있고 무수프탈산의 생산성은 매우 강화된다. 따라서, 본 발명의 촉매는 무수프탈산의 제조에 극히 유용하다.
이하에서, 본 발명은 몇몇 바람직한 실시상태의 실시예를 비교예와 비교함으로써 예시된다.
[실시예 1]
[촉매의 제조]
80% 진한 황산을 일메나이트와 혼합하고 충분한 반응을 실행한 후 물로 희석하여 티타늄 설페이트 수용액을 얻었다. 여기에 환원제로서 철 조각을 첨가하여 일메나이트에 있는 철 성분을 제1철이온(Fe2+)으로 환원시켰다. 냉각후 황산 제1철을 침전시키고 분리하였다. 티타늄 설페이트의 얻어진 수용액에 150℃로 가열한 증기를 불어넣고, 수화된 산화티타늄을 침강시켰다. 이것을 수세하고, 산세(酸洗)하고 다시 수세한 후 공기를 통과시켜 800℃에서 4시간동안 하소했다. 이것을 제트 공기증기로 분쇄하여 평균입자 크기가 약 0.5㎛이고, 비표면적이 22㎡/g인 아나타제형의 이산화티타늄(이하, 가끔 간단히 티타늄옥사이드라고 부름)을 수득했다.
탈이온수 6400cc에 옥살산 200g을 녹이고, 암모늄메타바나데이트 47.24g, 인산이수소암모늄 5.95g, 염화니오브 18.67g, 세슘설페이트 8.25g과 안티모니펜타옥사이드 45.91g(평균 입자크기 : 20㎛)을 첨가한 후 저었다. 얻어진 티타늄옥사이드 1,800g을 첨가하고 유화기로 저어주어 촉매 현탁액을 제조하였다.
직경이 35cm이고 길이가 80cm이며, 외부에서 가열될 수 있는 스텐레스 스틸 회전로에 직경이 6mm이고 겉보기 다공률이 35%인 구형의 자기 하소 담체 SiC 2,000cc를 채우고, 노를 회전하는 동안 200∼250℃로 예열시키고 현탁액을 담체 위에 분무하였다. 촉매 활성물질을 100cc의 담체당 8g의 비율로 담지하였다. 나중에 공기를 통과시키며 전기오븐에서 6시간동안 580℃에서 하소하여 촉매 A를 수득하였다.
표 1은 촉매 A의 조성, 촉매활성 물질층에 있는 직경이 0.15∼0.45㎛의 세공에 의해 점유된 세공용적 대 직경이 10㎛ 또는 2이하의 세공에 의해 점유된 총 세공용적의 비율, 그리고 촉매 제조에 사용된 티타늄옥사이드의 평균입자 크기와 비표면적을 보여준다.(이들은 이하 촉매특성이라 총칭한다) 총 세공용적에 대해 직경이 0.15∼0.45㎛인 세공에 의해 점유된 세공용적의 비는 수은 주입 다공계로 측정한다.
촉매 B는 인산이수소 암모늄의 함유량이 23.82g인 것을 제외하고는 촉매 A와 같이 제조되었다. 촉매 A의 촉매특성은 표 1에서 보여진다. 촉매 B에서의 인 함유량은 촉매 A에서 보다 높고 촉매 B의 활성도는 촉매 A의 활성도보다 크다.
산화반응
390℃로 유지되는 용해염욕에 침지된, 내부직경이 25mm 이고 길이가 3m인 철 반응관에 촉매 B를 1m의 높이로 물질기체 출구말단에 2차단계 촉매로서 채우고 그 다음 첫단께 촉매로서 촉매 A를 입구에 1.5m의 높이로 채웠다.
o-크실렌을 85g/N㎡의 합성기체 속도로 10부피%의 산소를 10부피%의 증기와 80부피%의 질소를 함유하는 합성기체와 혼합하였고, 이 혼합물을 2,500hr+1의 공간속도로 반응관의 상위입구에 집어넣어 o-크실렌을 산화하였다.
반응초기와 반응시작 3개월 후에 무수프탈산의 수득률이 측정되어 그 결과가 표 2에 보여진다. o-크실렌의 전환비율은 거의 100%이고 이 수득률은 무수프탈산에 대한 선택성으로 간주될 수 있다.
[비교예 1]
촉매 C와 촉매 D를 안티모니펜타옥사이드 45.91g 대신 안티모니트리옥사이드 36.73g을 사용하고, 세슘설페이트 10.61g을 첨가한 것을 제외하고는 실시예 1과 같이 제조하였다 ; 산화반응은 실시예 1(산화반응)과 같이 실시되었다. 촉매 C와 D의 촉매특성은 표 1에서 보여지며 산화반응의 결과는 표 2에서 보여진다.
[실시예 2]
촉매 E와 촉매 F를 5.38g의 질산은이 또한 첨가되고 5.90g의 세슘설페이트를 첨가한 것을 제외하고는 실시예 1(촉매의 제조)과 같이 제조하였다 ; 산화반응은 실시예 1(산화반응)과 같이 실시하였다. 촉매 E와 F의 촉매특성은 표 1에서 보여지며 산화반응의 결과는 표 2에서 보여진다.
[비교예 2]
촉매 G와 촉매 H를 질산은 5.38g이 또한 첨가되고 45.91g의 안티모니펜타옥사이드 대신 36.73g의 안티모니트리옥사이드가 사용된 것을 제외하고 실시예 1과 같이 제조하였다 ; 산화반응은 실시예 1(산화반응)과 같이 실시하였다. 촉매 G와 H의 촉매특성은 표 1에서 보여지며 산화반응의 결과는 표 2에 보여진다.
각각 실시예 2와 비교예 2로부터 수득된 촉매 E와 G 각각에 대해서, 촉매중의 안티몬의 결정 구조 사이의 차이가 Cu-Kα를 이용한 X선 회절분석으로 조사되었다.
촉매 E와 G모두에서 주성분은 제1도와 2도에서 보여지듯이 아나타제형 TiO2이고, 아나타제형 TiO2로 인한 큰 피이크가 촉매 E와 G의 X선 회절분석에서 검출되었다.
그러므로, 5가 안티몬과 3가 안티몬 사이의 차이를 조사하기 위해 아나타제형 TiO2로 인한 피이크가 존재하지 않는 범위에서 높은 검출강도로 실행되었다.(회절각 2θ는 26∼36°범위이다) 표 3에서 이 범위에서의 U2O5와 Ag2O로 인한 것 뿐만 아니라, 5가와 3가를 갖는 안티몬 화합물로 인한 X-선 회절분석의 피이크 위치(회절각 2θ)가 보여진다. 한편, 표 3에 있는 괄호안의 숫자는 피이크의 상대적 강도를 나타낸다.
비교를 위해 오직 바나듐과 티타늄만을 포함하는 촉매를 제조하여 회절각 2θ가 26∼36°범위인 곳에서 측정을 하였을때 제3도에서 보여지듯이 오직 바나듐펜타옥사이드(U2O5)로 인한 피이크만이 관찰되었다.
표 4에서 볼 수 있듯이, 안티모니트리옥사이드(Sb2O3)가 사용된 촉매 G에서 2θ=27.1°에서 큰 피이크가 나타났고, 2θ=35.4°에서 다른 피이크가 나타났다. 이런 사실과 표 3의 데이타로부터 안티몬은 Sb2O4의 형태와 비슷한 상태로 존재하는 것으로 간주된다.
표 5에서 볼 수 있듯이, 안티모니펜타옥사이드(Sb2O4)가 사용된 촉매 E에서는, 2θ=29.9°에서 큰 피이크가 나타났고, 다른 피이크가 2θ=28.6°와 34.7°에서 나타났다. 이런 사실과 표 3의 데이타로부터 안티몬은 Sb6O13의 형태와 비슷한 상태로 존재하는 것으로 생각된다.
위에서 언급된 것으로부터 안티몬 급원으로서 5가의 안티몬 함유 화합물을 사용하는 효과는 아마 Sb6O13때문이라고 생각된다. 그러나 700℃에서 미리 하소하여 얻어진 Sb2O5로부터 유도된 Sb6O13을 사용하면 (표면적은 변하지 않음) 본 발명의 효과는 얻어지지 않으며 낮은 온도 반응에서 높은 활성을 갖는 촉매만이 얻어진다.
[실시예 3]
일메나이트와 80% 진한 황산을 혼합하여 충분한 반응이 일어나도록 한 후 생성물을 물로 희석하여 티타늄 설페이트의 수용액을 수득하였다. 환원제로서 철 조각을 첨가하였고 일메나이트의 철 성분은 제1철 이온으로 환원되었다. 냉각 후 황산 제1철을 침전시키고 분리하였다. 수득된 티타늄 설페이트 수용액에 150℃로 가열된 증기를 불어넣고, 수화된 티타늄옥사이드를 침강시켰다. 이것을 수세, 산세하고 다시 수세한 후 공기를 통과시켜 4시간동안 700℃에서 하소하였다. 이것을 제트 공기증기로 분쇄하고 BET법으로 측정된 비표면적이 33㎡/g이고 평균입자 크기가 약 0.45㎛인 아나타제형 티타늄다이옥사이드를 수득하였다.
탈이온수 6,400cc에 옥살산 900g을 녹이고, 이 용액에 암모늄메타바나데이트 408.50g, 인산이수소암모늄 10.30g을 염화니오브 17.22g, 세슘설페이트 4.08g과 안티모니펜타옥사이드(평균입자크기 : 20㎛) 52.93g을 첨가하고 충분히 저어주었다. 얻어진 용액에 티타늄옥사이드(위에서 언급된 아나타제형 티타늄다이옥사이드) 1,800g을 첨가하고 촉매용액을 제조하기 위해 유화기로 저어주었다.
이 현탁액을 이용하여 촉매 활성물질이 담지속도가 담체 100cc당 8.0g에서 실시예 1에서와 같이 담지되었고, 560℃의 전기오븐에서 공기를 통과시키며 6시간동안 하소하여 촉매 Ⅰ를 제조하였다.
촉매 J는 사용한 인산이수소암모늄의 양이 30.89g인 것을 제외하고는 촉매 Ⅰ와 같이 제조되었다.
산화반응
395℃로 유지되는 용해염욕에 침지된 내부직경이 25mm이고 길이가 3m인 철 반응 용기에 촉매 J를 2차 단계 촉매로서 1m 높이로 채우고 촉매 Ⅰ를 1차 단계 촉매로서 1.5m 높이로 채웠다 ; 산소 10부피%, 증기 10부피%와 질소 80부피%로 구성된 합성기체와 85g/N㎥의 비율로 섞인 나프탈렌을 반응용기의 상부에 공간속도 2,500hr-1(STP)으로 도입하여 산화반응을 실시하였다. 결과는 표 2에서 보여진다.
[비교예 3]
촉매 K와 촉매 L를 52.93g의 안티모니펜타옥사이드 대신 42.34g의 안티모니트리옥사이드를 이용한 것과 세슘설페이트의 첨가량이 5.44g인 것을 제외하고는 실시예 3(촉매의 제조)에서의 촉매 I와 J와 같은 방법으로 제조하였다. 산화반응은 실시예 3(산화반응)과 같이 실시되었다. 촉매 K와 L의 촉매특성은 표 1에 보여지며 산화반응의 결과는 표 2에서 보여진다.
[실시예 4]
촉매 H와 촉매 N이 질산은 31.04g이 또한 첨가되고 사용한 세슘설페이트의 양이 2.72g인 것을 제외하고 실시예 3과 같이 제조되었다. 산화반응은 실시예 1(산화반응)에서와 같이 실시되었다. 촉매 M과 N의 촉매 특성은 표 1에 보여지며, 산화반응의 결과는 표 2에 보여진다.
[비교예 4]
촉매 O와 촉매 P가 31.04g의 질산은이 또한 첨가되었고 52.93g의 안티모니펜타옥사이드 대신 42.34g의 안티모니트리옥사이드를 이용한 것을 제외하고는 실시예 3과 같이 제조되었다. 산화반응은 실시예 1(산화반응)과 같이 실시되었다. 촉매 O와 P의 촉매특성은 표 1에 보여지며 산화반응의 결과는 표 2에 보여진다.
[표 1]
평균입자크기 : ㎛
비표면적 : ㎡/g
세공용적비율(직경이 0.15-0.45㎛인 세공에 의해 점유된 세공용적에 대한 10㎛이하의 세공에 의해 점유된 총 세공용적의 비) : 부피%
[표 2]
(*) 용해염 온도 :
실시예 1 및 2와 비교예 1 및 2 : o-크실렌→무수프탈산
실시예 3 및 4와 비교예 3 및 4 : 나프탈렌→무수프탈산
[표 3]

Claims (6)

  1. 분자산소 또는 분자산소를 함유하는 기체를 이용한 o-크실렌 및/또는 나프탈렌의 증기상 촉매산화에 의한 무수프탈산 제조에 이용되며 내열성 무기담체에 담지된 촉매 활성물질을 갖는 촉매에 있어서, 상기 촉매 활성물질은 (A) V2O5환산 1∼20중량부의 산화바나듐과 TiO2환산 99∼80중량부의 비표면적이 10∼60㎡/g인 아나타제형의 이산화티타늄 ; 및 (B) (A)의 총 100중량부당 Nb2O5환산 0.01∼1중량부의 니오브, 산화물 환산 0.05∼2중량부의 칼륨, 세슘, 루비듐과 탈륨중에서 선택되는 하나 이상의 원소, P2O5환산 0.2∼1.2중량부의 인 및 Sb2O5환산 0.55∼5.5중량부의 안티몬을 함유하며, 상기 안티몬은 안티몬 급원으로서 5가의 안티몬 화합물의 사용에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 무수프탈산 제조용 촉매.
  2. 제1항에 있어서, 내열성 무기담체에 담지되어 있는 촉매 활성물질층에서 직경이 0.15∼0.45㎛인 세공에 의해 점유된 세공용적이 10㎛ 또는 그 이하의 직경을 갖는 세공에 의해 점유된 총 세공용적의 50%이상인 것을 특징으로 하는 무수프탈산 제조용 촉매.
  3. 분자산소 또는 분자산소를 함유하는 기체를 이용한 o-크실렌 및/또는 나프탈렌의 증기상 촉매산화에 의한 무수프탈산 제조에 이용되며 내열성 무기담체에 담지된 촉매 활성물질을 갖는 촉매에 있어서, 상기 촉매 활성물질은 (A) V2O5환산 1∼20중량부의 산화바나듐과 TiO2환산 99∼80중량부의 비표면적이 10∼60㎡/g인 아나타제형 이산화티타늄 ; 및 (B) (A)의 총 100중량부당 Nb2O5환산 0.01∼1중량부의 니오브, 산화물 환산 0.05∼2중량부의 칼륨, 세슘, 루비듐과 탈륨중에서 선택된 하나 이상의 원소, P2O5환산 0.2∼1.2중량부의 인, Ag2O환산 0.05∼2중량부의 은 및 Sb2O5환산 0.05∼5.5중량부의 5가 안티몬을 함유하며, 상기 안티몬은 안티몬 급원으로서 5가의 안티몬 화합물의 사용에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 무수프탈산 제조용 촉매.
  4. 제3항에 있어서, 내열성 무기담체에 담지되어 있는 촉매 활성물질층에서 직경이 0.15∼0.45㎛인 세공에 의해 점유된 세공용적이 직경이 10㎛ 또는 그 이하의 직경을 갖는 세공에 의해 점유된 총 세공용적의 50%이상인 것을 특징으로 하는 무수프탈산 제조용 촉매.
  5. 분자산소 또는 분자산소를 함유하는 기체와 함께 o-크실렌 및/또는 나프탈렌을 촉매층에 통과시킴으로써 무수프탈산을 제조하는 방법에 있어서, 반응관내의 상기 촉매층은 다수의 반응존을 만들기 위해 두개 또는 그 이상의 구역으로 나뉘며 활성도가 조절되어진 다수의 촉매조작들이 반응존에 채워져서 촉매 활성도가 반응관의 물질 기체 입구에서 출구쪽으로 높아지며, 상기 촉매는 내열성 무기담체에 담지된 촉매 활성물질을 가지며, 상기 촉매 활성물질은 (A) V2O5환산 1∼20중량부의 산화바나듐과 TiO2환산 99∼80중량부의 비표면적이 10∼60㎡/g인 아나타제형 이산화티타늄 ; 및 (B) (A)의 총 100중량부당 Nb2O5환산 0.01∼1중량부의 니오브, 산화물 환산 0.05∼2중량부의 칼륨, 세슘, 루비듐 및 탈륨중에서 선택된 하나이상의 원소, P2O5환산 0.2∼1.2중량부의 인 및 Sb2O5환산 0.05∼5.5중량부의 안티몬을 함유하며, 상기 안티몬은 안티몬 급원으로서 5가의 안티몬 화합물의 사용에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 무수프탈산 제조용 촉매.
  6. 분자산소 또는 분자산소를 함유하는 기체와 함께 o-크실렌 및/또는 나프탈렌을 촉매층에 통과시킴으로써 무수프탈산을 제조하는 방법에 있어서, 반응관내의 상기 촉매층은 다수의 반응존을 만들기 위해 두개 또는 그 이상의 구역으로 나뉘며 활성도가 조절되어진 다수의 촉매조각들이 반응존에 채워져서 촉매 활성도가 반응관의 물질 기체 입구에서 출구쪽으로 높아지며, 상기 촉매는 내열성 무기담체에 담지된 촉매 활성물질을 가지며, 상기 촉매 활성물질은 (A) V2O5환산 1∼20중량부의 산화바나듐과 TiO2환산 99∼80중량부의 비표면적이 10∼60㎡/g인 아나타제형 이산화티타늄 ; 및 (B) (A)의 총 100중량부당 Nb2O5환산 0.01∼1중량부의 니오브, 산화물 환산 0.05∼2중량부의 칼륨, 세슘, 루비듐 및 탈륨중에서 선택된 하나 이상의 원소, P2O5환산 0.2∼1.2중량부의 인, Ag2O환산 0.05∼2중량부의 은 및 Sb2O5환산 0.05∼5.5중량부의 안티몬을 함유하며, 상기 안티몬은 안티몬 급원으로서 5가의 안티몬 화합물의 사용에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 무수프탈산 제조용 촉매.
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