KR940016935A - 이온 주입법을 이용한 전자장치 제조방법 - Google Patents

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Abstract

구동회로를 구비한 액정표시장치 및 다른 큰 영역의 전자장치의 제조시에, 컨덕터(9)의 배출손상 및 박막패턴(12)의 다른 부품이 트랜지스터(15)를 형성하고 컨덕터(9)를 도핑하는 이온 주입 단계에서 이뤄진다. 이 손상은 특별한 처리 단계가 필요없는 본 발명에 따라 형성된 배출 통로(10)를 제공함으로서 방지되며, 통로(10)는 제조 장치내에 유지된다. 이 배출 통로는 통로의 연속 박막 통로(10) 및 컨덕터(9)를 분리하고 장치의 정상 작동을 위해 전기 절연체를 제공하는 일련의 배출 갭(20)이 그 길이부에 걸쳐 제공된다. 그러나, 이온 주입 동안에, 충전물 누설은 패턴(12)으로부터 연속적으로 제어된 배출물을 제공하여 통로의 분리 연속 통로(10) 및 컨덕터(9) 사이에서 배출 갭(20)에 대해 발생된다.

Description

이온 주입법을 이용한 전자장치 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따라 제조되고 본 발명에 따른 주입 배출 통로를 포함한 전자장치의 확대 평면도, 제 2 도는 장치의 제조시에 이온 주입 단계에서의 제 1 도의 장치의 박막 트랜지스터의 횡단면도, 제 3 도는 본 발명에 따른 주입 배출 통로를 포함하고 제 2 도의 이온 주입 단계에서의 박막 회로 패턴(제 2 도의 박막 트랜지스터를 포함함)의 평면도, 제 4 도는 장치의 제조시에 나중 단계에서의 제 3 도의 회로 패턴의 평면도.

Claims (8)

  1. 기판상에 다양한 재료의 박막을 증착하는 단계와, 박막을 원하는 패턴으로 에칭하는 단계와, 박막중 적어도 하나의 영역에 이온을 주입하는 단계에 의해 얻어진 박막 회로 소자가 그위에 형성된 절연 기판을 가지며, 상기 주입 단계에 앞서, 일단의 트랙과 배출통로를 포함하는 박막 패턴이 상기 기판상에 형성되며, 상기 배출 통로는 상기 일단의 트랙내로부터 기판의 주변을 향해 외측으로 연장되며 이온 주입 동안에 트랙의 충전물을 이동시키는 작용을 하는 전자장치 제조방법에 있어서, 상기 박막 패턴에는, 배출 통로의 길이를 따라, 통로의 연속 박막 영역을 분리하고 이온 주입 단계중에, 충전물이 통로의 분리된 연속 영역 사이에서 누출되는 일련의 배출 갭이 제공되며, 일단의 트랙은 통로의 인접 영역으로부터 각 배출 갭에 의해 분리되는 것을 특징으로 하는 전자장치 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 배출 통로는 트랙의 종방향에 대해 횡방향으로 연장된 일련의 박막 영역을 포함하며, 일련의 영역 각각은 일단의 평행 트랙과 상호 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전자장치 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 트랙의 종방향을 따라 다른 위치에서 각각 제1 및 제 2 배출 통로를 제공하도록 영역중 적어도 제 1 시리즈의 영역 및 제 2 시리즈의 영역이 형성되며, 제 1 시리즈의 영역은 배출 갭 보다 긴 공간에 의해 제 2 시리즈의 영역으로부터 분리된 것을 특징으로 하는 전자장치 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 이온 주입 단계 이후에, 트랙의 그룹에 대해 횡방향으로 연장된 다른 박막 트랙이 제1 및 제 2 시리즈 영역사이의 공간에 제공되는 것을 특징으로 하는 전자장치 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 기판상에 형성된 박막 회로 소자의 상기 패턴을 스위칭 소자의 매트릭스 및 매트릭스의 평행선을 구동시키기 위한 구동회로를 포함하며, 상기 박막 평행 트랙은 평행선을 위한 구동회로의 부품을 형성하며, 배출 통로는 매트릭스의 회로 소자로부터 그리고 구동회로의 회로 소자로부터 멀리 연장되는 것을 특징으로 하는 전자장치 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 배출 통로의 최외측 박막 영역은 기판의 주변 영역으로 연장된 것을 특징으로 하는 전자장치 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 주변 영역에서 상기 최외측 박막 영역이 이온 주입 단계에서 배출 포텐셜에 접속되는 것을 특징으로 하는 전자장치 제조방법.
  8. 상기항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 전자장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930027459A 1992-12-11 1993-12-10 이온 주입법을 이용한 전자 장치 제조 방법 KR100281374B1 (ko)

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